【課題】スパッタリングにより成膜される無機質膜の緻密性を向上させることができるスパッタリング成膜装置を提供する。
【解決手段】軸心方向２ａに回転する筒状をなし外面に複数の基板４を周方向に離間して保持する基板ホルダー２と、基板に対向して配置されるターゲット材６を保持するターゲットホルダー８と、基板表面に対するターゲット材表面の角度を変化させるためにターゲットホルダーの取付角度を変えるターゲットホルダー取付角度可変機構１２とを有する。 （もっと読む）

【課題】膜厚ばらつきの調整作業を効率的に行うことが可能であり、また基板５へのパーティクルの付着を防止することが可能な、スパッタ装置を提供する。
【解決手段】ターゲット４２を保持しつつ、基板に対するターゲット４２の傾斜角を調整可能なターゲット位置調整機構４０と、そのターゲット位置調整機構４０とチャンバ３２の壁面との間を封止する封止部材６６とを有し、ターゲット位置調整機構４０とチャンバ３２との摺動部６１が、封止部材６６により封止されたチャンバ３２の外側に配置されている。ターゲット位置調整機構４０は、基板に対するターゲット４２の傾斜角を、チャンバ３２の外側において調整しうるように構成されている。 （もっと読む）

本発明は、回転可能なスパッタターゲット及びこのようなスパッタターゲットを製造する方法に関する。スパッタターゲットは、ターゲット材料及びターゲット材料の内部に配置された磁石アレイを備えている。磁石アレイは、ターゲット材料の長さの大部分に沿って延在する中心区域を画定すると共に、中心区域の各端に端区域を画定している。ターゲット材料は、第１の材料及び第２の材料を備えている。ターゲット材料は、少なくとも中心区域において第１の材料を備えると共に、少なくとも端区域において第２の材料を備えている。第２の材料は、第１の材料よりも低いスパッタ堆積率を有している。好ましくは第２の材料は、溶射によって施される。第１の材料は、第１の元素を含み、第２の材料は、第１の材料の第１の元素の化合物を含んでいる。
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【課題】 処理基板に対向して設けたターゲットの後方に、このターゲットの前方にトンネル状の磁束を形成すべく中央磁石と周辺磁石とを有する磁石組立体を複数個並設してマグネトロンスパッタ電極を構成し、これを用いて反応性スパッタリングにより成膜する際に、処理基板面内で比抵抗値などの膜質が略均一になるようにする。
【解決手段】 処理基板Ｓに対向して設けたターゲット３１の後方に磁石組立体４ａ〜４ｈを少なくとも４個並設する場合に、並設した磁石組立体のうち処理基板の中央領域に対向する磁石組立体相互の並設方向の間隔Ｄ３を、その両端における磁石組立体相互の間隔Ｄ１より大きく設定する。 （もっと読む）

【課題】形状安定性を損なうことなく可撓性を有するシートを保持する。
【解決手段】一側が第２加圧部材１４により支持された可撓性のあるシート部材３４に対し、他側から環状弾性部材１２を圧接して、シート部材３４を環状弾性部材１２とシート部材３４との間に生じる摩擦力によって、歪み等を発生させることなく拘束する。そして環状弾性部材１２を環をたどる方向の中心線を中心に回転させることによりシート部材３４に対し放射状の張力を作用させることによりシート部材３４が例えば熱応力等により変形することを回避する。 （もっと読む）

【課題】耐用寿命の終点検出器を少なくとも１つ備えた、消耗材料からなるスラブを提供する。
【解決手段】物理的気相成長法が用いられるＰＶＤターゲット構造体に関するものである。ＰＶＤターゲット構造体は、原料からなる消耗スラブと、原料からなる消耗スラブが、ターゲット構造体の耐用寿命の終点に相当する所定量に接近しているか、または、この所定量にまで減量しているときを指示する一乃至複数の検出器と、を含む。 （もっと読む）

【課題】この発明は、基板上の膜厚分布を向上させる新しい構成を有するスパッタ装置を提供する。
【解決手段】この発明は、真空容器と、該真空容器内に配置される基板ホルダーと、該基板ホルダー上に載置された基板に対してスパッタを行うターゲットを有する複数のスパッタリングカソードを具備するスパッタ装置において、前記複数のスパッタリングカソードは、それぞれのスパッタリングカソードに装着されるターゲットの中心軸が、前記基板ホルダーに載置される基板の中心軸に対して、所定の角度で傾斜するように配設されると共に、該複数のスパッタリングカソードによって構成されるスパッタリングカソードユニットが、前記真空容器に対して前記基板の中心軸を中心として回転自在に保持されることにある。 （もっと読む）

【課題】処理工具により使用されるスラブターゲットの寿命検出システムと方法を提供する。
【解決手段】スラブターゲットに、少なくとも１個の検出器が設けられる。処理工具の動作中に、少なくとも１個の検出器に関連付けられた信号値が、設定値に等しいか、設定値を超えているかの判断がなされる。第１予告は、前記信号値が予告設定値に等しいか、または予告設定値と警告設定値との間にある場合に発せられ、第２予告は、前記信号値が予告設定値と警告設定値との間にある場合に発せられる。警告は、前記信号値が警告設定値に等しいか、または警告設定値を超える場合に発せられ、消耗材料からなるスラブターゲットが、所定量に近づきつつあるか、或いは所定量にまで減少したことを示す。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、硬質皮膜の密着性、靭性や耐高温酸化性を犠牲にすること無く、特に硬質皮膜の耐溶着性と潤滑性を改善することである。
【解決手段】本発明の硬質皮膜は４ａ、５ａ、６ａ族、Ａｌ、Ｂ、Ｓｉから選択される１種以上の金属元素と、Ｏを含みＣ、Ｎから選択される１種以上の非金属元素によって構成され、該硬質皮膜は柱状組織を有し、該柱状組織中の結晶粒はＯ含有量に差がある複数の層からなる多層構造を有し、少なくとも該層間の境界領域では結晶格子縞が連続している領域が存在し、各層の厚みＴ（ｎｍ）が０．１≦Ｔ≦１００、であることを特徴とする硬質皮膜である。 （もっと読む）

【課題】 メモリー点と非メモリー部との界面付近に偏析濃縮し、書き換え回数及び消去率の低下の原因となる不純物、特に結晶化速度に影響を与える不純物元素を極力減少させると共に、目標組成に対するターゲットの組成のずれ及び成分偏析を減少させて、相変化型メモリーの書き換え特性、結晶化速度を向上させることができる相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ３元系以上の元素からなり、アンチモン、テルル又はセレンから選んだ１成分以上を主成分とし、目標組成に対する組成のずれが±１．０ａｔ％以下であることを特徴とする相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜。 （もっと読む）

本発明は、真空コーティング設備用のエバポレータ（１）を備える真空処置プラントに関する。本発明によるエバポレータ（１）は、掴持方向（Ａ）に移動可能で、基部（２２）を有する蒸発ボート（３）を掴持および位置決めすることを目的とした供給ライン（４）を案内するためのデバイスを備え、上記エバポレータ（１）はさらに、上記移動可能な供給ライン（４）を上記基部（２２）に固定的に接続するための２つのスペーサ（１８、１９）を備え、それぞれの上記スペーサ（１８、１９）の一側には移動可能な供給ライン（４）が、他側には基部（２２）が配置されているため、上記第１供給ライン（４）を強制的に案内することができ、また、上記スペーサ（１８、１９）は、上記第１供給ライン（４）と上記基部（２２）の間に、上記スペーサ（１８、１９）の少なくとも小さな逸脱範囲にかけて案内方向（Ｂ）が上記掴持方向（Ａ）と本質的に平行である長さと構成を有する。 （もっと読む）

【課題】既存のマグネトロンスパッタリング装置への広範囲な変更を要求せずに、強磁性体のスパッタリング効率を改善する。
【解決手段】改良されたスパッタリングターゲットを、マグネトロンスパッタリング装置で使用するために提供するものであり、そのスパッタリングターゲットは、ターゲット材料がスパッタされる活性な表面と該活性な表面の反対側に位置した背面とを含んでいる。少なくとも１つの磁石が、ターゲットの活性な表面を通り抜ける磁界を増加させるためにターゲットの背面に埋め込み、配向される。 （もっと読む）

【課題】基板処理の間に発生するパーティクルを低減するプロセスキット及びプロセスキットの設計を実現するための方法が提供される。
【解決手段】プロセスキットの内部表面は、より小さいＲＭＳ表面粗さを有する第１の材料層によりその表面をコーティングされ、より大きいＲＭＳ値を有する第２の材料層若しくは追加の材料層によりアークスプレーすることによってテクスチャード加工される。第１の材料層はビーズブラスティング、プレイティング、アークスプレー、熱溶射、若しくは他のプロセスによりコートされうる。更に、本発明は保護層により、プロセスキットの内部表面を選択的にコーティングすること、及びプロセスキットの内部表面の物質と同じ物質であるかもしれない他の材料層により保護層の表面をアークスプレーすることを提供する。 （もっと読む）

【課題】複数のターゲットタイル（３０）を含むターゲットアセンブリで用いられるタイルセットであって、ターゲットタイルはアレイ内で他の物質のバッキングプレート（２４）に接着されているターゲットタイルセットを提供する。
【解決手段】アレイ内部のタイルの端部（３２、３４）は相互的な傾斜端部となるように形成され、これによってタイル間に傾斜間隙（３６）を形成する。間隙はターゲットの垂線に対し１０°と５５°の間、好ましくは１５°と４５°の間の角度で傾斜していてもよい。垂直及び傾斜間隙の両方において、タイルの対向側部はビードブラスト法により荒仕上げ加工されていてもよい。垂直又は傾斜間隙の両方において、間隙の下方のバッキングプレートの領域（４８）は荒仕上げ加工されていてもよく、ターゲット材料の領域でコーティング又は被覆されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットの交換や成膜処理ソースのメンテナンスが容易で、しかも設置スペースが少なくて済む連続成膜装置を提供する。
【解決手段】 本発明の連続成膜装置は、一端が閉塞されたチャンバ本体１と、前記チャンバ本体１の開口部を中間フランジ３１を介して開閉自在に閉塞するベースフランジ２を有する。前記ベースフランジ２には巻出しロール１２、巻取りロール１３及び成膜ロール１１を回転自在に支持するロールユニット３が設けられる。前記中間フランジ３１には、前記ベースフランジ２が前記チャンバ本体１の開口部を中間フランジ３１と共に閉塞する際、前記ロールユニット３が挿通する挿通穴が形成されると共に前記成膜ロール１１に対向するように成膜処理ソース４が設けられる。 （もっと読む）

【課題】半導体等の製品基板の成膜やプラズマ処理装置内に用いる真空装置の部品において、膜状物質の付着性が高く、しかも異常成長による粒子の脱落のない、長時間の連続使用が可能な優れた部品を提供する。
【解決手段】半導体等の成膜装置及びプラズマ処理装置に用いる真空装置用部品において、表面がセラミック及び又は金属溶射膜で被覆され、該溶射膜の表面にＪＩＳＢ０６０１：２００１及びＪＩＳＢ０６３３：２００１で規定する輪郭曲線要素の平均長さＲｓｍが２０〜７０μｍの範囲、算術平均粗さＲａが８〜１５μｍの範囲で、算術平均うねりＷａが８μｍ以下である表面粗さを有する溶射膜を具備するものは、膜状物質の付着性が高く、しかも異常粒成長による粒子の脱落がないため、長時間の連続使用が可能である。 （もっと読む）

【課題】粉体状のターゲット材料を用いたスパッタ法において、長時間の連続稼動によっても、常に一定で安定した膜厚および成膜レートを得ることが可能な成膜装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】真空を維持することが可能な真空槽と、真空槽内にあり基板を載置する基板保持台と、基板保持台と対向して設置され、粉状のターゲット材料を保持する容器を載置し、かつ、基板保持台に対向する面の中心軸を中心に回転するカソードと、カソードに電圧を印加する電源と、真空槽内にガスを供給しつつ排気するガス供排気手段からなる成膜装置において、基板保持台とカソードとの間には開口部を有してアースシールドが配置され、アースシールドのカソード側の表面の一部には、粉状のターゲット材料を攪拌する攪拌手段が設けられたこと。 （もっと読む）

【課題】 基板とターゲットの間隔が変化しても、磁場状態の変化を従来に比べて抑制することができるとともに、基板とターゲットの間隔を精度よく設定できる薄膜形成装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 チャンバー１１の外周にソレノイド保持部材１９を上下方向に移動可能に設け、ソレノイド保持部材１９に外部ソレノイド２０を巻回する。支持体１２の基部１２ｂの外周に対向板２１を設け、ソレノイド保持部材１９の下面板１９ｂと対向板２１を連結部材２２によって連結する。このようにすると、間隔Ｈを変化させるときに、外部ソレノイド２０を支持体１２と一体となって上下方向に移動させることができ、内部磁界発生部１８と外部磁界発生部である外部ソレノイド２０の位置関係を常に一定に保つことができる。また、間隔Ｈは、ターゲット１３のみを上下方向に移動させることによって変化させられるため、間隔Ｈを精度よく設定することができる。 （もっと読む）

【課題】 硫化アルミニウムを含有する硫化物成膜材料を保管する際に、水分による表面の酸化を防ぎ、保管後の良好な成膜が可能な保管方法を提供する。
【解決手段】 硫化アルミニウムを含有する硫化物成膜材料を、フッ素系液体中に保存する。フッ素系液体は０〜４０℃で液体であり、且つ沸点が７５℃以上１６０℃以下であることが好ましい。好ましいフッ素系液体としては、パーフルオロコンパウンド又はハイドロフルオロエーテルを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 成膜室内においてターゲットの位置を容易に変更でき、かつターゲットの支持構造物からの不純物のスパッタアウトを抑制することができる、成膜装置用ターゲットの支持構造を提供する。
【解決手段】 ターゲット固定部材２と、少なくとも表面が絶縁体からなるターゲット固定部材カバー７と、少なくとも表面が絶縁体からなる支持体９と、を備え、ターゲット１がターゲット固定部材２に接合され、ターゲット固定部材２はターゲット１及びターゲット固定部材カバー７によって被覆され、支持体９は、その一端がターゲット固定部材２あるいはターゲット固定部材カバー７に固定されており、他端が成膜装置に固定されている。 （もっと読む）