【課題】ガスバリア性に優れるガスバリア性フィルム、このガスバリア性フィルムを用いた装置、このガスバリア性フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】ガスバリア性フィルム１は、含有されるオリゴマー量が１質量％以下であるプラスチックフィルム２、プラスチックフィルム２上に設けられた紫外線硬化型樹脂からなる有機層３、及び有機層３の上に設けられた無機層４、を有し、有機層３の厚さが、プラスチックフィルム表面における最大高低差よりも大きくなっている。これによりガスバリア性に優れるガスバリア性フィルム１を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】不純物を含まない良質な薄膜を成膜することができるスパッタリング装置、前記スパッタリング装置を用いた良質な薄膜の作製方法の提供する。
【解決手段】半導体材料に代表されるターゲット材と、前記ターゲット材と同じ材質の溶射物に被覆された部品を具備するスパッタリング装置を用いて、希ガスを含む雰囲気中で高周波電力を印加して、前記ターゲット材を用いて半導体層の成膜を行う発光装置の作製方法。 （もっと読む）

【課題】 長期に亘って安定した分光特性をもちグラデーション濃度分布を有する薄膜型ＮＤフィルタを実現させる。
【解決手段】 基板上に誘電体層と光吸収層を複数層に積層する光減衰膜の形成において、その誘電体層はその原料物質の原子層レベルでの全面付着（ステップＳ１）とその酸化または窒化性雰囲気への曝露（ステップＳ２）を繰り返して所定の膜厚にする。続いて、その光吸収層はその原料物質のスパッタリングによるマスク開口を通した原子層レベルの付着と（ステップＳ４）とその酸化性／窒化性雰囲気への曝露（ステップＳ５）を繰り返して所定の膜厚にする。上記誘電体層は緻密性に優れ酸素を通し難い良質の膜となる。また、上記光吸収層は膜厚が傾斜変化し安定した組成の原料物質の酸化物あるいは窒化物を含む膜となる。 （もっと読む）

【課題】ある１つのターゲットから飛散したスパッタ粒子が他のターゲットに付着することを防止できるスパッタ装置及びスパッタ法を提供する。
【解決手段】プラズマを生成させるプラズマ室、及び該プラズマ室に連通した成膜室を含む容器を備え、該容器内に設置された少なくとも２つ以上のターゲットをプラズマでスパッタし、スパッタされたターゲットから飛散したスパッタ粒子を成膜室内に設置された基板の表面に堆積させて薄膜を形成するスパッタ装置であって、２つ以上のターゲットのうち１つのターゲットをプラズマでスパッタするときに、スパッタされたターゲットから飛散するスパッタ粒子が他のターゲットに付着することを抑制する抑制手段を備える、スパッタ装置、及び該装置を用いたスパッタ法とする。 （もっと読む）

【課題】オフ特性およびキャリア移動度に優れた、高品質の、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、酸化物半導体からなる活性層とを備えてなる。そして、活性層とソース電極の間および活性層とドレイン電極の間には、炭素製のバッファ層が設けられてなる。 （もっと読む）

【課題】タッチパネル等に使用される電極フィルム等として使用する際、透明電極のパターニング性（エッチング性）、ペン摺動耐久性、環境安定性に優れた透明導電性フィルムを提供すること。
【解決手段】透明プラスチックフィルムからなる基材の少なくとも片面に、硬化型樹脂を主たる構成成分とする硬化物層を設け、更にその上に第１の非晶質な透明導電性薄膜層、第２の結晶質な透明導電性薄膜層をこの順で積層した透明導電性積層フィルムであって、（ａ）第１の透明導電性薄膜層は、酸化インジウムに対して酸化スズ（ＳｎＯ_２／（ＳｎＯ_２＋Ｉｎ_２Ｏ_３））が７〜２０質量％、膜厚が２〜２０ｎｍ、 （ｂ）第２の透明導電性薄膜層は、酸化インジウムに対して酸化スズ（ＳｎＯ_２／（ＳｎＯ_２＋Ｉｎ_２Ｏ_３））が１〜６質量％、膜厚が５〜２０ｎｍ、 （ｃ）第１と第２の透明導電性薄膜層の膜厚の和が１５〜３０ｎｍ、である透明導電性積層フィルム。 （もっと読む）

【課題】磁性ターゲットを交換する際に生じる、ターゲットとカソードマグネットの吸着力によるターゲットの変形及び真空容器内の汚染を防止するとともに、ターゲットの交換を安全に行うことができるターゲット交換装置及び磁性ターゲット交換方法を提供する。
【解決手段】磁性ターゲット２の交換に用いられるターゲット交換装置２０は、カソードボディ５側に固定可能なベース部材２２と、ターゲット２を固定可能な固定プレート２３と、固定プレート２３をベース部材２２に対して移動操作可能な移動機構２５とを備え、固定プレート２３の長手方向には補強部材としてのリブが取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】薄膜形成後の基板の湾曲が少ない光学物品の薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置は、基板Ｓを保持する基板ホルダ１３と、基板ホルダを挟んで成膜プロセス領域２０、反応プロセス領域６０のそれぞれ反対側に形成された成膜プロセス領域３０，反応プロセス領域７０と、を備え、基板の反対側の面に同時に薄膜を形成するが、この薄膜の膜厚は、基板の一方の面に形成された薄膜の種類及び膜厚に基づいて決定され、薄膜の内部応力による基板の湾曲を相殺しつつ、基板の両面に薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性が優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 成膜レートを低下させずに、膜中に酸素を良好に含有させることができる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｃｒ：２〜２０原子％、Ｐｔ：５〜２５原子％、Ｍ金属（ただし、Ｍ金属はＳｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌの内のいずれか一種以上）：０．５〜１５原子％を含有し、Ｍ金属は非磁性酸化物として添加されるものであって、さらに全体として配合組成から計算される理論値よりも０．１〜５原子％過剰の酸素を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有する。 （もっと読む）

【課題】記録特性の優れた光情報記録媒体用記録層、その記録層を備えた光情報記録媒体、および上記記録層の形成に有用なスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】レーザー光の照射により記録が行われる記録層であって、酸素１ｍｏｌに対する酸化物の標準生成自由エネルギーの絶対値がＰｄおよびＡｇよりも大きい金属（以下、Ｘ金属という）の酸化物、酸化Ｐｄおよび酸化Ａｇを含み、記録層に含まれるＸ金属原子、Ｐｄ原子およびＡｇ原子の合計量に対し、Ｐｄ原子の比率が１０〜６０原子％、Ａｇ原子の比率が５〜４５原子％、かつＰｄ原子とＡｇ原子の合計量が７５原子％以下であることを特徴とする光情報記録媒体用記録層。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高いＴＦＴ構造を用いた半導体装置を実現する。
【解決手段】 ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_X Ｂ_Y Ｏ_Z ）をスパッタ法で形成する。その結果、この膜の内部応力は、代表的には−５ラ１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜５ラ１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 、好ましくは−１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² となり、高い熱伝導性を有するため、ＴＦＴのオン動作時に発生する熱による劣化を防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】高い光触媒特性を有する光触媒酸化チタン薄膜を、低温で高速且つ安価に提供する。
【解決手段】ガラスやプラスチックなどの基体の表面に形成された非晶質金属化合物薄膜からなるシード層と、該シード層上に柱状に成長して形成された結晶質金属化合物薄膜とからなり、この薄膜の作成に当たり、スパッタ法によって活性ガスのプラズマによる前処理又は後処理、更には加熱処理を行なうことなく、低温且つ高速の成膜によって光触媒酸化チタン薄膜を安価に作成する。 （もっと読む）

【課題】モリブデンを含む潤滑油中において低摩擦係数を示す低摩擦摺動部材を提供する。
【解決手段】潤滑油を用いた湿式条件で使用され、基材と該基材の表面に形成され相手材と摺接する非晶質硬質炭素膜とを備える低摩擦摺動部材であって、前記潤滑油は、モリブデン（Ｍｏ）を１００ｐｐｍ以上含み、硫黄（Ｓ）およびリン（Ｐ）のうちの少なくとも一種ならびに亜鉛（Ｚｎ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ナトリウム（Ｎａ）、バリウム（Ｂａ）および銅（Ｃｕ）のうちの少なくとも一種を合計で５００ｐｐｍを超えて含み、前記非晶質硬質炭素膜は、炭素（Ｃ）を主成分とし、該非晶質炭素膜全体を１００原子％としたときに、水素（Ｈ）を５原子％以上２５原子％以下含み、硼素（Ｂ）を４原子％以上２５原子％以下含むことを特徴とする低摩擦摺動部材。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高いＴＦＴ構造を用いた半導体装置を実現する。
【解決手段】 ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_Ｘ Ｂ_Ｙ Ｏ_Ｚ ）をスパッタ法で形成する。その結果、この膜の内部応力は、代表的には−５×１０^１０ｄｙｎ／ｃｍ^２ 〜５×１０^１０ｄｙｎ／ｃｍ^２ 、好ましくは−１０^１０ｄｙｎ／ｃｍ^２ 〜１０^１０ｄｙｎ／ｃｍ^２ となり、高い熱伝導性を有するため、ＴＦＴのオン動作時に発生する熱による劣化を防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】ターゲット交換などのメンテナンス作業を効率化できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを保持する基板ホルダー６を有し基板ホルダー６が搬送可能に設けられた成膜室２と、成膜室２に連通し筐体１０内に一対のターゲット１１，１２が対向して配置されたスパッタリング粒子放出部３と、を備える対向ターゲット方式のスパッタリング装置１であって、第２ターゲット１２が配置された筐体１０の一面の一部が第２ターゲット１２を含んで取り外し可能に形成されている。 （もっと読む）

【課題】超微粒子の粒径を大幅に変えることができしかも超微粒子の収率のよく、また基板上の成膜範囲を制御できるヘリコンプラズマを用いた超微粒子薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】スパッタカソード室１１と成膜室１２とを有し、スパッタカソード室で生成された原子及び超微粒子の集合体を成膜室内の基板に吸着させて薄膜を形成するようにした装置において、成膜室にレンズ効果により超微粒子を収束、発散をさせる静電レンズが設けられる。 （もっと読む）

【課題】基板表面におけるSi等の材料から成る対象表面部のみに選択的に薄膜を形成するうえで、CVD法を用いることなく、簡便に基板上に選択的に膜を形成する選択的膜製造方法を提供する。
【解決手段】圧力10〜202kPa(76〜1520Torr)の水素及び希ガスの混合ガスを主体とする反応ガスが充填された反応室内に、比較的高温に保持した基板、及び、比較的低温に保持した、水素化物が揮発性であるターゲットを平行に配置し、基板とターゲットの間に放電を生起させることで、対象表面部上と、他の表面上との間での膜堆積速度の違いを利用して対象表面部上に選択的にターゲットの薄膜を形成する。希ガスとしてはHeやNeを好適に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】
高透明のインジウム複合酸化物薄膜の導電性、耐久性、またはリニアリティを向上させたタッチパネル用透明電極を提供することにある。
【解決手段】
透明基板の少なくとも一方の面に、酸化インジウムを主成分とした透明導電膜およびカーボン膜が積層された透明電極の製造方法であって、酸化インジウムを主成分とした透明導電膜が１０〜４０ｎｍの膜厚であり、カーボン膜が０．５〜５．０ｎｍの膜厚であるように製膜され、上記カーボン膜が水素を５０〜１００体積％含むガスを用いたスパッタリング法によって製膜され、かつ製膜後の透明電極が７０℃以上１７０℃以下の温度で熱アニール処理して透明電極を製造することにより、課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】摺動部材の耐摩耗性に優れており、摺動の間優れた摩擦特性を安定して発揮し得る低摩擦擦摺動部材及び摺動方法を提供すること。
【解決手段】摺動部がダイヤモンドライクカーボン材料で被覆されており、潤滑剤の存在下で摺動する摺動部材において、前記潤滑剤が基油と、アルキルリン酸エステルのアミン塩および／またはアルキル亜リン酸エステルのアミン塩を含むことを特徴とする摺動部材である。潤滑剤は、更に基油および／または増ちょう剤を含む。 （もっと読む）