【課題】厚さが３５ｎｍ以下でも十分に高い保磁力および角型比を有する磁性のコバルト薄膜を得ることができるコバルト薄膜の形成方法およびこの方法により形成したコバルト薄膜を用いたナノ接合素子を提供する。
【解決手段】ポリエチレンナフタレート基板１１上に真空蒸着法などによりコバルト薄膜１２を３５ｎｍ以下の厚さに成膜する。こうしてポリエチレンナフタレート基板１１上にコバルト薄膜１２を成膜した積層体を二つ用い、これらの二つの積層体をそれらのコバルト薄膜１２のエッジ同士が、必要に応じて有機分子を挟んで、互いに対向するように交差させて接合することによりナノ接合素子を構成する。このナノ接合素子により不揮発性メモリや磁気抵抗効果素子を構成する。ポリエチレンナフタレート基板１１の代わりに、少なくとも一主面がＳｉＯ₂ からなる基板、例えば石英基板を用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】ホモエピタキシャル成長法を用いて伝導特性に優れたβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜を形成することができるβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜の製造方法を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、Ｓｎを添加しながらβ−Ｇａ_２Ｏ_３結晶をβ−Ｇａ_２Ｏ_３基板２上、又は前記β−Ｇａ_２Ｏ_３基板上に形成されたβ−Ｇａ_２Ｏ_３系結晶層上にホモエピタキシャル成長させ、Ｓｎ添加β−Ｇａ_２Ｏ_３結晶膜を形成する工程と、第１の不活性雰囲気中で前記Ｓｎ添加β−Ｇａ_２Ｏ_３結晶膜に第１のアニール処理を施す工程とを含む方法により、Ｓｎ添加β−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】ホモエピタキシャル成長法を用いて伝導特性に優れたβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜を形成することができるβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜の製造方法、及びその方法により形成されたβ−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶膜を含む結晶積層構造体を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、β−Ｇａ_２Ｏ_３結晶をβ−Ｇａ_２Ｏ_３基板２上、又はβ−Ｇａ_２Ｏ_３基板２上に形成されたβ−Ｇａ_２Ｏ_３系結晶層上にホモエピタキシャル成長させ、成長の間にβ−Ｇａ_２Ｏ_３結晶に一定周期で間欠的にＳｎを添加する工程を含む方法により、Ｓｎ添加β−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜３を製造する。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ波発生器やテラヘルツ波検出器等のテラヘルツ帯デバイスにおいて優れた特性を発揮できるテラヘルツ帯デバイス用ＺｎＴｅ薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】テラヘルツ帯デバイス用ＺｎＴｅ薄膜において、気相成長法によって基板上に気相成長され、厚さが５〜１０μｍであり、厚さのばらつきの範囲が厚さの１０％以内である。
また、テラヘルツ帯デバイス用ＺｎＴｅ薄膜の製造方法において、基板上にＺｎＴｅ下地層を１０〜２００オングストロームの厚さで形成する工程と、前記ＺｎＴｅ下地層上にＺｎＴｅ層を５〜１０μｍの厚さで気相成長させる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】構成が簡単なプラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置、より具体的には、危険な原料ガスを用いる必要がなく、高速に成膜が可能なプラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴには、ソレノイドコイル３１が、石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、ソレノイドコイル３１に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させる。誘導結合型プラズマトーチユニットＴと基材２間に設置したシリコン材料にプラズマが照射することで、基材２にシリコン系薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】シャドウマスクを使用することなく高精細な薄膜パターンの蒸着形成を容易にする。
【解決手段】真空容器内で有機ＥＬ材料を蒸発させて、有機ＥＬ表示用基板面にマトリクス状に設けられた複数の画素電極上に選択的に被着させ、有機ＥＬ材料の発光層を形成する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、発光層を形成する箇所に対応して位置する画素電極の基板側の面に電気的に接触させて設けられた抵抗体に通電せず、又は該抵抗体に有機ＥＬ材料を昇華させない程度に制限された温度が発生するように通電する段階と、発光層を形成しない箇所に対応して位置する画素電極の基板側の面に電気的に接触させて設けられた抵抗体に有機ＥＬ材料を昇華させるのに十分な温度が発生するように通電する段階と、を行うものである。 （もっと読む）

【課題】マスクの強度を低下させずに、大面積の成膜対象物に成膜できる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】
マスク３１は、薄膜材料蒸気が通過する複数の通過孔３２が配置された有効領域３３₁〜３３₃と、薄膜材料蒸気を遮蔽する遮蔽領域３４₁〜３４₄とを有し、有効領域３３₁〜３３₃と遮蔽領域３４₁〜３４₃は、長さ方向と、長さ方向と直交する幅方向とを有する四角形状であり、有効領域３３₁〜３３₃と遮蔽領域３４₁〜３４₃とは、有効領域３３₁〜３３₃の幅方向６に沿って互いに隣接して配置され、成膜装置１０ａは、マスク３１と放出装置２１とに対し、成膜対象物４２を、有効領域３３₁〜３３₃と遮蔽領域３４₁〜３４₄とが並ぶ方向に相対的に移動させる第一の移動装置５１を有している。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の表面欠陥の発生を抑制する半導体膜蒸着装置および半導体膜蒸着方法を提供する。
【解決手段】
半導体原料を収容するるつぼ２と、るつぼ２と対向して基板５を支持する基板支持器６と、るつぼ２と基板５との間でるつぼ２の開口を覆って配置されるマスク４と、るつぼ２およびマスク４を加熱する加熱器３と、るつぼ２、基板支持器６、およびマスク４を収容する真空チャンバ７とを備える半導体膜蒸着装置。るつぼ２から飛散した半導体分子はマスク４内部を衝突しながら通過することで基板５上に表面欠陥が抑制された状態で成膜される。 （もっと読む）

【課題】ヒートシール性を損なうことなく、優れた消臭性能を有する積層体およびそれを用いた包装体を提供する。
【解決手段】少なくともヒートシール層４を含む消臭性能を有する積層体１０である。ヒートシール層４が、メソポーラスシリカからなる消臭剤を０．０１〜５０質量％、好適には０．５〜３５質量％含有する樹脂からなる。メソポーラスシリカは、焼成後、Ｘ線回折パターンの少なくとも一つのピークが１．８ｎｍより大きいｄ間隔を有し、６．７ｋＰａ、２５℃におけるベンゼン吸着容量が１００ｇあたり１５ｇより大きい無機質、多孔質または非層状の結晶相物質であって、かつ、結晶相が下記式、Ｍｎ／ｑ（ＳｉＯ_２）で表わされる関係を満足することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率が高く、光電流／暗電流のＳ／Ｎ比の良好であり、且つ、応答速度の速い光電変換素子を提供する
【解決手段】一対の電極（２０，４０）と、一対の電極（２０，４０）に挟持された少なくとも光電変換層３２を含む受光層３０を有する光電変換素子１は、受光層３０の少なくとも一部の層が、フラーレン又はフラーレン誘導体を主成分とする複数の粒子又は該複数の粒子が成形されてなる成形体であり、複数の粒子のＤ５０％で表される平均粒径が５０μm〜３００μmであるの光電変換素子用蒸着材料を用いて蒸着されたフラーレン又はフラーレン誘導体を含むものである。 （もっと読む）

【課題】有機層蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着工程中に基板と有機層蒸着装置との精密な整列の可能な有機層蒸着装置である。有機層蒸着装置は、第１マーク及び第１整列パターンを撮影する第１カメラアセンブリーと、第２整列マーク及び第２整列パターンを撮影する第２カメラアセンブリーと、を備え、前記第１カメラアセンブリーにより撮影された前記第１整列パターンの映像が同一であり、前記第２カメラアセンブリーにより撮影された前記第２整列パターンの映像が同一であるように、前記基板の移動速度と前記第１カメラアセンブリー及び前記第２カメラアセンブリーの撮影速度とを同期化する。 （もっと読む）

【課題】固形の有機材料を昇華・溶解させる速度をより精度よく調整することができる材料供給装置及び成膜装置を提供する。
【解決手段】固体材料を気化させて供給する材料供給装置であって、前記固体材料を供給される供給面を有し、前記固体材料を気化させる気化部材８２と、粉末状の前記固体材料を前記気化部材の供給面上に供給する粉末材料供給部材９４と、前記粉末材料供給部材に取り付けられ、前記気化部材の供給面との間に隙間ができるように配置され、粉末状の前記固体材料を前記気化部材の供給面上に分散させる材料分散部材と、前記材料分散部材に対して前記気化部材を移動させる移動機構と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 真空処理装置の処理室内において、マスクに対する基板のアライメントのために両者の位置関係を確実に検出できる簡単な構成で低コストのアライメント装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ１内で相互に対向配置される基板Ｗとこの基板に対する処理範囲を制限するマスクＷとのいずれか一方を保持する固定の保持手段５と、その他方を保持する、固定の保持手段に対して相対移動可能な可動の保持手段２とを備える。固定の保持手段内に、一端側が可動の保持手段で保持された基板またはマスクのいずれか他方に向けて開口し、その他端側が処理室を画成する壁面に向けて開口する光路５２Ｒ，５２Ｌが形成され、光路の他端側から光を入射する光源６１と、この他端側から光路を通して他方を撮像する撮像手段６２と、撮像手段からの出力に応じて可動の保持手段を相対移動させてアライメントを行う制御手段Ｃとを更に備える。 （もっと読む）

【課題】基板サイズの大型化により、基板を水平搬送でき、基板を略垂直に立てて成膜でき、かつ膜厚均一性がよく、低コストのターゲットや電源を利用でき、蒸着装置とのクラスタ化に適したスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】処理真空チャンバ（１０）を有するスパッタリング装置であって、処理真空チャンバ内にカソード電極（６０）が設けられ、カソード電極上にスパッタリングターゲット材料（６１）が設けられ、処理真空チャンバ内に基板が上面搬送され、カソード電極は矩形であり、基板が垂直方向に立てられた状態でカソード電極が基板面と平行に走査されることで、スパッタリングターゲット材料が基板に成膜されるスパッタリング装置。 （もっと読む）

【課題】封止膜の形成工程以後に処理対象物が１００℃以上に加熱されても、封止膜の表面にしわ（膜異常）が発生しない封止膜形成方法とリチウム二次電池の製造方法を提供する。
【解決手段】
１，３−ビス（イソシアナートメチル）シクロヘキサンと４，４’−メチレンビス（シクロヘキシルイソシアナート）のいずれか一方又は両方からなるイソシアナート材料と、４，４−メチレンビス（シクロヘキシルアミン）と１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンのいずれか一方又は両方からなるアミン材料とを別々に加熱して蒸気を発生させ、蒸気を処理対象物の表面に一緒に到達させてポリ尿素膜１６ａ₂を形成し、アルミナのターゲットをスパッタして、アルミナの粒子をポリ尿素膜１６ａ₂が表面に露出する処理対象物の表面に到達させて、ポリ尿素膜１６ａ₂の表面にアルミナ膜１６ｃ₂を形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜材料を昇温させるのにかかる時間を短縮でき、かつ膜厚の均一性がよい放出装置と薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】
熱伝導性の材料からなる容器本体１３と、容器本体１３に形成された複数の収容孔と、各収容孔の内部にそれぞれ配置され、薄膜材料４が収容される蒸発容器６と、蒸発容器６を加熱する加熱装置７とを有し、加熱装置７は、蒸発容器６の外周側面と収容孔の内周側面との間に位置し、蒸発容器６の外周側面を取り囲んで配置され、蒸発容器６に薄膜材料４が収容された状態で、加熱装置７が蒸発容器６を加熱すると、各蒸発容器６に収容された薄膜材料４から蒸気が発生し、各蒸発容器６の開口から放出される。複数の蒸発容器６を個別に加熱するので、薄膜材料４を速やかに昇温することができる。容器本体１３の熱伝導により、複数の蒸発容器６の温度差は小さくなり、放出される蒸気の量が均一になる。 （もっと読む）

【課題】 成膜したフッ素含有樹脂からなる有機層と無機層との密着性が高い成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】 成膜方法は、被処理基板２に成膜された無機物からなる無機層３上にフッ素含有樹脂からなる有機層を形成する成膜方法であって、無機層を形成する際に、反応性ガスとして水蒸気を用いた反応性スパッタリングを行って被処理基板上に無機層を形成し、次いで無機層上に有機層を形成する。成膜装置は、この成膜方法を実施できる。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料の利用効率の高い成膜装置を提供する。
【解決手段】
真空槽１１と、真空槽１１内に配置され、内部に蒸着材料の蒸気が配置される中空の放出容器１６ａと、真空槽１１内に配置され、基板５を保持する基板保持部１４と、先端の開口１７が基板５表面に向けられて放出容器１６ａに設けられ、内部が放出容器１６ａの内部空間と連通する複数の中空の筒１５とを有し、各筒１５の開口１７の法線１８は基板５表面と交差され、放出容器１６ａ内の蒸気は各筒１５の開口１７から放出され、基板５表面に到達して薄膜が形成される成膜装置１０であって、筒１５には、先端が基板５表面と対面する範囲の外側に配置された筒が含まれる。先端が基板５表面と対面する範囲の外側に配置された筒１５の開口１７の法線も基板５表面と交差され、開口１７から放出された蒸気のうち基板５表面に到達する蒸気の割合が従来より高い。 （もっと読む）

【課題】迅速に成膜速度を算出し、被処理基板へ供給する有機材料ガスの濃度を略一定にして良質な膜を効率良く形成することができ、保守管理も容易である成膜装置、成膜速度算出方法、成膜方法、有機発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１のプロセスコントローラ１１は、イオンゲージ１０に搬送ガスのみを通流させた場合の（Ｉｉ／Ｉｅ）₀ と、有機材料及び搬送ガスを通流させた場合の（Ｉｉ／Ｉｅ）との差と、成膜速度Ｄ／Ｒとの関係を示す成膜速度検量線を作成する。プロセスコントローラ１１は成膜時に（Ｉｉ／Ｉｅ）を算出し、前記成膜速度検量線を用いてＤ／Ｒを求め、求めたＤ／Ｒに基づいてマスフローコントローラ５を制御し、搬送ガスの流量を制御して、成膜処理を行う。 （もっと読む）

【課題】蒸発源での原料モノマーの蒸発レートを、低コストに且つ面倒な作業を付加することなしに、予め定められた一定の量に確実に制御し得るモノマー蒸発量制御装置を提供する。
【解決手段】原料モノマー２９ａ，２９ｂの蒸発時に、ヒータ３０の出力をヒータ出力測定手段３８にて測定する一方、目標温度変更信号出力手段３２において、ヒータ出力測定器３８による測定値とヒータ３０の出力の目標値との差を演算すると共に、該差に基づいて、ヒータ３０にて加熱される原料モノマー２９ａ，２９ｂの目標温度を上昇又は低下させる目標温度変更信号を、該差がゼロとなるまで、目標温度変更信号出力手段３２から温度調節手段３６に出力するように構成した。 （もっと読む）