【課題】膜はがれの原因になる膜を付着しにくくすることができる基板保持装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の基板保持装置は、スパッタ膜を生成する際に基板の裏面が載置される基板載置部と、前記基板載置部の底面よりも大きな上面を有するとともに、前記上面で前記基板載置部を前記基板載置部の底面側から支える支持部と、前記基板載置部の側面部と、前記支持部の上面のうち前記基板載置部の底面を支持していない外周部と、を覆うように前記支持部の上面に載置される環状のカバー部と、を備えている。そして、前記基板載置部の側面部は、前記基板載置部の上面側から所定の深さ方向に向かって外径寸法が小さくなる逆テーパ状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】スパッタ装置におけるアノード消失を防止する。
【解決手段】処理室２内でターゲットのスパッタリングによって基板１５上に電気的に絶縁物である薄膜を形成するためのスパッタ装置において、処理室２内に、薄膜の原料となるターゲット１０ａ、１０ｂとアノード板２０、２２、２４を備え、ターゲット１０ａ、１０ｂとアノード板２０、２２、２４との間に電圧を印加する電源部１２を備え、アノード板２０、２２、２４の少なくとも一部の表面に、大きさ０．５ｍｍ〜１０ｍｍ、深さ１ｍｍ〜５０ｍｍの穴３０を複数形成することで、スパッタリング中にアノードに電気的な絶縁物が堆積してアノードの導電性を損なうのを防止し、長期に亘って良好なスパッタリングを行うことを可能にする。 （もっと読む）

【課題】界面拡散を抑えつつ基板上に薄膜を形成すること。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する成膜装置であって、薄膜を構成する物質のスパッタ粒子を基板に向けて放出する放出部と、放出されたスパッタ粒子のうち少なくとも一部を帯電させる帯電部と、帯電した状態で基板に到達するスパッタ粒子の運動エネルギーの大きさを調整する調整部とを備える。 （もっと読む）

【課題】フッ素系ガスを導入せずに基板にフッ素を含む薄膜を簡易に形成する。
【解決手段】真空成膜容器１内を真空に減圧し、真空成膜容器１内に配置した電極３Ａに電力を印加し、真空成膜容器１内に導入した導入ガスＧからプラズマを生成する。電極３Ａには、ターゲット３が配置され、プラズマ中のイオンがターゲット３に衝突し、ターゲット３からスパッタ粒子が放出される。基板４の近傍には、フッ素を含む固体化合物９が配置され、固体化合物９がプラズマに曝されてフッ素が脱離し、フッ素とスパッタ粒子が反応し基板４にフッ素を含む薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比の孔や溝が形成された基板にスパッタにより薄膜を成膜するに際し、前記孔や溝の内部にスパッタ粒子を堆積させることができ、成膜性の向上を図ることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の成膜方法は、真空容器１０内に配されたターゲット１３に電圧を印加し、前記ターゲットと該ターゲットに対向して配された基板２との間の空間にプラズマを生成させ、前記プラズマにより前記ターゲットから叩き出されたスパッタ粒子を前記基板上に堆積させることにより前記基板上に薄膜を形成する成膜方法において、前記ターゲットと前記基板との間に、該ターゲットから見て前記基板を遮るように、メッシュ状の中間電極１８を配し、該中間電極にマイナス電位のパルス電圧を印加すること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 リフトオフ加工を前提とするスパッタリング装置において、リフトオフ後にバリが残るという不具合を確実かつ安定的に解消する。
【解決手段】 本発明に係るスパッタリング装置１０の真空槽１２内は、差圧シールド２６内の空間２４と、それ以外の空間４０とに、隔離されている。そして、差圧シールド２６内の空間２４に、ターゲット１４が配置されており、それ以外の空間４０に、基板３４が配置されている。さらに、高いエネルギを持つプラズマ２２は、差圧シールド２６内の空間２４に閉じ込められる。これにより、基板３５上に付着した被膜粒子がプラズマ２２の影響を受けて当該基板３５上で移動するというスパッタリング法特有の性質が抑制される。この結果、基板３４上に形成された逆パターンのアンダーカット部への被膜粒子の回り込みが防止され、ひいてはリフトオフ後にバリが残るという不都合が解消される。 （もっと読む）

【課題】 平行に対向させて、ターゲットに対して処理基板を下側ないし上側にして鉛直方向から傾けて配してスパッタを行うスパッタ装置で、導電性棒（アノードロッド）の自重による、その下側への反りを抑制できる構造のスパッタ装置を提供する。
【解決手段】 接地した複数の導電性棒を、各々、前記ターゲットおよび前記処理基板の、天側から地側方向に対して、斜めに、且つ、前記ターゲットの天側から地側方向幅よりも短かくして、その両端部を固定して、配している。
【選択図】 図３
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【課題】装置の外径サイズを一定寸法以下に維持しつつ、生産効率及びコストパフォーマンスの高い真空装置を提供する。
【解決手段】真空排気可能なチャンバ３０と、第１及び第２トレイを、チャンバ３０の上部の第１及び第２の領域の直下に、交互に移動させるように回転する円盤状の回転機構３１とを備え、第１の領域の直下を第１及び第２トレイ１１，２１のいずれかが仕切ることにより、第１の領域がなす密閉領域を処理室２０として定義し、第２の領域の直下を第１及び第２トレイ１１，２１の他のいずれかが仕切ることにより、第２の領域がなす密閉領域をロードロック室１０として定義し、チャンバ３０の内部において、第１及び第２トレイ１１，２１をロードロック室１０と処理室２０との間を交互に搬送し、回転機構３１の載置面で規定される領域のサイズに応じて第１及び第２トレイ１１，２１のそれぞれが複数の被処理基板１０１，２０１を配列する。 （もっと読む）

【課題】カソードを独立して開閉するＲＦスパッタ装置において、ＲＦ経路の接続部のシールド及び接触を確保する。
【解決手段】ＲＦスパッタ装置において、スパッタ室、第１のシールドに覆われたＲＦ出力端を有しスパッタ室に固定されたＲＦ電力伝達手段、第２のシールドに覆われＲＦ出力端に着脱可能なＲＦ入力端を有しスパッタ室に着脱可能に取り付けられるカソード、第１のシールドの第２のシールドに対向する端面又は第２のシールドの第１のシールドに対向する端面に取り付けられた導電性弾性部材、及び導電性弾性部材を挟む方向の力を、第１のシールド若しくは第１のシールド及びＲＦ出力端又は第２のシールド若しくは第２のシールド及びＲＦ入力端に加える加圧手段を備える構成とした。 （もっと読む）

【課題】透過率が９０％以上であり、さらに抵抗値の変動を抑える。
【解決手段】 基板８１の表面８３に透明導電膜８２が積層形成されている。基板８１の表面８３に形成された透明導電膜８２は、ＩＴＯＣ（Indium Tin Oxide Carbon）膜からなる。このＩＴＯＣ膜の基板８１への形成には、プラズマ発生装置を用いた成膜装置１であるＭＰＤ（Multi Plasma deposition）装置が用いられている。 （もっと読む）

【課題】成膜レートを安定に維持することができるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の一形態に係るプラズマ処理方法は、エッチング工程と保護膜形成工程とを交互に繰り返し実施することでシリコン基板に高アスペクト比のビアを形成する。そして、保護膜の形成工程にはスパッタ法が適用される。スパッタ工程では、アンテナコイル２３に高周波電力（ＲＦ１）を供給して、真空槽２１内にスパッタ用ガスのプラズマを形成する。このとき、アンテナコイル２３に供給する高周波電力を２ｋＷ以上とする。アンテナコイル２３に供給する高周波電力が２ｋＷ以上の場合、当該高周波電力が２ｋＷ未満である場合と比較して、ターゲット３０の使用時間に依存しない安定した成膜レートを得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 プラズマに接触する一対の電極に所定の周波数でバイポーラパルス状に電力供給するバイポーラパルス電源を、ブリッジ回路のスイッチング素子のスイッチング損失が軽減でき、高機能スイッチング素子を用いることなく、高い耐久性を達成できるようにする。
【解決手段】 バイポーラパルス電源は、直流電力供給源１からの正負の直流出力端に接続されたスイッチング素子ＳＷ１乃至ＳＷ４から構成されるブリッジ回路２２と、ブリッジ回路の各スイッチング素子のオン、オフの切換えを制御する制御手段とを備える。直流電力供給源からの正負の直流出力間に出力短絡用のスイッチング素子ＳＷ０を設け、この出力短絡用のスイッチング素子の短絡状態で制御手段によりブリッジ回路の各スイッチング素子の切換えを行う。 （もっと読む）

【課題】保守作業における、狭隘な見通しのきかない空間の下での不安定且つ不自然な姿勢での手探り状態の作業に起因する作業効率および作業安全性の低下を防止し、作業時間を短縮するとともに保守作業の信頼性を向上するクラスタ型装置を提供する。
【解決手段】プロセス室５を架台１１上のレール２１、キャスタ２２から成る移動手段上に載架し、保守時にはゲート弁２とプロセス室５の結合を解除しプロセス室５を搬送室３から右方に退避させ、保守に必要な保守用扉８の開き角度を確保し作業者を保守用扉８の開口部に障害物無く対面させる。保守後はゲート弁２に固定された位置決めピン２３をプロセス室５の前面へ再挿入し、搬送室３とプロセス室５の位置関係を移動前の状態に復元する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉウエハ等の半導体基板上に形成された特に高アスペクト比の穴に、バリア層やＡｌ層等となるターゲット材料を成膜した際に、穴の側壁面及び底面をターゲット材料で完全に覆うことを可能にすることにより、スパイクの発生や導通不良の発生を防止することが可能な、半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上の絶縁層２に穴３を形成する。ターゲット５と半導体基板１との距離を第１の値Ｌ２とする第１のスパッタリングによってターゲット材料５ａを穴３に成膜し、上記距離を第１の値Ｌ２よりも小さい第２の値Ｌ１とする第２のスパッタリングにより、ターゲット材料５ａを穴３に成膜する。第１のスパッタリングは異方性スパッタリングであり、第２のスパッタリングは等方性スパッタリングである。また、第１のスパッタリングはロングスロースパッタである。 （もっと読む）

【課題】成膜装置における回転体への電力の供給構成について、確実な給電を確保するとともにメンテナンス性を向上する。
【解決手段】電源および動力源を有する真空成膜室ならびに真空成膜室内の成膜位置にセットされる基板ホルダを備えた成膜装置において、電源が給電電極を有し、基板ホルダが、成膜位置に静止される静止系ユニットおよび静止系ユニットに搭載され動力源によって駆動される駆動系ユニットからなり、静止系ユニットが給電電極と電気的に接続される受電電極および受電電極からの電力を駆動系ユニットに供給するコンタクト機構を備える構成とした。 （もっと読む）

【課題】 均一性を改善するための、層をエッチングまたはスパッタ堆積する装置を提供する。
【解決手段】 スパッタされたターゲット材料を基板上に堆積させるためのプラズマ堆積装置において、ＲＦコイルのインピーダンス整合ボックス内のキャパシタンスを、堆積プロセス中に、ＲＦコイルと基板の加熱、及び薄膜の堆積が、ＲＦコイルに沿ったＲＦ電圧分布の「時間平均」によってより均一になるように、変化させる。 （もっと読む）

【課題】大型基板に膜質が均一な膜を形成する技術を提供する。
【解決手段】本発明では、ターゲット１５がスパッタリングされるときに、各ターゲット１５が基板１０に対して移動するので、スパッタリングのときに基板１０の全ての領域がターゲット１５と対向することになり、基板１０の表面に膜質均一な膜を形成することができる。また、スパッタリングのときには、ターゲット１５だけではなく、磁界形成装置２５もターゲット１５に対して相対的に移動するので、ターゲット１５の広い領域がスパッタリングされる。更に、磁界形成装置２５を基板１０に対しても移動するようにすれば、ターゲット１５が多くスパッタリングされる領域が基板１０に対して移動することになり、基板１０に形成される膜の膜厚分布がいっそう均一になる。 （もっと読む）

クラスターチャンバーとリニアソースとを組み合わせたシステムおよび方法が説明されている。複数のウェハがパレット上に搭載される。クラスターチャンバー内の中央ロボットは、クラスターチャンバーに接続されたチャンバーの間でパレットを移動する。クラスターチャンバーに接続された少なくとも１つのチャンバーは、リニアデポジションソースを有し、パレットはリニアデポジションソースに対して移動可能である。
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【課題】水分量が１ＰＰＢ以下というこれまで実現しえなかった環境下での脱水を行うことができ、これにより、脱水時間を顕著に短縮し、残留水分を低減化する顕著な効果が得られ、また、極めて水の少ない環境下で半導体装置の製造を行い、半導体装置に不純物として残留する水を極限まで低減させることが可能となる処理システムを提供する。
【解決手段】酸素分子排出時に電圧印加をＯＮにし、酸素分子排出装置の電極間に電圧を印加して中空を通過するガス中の酸素分圧を制御する酸素分圧制御装置と、を備えるガス中の水分量を１ＰＰＢ以下に生成する極低水分ガス生成装置と、その極低水分ガス生成装置で生成された前記ガス中の水分量が１ＰＰＢ以下の極低水分ガスが導入され、該装置内部の水分が除去されてなる処理装置と、を備える処理システムとした。 （もっと読む）

【課題】真空処理中に基板付近で発生するＨ₂Ｏなどの吸着ガスを効率的に捕捉することで、真空処理条件を安定させ基板の品質の向上を図ることが可能な真空処理装置を提供すること。
【解決手段】真空容器とターゲットと基板と真空排気ポンプと着脱可能でターゲットと対向して配置され、裏面がゲッターである複数のパンチングメタルからなる防着板を有し、防着板裏面のゲッターにて真空処理装置内のＨ₂Ｏなどの吸着ガスを捕捉することで、効率的な排気が可能となる。 （もっと読む）