【課題】超伝導物質である二硼化マグネシウムを用い、電流電圧特性としてＲＳＪ特性を有する積層型の積層型超伝導接合を提供する。
【解決手段】積層型超伝導接合は、サファイアからなる基板１上に形成された二硼化マグネシウム（ＭｇＢ_２）層からなる下部電極２と、下部電極２上に形成された窒化アルミニウム（ＡｌＮ）層からなる絶縁層３と、絶縁層３上に形成されたアルミニウム（Ａｌ）層からなる導体層４と、導体層４上に形成された二硼化マグネシウム（ＭｇＢ_２）層からなる上部電極５とを備える。積層型超伝導接合は、その電流電圧特性としてＲＳＪ特性を備える。絶縁層３の膜厚が０．６４ｎｍであり、導体層４の膜厚が５０ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】多層反射膜の成膜により基板に応力が加わっても、基板が変形せず平坦度を良好とできるＥＵＶマスクブランクの多層反射膜の成膜方法の提供、およびバッファ層及び吸収層の成膜により基板に応力が加わっても、基板が変形せず平坦度を良好とできるＥＵＶマスクブランクの製造方法の提供。
【解決手段】スパッタリング法を用いて、基板上にＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの多層反射膜を成膜する方法であって、多層反射膜の成膜により基板に加わる応力と逆方向の応力を前記基板が有するように、前記基板を変形させた状態で前記多層反射膜の成膜を実施し、前記多層反射膜の成膜後、前記基板を変形前の形状に戻すことを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの多層反射膜の成膜方法。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶマスクブランクを製造する際に使用され、反射層としての多層反射膜および保護層としてのＲｕ層の形成を実機での生産レベルで多数サイクル実施した場合にも、膜剥がれによるパーティクルを防止することができるスパッタリングターゲットの提供。
【解決手段】基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層におけるルテニウム（Ｒｕ）層を形成するためのスパッタリングターゲットであり、前記スパッタリングターゲットは、Ｒｕと、ホウ素（Ｂ）およびジルコニウム（Ｚｒ）からなる群から選択される少なくとも１つの元素と、を含有し、前記スパッタリングターゲットにおけるＢおよびＺｒの合計含有率が５ａｔ％〜５０ａｔ％であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】応力歪みによる反りが少なく、ボンディング不良やターゲット割れ等が生じ難いシリコンのスパッタリング用ターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】優先結晶成長方向に結晶成長された柱状晶の多結晶シリコンであって、含まれる不可避不純物量が１０ｐｐｍ以下であることを特徴とする。また、比抵抗値の面内分布幅が１０％未満であることを特徴とする。さらに、前記不可避不純物は、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃ、Ｎの少なくとも一つであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】カルーセルのような回転ドラムを使用した成膜において、カルーセルの回転軸と装置本体の軸受けの非常に微小な偏芯が製品の特性バラツキに影響を及ぼす。
【解決手段】チャンバーのスパッタ室３内に円筒状または多角形状のドラムが回転可能に設けられ、該ドラムの外周面上に基板１１が装着される（格納される）基板ホルダ９が取り付けられ、該ドラムが垂直な回転軸の周りを回転しながら基板１１に成膜するカルーセル型のスパッタ成膜装置において、チャンバーであるスパッタ室３内壁に設けられ基板１１に成膜するターゲット７，８と、基板ホルダ９がターゲット７、８と正面に対向した位置のターゲットと基板１１との距離を測定し各基板ホルダとターゲットとの間の距離を制御する偏芯制御装置１０と、を備え、偏芯制御装置１０からの出力により基板ホルダ９とターゲット間の距離を修正する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットエロージョンによる膜厚分布の経時変化を抑制する。
【解決手段】基板１０に薄膜を成膜するスパッタ装置において、ターゲット５に基板１０を対向させて走査しながらスキャン成膜する。このスキャン成膜中に、スパッタガスとしてスパッタレートの異なる２種類のガスを用いて、２つのガスのガス流量を第１、第２のマスフローコントローラ４ａ、４ｂによってそれぞれ制御する。ターゲット５のエロージョンに起因するターゲット形状の経時変化に対応させて、スパッタレートの小さい第１のガスのガス流量を常に増加させ、スパッタレートの大きい第２のガスのガス流量を常に減少させながらスキャン成膜を行うことで、膜厚変化を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】 低温度域での塑性加工性に優れたＭｏスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 希土類元素から選ばれる１種類以上の元素を１〜１００質量ｐｐｍ含有し、残部はＭｏ及び不可避的不純物でなるＭｏスパッタリングターゲット材であり、前述の希土類元素はＬａ、Ｃｅの何れか１種または２種を選択するのが好ましい。更に希土類元素の効果を確実に得るには、Ｎ、Ｏ等のガス成分は極力少ない方が好ましく、Ｎは５０ｐｐｍ以下、Ｏは５００ｐｐｍ以下であり且つＮとＯの総量が５００ｐｐｍ以下の範囲が望ましい。 （もっと読む）

【課題】摺動部材へのダイヤモンドライクカーボンの高い密着性を実現すると共に、低摩擦性を示す摺動部材を提供すること。
【解決手段】基材５上へ、クロム層からなる中間層６を設け、当該中間層６上へは、ダイヤモンドライクカーボンからなるＤＬＣ多層膜１０をＵＢＭスパッタリング法により形成し、当該ＤＬＣ多層膜１０は、傾斜層１２および傾斜層１２側から高硬度層と低硬度層とが周期的な構造を有する積層構造層１１を形成することにより、ダイヤモンドライクカーボン層の摺動部材への密着性を高め、且つ、摩擦係数を低くして、優れた摺動性を実現する。 （もっと読む）

【課題】下地塗装を行うことなく耐食性を有する光輝性金属皮膜を含む樹脂製品を提供する。
【解決手段】樹脂基材１１と、樹脂基材１１上にインジウムからなる光輝性でかつ不連続構造の金属皮膜１２とを含む樹脂製品であって、金属皮膜１２の下にのみ、物理的蒸着法により形成された、酸窒化ケイ素、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウム又は酸化クロムからなる金属皮膜１２の耐食性を向上させる下耐食保護膜１３を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大きな接触応力が作用するような条件下や無潤滑下においても好適に使用可能な転がり摺動部材及び転動装置を提供する。
【解決手段】スラスト玉軸受の内輪１，外輪２と玉３との接触面においては、内輪１，外輪２，玉３の母材にＤＬＣ層Ｄが被覆されている。ＤＬＣ層Ｄは、炭素からなるカーボン層Ｃと、タングステン及び炭素からなる複合カーボン層ＦＣと、タングステンからなる第一金属層Ｍ１と、タングステン及びクロムからなる複合金属層ＦＭと、クロムからなる第二金属層Ｍ２と、で構成され、これら５層はＤＬＣ層Ｄの表面側から上記の順に配されている。母材のうちＤＬＣ層Ｄが被覆されている部分は、表面粗さＲａが０．０３μｍ以上０．２μｍ以下とされている。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性・低摩擦性能に優れた硬質炭素被膜を提供する。
【解決手段】本発明の摺動部材は、Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，
Ｔａ，Ｗ，Ｉｒ，Ｐｔのうちの少なくとも１種の元素を含有する基材上に、クロムと炭素とを含有した傾斜層を有し、前記傾斜層上に硬質炭素被膜を有するものであって、前記傾斜層に含有するクロムの含有量が、前記基材から前記硬質炭素被膜に向かうにつれて徐々に減少し、前記傾斜層に含有する炭素の含有量が、前記基材から前記硬質炭素被膜に向かうにつれて徐々に増加し、前記硬質炭素被膜には、アルミニウムが含有されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】既存のものよりも保磁力差の小さい、酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜、該磁性膜を形成し得るターゲット材およびスパッタリングターゲット、該ターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｆｅ含量が１００ｐｐｍ以下である、酸化物含有Ｃｏ系合金磁性膜および酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材、該ターゲット材がバッキングプレートに接合されてなるスパッタリングターゲット、ならびに、Ｃｒ鋳塊を、Ｃｏ鋳塊およびＣｏ粉末から選ばれる少なくとも１種のＣｏ原料と共に溶融してＣｏ−Ｃｒ合金を調製した後、該Ｃｏ−Ｃｒ合金をアトマイズ法により処理してＣｏ−Ｃｒ合金粉末を得て、該Ｃｏ−Ｃｒ合金粉末と、Ｐｔ粉末および酸化物粉末とを混合して混合粉末を得て、該混合粉末を成形した後に焼成するか、あるいは成形すると同時に焼成する、酸化物含有Ｃｏ系合金ターゲット材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ターゲット表面での絶縁物の蓄積による異常放電の発生を防止し、膜質を向上させることが可能なスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】成膜プロセス領域２０Ａと反応プロセス領域６０Ａとが内部に形成された真空容器１１と、成膜プロセス領域２０Ａ内でスパッタリングを行い基板Ｓの表面に膜原料物質を付着させるスパッタ手段２０と、反応プロセス領域６０Ａ内でプラズマを発生させて基板Ｓの表面に付着した膜原料物質の反応物を生成させるプラズマ発生手段６０と、を備え、スパッタ手段２０は、中心軸線Ｘａ−Ｘｂを中心に回転可能な円筒状ターゲット８１と、円筒状ターゲット８１の表面に漏洩磁界を形成する磁性体ユニット８８と、磁性体ユニット８８に対して円筒状ターゲット８１を回転させるターゲット回転モータ９３と、を備えた。ターゲットの表面に非エロージョン領域が生じにくいため、絶縁物が蓄積しにくく、異常放電の発生を防止できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低摩擦を解決すると共に、密着性，耐荷重性に優れた部材、特に摺動部材を提供することにある。
【解決手段】本発明の部材は、基材上にアルミニウムと炭素とを含有した中間層を有し、中間層上に硬質炭素被膜を有するものでって、中間層に含有するアルミニウムの含有量が、基材から硬質炭素被膜に向かうにつれて徐々に減少し、中間層に含有する炭素の含有量が、基材から硬質炭素被膜に向かうにつれて徐々に増加すると共に、アルミニウムと炭素とが、モル比で４：３に結合したＡｌ_４Ｃ_３が、中間層の中央より基材側に形成され、硬質炭素被膜には、アルミニウムが０.５〜４.５ａｔ％含有されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングロールコータを用いて優れた光学特性を有する吸収型多層膜ＮＤフィルターを安定して製造する方法を提供する。
【解決手段】この製造方法は、光源11と、光源からの光を３光路に分配しその２光路を構成する第一、第二光ファイバ121、122が成膜室１内に導入される分岐光ファイバ12と、第一光ファイバから照射され薄膜が形成された樹脂フィルム100を透過した光を受光する第一受光ファイバ201の端部20、第二光ファイバから照射された光を受光する第二受光ファイバ202の端部19および第三光ファイバ123の端部18がそれぞれ接続される測定光切替器17とを備えた透過率モニターを用い、第一受光ファイバを経由し測定された透過率と第二受光ファイバを経由し測定された透過率を、第三光ファイバを経由し測定された光源光量に基づき補正すると共に補正値に対応させて成膜条件を調整することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングロールコータに組み込まれ多層膜の透過率を継続的に監視可能な簡易構造の透過率モニターを提供する。
【解決手段】このモニターは、光源11と、光源からの光を３光路に分配しその２光路を構成する第一、第二光ファイバ121、122が成膜室１内に導入される分岐光ファイバ12と、第一光ファイバから照射され薄膜が形成された樹脂フィルム100を透過した光を受光する第一受光ファイバ201の端部20、第二光ファイバから照射された光を受光する第二受光ファイバ202の端部19および第三光ファイバ123の端部18がそれぞれ接続される測定光切替器17を備え、第一受光ファイバを経由し測定された透過率と第二受光ファイバを経由し測定された透過率が第三光ファイバを経由し測定された光源光量に基づき補正されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタ装置を大気に解放してメンテナンスを行う必要性を少なくするとともに、成膜プロセスを安定化させる。
【解決手段】減圧した成膜室１０にスパッタリングガス（Ａｒ）および反応性ガス（Ｏ₂ ）を導入し、反応性スパッタリングによって基板Ｗに成膜を行うスパッタ装置において、まず、スパッタリングガスのみを用いたメタルモード放電を行う。これによって、成膜室１０の内壁面やシャッター３１の閉口部に金属薄膜を被着させながら投入パワーを徐々に増大させて、成膜時の誘電体モードに移行させる。成膜室１０内にアノードとなる金属面を確保して成膜条件を安定させることで、設計値に極めて近い光学特性を有する誘電体薄膜を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】市販の金属ダイヤモンドライクカーボンコーティング組成物に比べて、優れた硬度、および純粋な転がり時の破損に対する耐性を有する金属ダイヤモンドライクカーボンコーティング組成物を提供すること。
【解決手段】基体１０は、第１の層１２と、その上に堆積されかつ約０．５〜１０μｍの厚さを有する第２の層１４とから構成された金属ダイヤモンドライクカーボンコーティングを含む。第１の層１２は、遷移金属から構成され、かつ第１の表面と、基体１０と接触している第２の表面とを含む。第２の層１４は、Ｃと、Ｗ、Ｎｂ、Ｔｉおよびこれらの組合せから成る群より選択された遷移金属とから構成され、やはり、第１の表面と、第１の層１２の第１の表面と接触している第２の表面とを含む。この組成物は、約−５０〜−７５０Ｖの範囲の負のバイアス電位範囲にわたって、約１０×１０^-15ｍ³ｍ^-1Ｎ^-1以下のアブレシブ摩耗率を有する。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む製造方法であり、基板１１とスパッタターゲットとを対向して配置するとともに、基板１１とスパッタターゲットとの間隔を２０〜１００ｍｍの範囲とする。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む製造方法であり、半導体層をスパッタ法で成膜する際に、基板１１に印加するバイアス値を０．１Ｗ／ｃｍ^２以上とする。 （もっと読む）