本発明は、全般的に、プラズマスパッタリングの分野における欠陥処理システムに関し、特に、スパッタリングシステムにおいて用いられる電力発生器の制御動作のための欠陥処理システムおよび方法に関する。欠陥処理アルゴリズムは、電力発生器の動作に影響するための少なくとも１つのコマンド信号を生成するために、一期間内においてスパッタリングシステムからの複数の欠陥状態信号を処理する。欠陥処理アルゴリズムは、複数の欠陥状態信号タイプに対する応答として４つまでのコマンド信号を生成可能であり、そのコマンド信号は、システム出力無効化、電力ブロック出力無効化、出力イネーブル防止、および出力駆動ロールバックを含む。 （もっと読む）

本発明は、ターゲット／バッキングプレート構造物及びターゲット／バッキングプレート構造物の形成法を含む。ターゲットとバッキングプレートは適当な中間層を介して互いに接着できる。ターゲットは、アルミニウム、銅、タンタル及びチタンの一つ以上を含みうる。中間層は、銀、銅、ニッケル、スズ、チタン及びインジウムの一つ以上を含みうる。本発明のターゲット／バッキングプレート構造物は、少なくとも２０ｋｓｉの接着強さと８０μｍ未満のターゲット内平均粒径を有することができる。

（もっと読む）

例えば、マグネトロン蒸着装置に用いられるターゲット組立体が、主張される。ターゲット組立体は、管の軸受、管の回転、電気接点、冷媒シール、及び真空シールのような機能の少なくとも１つが管自体の内部に一体化されていることを特徴としている。このような組立体は、エンドブロックが内蔵される容積を低減させることによって、真空空間をさらに有効に用いるという利点を有している。組立体の小形化によって、現在、平面ターゲット組立体のみしか使用できない小型の設備にも、用いることができる。 （もっと読む）

本発明は、低放射率コーティングを備えた基材を提供する。低放射率コーティングは、少なくとも１つのグレーデッドフィルム領域を含む。特定の実施形態において、少なくとも１つのグレーデッドフィルム領域は、二層型低放射率コーティングの２つの赤外反射層同士間に付与される。グレーデッドフィルム領域においては、第１の誘電物質の濃度が実質的に連続的に減少し、第２の誘電物質の濃度が実質的に連続的に増大する。また、このような低放射率コーティングの堆積方法、および、このコーティングを備えた基材が提供される。

（もっと読む）

本発明の１つの態様は、プラズマスパッタリアクタのチャンバー壁の外側に位置された補助的磁石リングであって、特に、スパッタ堆積されている基板をスパッタエッチングするためにプラズマを誘導的に発生するのに使用されるＲＦコイルの半径方向外方に少なくとも一部分配置された補助的磁石リングを包含する。従って、磁気バリアが、プラズマがコイルへと外方に漏れるのを防止し、スパッタエッチングの均一性を改善する。また、この磁界は、コイルが、一次ターゲットと同じ材料で作られているときに、二次ターゲットとして使用されるときには、マグネトロンとしても働く。本発明の別の態様は、ターゲットからペデスタルへと延び、滑らかな内面をもち、且つシールド中央部が環状フランジで支持された一部片の内部シールドを包含する。このシールドは、ＲＦコイルを支持するのに使用されてもよい。 （もっと読む）

本発明はガラスからできているタイプの透明基板に関する。本発明の基板は、ケイ素またはアルミニウムまたはこの２つの混合物の［窒化物、炭窒化物、酸窒化物または酸炭窒化物］をベースとする少なくとも１つの層Ｃを上に配設した被覆層と共に含む被膜を含んでなる。本発明は、この被覆層が酸化物ベースの機械的保護層であり、この酸化物が場合によっては化学量論以下または化学量論以上の酸素含量を有し、および／または場合によっては窒化物であることを特徴とする。本発明を使用して、多層または合わせグレージングを製造することができる。 （もっと読む）

プラズマを用いて基板を処理するための処理システム（１０）は、両端が開口した円筒型のターゲット（３２）と、中空陰極マグネトロン（ＨＣＭ）を形成する米国特許５，４８２，６１１に開示されたタイプのマグネットアレイ（３４）とを用いて提供される。その円筒型ターゲットの開口端部の１つには、米国特許６，０８０，２８７や６，２８７，４３５に記載されているように誘導結合ＲＦエネルギーソース（４０）が配置される。その円筒型ターゲットの一端の誘電体窓（４１）は、外気と処理システムの間にシールを形成するように作用し、真空空間内に位置する蒸着バッフルシールド（４４）によって蒸着から保護され、チャンバー内にコイルからのＲＦエネルギーの供給を可能にするように設計される。ＲＦソースに対向するその円筒型のターゲットの開口端部（１３）は、真空チャンバー（１１）内の処理空間に面する。
（もっと読む）

窒化タンタル／タンタルバリア層を堆積させるための方法および装置が、集積処理ツールでの使用のために提供される。遠隔発生プラズマによる洗浄ステップの後、窒化タンタルは原子層堆積法で堆積され、タンタルはＰＶＤで堆積される。窒化タンタル／タンタルは、堆積された窒化タンタルの下の導電性材料を露呈するために、誘電体層の部材の底部から除去される。場合によって、さらなるタンタル層が、除去ステップの後に物理気相堆積法で堆積されてもよい。場合によって、窒化タンタル堆積およびタンタル堆積は同一の処理チャンバで生じてもよい。シード層が最後に堆積される。 （もっと読む）

一方のアセンブリ部材上に設けられた突起を熱膨張させ、もう一方のアセンブリ部材に熱接触を与えることによりスパッタカソードアセンブリの構成部分を組み立てる方法、及び当該方法によって形成されたスパッタカソードが記載される。本方法は、構成部材の一時的な機械的結合を形成し、この機械的結合は構成部分が所定の接触温度未満に冷却されると終わる。本方法は、任意選択でアセンブリの構成部分を互いに機械的に連結することを含む。
（もっと読む）

複数のスパッタターゲットを形成するよう分割するのに十分な寸法を有するバルブ金属のミル成形体を製造する方法が記載される。本方法は、約１００μｍ以下の好ましい平均粒度及び／又は組織バンドの実質的にない組織を有するミル成形体を形成するためのインゴットの多方向変形を含む。
（もっと読む）

【課題】 高い規格化保磁力を有するとともに、熱的な安定性に優れる磁気記録媒体およびその製造方法、並びに磁気記録装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る磁気記録媒体は、非磁性基体１と、該非磁性基体１上に金属下地層２を介して形成されたコバルト基合金からなる強磁性金属層３とを備える磁気記録媒体１０において、保磁力Ｈｃが２０００（Ｏｅ）以上であり、かつ異方性磁界Ｈｋ^grainが１００００（Ｏｅ）以上であることを特徴とする。また、前記金属下地層２および／または強磁性金属層３が、到達真空度１０^-9Ｔｏｒｒ台の成膜室において、不純物濃度１ｐｐｂ以下の成膜用ガスを用いて成膜されてなるものであることが好ましい。 （もっと読む）