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Fターム[4K029DC03]の内容

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Fターム[4K029DC03]に分類される特許

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【課題】アスペクト比の異なる複数の開口下部に接続される配線に対して最適な処理を施すことができるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、第1の半導体基板と第2の半導体基板が接合された半導体基板の第1の開口の下部配線と、貫通接続孔と異なるアスペクト比の第2の開口の下部配線に対して、バリアメタル膜の成膜と、スパッタガスによる物理エッチングを同時に行うアンカー処理工程が含まれる。本技術は、例えば、固体撮像装置などの半導体装置に適用できる。 (もっと読む)


【課題】耐硫化性及び導電性に優れた耐硫化性電極材料及びこれを用いた耐硫化性電極を提供すること。
【解決手段】Mo−X合金からなる耐硫化性電極材料。但し、前記Xは、Moと合金を形成し、Moより室温での硫化物生成自由エネルギーが負に大きく、かつ、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、希土類金属元素、及び、Tlより元素番号の大きな元素以外の金属元素。前記Xの含有量は、1at%以上20at%以下が好ましい。少なくとも表面から50nmまでの領域が本発明に係るMo−X合金からなる耐硫化性電極。元素Xは、Al及びGaからなる群から選ばれるいずれか1以上の金属元素が好ましい。 (もっと読む)


【課題】ICのシールド用メッキ膜を製造する設備及びICの金属シールド膜層を提供する。
【解決手段】ベース31は、チャンバー311を有している。ワーク支持具32は、チャンバー311に内設されており、かつ複数の回転軸と回転自在に接続され、各回転軸は、少なくとも一つのジグを有し、そのジグでは、少なくとも一つのICを取付ける。各中周波マグネトロンターゲット33及び各多重アークイオンターゲット34は、それぞれチャンバー311に内設され、中周波マグネトロンターゲット33及び多重アークイオンターゲット34が、金属材料をIC上にスパッターリングを行うように用いられることによって、ICの表面に少なくとも一つの金属シールド膜層が形成される。 (もっと読む)


【課題】 酸素、水蒸気およびアウトガスを透過しにくいガスバリア性に優れたフィルム部材、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 フィルム部材は、樹脂フィルムからなる基材と、該基材の表裏少なくとも一方側に配置される酸窒化アルミニウム(AlON)膜と、を有し、該酸窒化アルミニウム膜の組成は、Al:39〜55at%、O:7〜60at%、N:1〜50at%である。当該フィルム部材の製造方法は、スパッタ成膜装置1のチャンバー8内に、基材20をアルミニウム製のターゲット30に対向するように配置し、チャンバー8内を所定の真空度に保持する減圧工程と、チャンバー8内に、窒素を含む原料ガスとキャリアガスとを導入し、所定の真空度で、チャンバー8内の窒素ガス圧に対する酸素ガス圧の比率が20%以下の雰囲気において、基材20の成膜面に酸窒化アルミニウム膜を形成する成膜工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ57に備わるウエハステージ57a上に半導体ウエハSWを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハSWの主面上をドライクリーニング処理し、続いて180℃に維持されたシャワーヘッド57cにより半導体ウエハSWを100から150℃の第1の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハSWをチャンバ57から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ57において150から400℃の第2の温度で半導体ウエハSWを熱処理することにより、半導体ウエハSWの主面上に残留する生成物を除去する。 (もっと読む)


【課題】低摩擦であると共に安定した摺動性を発揮するバルブリフターやシム等の内燃機関用バルブ駆動系部材を提供する。
【解決手段】本発明の内燃機関用バルブ駆動系部材は、潤滑油が介在する湿式条件下でカムのカム面と摺接してカムに従動する摺接面を有するカムフォロアからなる。本発明に係るカムフォロアの摺接面は、全体を100原子%としたときに5〜25原子%のHと4〜25原子%のBと残部であるCとからなるDLC膜(DLC−B膜)で被覆されてなる。このDLC−B膜からなる摺接面は、高靱性で耐衝撃性に優れ、カム面から150〜250MPa/degの衝撃力を受けても、欠け等を生じない。またジアルキルジチオカルバミン酸モリブデン(MoDTC)を含まない潤滑油が介在する湿式条件下で使用される場合に、本発明に係るカムフォロアは優れた低摩擦係数を発揮する。 (もっと読む)


【課題】成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜速度を高め、ターゲットの使用効率を向上したマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】ターゲット31の背面側に設けられたマグネット配列体5は、両端が互に異極である棒状マグネットが網の目状に配置されると共に、網の目の交点にて、棒状マグネットの端面に囲まれる領域には透磁性のコア部材を設けるように構成されている。棒状マグネットの両端の極からの磁束がコア部材を通して出ていくため、隣接する棒状マグネット同士の磁束の反発が抑えられて磁束線の歪みが抑制され、水平磁場が広い範囲で形成される。このため、高密度のプラズマが広範囲に均一に形成され、成膜速度の面内均一性を確保しながら、速い成膜速度が得られる。また、ターゲット31のエロージョンの面内均一性が良好であり、エロージョンが均一性を持って進行するため、ターゲット31の使用効率が高くなる。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング時に異常放電によりスプラッシュが発生することを抑制または低減することができるスパッタリングターゲットの製造方法、および該製造方法によって得られるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】正面フライス100を軸線Lまわりに回転させながら、軸線Lに直交する走査方向に走査させて切削加工を行うことで、スパッタリングターゲットのスパッタリング面51を仕上げ加工する。正面フライス100には、スローアウェイチップ(インサート)3として、第1チップ31と第2チップ32とが設けられる。第1チップ31は、円弧状の切り刃を有する。第2チップ32は、直線状の切り刃を有する。 (もっと読む)


【課題】裏面に反射膜を積層したサファイア基板の内部にストリートに沿って改質層を形成することができ、かつ反射膜をストリートに沿って切断することができるサファイア基板の加工方法を提供する。
【解決手段】表面に複数の光デバイスが格子状のストリート22で区画形成されたサファイア基板20をストリートに沿って分割するサファイア基板の加工方法であって、基板に対して透過性を有する波長のレーザー光を裏面側から基板の内部に集光点を位置付けてストリートに沿って照射し、ストリートに沿って改質層を形成する工程と、基板の裏面に反射膜210を積層する工程と、裏面に積層された反射膜側から反射膜に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をストリートに沿って照射し、反射膜をストリートに沿って切断する工程と、基板に外力を付与して基板を変質層が形成されたストリートに沿って破断し、個々の光デバイスに分割する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】DLC皮膜などのカーボン皮膜の表面の欠陥が少なく、母材とカーボン皮膜との密着性が良好で、相手攻撃性が低く、摩擦係数が低い硬質皮膜被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】クロムターゲットを使用する処理装置の真空処理室内においてアルゴンガスと窒素ガスを含む雰囲気中でスパッタリングすることによって母材上に厚さ1〜30μmの窒素含有クロム皮膜を形成した後、カーボンターゲットを使用する処理装置の真空処理室内にアルゴンガスと窒素ガスを導入して、アルゴンガスと窒素ガスの全圧に対する窒素ガスの分圧の比が0.23以上、好ましくは0.37以上の雰囲気中において、バイアス電圧−250V以下、好ましくは−280V以下でスパッタリングして、窒素含有クロム皮膜上にカーボン皮膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】成膜時における防着板の変形を抑制する。
【解決手段】本発明に係る除電シールド6は、基板にターゲットの微粒子を堆積して薄膜を形成するスパッタリング装置に用いられ、対向状態にある基板とターゲットとの間に配置されると共に、ターゲットの微粒子を基板に向けて通過させるための開口部6aが形成された除電シールド6であって、開口部6aの全周に沿って補強リブ61が設けられている。 (もっと読む)


【課題】ターゲット材とバッキングプレートとを、気泡を発生させることなく確実に接合できる簡単な方法を提供する。
【解決手段】ターゲット材2及びバッキングプレート3の接合面にボンディング材の塗布層4A,4Bを形成した状態でこれらの一方の接合面を上方に向けて配置するとともに、その接合面に他方の接合面を上方から対向させ、これらの面方向の一端部を接触させた状態で、一端部から離れた位置で両接合面の間にボンディング材により形成されたブロック材11を配置し、ブロック材11及び塗布層4A,4Bを溶融することにより、両接合面どうしを密接させ、ターゲット材2とバッキングプレート3とを接合する。 (もっと読む)


【課題】DLC膜の基材への密着性をより効果的に高めることにより、長寿命化を図ることができる摺動部材を提供すること。
【解決手段】第1シャフト2の雄スプライン部4の表面(第1シャフト2の基材2Aの表面)は、被膜14によって被覆されている。被膜14は、第1シャフト2の基材2Aの表面を被覆するDLC膜15と、基材2AとDLC膜15との間に介在する中間層16とを備えている。中間層16は、基材2A側から順に、第1Cr層17、CrN層18および第2Cr層19を積層した積層構造を有している。DLC膜15には、0〜50wt%の比率でSiが添加されている。 (もっと読む)


【課題】コンパクトで使い勝手が良く、イニシャルコストもランニングコストも安い真空成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜チャンバ(2)内に、ワークホルダ(10)と、マグネトロン電極(15)とを設ける。マグネトロン電極(15)には、第1のターゲット材料(16)を設け、これに重ね合わせるように第2のターゲット材料(17)を設ける。第2のターゲット材料(17、17)は第1のターゲット材料(16)をカバーする位置と、開放する位置の2位置を採ることができるようにする。ワークホルダ(10)と、第1、2のターゲット材料(16、17)との間には、直流電圧と高周波電圧とが選択可能に印加されるようにする。 (もっと読む)


【課題】純金属ターゲットで反応性スパッタリング方法を用いて作製されたフッ化物及びフッ素をドープした酸化物薄膜を提供する。
【解決手段】純金属のターゲット材料2を用い、反応性スパッタリング方法により作製された、高屈折率のフッ素ドープ酸化金属薄膜及び低屈折率のフッ化金属薄膜を備える深紫外光メッキ膜4であって、フッ素ドープ酸化金属薄膜は、ターゲット材料2からはじき飛ばされた金属原子が酸素ガスと結合することにより、金属酸化物が形成され、その金属酸化物が、フッ素を含むガスからはじき飛ばされたフッ素(F)イオンとフッ素(F)励起態原子と反応して堆積して形成されものである。また、フッ化金属薄膜は、フッ素を含むガスを励起してはじき飛ばされたフッ素(F)イオンとフッ素(F)励起態原子がターゲット材料に衝突し、金属原子がはじき飛ばされ、その金属原子と反応して堆積して形成されたものである。 (もっと読む)


【課題】成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜効率を向上させ、ターゲットの使用効率を向上させること。
【解決手段】真空容器2内に載置されたウエハ10に対向するようにターゲット31を配置し、このターゲット31の背面側にマグネット配列体5を設ける。このマグネット配列体5は、マグネット61,62がマトリックス状に配列された内側マグネット群54と、この内側マグネット群54の周囲に設けられ、電子の飛び出しを阻止するリターン用のマグネット53とを備えている。これによりターゲット31の直下にカスプ磁界による電子のドリフトに基づいて高密度のプラズマが発生し、またエロージョンの面内均一性が高くなる。このためターゲット31とウエハ10とを接近させてスパッタを行うことができ、成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜効率を向上させることができる上、ターゲットの使用効率が高くなる。 (もっと読む)


【課題】亀裂がなく、かつ、抵抗が低いタングステン遮光膜を得ることが可能なタングステン遮光膜の製造方法およびタングステン遮光膜を提供する。
【解決手段】本発明のタングステン遮光膜の製造方法は、基板11の一面11aに窒化タングステン膜を成膜する成膜工程と、窒化タングステン膜が形成された基板11を熱処理する熱処理工程と、を少なくとも備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


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