【課題】表面処理層にクロムを含まず、プリント配線板に加工して以降の回路の引き剥がし強さ、当該引き剥がし強さの耐薬品性劣化率等に優れる表面処理銅箔を提供する。
【解決手段】上記課題を達成するため、絶縁樹脂基材と張り合わせて銅張積層板を製造する際に用いる銅箔の張り合わせ面に表面処理層を設けた表面処理銅箔であって、清浄化処理を施した前記銅箔の張り合わせ面に、乾式成膜法で融点１４００℃以上の高融点金属成分を付着させ、更に炭素成分を付着させて形成した表面処理層を備えることを特徴とする表面処理銅箔を採用する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系透明導電薄膜の膜厚が薄い場合（特に膜厚が１００ｎｍ程度以下の場合）にも、低抵抗値を示し、かつ湿熱環境下においても抵抗値の変化率が小さい、透明導電フィルムおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】有機高分子フィルム基材(1)を含む透明導電フィルムにおいて、有機高分子フィルム基材(1)上に形成された、可視光透過率が高い第一の酸化物薄膜(2)と、第一の酸化物薄膜(2)上に形成されたＺｎＯ系透明導電薄膜(3)とを有し、第一の酸化物薄膜(2)は、ＺｎＯ系透明導電薄膜(3)が形成される前の酸素量が化学量論値の６０〜９０％であることを特徴とする透明導電フィルムとする。 （もっと読む）

【課題】複数のカソードを配置したスパッタリング装置において、部分的な回りこみ、絶縁体膜の形成等による異常放電を防止したスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】互いに隣り合うＲＦカソード３とＤＣカソード４の搬送路部に、鉛直方向に遮蔽板７ａ７ｂが配置され、２枚の遮蔽板７ａ７ｂ間の距離を基板保持体５（保持体）の走行方向の巾よりも長く設置する。遮蔽板７ａ７ｂは、保持体の移動方向前後に回動可能であり、保持体の移動時には、保持体移動方向の直前にある遮蔽板７ａ７ｂが回動し、保持体の移動後、カソード上部に到達すると、遮蔽板７ａ７ｂは元位置に回動して、カソードでスパッタリングを行い基板上に薄膜を形成する。その後、保持体移動方向の直前にある遮蔽板が回動し、保持体が移動して、カソード上部あるいは保持体の待機領域に到達すると、遮蔽板は元位置に回動する機構とする。 （もっと読む）

【課題】発光強度が、粒径によらず、ほぼ均一で高い発光が得られる半導体ナノ粒子含有膜及び半導体ナノ粒子を提供する。また、当該半導体ナノ粒子を用いた生体物質標識剤を提供する。
【解決手段】スパッタ法により形成された半導体ナノ粒子含有膜であって、膜厚が０．５〜１０μｍであり、当該膜内に、結晶化した半導体ナノ粒子が、５．０×１０^６〜１．０×１０^８個／μｍ^３含有されていることを特徴とする半導体ナノ粒子含有膜及びそれから分取り出された半導体ナノ粒子。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ターゲット上でのアーク放電の発生を長期的に抑制でき、かつ、速い成膜速度にて非常に薄い膜を高い面内均一性で確保できるスパッタリング方法及び装置を提供するものである。
【解決手段】真空容器中に、形成したい薄膜の成分の一部または全部からなる複数のターゲットを配し、前記真空容器中にガスを導入し前記複数のターゲットのうち少なくとも一つのターゲットに電圧を印加することで真空容器中にプラズマを発生させ、絶縁物の成膜を行うスパッタリング方法において、正の逆パルスを印加する毎に周波数または印加時間の少なくとも１つを変化させる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ナノ粒子蛍光体（ナノメートルサイズの半導体物質の蛍光体粒子）として、公知例では得られない、好適な、高輝度、単分散のシリコンナノ粒子、それを含有するシリコンナノ粒子含有酸化ケイ素膜、シリコンナノ粒子溶液、およびシリコンナノ粒子を標識材とした分子観察方法を提供することにある。
【解決手段】半導体基板上に成膜された、シリコンナノ粒子を含有するシリコンナノ粒子含有酸化ケイ素膜において、該シリコンナノ粒子含有酸化ケイ素膜の表面粗さＲｙが１０．０ｎｍ以上１００．０ｎｍ以下であることを特徴とするシリコンナノ粒子含有酸化ケイ素膜。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法により従来よりもバリア性が高い無機層を成膜すること。
【解決手段】無機層を成膜する面の面積がａ（単位：ｃｍ²）である支持体を、容積が１００ａ（単位：ｃｍ³）以下である第１真空槽へ搬入して真空状態とし、真空状態を維持したまま支持体を第２真空槽へ搬送して、第２真空槽内にて支持体上に無機層を真空成膜する。 （もっと読む）

【課題】簡便な製法により従来よりもバリア性が高い有機無機積層型のバリア性積層体を提供する。
【解決手段】プラスチックフィルム支持体上に、少なくとも１層の有機層と、少なくとも１層の無機層とを有するバリア性積層体を製造する方法において、支持体にバイアスを印加しながら前記有機層をスパッタリング法によって成膜する。 （もっと読む）

【課題】装置小型化やコスト削減化に伴い、カソード面に対するアノード面の面積比率が小さくなり、さらに処理の高速化により、短期間でアノード面のすべてを絶縁膜が覆ってしまい、アノード面への電子の流れが阻害されて放電が安定に持続しなくなってしまうことを防止することにより、安定した放電を長時間にわたって持続可能なスパッタ装置を提供する。
【解決手段】アノード体１３及びターゲット１１によって囲まれる放電空間に臨んでターゲット１１に対向される成膜対象物に絶縁膜をスパッタ成膜するスパッタ装置であって、アノード体１３の内壁面の放電空間に対する露出面を遮蔽体１４により変化させる。 （もっと読む）

本開示は、スパッタリング技術を用いた高純度６Ｈ ＳｉＣ単結晶の成長のための方法および装置に関する。一実施形態において、本開示は、高純度６Ｈ−ＳｉＣ単結晶フィルムを基板に堆積させる方法に関し、この方法は、エッチングされた表面を有するケイ素基板を提供することと、基板およびＳｉＣ供給源を堆積チャンバーの中に置くことと、堆積チャンバーの中で第一の減圧レベルを達成することと、チャンバーをガスで加圧することと、ＳｉＣフィルムをスパッタリング供給源から直接、エッチングされたケイ素基板に堆積させることとを包含し、ＳｉＣフィルムをスパッタリング供給源から直接、エッチングされたケイ素基板に堆積させることは、基板をケイ素の融点未満の温度に加熱することと、堆積チャンバーの中で低エネルギープラズマを用いることと、六方ＳｉＣフィルムの層を基板のエッチングされた表面に堆積させることとによる。 （もっと読む）

【課題】半導体、太陽電池、液晶などの薄膜を形成するターゲット材について、酸素濃度を低減することによってパーティクルの発生を抑制し、加工性および成膜の膜質を高めたターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】優先的に一定範囲の方向Ａに配向した結晶組織を有し、酸素濃度が３.０×１０¹⁸atom/cm³以下であり、好ましくは、酸素濃度１.０×１０¹⁸atom/cm³以下であって、スパッタ面の平均結晶粒径が１〜２０mm、酸素濃度と炭素濃度の比（酸素濃度/炭素濃度）が２０以下であるターゲット材、およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】構成の簡素化及び製造コストを低減した上で、スパッタ雰囲気の異なる複数のスパッタ室間における反応ガス等の流入を防ぎ、雰囲気分離を確実に行うことができるスパッタ装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】隣接するスパッタ室１３，１４の間に雰囲気分離部４０が形成され、雰囲気分離部４０における基板Ｗの搬送方向に垂直な断面が、隣接するスパッタ室１３，１４における基板Ｗの搬送方向に垂直な断面より小さく形成され、雰囲気分離部４０には、隣接するスパッタ室１３，１４で使用される不活性ガスを吐出する複数のガス吐出部４２が設けられ、隣接するスパッタ室１３，１４を挟んで雰囲気分離部４０の反対側には、隣接するスパッタ室１３，１４の排気を行う排気手段が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】水蒸気バリア性、透明性及び寸法安定性に優れる透明ガスバリア性フィルムを提供する。
【解決手段】プラズマガン４０の放電電流とターゲット・バイアス電圧値を個別に制御し、プラズマガン４０で発生した円柱状のアルゴンプラズマを磁場でシート状に成形した高プラズマ密度のシートプラズマ装置１００を用いて、透明プラスチックフィルムの少なくとも片面に少なくとも一層の無機膜を有する透明ガスバリア性フィルムを製造する。この透明ガスバリア性フィルムは、有機エレクトロルミネッセンス素子の部材として好適に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】高誘電率ゲート絶縁膜としての使用に適し、高誘電率窒化金属シリケート膜を含んでなる絶縁膜を形成する。
【解決手段】金属原子及びシリコン原子が酸化反応を生じ難い雰囲気中にてスパッタ法によりシリコン基体１０１上に金属及びシリコンからなる膜１０２を堆積する第１の工程と、膜１０２を窒素プラズマを用いて窒化して窒素、金属及びシリコンからなる膜１０３を形成する第２の工程と、膜１０３を酸素プラズマを用いて酸化して窒化金属シリケート膜１０４を形成する第３の工程とを含む。第１の工程の終了から第２の工程の開始までの間、膜１０２を、その酸化反応が生じ難い雰囲気中に保持する。第３の工程により、膜１０４の下のシリコン基体１０１の表層部を酸化してシリコン酸化膜１０５を形成する。金属は、少なくともハフニウム及びジルコニウムのうちのいずれかを含む。 （もっと読む）

【課題】密着性の高い硬質薄膜を成膜でき、しかもその硬質薄膜における膜厚を部分的に異ならせることのできる硬質薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】ＰＶＤ法により被処理材（バルブリフタ１）の被処理面（摺動面１ａ）に硬質薄膜を形成する方法であって、被処理面の裏面１ｂに永久磁石３をパターン配置して被処理面上に磁界を局所的に発生させることにより、被処理面に形成される硬質薄膜の膜厚を部分的に異ならせる。 （もっと読む）

【課題】製造時或いは経年変化で歪曲する恐れが少ない光学フィルタを簡単な方法で安価に製造することが可能な光学フィルタの成膜方法を提供する。
【解決手段】チャンバ内に回転自在に配置された基板ドラムに基板プレートを装着した基板ホルダをセットする基板セット工程と上記基板ドラムにセットされた基板プレートの表面に、上記基板ドラムを回転させながら上記ターゲットにスパッタ電圧を印加することによって膜形成する表面成膜工程と、上記表面成膜工程の後、上記ターゲットにスパッタ電圧を印加しない状態で上記基板ホルダを回転させて上記基板プレートの裏面を上記ターゲットに対向配置する成膜面反転工程と、上記基板プレートの表裏面を反転させた後、上記基板ドラムを回転させながら上記ターゲットにスパッタ電圧を印加することによって上記基板プレートの裏面に膜形成する裏面成膜工程とを備え、基板プレートの表裏面に同一バッチでそれぞれ成膜する。 （もっと読む）

【課題】低温で基板上に直接粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成する方法及び装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１０内でシラン系ガス及び水素ガスからプラズマを形成してターゲット基板１００上にシリコン膜を形成してシリコンスパッタターゲットを得、これをチャンバ１へ外気に触れさせることなく搬入配置して、チャンバ１内でスパッタリング用ガスからプラズマを発生させ、該プラズマでターゲットのシリコン膜をケミカルスパッタリングして基体Ｓ上にシリコンドットを形成する。 （もっと読む）

【課題】 大面積の透明導電膜を大量生産する為には、製膜温度をなるべく室温に近い状態にすることが重要であったが、低温では透明導電層の結晶性が悪く透過率に課題があるため、大量生産は困難であった。
【解決手段】 室温付近でも結晶性が優れる酸化亜鉛を透明導電層材料とし、マグネトロンスパッタ法により大面積に均一に製膜することで、透明性に優れた透明導電膜を大量生産することが可能となる。また、ロールトゥロール方式においても、高品質な透明導電膜を大量に生産することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】軟Ｘ線多層膜光学素子に十分な耐久性を持たせ、かつ反射特性を向上させること。
【解決手段】軟Ｘ線多層膜ミラー１００の製造方法は、Ｓｉ層２とＭｏ層３とからなる多層膜４と、この多層膜の最表層３ｅに重ねて設けられた保護膜用Ｓｉ層５とＣ層６とからなる保護膜７とを備えた、軟Ｘ線を反射する軟Ｘ線多層膜ミラー１００の製造するものであり、多層膜４をＡｒガスによるスパッタリングによって形成した後、多層膜４に保護膜７を形成し、保護膜７にＸｅ８を含有させて、軟Ｘ線多層膜ミラー１００を製造する。 （もっと読む）

【課題】新規な透明導電膜およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の透明導電膜は、マグネシウムと、炭素、ケイ素およびホウ素からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素（Ａ）と、酸素と、水素とを含む膜であり、この透明導電膜は、たとえばマグネシウムを含むターゲットと、炭素、ケイ素およびホウ素からなる群から選ばれる少なくとも１種の元素（Ａ）を含むターゲットとを用いて、マグネシウムと該元素（Ａ）とを含む膜を基板上に成膜し、該膜を、水を含む雰囲気に保持することにより製造することができる。 （もっと読む）