【課題】基板の端部に均一な膜厚の薄膜を形成できるスパッタリング装置及びスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】
長手方向が互いに平行で、スパッタされる面が同一平面に位置し、側面が対面するように並んで真空槽内に配置された細長形状の複数のターゲットのうち、隣接する二個のターゲットを一組のターゲット組にすると、一組のターゲット組内では、少なくとも一個のターゲットにオフ電圧を印加し、オン電圧とオフ電圧とを、一組のターゲット組内の二個のターゲットに交互に印加してターゲットをスパッタし、基板に薄膜を形成するスパッタリング方法であって、ターゲット組は一列に並べられており、ターゲットにオン電圧とオフ電圧とを印加する際には、前記一列の端に位置するターゲット組内では、前記一列の端の方に位置するターゲットのオン電圧の印加期間を、他方のターゲットのオン電圧の印加期間よりも長くする。 （もっと読む）

【課題】樹脂フィルムに形成した密着性が良好でかつ配線パターンの精細化に対応できるフレキシブル基板とその製造方法並びにフレキシブル回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂フィルム基板１の少なくとも片面に、接着剤を介さずに乾式メッキ法による直接形成した下地金属層２を具備し、その下地金属層上に所望の厚さの銅被膜層６を有するフレキシブル基板であって、前記下地金属層は、第１層が厚さ２〜１５ｎｍの絶縁性のＳｉ酸化物層またはＴｉ酸化物層３、第２層が厚さ１〜５ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、もしくはニッケル−クロム合金（Ｎｉ−Ｃｒ）から選ばれる１種の金属層４、さらに第３層が厚さ５０〜３００ｎｍの銅金属層５からなる。フレキシブル基板の銅被覆層をエッチング処理してフレキシブル回路基板とする。 （もっと読む）

【課題】成膜レートが大きく且つ初期放電電圧が小さく、さらに、スパッタ開始から終了までの成膜レート及び放電電圧が安定なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ターゲットの断面方向から観察した結晶粒のアスペクト比（長手方向の長さ／短手方向の長さ）が２．０以下であるインジウムターゲット。 （もっと読む）

【課題】電極と抵抗変化層の界面に小さな突起を形成することなく、低電圧での初期化が可能な不揮発性記憶素子を提供する。
【解決手段】下部電極１０５と上部電極１０７との間に介在され、両電極間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層１１６を備える。抵抗変化層１１６は、第１の抵抗変化層１１６１と第２の抵抗変化層１１６２との少なくとも２層から構成され、第１の抵抗変化層１１６１は第１の遷移金属酸化物１１６ｂから構成され、第２の抵抗変化層１１６２は、第２の遷移金属酸化物１１６ａと第３の遷移金属酸化物１１６ｃとから構成され、第２の遷移金属酸化物１１６ａの酸素不足度は第１の遷移金属酸化物１１６ｂの酸素不足度及び第３の遷移金属酸化物１１６ｃの酸素不足度のいずれよりも高く、第２の遷移金属酸化物１１６ａ及び第３の遷移金属酸化物１１６ｃは、第１の抵抗変化層１１６１と接している。 （もっと読む）

【課題】スパッタターゲット及びその形成方法を提供する。
【解決手段】回転軸方向鍛造を用いてスパッタターゲットを作製する方法が記載される。当該鍛造工程の前及び／又は後に他の熱機械加工工程を用いることができる。特有の粒子サイズ及び／又は結晶構造を有することができるスパッタターゲットがさらに記載される。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、公知のスパッタターゲットを改善して均一なスパッタ速度および均一な厚さの層を達成することである。
【解決手段】支持管と、該支持管上に配置されたインジウムベースのスパッタ材料とを有する管状スパッタターゲットであって、該スパッタ材料が、スパッタ材料のスパッタで粗くされる表面上のグレインの平均直径として測定される１ｍｍ未満の平均グレインサイズを有する微細構造を有し、該スパッタ材料が最大１質量％の銅またはガリウム部分を含むことを特徴とする、管状スパッタターゲットによって解決される。 （もっと読む）

【課題】層状構造の窒化ガリウム膜を汎用的の高められたプロセスで選択的に形成することの可能な窒化ガリウム膜の形成方法、及び該形成方法を用いて窒化ガリウム膜を形成する装置を提供する。
【解決手段】
窒化ガリウム膜を反応性スパッタにて単結晶の基板Ｓ上に形成するときに、真空槽１１内に供給されるアルゴンガス及び窒素ガスの総流量に占める窒素ガスの流量の割合を窒化ガリウム膜の成長速度が窒素供給によって律速され、且つ、窒化ガリウム膜の成長速度の極大値に対して３０％以上９０％以下の成長速度となる範囲とする。また、基板温度Ｔ（℃）、ガリウムのターゲット１４に供給される周波数が１３．５６ＭＨｚである高周波電力をバイアス電力Ｐ（Ｗ／ｃｍ^２）とするとき、基板温度Ｔ及びバイアス電力Ｐが、６００≦Ｔ≦１２００、０＜Ｐ≦４．６３、Ｔ≧０．００８３Ｐ−４．７、Ｔ≦０．００８４Ｐ−６．６を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】圧電定数のばらつきを小さくでき、耐電圧特性を向上させることができ、製造歩留りを向上させる圧電アクチュエータとその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板１、酸化シリコン層２、TiO_x密着層３’、Pt下部電極層４、PZT圧電体層５及びPt上部電極層６を積層して圧電アクチュエータを構成する。TiO_x密着層３’のTiO_xの組成比xは0<x<2であり、つまり、TiO_x密着層３’はTiを不完全に酸化させて成膜する。密着層３’による絶縁層２と下部電極層４との結合を確保できると共に、Ti成分、Pt成分及びPb成分の拡散が抑制されるので、下部電極層４、密着層３’及び絶縁層２の境界を明瞭にすることができる。 （もっと読む）

【課題】ファインピッチ化に適した、裾引きが小さい断面形状の回路を良好な製造効率で製造可能なプリント配線板用銅箔及び電子回路の形成方法を提供する。
【解決手段】銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備えたプリント配線板用銅箔であって、前記被覆層が、Ｐｔ、Ｐｄ、及び、Ａｕの少なくともいずれか１種を含み、前記被覆層には、Ａｕが２００〜２０００μｇ／ｄｍ²、Ｐｔが２００〜２０００μｇ／ｄｍ²、Ｐｄが１２０〜１２００μｇ／ｄｍ²の付着量で存在し、ＣＣＬ製造工程の熱履歴を受けると、ＸＰＳによる該被覆面表面からの深さ方向分析から得られた深さ方向（ｘ：単位ｎｍ）のＰｔ、Ｐｄ、及びＡｕのいずれか１種以上の原子濃度（％）をｆ(x)、銅の原子濃度をｇ(x)としたとき、区間［０、５］において０．１≦∫ｆ(x)ｄｘ／∫ｇ(x)ｄｘ≦０．７を満たすプリント配線板用銅箔。 （もっと読む）

【課題】ｐ型の導電膜及びｐ型の透明導電膜としての高性能な酸化物膜の、量産性に優れた製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明の１つの酸化物膜の製造方法は、酸素を含むガスの雰囲気下で、反応性スパッタリング法により、銅（Ｃｕ）からなる第１ターゲット３０ａ，３０ａとニオブ（Ｎｂ）およびタンタル（Ｔａ）からなる群から選択される１種類の遷移元素からなる第２ターゲット３０ｂ，３０ｂとを用いて交互にスパッタを行うことにより、基板１０上に第１酸化物膜（不可避不純物を含み得る）を形成する工程、及びその第１酸化物膜を不活性ガス雰囲気中で加熱焼成することにより第２酸化物膜（不可避不純物を含み得る）を形成する工程を含む。従って、この製造方法によって形成された酸化物膜は、大型基板上への膜の形成が容易になることから、量産性に優れている。 （もっと読む）

【課題】微細なトレンチまたはホール等の凹部にボイドを発生させずに確実にＣｕを埋め込むことができ、かつ低抵抗のＣｕ配線を形成すること。
【解決手段】ウエハＷに形成されたトレンチ２０３を有する層間絶縁膜２０２において、トレンチ２０３の表面にバリア膜２０４を形成する工程と、バリア膜２０４の上にＲｕ膜２０５を形成する工程と、Ｒｕ膜２０５の上に、加熱しつつ、ＰＶＤによりＣｕがマイグレーションするようにＣｕ膜２０６を形成してトレンチ２０３を埋める工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 銅または銅合金からなる塊状体の切断加工中に発生する表面酸化変色を防止することで、表面酸化変色が発生した面を除去する再加工をなくすことができるとともに、切断加工後の加工物における大気中での表面酸化変色を長期間にわたって防止することができる加工方法を提供する。
【解決手段】 銅または銅合金の加工方法は、層形成工程と切断加工工程とを含む。層形成工程では、銅または銅合金からなる塊状体１５の表面に酸化防止剤を含む酸化防止層１５ａを形成する。切断加工工程では、酸化防止層１５ａが形成された塊状体１５を、予め定められた形状となるように、加工液１６中で切断加工する。 （もっと読む）

【課題】ナノ粒子を内部に分散させたナノ粒子分散イオンゲルを提供する。
【解決手段】ナノ粒子分散イオンゲルは、イオン液体をゲル化して形成したイオンゲルの内部に複数のナノ粒子を分散させたものである。複数のナノ粒子の分散は、ナノ粒子分散イオンゲルは、内部気圧を大気圧よりも減圧させた蒸着装置を用いて、ナノ粒子前駆体のナノ粒子をイオンゲルに蒸着させる工程により行われる。 （もっと読む）

【課題】ロウ材を使用することなく、円筒形スパッタリングターゲットを製造する方法を提供する。
【解決手段】円筒形ターゲット材３の内径側に、該円筒形ターゲット材３の内径よりも小さい外径を有するバッキングチューブ２を挿入し、この状態で、たとえば棒状の芯金４を挿通して、該バッキングチューブ２を拡管することにより、ロウ材を使用することなく、該円筒形ターゲット材３を該バッキングチューブ２に接合する。円筒形ターゲット材３とバッキングチューブ２の間に、溶融および凝固した後に塑性加工された低融点金属の緩衝材を介在させてもよい。 （もっと読む）

【課題】少ない処理室で効率よくバリア層及び埋込層を形成する小型の真空処理装置を提供する。
【解決手段】バリア層は、Ｔｉ製のターゲットと希ガスを導入してプラズマ雰囲気を形成し、ターゲットをスパッタリングして第１金属層を形成し、処理室内に酸素ガス及び窒素ガスを含むガスを導入して、第１金属層の表面およびターゲット表面を酸窒化処理する。更にターゲットをスパッタリングして酸窒化処理された表面に第２金属層を形成する。他方、埋込層は、Ａｌ含有の金属製のターゲットを用い、スパッタ粒子をプラズマ中の荷電粒子と衝突するように所定圧力に調節すると共に、当初投入したバイアス電力を、成膜中に停止し、処理室の圧力も低下させると共に、加熱手段により処理対象物Ｗを、処理対象物表面に付着、堆積した金属粒子が流動する温度に加熱する。 （もっと読む）

【課題】イオン液体代替の、より環境負荷が小さく安定的に金属微粒子を製造する方法を提供する。
【解決手段】微粒子の製造方法は、液体高分子ポリエチレングリコールに貴金属、Ｓｉ及びＣｄの少なくともいずれかをスパッタリングする。また、この手段において、貴金属は、金、銀、銅、白金の少なくともいずれかを含むことが好ましい。また、この手段において、高分子ポリエチレングリコールの数平均分子量は、２００以上８００以下の範囲にあることが好ましい。また、本手段において、スパッタリングの後、加熱処理を行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】プラズマを発生させて成膜する際に膜厚の測定精度を高めることを目的とする。
【解決手段】成膜装置１は、真空チャンバ２と成膜基体支持体２１とを備える。成膜基体支持体２１に支持された成膜基体７とスパッタリングターゲット４との間にはプラズマ３が発生する。また、真空チャンバ２内には、成膜基体７と成膜レートが異なる位置にモニタ基板３０が配置される。モニタ基板３０には、モニタ光照射器２５からモニタ光が照射される。モニタ光がモニタ基板３０の表面に形成されたモニタ膜で反射した反射光およびプラズマ３が発光してモニタ膜を透過した透過光は受光器２６で受光される。制御器９は、プラズマ光測定器８が測定したプラズマ３の発光強度に基づいて、受光器２６が受光した光のうち反射光の強度を補正して求める。反射光の強度に基づいて、モニタ膜の厚さ、およびそれに比例する成膜基体７上の膜厚が求められる。 （もっと読む）

【課題】プロセス上重要なデータを求める際の誤差を最小限に抑えるため、真空析出プロセスのプロセス的に重要なデータの求める方法を提供する。
【解決手段】マグネトロンに連結されたターゲットでコーティングされる際の光学的発光スペクトルで、少なくとも２つのプロセス材料によって、スペクトル線の少なくとも３つの強度Ｉ_１．．．Ｉ_３が光学的発光スペクトルから求められることによって解決される。この発光スペクトルから、単一または多重の強度が互いに数学的に合成され、そして合成結果から、他の数学的合成によってプロセス上重要なデータが求められ、このデータが後続の測定プロセスまたは制御プロセスで使用される。 （もっと読む）

【課題】優れた結晶性を有する窒化物半導体を再現性良く形成することができる窒化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】ｃ面を主面とするサファイア基板とアルミニウムを含有するターゲットとを距離をあけて配置する工程と、サファイア基板とターゲットとの間にＤＣ−ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ方式により電圧を印加して行なわれるＤＣマグネトロンスパッタ法によりサファイア基板の表面上にアルミニウム含有窒化物中間層を形成する工程と、を含み、アルミニウム含有窒化物中間層上に（００４）面を主面とする窒化物半導体を形成する工程とを含む窒化物半導体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】波状の磁気トラックを十分な磁場強度でターゲット上に出すことができる磁石ユニットを提供することを目的とする。
【解決手段】ヨーク板に直立して設けられた第１の磁石と、ヨーク板に直立して設けられ第１の磁石と反発する磁極を有する第２の磁石と、第１の磁石と第２の磁石との間に斜めに設けられ第３の磁石とを備えた第１の磁石エレメントと、ヨーク板直立して設けられた第４の磁石と、ヨーク板に直立して設けられ第４の磁石と反発する磁極を有する第５の磁石と、第４の磁石と第５の磁石の間に斜めに設けられ第６の磁石とを備えた第２の磁石エレメントとから構成され、第１の磁石エレメントと第２の磁石エレメントとを、無終端状の形状に沿って交互に配置した磁石ユニット。 （もっと読む）