【課題】成膜方法および成膜装置において、ターゲットの使用効率を向上することができ、組成や膜厚の調整が容易であり、成膜の効率を向上することができるようにする。
【解決手段】スパッタ装置１を用いて、ターゲット片を、独立に出力設定可能な第１電源１１、第２電源１２の陰極に電気的に接続されたバッキングプレート７上に設置するとともに、ターゲット片のいずれかの近傍に配置され第１電源１１、第２電源１２の陽極にそれぞれ電気的に接続可能に設けられた電極Ｅ_１〜Ｅ_ｎを設置し、被処理体Ｗを、ターゲット片を横断する移動経路に沿って移動させ、被処理体Ｗの移動位置に基づいて、電極Ｅ_１〜Ｅ_ｎの少なくともいずれかに選択的に電力を供給し、ターゲット片のうち少なくともいずれかから、選択的にターゲット粒子を放出させて、被処理体Ｗの表面に予め定められた一定の膜構成の成膜を行う成膜方法とする。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタ法により酸化物薄膜を製造する場合であって、高い２軸配向性を有する膜を形成することができる酸化物薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】成膜面ＤＡに対して斜め方向からイオンビーム１０６を照射しながら、マグネトロンスパッタ法により、スパッタエネルギー密度９．５Ｗ／ｃｍ^２以上２０Ｗ／ｃｍ^２以下、ターゲット１０３と成膜面ＤＡとの距離ＴＳ８０ｍｍ以上１００ｍｍ以下、雰囲気ガスの圧力５０ｍＰａ以上７００ｍＰａ以下の条件で金属のターゲット１０３からの蒸着粒子を成膜面ＤＡに堆積させて酸化物薄膜を形成する酸化物薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】発光効率が低下しない表示装置を提供する。
【解決手段】発光部１５が位置する凹部１３が充填膜２７で充填されてから無機膜２８が形成されるので、無機膜２８に亀裂が生じない。無機膜２８はダイヤモンドライクカーボンやＡｌＮのように、気密性と熱伝導性が高い材料で構成されているので、発光部１５に水や酸素が進入し難いだけでなく、発光部１５の熱は無機膜２８に伝達され、発光部１５が高温にならない。更に、第一パネル１０、第二のパネル２０の間の隙間は樹脂膜２９で充填されているので、外部から大気が進入しない。発光部１５は水や酸素や熱によってダメージを受けないので、表示装置１は寿命が長い。 （もっと読む）

【課題】相変化メモリ及びオボニック閾値スイッチを備えるカルコゲニド含有半導体を提供する。
【解決手段】カルコゲナイド含有半導体デバイス１０は、第１の組成層１２と、第２の組成層１６と、薄膜１２及び１６の組成の混合物で形成された中間勾配薄膜１４とを含んでもよい。勾配薄膜１４は、カルコゲナイド薄膜から離れるにつれ、カルコゲナイド濃度が減少してもよく、その一方で、他の薄膜材料の濃度は、勾配薄膜厚にわたって、カルコゲナイド薄膜から離れるにつれ増加する。 （もっと読む）

【課題】成膜条件（成膜中の圧力、成膜に用いるガス種等）を変更しなくても、成膜された銅膜中の引張残留応力を低減できるＴＦＴ用銅スパッタリングターゲット材、ＴＦＴ用銅膜、及びスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るＴＦＴ用銅スパッタリングターゲット材は、銅材からなり、銅と不可避的不純物とからなる無酸素銅、又は銅合金からなるスパッタ面を備え、かつ、（１１１）面と、（２００）面と、（２２０）面と、（３１１）面との総和に対する、（１１１）面の占有割合が、１５％以上であるＴＦＴ用銅スパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング中の異常放電を抑制できる、アルカリ金属化合物が微細に分散
したＭｏ系スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、ＫとＮｂとの複合酸化物でなる粉末とＭｏ粉末との焼結体であ
って、前記複合酸化物を０．４〜９．０質量％含有し、Ｍｏ母相中に内接円直径が２０μ
ｍ以下の凝固した前記複合酸化物が分散するＭｏ系スパッタリングターゲットである。ま
た、本発明のＭｏ系スパッタリングターゲットは、加圧容器に充填し、前記複合酸化物の
溶融温度以上、Ｍｏの溶融温度以下で加圧焼結することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜したＷ膜の膜厚面内均一性を向上させることが可能であり、さらにはパーティクルの発生を減少させることが可能なＷスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｗスパッタリングターゲットは、スパッタリングされる面のＸ線回折により得られた結晶面（１１０）のピークの半値幅が０．３５以下であることを特徴とする。また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＢＤ成膜装置を、ＣＢＤ溶液に溶解してしまうような部分を含む基板であっても基板を溶解させることなくＣＢＤ成膜を実施可能なものとする。
【解決手段】ＣＢＤ成膜装置１を、長尺基板２を密着支持するドラム３と、長尺基板２を密着支持するドラムの一部を浸漬するＣＢＤ反応液４で満たされた反応槽５と、ドラム３に密着支持された長尺基板２の短手方向端部と、ドラム３のうち長尺基板２が密着しない部分とをオーバーラップしてＣＢＤ反応液４から保護する保護部材６と、ドラム３の周速に合わせてドラム３に密着させた長尺基板２と保護部材６をＣＢＤ反応液中で共走行させる駆動部とを有するものとする。 （もっと読む）

【課題】ターゲット材とバッキングプレートをボンディング材を介してターゲット接合体とする際の反りの発生を抑制し、さらにはスパッタリング中の温度上昇に起因するターゲット材とバッキングプレートとの剥離や破壊を効果的に防止し、且つ導電性に優れたターゲット接合体を提供する。
【解決手段】ターゲット接合体１において、ボンディング材は、室温から１５０℃までにおける粘着力Ｓ（Ｎ／ｃｍ^２）が０．４以上である耐熱性粘着材４であり、ターゲット材２とバッキングプレート３の接合面積に対する耐熱性粘着材を貼着した面積率（Ａ％）が８０％以下であると共に、当該面積率（Ａ％）と、単位面積あたりのターゲット材の自重Ｆ（Ｎ／ｃｍ^２）との関係が１．０≦［（Ｓ×Ａ／Ｆ）］を満たし、且つ耐熱性粘着材が貼着していない接合面の少なくとも一部に、耐熱性及び導電性のスペーサー５が介在している。 （もっと読む）

【課題】波長400〜700nmで製造ばらつきを考慮しても最大反射率が0.1％以下の反射防止特性を有し、製造の際にも安定した分光反射特性が得られる反射防止膜を提供する。
【解決手段】波長400〜700nmの光において1.45〜2.12の屈折率を有する基板上に、前記基板から順に第１層〜第４層を形成してなる４層構成の反射防止膜であって、前記第１層〜第４層が、それぞれ独立に100〜150nmの光学膜厚を有し、前記基板の屈折率N0、及び前記第１層〜第４層の屈折率N1〜N4が、(0.78×N0+0.40)≦N1≦(0.78×N0+0.62)、(0.30×N0+1.20)≦N2≦(0.30×N0+1.73)、1.48≦N3≦1.94、及び1.15≦N4≦1.27を満たすことを特徴とする反射防止膜。 （もっと読む）

【課題】結晶層の結晶性や均一性を向上させることができるIII族窒化物半導体素子製造用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】成長用下地基板１０上に、クロム層２０を形成する成膜工程と、該クロム層２０を、所定の条件で窒化することによりクロム窒化物層３０とする窒化工程と、該クロム窒化物層３０上に、バッファ層４０を介して、少なくとも１層のIII族窒化物半導体層５０をエピタキシャル成長させる結晶層成長工程とを具えるIII族窒化物半導体素子製造用基板９０の製造方法であって、前記クロム層２０は、スパッタリング法により、スパッタリング粒子飛程領域における成膜速度が７〜65Å/秒の範囲で、厚さが50〜300Åの範囲となるよう成膜され、前記クロム窒化物層３０は、炉内圧力6.666kPa以上66.66kPa以下の、温度1000℃以上のMOCVD成長炉内において、アンモニアガスを含むガス雰囲気中で形成される。 （もっと読む）

【課題】 ボイド等の発生を防止できるように凹部内に金属膜の成膜を施すことができる成膜方法である。
【解決手段】 処理容器２２内でプラズマにより金属のターゲット７６から金属イオンを発生させてバイアスにより引き込んで凹部４が形成されている被処理体に金属の薄膜を堆積させる成膜方法において、ターゲットから金属イオンを生成し、その金属イオンをバイアスにより引き込んで凹部内に下地膜９０を形成する下地膜形成工程と、金属イオンを発生させない状態でバイアスにより希ガスをイオン化させると共に発生したイオンを引き込んで下地膜をエッチングするエッチング工程と、ターゲットをプラズマスパッタリングして金属イオンを生成し、その金属イオンをバイアス電力により引き込んで金属膜よりなる本膜９２を堆積しつつ、その本膜を加熱リフローさせる成膜リフロー工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】誘電体膜を成膜する際に、基板の被成膜面にイオンビームを照射して、被成膜面に形成された膜の反応性を促進させることで、光透過率が高く、かつ、表面平滑性の高い成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜手段、反応手段３０及びイオンガン１１を稼働させながら、基板４を成膜手段と反応手段とイオンガンに対向するように移動させ、成膜手段による成膜、反応手段による反応及びイオンガンによるイオンビーム照射を繰り返し行い、薄膜と反応ガスとの反応の促進及び薄膜の一部エッチングにより積層した薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングの際のパーティクルの発生を効果的に低減し、かつ、Ｎａを始めとするアルカリ金属不純物による汚染防止を図ることができるバッキングプレートを簡便に得られるバッキングプレートの製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲット２を保持するバッキングプレート１を製造する方法において、前記バッキングプレート１表面の前記スパッタリングターゲットが接合される領域以外、すなわち、外周部１ａ及び側周面１ｂの少なくとも一部を、レーザ加工により凹凸を形成して粗面化する工程を経る。 （もっと読む）

【課題】フッ素グリースを封入した転がり軸受において、内・外輪軌道面などに形成されたＤＬＣ膜の耐剥離性を向上させ、該膜によりフッ素と鋼との反応の抑制を図れるとともに、耐焼き付き性、耐摩耗性、および耐腐食性に優れる転がり軸受を提供する。
【解決手段】転がり軸受１は、内輪２と外輪３と複数の転動体４と保持器５とを備え、フッ素グリース７が転動体４の周囲に封入される軸受であり、曲面である内輪軌道面２ａや外輪軌道面３ａなどに硬質膜８が成膜されてなり、この硬質膜８は、該表面に直接成膜されるＣｒを主体とする下地層と、該層の上に成膜されるＷＣとＤＬＣとを主体とする混合層と、該混合層の上に成膜されるＤＬＣを主体とする表面層とからなる構造の膜であり、混合層は、下地層側から表面層側へ向けて連続的または段階的に、ＷＣの含有率が小さくなり、ＤＬＣの含有率が高くなる層である。 （もっと読む）

【課題】ハイパワースパッタリング（高速スパッタリング）時においても亀裂や割れの発生がなく、スパッタリング特性を安定させ、高品質のスパッタリング用チタンターゲットを提供する。
【解決手段】高純度チタンターゲットであって、添加成分として、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓ、Ｃｌ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ａｓ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂ、Ｌａから選択される１種以上の元素を合計３〜１００質量ｐｐｍ含有し、添加成分とガス成分を除き、ターゲットの純度が９９．９９質量％以上であることを特徴とするスパッタリング用チタンターゲット。 （もっと読む）

【課題】圧電体薄膜を短時間に精度よく微細加工することを可能とした圧電体薄膜ウェハの製造方法、圧電体薄膜素子、及び圧電体薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】圧電薄膜ウェハ１は、基板上に形成された組成式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３（０．４≦ｘ≦０．７）で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の圧電体薄膜４に、Ａｒを含むガスを用いてドライエッチングを行うエッチング工程と、放出されるイオンプラズマ中のＮａの発光ピーク強度の変化を検出してエッチング速度を変更する工程とにより製造される。 （もっと読む）

【課題】インジウムターゲットへの不純物の混入が良好に抑制された積層構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】積層構造体は、バッキングプレート、バッキングプレート上に形成されたＦｅ，Ｗ，Ｔａ，Ｔｅ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓ及びＳｉから選択された１種類以上の金属で構成された薄膜からなる不純物拡散防止層、及び、不純物拡散防止層上に形成されたインジウムターゲットを備える。 （もっと読む）

【課題】優れたガスバリア性を発現できると共に、優れた光の透過率を発現でき、膜の割れ等が発生することを防止できる機能性フィルム、および、この機能性フィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】有機層のうち、基板上に直接形成される第１の有機層の厚さが他の有機層以上の厚さであり、最上層の有機層の厚さが他の有機層以下の厚さであり、かつ、全ての有機層が全ての無機層よりも厚いことで上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】異常放電の発生を抑えながら高いスパッタレートを維持することの可能なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によれば、ターゲット表面の平均結晶粒径が１０ｍｍ以下であり、圧延方向に平行な断面から観察した結晶粒について、圧延方向に平行方向の平均粒径に対する圧延方向に直角方向の平均粒径の比が０．１以上０．７未満であり、且つ、孔径５０μｍ以上の空隙が１個／ｃｍ³以下であるインジウムターゲットを提供する。当該インジウムターゲットはインジウム原料を溶解鋳造後に冷間圧延することにより製造可能である。 （もっと読む）