【課題】斜め入射光に対する充分な低反射性能と、高い可視光透過率と、充分な耐摩耗性と、良好な電磁波透過性とを有し、製造時熱処理にも充分耐え、後加工処理が可能であり、さらに、膜数が少なく低コストで製造することができる反射防止膜付きガラス基板の提供。
【解決手段】ガラス板の表面に、２以上の層からなる反射防止膜を有する反射防止膜付きガラス板であって、前記反射防止膜は、波長３８０〜７８０ｎｍにおける屈折率が１．８〜２．６であり消衰係数が０．０１〜０．６５である高屈折率材料からなる被膜（ａ）と、波長３８０〜７８０ｎｍにおける屈折率が１．５６以下である低屈折率材料からなる被膜（ｂ）とを少なくとも有し、かつ前記被膜（ｂ）が前記反射防止膜の最表面に配され、シート抵抗値が１ｋΩ／□以上であることを特徴とする、反射防止膜付きガラス板。 （もっと読む）

【課題】大幅な装置構成の変更や、処理条件の変更を要することなく、処理レート分布を制御可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】電源と、放電空間に臨んで設けられ、電源から電力が印加されるカソード体と、互いに絶縁分離されて放電空間に臨んで設けられた複数のアノード体と、を備え、各々のアノード体を介して放電空間の外部に流れる電流の経路のうち少なくとも２つの経路間でコンダクタンスを異ならせた。 （もっと読む）

【課題】銅系金属層の密着性に優れ、微細エッチングが可能で、信頼性の高いフレキシブル回路基板を提供する。
【解決手段】樹脂フィルム１の表面に、シリコンに対して窒素が当量で０．５〜１．３３含まれるスパッタ法による窒化シリコン層２を形成し、さらに銅系金属層３を形成したことにより、銅系金属層３の密着性が良好となる。さらに、上記窒化シリコン層２は絶縁物であることからエッチングの必要が無く、銅系金属層だけをエッチングすればよいため、サイドエッチングがあまり起こらずに微細エッチングが可能となる。しかも、高温下で仮に樹脂フィルム１側からの水分や酸素が浸透したとしても窒化シリコン層２によってブロックされ、銅系金属層３の酸化や密着力の低下が生じず、信頼性にも優れたフレキシブル回路基板６となる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板表面に対する密着性に優れ、さらにヒロックおよびボイドなどの熱欠陥が発生することのない銅薄膜からなる液晶表示装置用配線および電極の形成方法を提供する。
【解決手段】酸素：０．０４〜１質量％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅ターゲットを用い、不活性ガス雰囲気中または酸素：３体積％以下含んだ不活性ガス雰囲気中でスパッタリングする熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用配線または電極の形成方法。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板表面に対する密着性に優れ、さらにヒロックおよびボイドなどの熱欠陥が発生することのない銅合金積層薄膜からなる液晶表示装置用積層配線および積層電極並びにそれらの形成方法を提供する。
【解決手段】希土類元素のうちの１種または２種以上を合計で０．０１〜２原子％、Ａｇ：０．０５〜２原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜並びに希土類元素のうちの１種または２種以上を合計で０．０１〜２原子％、Ａｇ：０．０５〜２原子％、Ｏ：０．０２〜２原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する酸素含有銅合金薄膜を積層してなる複合銅合金層からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 保護膜を設ける場合において、反射率を高く維持でき（反射率の低下を有効に防止でき）、また、耐熱性が高い反射膜およびそれを用いた照明装置を提供する。
【解決手段】 本発明の反射膜は、所定の基板２１上に、銀膜または銀合金膜２３が形成され、銀膜または銀合金膜２３上に保護膜としてチタン膜またはチタン合金膜２４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の配線および電極を形成するための銅合金薄膜を提供する。
【解決手段】Ａｇ、Ｃａ、ＭｇおよびＺｎの内の１種または２種以上を合計で０．０１〜１原子％含有し、さらに酸素：０．１〜２原子％を含み、さらに必要に応じて希土類元素の内の１種または２種以上を合計で０．０１〜１原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた液晶表示装置用配線および電極。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成でありながら、低温・低ダメージ成膜が可能であり、且つ複数枚の基板を連続的に成膜処理する際にも生産性の高いスパッタ方法及びスパッタ装置を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明に係るスパッタ方法及びスパッタ装置は、第１成膜領域Ｆ１の第１成膜部Ｐ１において低温・低ダメージ成膜を行い基板Ｂに所定の厚さの初期層を成膜した後、前記基板Ｂを第２成膜領域Ｆ２の第２成膜部Ｐ２に移動させ、その後、成膜速度の速い成膜を行って第２層を成膜して薄膜形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時のアーキングやスプラッシュの発生を効果的に防止することができ、とくにアーキングについては事実上皆無とすることができるスパッタリングターゲット材を提供すること。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲット材は、（Ａ）少なくともＣｏを含有する金属相、（Ｂ）長軸粒径１０μｍ以下の粒子を形成してなるセラミックス相、および（Ｃ）少なくともＣｏを含有してなるセラミックス−金属反応相を有し、前記（Ｂ）セラミックス相が前記（Ａ）金属相内に散在されてなり、かつ、前記（Ｂ）セラミックス相と前記（Ａ）金属相との間に、前記（Ｃ）セラミックス−金属反応相により形成される層が介在してなることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】フッ酸、硝酸等の腐食性洗浄液、ハロゲン系、塩素系等の腐食性ガスに対する耐食性に優れ、パーティクルの発生がない耐久性に優れた半導体製造装置用治具を提供する。
【解決の手段】半導体製造装置治具の石英ガラス基材を任意の表面粗さ、表面性状となるように表面加工を施した後、更にその面を硬質皮膜であるダイヤモンド・ライク・カーボン膜（ＤＬＣ）で被覆する。ＤＬＣ膜の厚さが０．５μｍ以上、フッ酸耐久性が０．００５μｍ／ｈｒ以下、６００℃における熱酸化速度が０．１μｍ／ｈｒ以下、密着力が９５／１００個以上、表面粗さが石英ガラス基材の表面粗さに倣った表面粗さとしてそのまま半導体製造装置用治具の表面性状として形成され、ハロゲン化物ガス及び／又はそのプラズマに対する耐食性が高く、パーティクルの発塵を抑制し、耐久性に優れている。 （もっと読む）

【課題】断続的な摺動状態または摺動速度が遅い摺動状態であっても、摺動部材のフリクションを低減させ、両者の摩耗を抑制することができる摺動部材を提供する。
【解決手段】バルブリフタ本体１１の少なくとも摺動面１２ａに非晶質炭素材料からなる炭素被膜１２が形成されたバルブリフタ１０であって、該バルブリフタ１０は、前記炭素被膜１２の上に、少なくとも二硫化モリブデンの粒子１４を含有した熱可塑性樹脂からなる樹脂被膜１３がさらに形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】大面積の対象物の幅方向に沿って主方向（長手方向）が定義されるスパッタリングターゲット装置を開示する。
【解決手段】中央表面及び中央表面の両側に所定の段差だけ低く形成される少なくとも１つの段差表面を含むバッキングプレート１１０と、バッキングプレート１１０の中央表面に装着される基準ターゲット材１２０と、バッキングプレート１１０の段差表面に装着される補強ターゲット材１３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スパッタ装置の真空ロボットにより基板を基板ホルダに取付ける際の位置調整を行う位置調整装置を提供することを目的とする。
【解決手段】スパッタ装置内の基板ホルダに真空ロボットにより基板を取付けるときの取付け位置を調整する位置調整装置であって、取付け位置情報を記憶する記憶手段と、記憶された取付け位置情報に基づき真空ロボットにより基板を基板ホルダに取付ける取付け手段と、取付けられた基板の取付け状態を測定する測定手段と、測定結果に基づき、位置ずれを生じているか否かを判定する判定手段と、位置ずれと判定されたときは、基板の取付け位置情報を補正する位置情報補正手段と、を有する位置調整装置。 （もっと読む）

【課題】下地金属との間の抵抗を低減可能な炭素被覆金属部材を提供する。
【解決手段】炭素被覆金属部材１０は、基板１と、導電性炭素膜２とを備える。基板１は、ＳＵＳ３１６Ｌからなる。導電性炭素膜２は、ＥＣＲスパッタリング法を用いて基板１上に形成される。この場合、導電性炭素膜２を形成する前のＥＣＲスパッタリング装置２０の圧力は、１．３３×１０^−２Ｐａ以下に設定され、基板１の温度は、室温〜３００℃以下の範囲に設定され、基板バイアスは、１５Ｖ〜４０Ｖの範囲に設定され、ターゲットバイアスは、−１０００Ｖ〜−２００Ｖの範囲に設定され、ターゲット２７に印加されるパワー密度は、１．７５Ｗ／ｃｍ^２〜８．７５Ｗ／ｃｍ^２の範囲に設定される。 （もっと読む）

【課題】薄膜と基板における密着性、光学特性、生産性に優れ、各種機能を有する薄膜付きの基板を提供すること。
【解決手段】以下の工程（１）〜（３）を含む薄膜形成方法により薄膜を形成させる薄膜付き基板の製造方法であって、基板としてアクリル系樹脂（ａ）及び脂肪族ポリエステル系樹脂（ｂ）を含む樹脂組成物の成形体を用いる薄膜付き基板の製造方法；
（１）円筒状支持体上に基板を据え付け、該円筒状支持体を回転させる工程、
（２）前記円筒状支持体の回転中に、該円筒状支持体の周辺に設けられたスパッター装置を操作して、前記基板に物質を堆積させる工程、
（３）前記基板に物質を堆積させる工程と同時に、前記円筒状支持体の周辺に沿って前記スパッター装置から離間して設けられたイオン源装置を操作して、反応性ガスのガスプラズマを形成し、前記基板に堆積した物質と前記反応性ガスとを反応させる工程。 （もっと読む）

【課題】薄膜と基板における密着性、光学特性、生産性に優れ、各種機能を有する薄膜付きの基板を提供すること。
【解決手段】少なくとも以下の（ア）〜（ウ）を有する薄膜形成装置を用いて、基板上にスパッタリング手段により蒸着膜を形成後、該蒸着膜とプラズマ発生手段により発生させたプラズマとを反応させて薄膜を形成する薄膜付き基板の製造方法であって、基板としてアクリル系樹脂（ａ）及び脂肪族ポリエステル系樹脂（ｂ）を含む樹脂組成物の成形体を用いる薄膜付き基板の製造方法；
（ア）基板搬送手段、
（イ）基板搬送手段の周辺に沿って設けられたスパッタリング手段、
（ウ）基板搬送手段の周辺に沿って、スパッタリング手段から離間して設けられた、プラズマ発生手段。 （もっと読む）

【課題】ロール・ツー・ロールの積層体製造装置およびその製造装置を用いて成膜された積層体と、この積層体を前面に用いた光学機能性フィルタおよび光学表示装置に関する。
【解決手段】
プラスチック・フィルム上に薄膜層を成膜するために、少なくとも１つ以上のマグネトロン電極を有し、該マグネトロン電極毎に個別に真空度を設定でき、該マグネトロン電極に対し十分に大きな成膜ローラーを備えているロール・ツー・ロール型のマグネトロン・スパッタ装置において、前記成膜ローラーの直前および直後に、該成膜ローラーと比較して小さなローラーを設置し、該小さなローラーを搬送中に、該マグネトロン電極において発生するカソード−とアノード間のプラズマ流により、膜質を緻密化することが可能であることを特徴とするロール・ツー・ロール型のマグネトロン・スパッタ装置。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時の異常放電およびパーテイクルの発生が少なく、ターゲット材が割れ難いシリコンターゲット材を提供する。
【解決手段】ターゲット材表面のエロージョン部に挟まれた非エロージョン部が溝状に形成されていることを特徴とし、好ましくは、上記非エロージョン部溝の底部コーナ部および両端コーナ部が湾曲面ないし傾斜面によって形成されており、ターゲット側端の非エロージョン部が面取り加工されており、非エロージョン部の溝の深さがエロージョン部の浸食深さと同等か浸食深さより深く形成されているシリコンターゲット材。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗多層膜の構造において層間結合を効果的に低減させることができる実用的な製造技術を提供する。
【解決手段】排気系３１を接続した真空容器３と、真空容器３内に設置した、反強磁性層からなる薄膜を堆積させるための基板１を保持するための基板ホルダー３２と、基板ホルダー３２を回転させるための回転機構３２１と、真空容器３内に設置した、放電を生じさせるためのカソードであって、該カソード面を前記基板ホルダー面に対して傾斜させて配置したカソード３３と、真空容器３内にアルゴンより原子番号の大きな元素のガスを導入するためのガス導入系３７と、を有する磁気抵抗多層膜製造装置を使用し、該アルゴンより原子番号の大きな元素のガスの流量を１０％以上として磁気抵抗多層膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】多孔体とこれを固定する治具との間の逆スパッタに起因する多孔体の表面の接触抵抗の上昇を防止することが可能な多孔体コーティング装置およびコーティング多孔体の製造方法を提供する。
【解決手段】低抵抗導電物質からなるターゲット３と、多孔体２を固定する治具４と、低抵抗導電物質からなり治具４と多孔体２との間に介装される介装体５と、治具４に所定のバイアス電圧を印加する電圧印加装置６と、を具備するコーティング装置１を用いて、多孔体２の板面２ａに低抵抗導電物質からなるコーティング膜８ａを形成した後、多孔体２の板面２ｂに低抵抗導電物質からなるコーティング膜８ｂを形成する。 （もっと読む）