【課題】基材への接着を促進するような中間層を使用しないで硬質被覆層をかみそり刃先基材に被覆する方法を提供する。
【解決手段】金属でドープ塗装されたグラファイトを有するターゲットをスパッタリングすることにより、金属ドープされたダイヤモンド状炭素からなる被覆層１６をかみそり刃の研がれた刃先ならびにその近接部の基材１２に直接蒸着形成し、次いでポリ四フッ化エチレンからなる外側層１８を前記金属でドープ塗装されたダイヤモンド状炭素の被覆層上へ被覆形成する。 （もっと読む）

【課題】誘電体膜を成膜する際に、基板の被成膜面にイオンビームを照射して、被成膜面に形成された膜の反応性を促進させることで、光透過率が高く、かつ、表面平滑性の高い成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜手段、反応手段３０及びイオンガン１１を稼働させながら、基板４を成膜手段と反応手段とイオンガンに対向するように移動させ、成膜手段による成膜、反応手段による反応及びイオンガンによるイオンビーム照射を繰り返し行い、薄膜と反応ガスとの反応の促進及び薄膜の一部エッチングにより積層した薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】グラニュラ構造の垂直磁性層をスパッタリング法で形成するに際し、形成する磁性粒子を微細化し、また磁性粒子の粒界幅を広げ、今まで以上に高記録密度化に対応可能な電磁変換特性に優れた磁性層を形成可能とするターゲットを提供する。
【解決手段】磁気記録媒体のＣｏ系磁性層をスパッタリング法で形成するために用いるターゲットを、ＣｒまたはＣｒ合金を５モル％以上含み、ＣｏＯを５モル％以上含み、融点が８００℃以下の酸化物を合計で３モル％〜２０モル％の範囲内で含み、気孔率が７％以下とする。またターゲットに、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ａｌ_２Ｏ_３、ＣｅＯ₂からなる群から選ばれる何れか１種を含有させる。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリングのターゲットとして用いられた場合に、スパッタリング装置内に水分等が含まれるのを抑制することにより、ＤＬＣ膜の諸特性を飛躍的に向上させることができる金属‐炭素複合材料を提供することを目的としている。
【解決手段】 炭素、バインダー、及び、金属又は金属化合物を混練、粉砕した後、粉砕物を成形して成形体を作製し、更に、この成形体を１３００℃以上で熱処理する工程を有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】優れた導電性及び耐食性を有する導電部材、その製造方法、並びにこれを用いた燃料電池用セパレータ及び固体高分子形燃料電池を提供する。
【解決手段】金属基材と、該金属基材上に形成された中間層と、該中間層上に形成された導電層と、を有する導電部材であって、該中間層が、該金属基材の構成成分と該導電層の構成成分と該中間層における結晶化を抑制する結晶化抑制成分とを含む。
金属基材の酸化皮膜を除去する工程（１）と、該工程（１）の後に実施され、該金属基材上に中間層を形成する工程（２）と、該工程（２）の後に実施され、該中間層上に導電層を形成する工程（３）と、を含む導電部材の製造方法であって、該工程（２）において、該金属基材の構成成分と該導電層の構成成分と当該中間層における結晶化を抑制する結晶化抑制成分とを含む中間層を形成する。 （もっと読む）

【課題】安定したスパッタ運転を可能にし、優れた光学特性を有するＳｉＯ_２膜を製膜可能にするスパッタリングターゲット、その製造方法、ターゲット材原料を提供する。
【解決手段】加速粒子の衝突により金属成分を放出するスパッタリングターゲットであって、金属の基材と、前記基材の表面に、原子番号が１１以下の金属が混合された金属シリコンで溶射により膜状に形成されたターゲット材とを備える。このように、原子番号が１１以下の金属が混合された金属シリコンでターゲット材が形成されているため、抵抗率を低下させることができる。その結果、安定したスパッタ運転を可能にすることができる。そして、シリコンの純度を高めたターゲット材を用いてスパッタリングで作製したＳｉＯ_２膜について、原子番号が１１以下の金属の含有は光学特性を低下させない。その結果、優れた光学特性を有するＳｉＯ_２膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】膜質の良い絶縁膜を成膜する。
【解決手段】本発明の成膜装置１は電離装置２５を有している。電離装置２５は反応ガスの経路の途中に設けられており、反応ガスは経路を流れる途中で電離装置２５で電離され、成膜室２内部に電離された反応ガスが導入される。電離された反応ガスを成膜室２内部に導入しながら、ターゲット６をスパッタリングすれば、スパッタ粒子と反応ガスとが反応して、基板１１表面に反応物の膜が形成される。反応ガスを電離してからスパッタを行うと、反応ガスを電離させない場合に比べて、成膜速度が速く、かつ、膜質の良い膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】接触応力の大きい用途に用いてもＤＬＣ膜が剥離することなく該ＤＬＣ膜の優れた潤滑特性を長期にわたって確保することができる転がり摺動部材を提供することを目的とするものである。
【解決手段】外面に軌道面を有する内側部材と、該内側部材の軌道面に対向する軌道面を有して前記内側部材の外側に配置された外側部材と、前記両軌道面間に転動自在に配置された転動体とを備え、前記内側部材の軌道面、前記外側部材の軌道面および前記転動体の内の少なくとも一つの母材表面が鋼で形成され、且つ、該母材表面上にダイヤモンドライクカーボン膜が形成された転がり摺動部材であって、前記ダイヤモンドライクカーボン膜は、中間層と炭素層とを備えるとともに、前記ダイヤモンドライクカーボン膜の残留応力が、−３００ＭＰａ〜３００ＭＰａの範囲内になるよう成膜する。 （もっと読む）

【課題】装置内に堆積した膜が剥離して異物として基板に付着することを防止するスパッタリング装置及びそのメンテナンス方法を得ること。
【解決手段】チャンバ４と、基板１をチャンバ４内で保持する基板保持具２と、チャンバ４内に設置されたシリコン製のターゲット３と、基板保持具２に基板１が設置された状態で、アルゴンガス７と窒素ガス９との混合ガスをチャンバ４内に導入しつつターゲット３と基板保持具２との間に電圧を印加して、基板１上に窒化シリコン膜を成膜する第１の処理と、チャンバ４内に基板１が収容されていない状態で、アルゴンガス７をチャンバ４内に導入しつつ、ターゲット３と基板保持具２との間に電圧を印加して、チャンバ４の内壁面にシリコン膜を成膜する第２の処理とを実行する制御部４０とを有する。 （もっと読む）

【課題】転がり軸受の内・外輪軌道面などに形成されたＤＬＣ膜の耐剥離性を向上させ、ＤＬＣ膜本来の特性を発揮することで、耐焼き付き性、耐摩耗性、および耐腐食性に優れる転がり軸受を提供する。
【解決手段】転がり軸受１は、外周に内輪軌道面２ａを有する内輪２と、内周に外輪軌道面３ａを有する外輪３と、内輪軌道面２ａと外輪軌道面３ａとの間を転動する複数の転動体４とを備え、曲面である内輪軌道面２ａや外輪軌道面３ａの表面に硬質膜８が成膜されてなり、この硬質膜８は、該表面に直接成膜されるＣｒを主体とする下地層と、該層の上に成膜されるＷＣとＤＬＣとを主体とする混合層と、該混合層の上に成膜されるＤＬＣを主体とする表面層とからなる構造の膜であり、混合層は、下地層側から表面層側へ向けて連続的または段階的に、ＷＣの含有率が小さくなり、ＤＬＣの含有率が高くなる層である。 （もっと読む）

【課題】 皮膜密着性に優れた表面被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 母材の表面に物理蒸着によって硬質皮膜が被覆された被覆部材であって、前記硬質皮膜は、ダイヤモンドライクカーボン皮膜と、該ダイヤモンドライクカーボン皮膜と母材との間にあって、母材側から前記ダイヤモンドライクカーボン皮膜に向かってチタンの含有量が減少していくチタンと炭素の混合傾斜皮膜とからなり、該混合傾斜皮膜中のチタン量と炭素量は、膜厚方向のグロー放電発光分光分析によるそれぞれの最大ピーク強度をＩ_Ｔｉ、Ｉ_ｃとした時に、１．２＜Ｉ_ｃ／（Ｉ_Ｔｉ×１０）＜２．０の関係を満たす皮膜密着性に優れた被覆部材である。１．３＜Ｉ_ｃ／（Ｉ_Ｔｉ×１０）＜１．５であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高硬度から低硬度の材料まで広範囲の基材に対し、高硬度のＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜を最表面側に含むＤＬＣ多層膜を約３μｍ以上厚く形成しても、基材およびＤＬＣ膜の双方に対して優れた密着性を備えており、耐摩耗性にも優れたＤＬＣ成形体の製造方法を提供する。
【解決手段】ＤＬＣ硬質多層膜成形体１０の製造方法は、基材１を用意する工程（ａ）と、前記基材の上に、中間層２ａをスパッタリング法によって形成する工程（ｂ）と、前記中間層の上に、第１のダイヤモンドライクカーボン系膜３ａをスパッタリング法によって形成する工程（ｃ）と、前記第１のダイヤモンドライクカーボン系膜の上に、前記第１のダイヤモンドライクカーボン系膜よりも表面硬度の高い第２のダイヤモンドライクカーボン系膜３ｂをカソード放電型アークイオンプレーティング法によって形成する工程（ｄ）と、を包含する。 （もっと読む）

【課題】低温度の環境下で被加工材の表面に、良好かつ高品位な炭素膜を形成することを目的とする。
【解決手段】所定の真空度に減圧可能とされる真空チャンバ１内に、被加工材４を保持し、基板電圧印加手段３により所定の電圧に印加される基板２と、上記基板２に対向配置される炭素原料基板５上で、真空チャンバ１内に導入される放電発生用の媒体ガスをパルス電源７より炭素原料基板５に出力される調整電力に基づきプラズマ化し、炭素原料基板５から上記基板２に保持される被加工材４に向けて炭素原料とともに放電するプラズマ発生源を備える。これにより被加工材４の表面に放電されるプラズマにより炭素膜を加工形成する。 （もっと読む）

【課題】 ＦｅＰｔ合金の素地にＳｉＯ_２等の酸化物を含む高密度の磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 一般式：（Ｆｅ_ｘＰｔ_{（１００−ｘ）}）_{（１００−ｙ）}（ＳｉＯ_２）_ｙ、ここで４０≦ｘ≦６０（単位：モル％）、５≦ｙ≦３０（単位：モル％）で表される組成を有する焼結体からなるターゲットであって、その組織が、ＳｉＯ_２相と、ＦｅとＰｔとの固溶体からなるＦｅＰｔ合金相と、ＳｉＯ_２相とＦｅＰｔ合金相との界面において、Ｓｉ、Ｏ、ＦｅおよびＰｔの各元素が相互に拡散することによって形成するＳｉ、Ｏ、ＦｅおよびＰｔを含有する相互拡散相と、で構成されている。 （もっと読む）

【課題】１．５〜２．０の間で所望の屈折率を示すＳｉ系薄膜を、安定的に得ることが可能な透明誘電体薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング法を用いて基材上に薄膜を形成する方法において、真空チャンバー内にＳｉターゲットを設置する工程、該真空チャンバー内を減圧する工程、減圧後の該真空チャンバー内に反応性ガスとしてＮ_２及びＣＯ_２を含有するスパッタガスを導入する工程、を有し、（ＣＯ２流量／全スパッタガス流量）で表される流量比を制御することにより薄膜の屈折率を制御する。 （もっと読む）

【課題】不純物が混入しない酸化物半導体を用いた半導体素子の作製に用いる連続成膜装置を提供することを課題とする。
【解決手段】１０^−６Ｐａ以下に真空排気する手段と接続するロードロック室と、基板を加熱する第１の加熱手段が設けられた基板保持部と、少なくとも基板保持部周辺の壁面を加熱する第２の加熱手段と、スパッタリング用ターゲットを固定するターゲット保持部とが備えられ、それぞれが１０^−８Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する複数の成膜室と、１０^−８Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する加熱室と、ロードロック室、加熱室、及び成膜室のそれぞれとゲートバルブを介して連結され、１０^−６Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する搬送室とを少なくとも有し、ロードロック室、加熱室、成膜室及び搬送室のそれぞれと接続する真空排気する手段は、吸着型のポンプである成膜装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】多層反射膜中の１５０ｎｍ未満の大きさの高酸化物欠陥が検出されない多層反射膜付基板および反射型マスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、高屈折率材料である金属を含有する材料からなる高屈折率層と低屈折率材料であるケイ素を含有する材料からなる低屈折率層を交互に積層してなる多層反射膜２をスパッタ成膜装置を用いてスパッタリング法で形成することにより、多層反射膜付基板を製造する。また、多層反射膜２上に保護膜３及び吸収体膜４を形成することにより、反射型マスクブランク１０を製造する。ここで、基板１が搬入されるスパッタ成膜装置の室内の気体を水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体に置換し終えた後に、該室内の減圧を行い、次いで多層反射膜２のスパッタリング法による成膜を開始する。 （もっと読む）

鋳鉄または鋼で作製されているのが好ましいスライド要素、とりわけピストンリングは、ＣｒＮ層（１４）およびａ−Ｃ：Ｈ：Ｍｅ層（１６）が交互に重なり合った多重層を有するコーティングを備える。鋳鉄または鋼で作製されているのが好ましいスライド要素、とりわけピストンリングをコーティングするための方法では、複数のＣｒＮ層とａ−Ｃ：Ｈ：Ｍｅ層が交互に設けられる。 （もっと読む）

【課題】磁束透過率が低く漏れ磁束が小さいターゲットの漏れ磁束を増加させて肉厚のターゲットの使用を可能にし、生産性の向上を図ることができるスパッタリングターゲット及びマグネトロンスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタされてエロージョンが発生するスパッタ面５ａと、スパッタ面５ａの反対側に設けられた裏面部５ｂとを備え、裏面部５ｂは、マグネトロンスパッタリング装置１にスパッタリングターゲット５を配置した際に、マグネトロンスパッタリング装置１が備えるマグネット７ａ，７ｂの磁極と対向する磁極対向面５１ａ，５１ｂと、この磁極対向面５１ａ，５１ｂの周囲に設けられスパッタ面５ａ側にくぼんだ凹部５３ａ〜５３ｃとを有し、磁極対向面５１ａ，５１ｂと凹部５３ａ〜５３ｃとにより、磁極対向面５１ａ，５１ｂを先端とする磁極集中部５２ａ，５２ｂが形成されている。 （もっと読む）