【課題】 低抵抗かつ高反射率の特性と共に表面粗さが小さく、高い耐硫化性及び耐塩化性を兼ね備えた導電性膜およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 導電性膜が、ＩｎおよびＳｎのうち１種または２種を合計で：０．１〜１．５原子％、Ｓｂ：０．１〜１．５原子％を含有し、さらにＧａ，Ｍｇの内の１種または２種を合計で０．５〜３原子％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成されている。この導電性膜は、表面に有機ＥＬ素子の透明導電膜が積層され、さらにその上に有機ＥＬ層を含む電界発光層が積層される有機ＥＬ素子用の反射電極膜として好適である。 （もっと読む）

【課題】 本発明により、室温で低いＢｓを示すとともに、高温においてＢｓの低下幅が小さい垂直磁気記録媒体用軟磁性合金およびこの合金の薄膜を作製するためのスパッタリングターゲット材を提供できる。
【解決手段】 ａｔ％で、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｂ，Ｃ，Ｓｉ，Ｐ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｎを１種以上、残部Ｃｏ、Ｆｅおよび不可避的不純物からなり、下記の式（１）〜（３）を全て満たすことを特徴とした垂直磁気記録媒体における軟磁性薄膜層用合金およびスパッタリングターゲット材。（１）０≦Ｆｅ％／（Ｆｅ％＋Ｃｏ％）≦０．５
（２）５≦Ｔｉ％＋Ｚｒ％＋Ｈｆ％＋Ｖ％＋Ｎｂ％＋Ｔａ％＋Ｂ％／２
（３）０．３≦０．８１３×Ｆｅ％／（Ｆｅ％＋Ｃｏ％）−０．０６２×ＴＮＭ＋１．７５１≦１．２ （もっと読む）

【課題】高いバリア性を有するＣｕ−Ｍｎ合金膜を形成する。
【解決手段】半導体素子の配線の形成に用いられるＣｕ−Ｍｎ合金スパッタリングターゲット材１０であって、濃度が８原子％以上３０原子％以下のＭｎと、不可避的不純物とを含むＣｕ−Ｍｎ合金からなり、Ｃｕ−Ｍｎ合金の平均結晶粒径が１０μｍ以上５０μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】 耐湿性や耐酸化性を改善し、さらに低抵抗な主導電層であるＣｕと積層した際に、加熱工程を経ても低い電気抵抗値を維持できる、Ｍｏ合金からなら被覆層を用いた電子部品用積層配線膜および被覆層を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 基板上に金属膜を形成した電子部品用積層配線膜において、Ｃｕを主成分とする主導電層と該導電層の一方の面および／または他方の面を覆う被覆層からなり、該被覆層は原子比における組成式がＭｏ_{１００−ｘ−ｙ}−Ｎｉ_ｘ−Ｔｉ_ｙ、１０≦ｘ≦５０、３≦ｙ≦３０、ｘ＋ｙ≦５３で表され、残部が不可避的不純物からなる電子部品用積層配線膜。 （もっと読む）

【課題】 耐湿性や耐酸化性を改善し、さらに、低抵抗な主導電層であるＡｌと積層した際に、加熱工程を経ても低い電気抵抗値を維持できる、Ｍｏ合金からなる被覆層を用いた電子部品用積層配線膜および被覆層を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 基板上に金属膜を形成した電子部品用積層配線膜において、Ａｌを主成分とする主導電層と該主導電層の一方の面および／または他方の面を覆う被覆層からなり、該被覆層は原子比における組成式がＭｏ_{１００−ｘ−ｙ}−Ｎｉ_ｘ−Ｔｉ_ｙ、１０≦ｘ≦３０、３≦ｙ≦２０で表され、残部が不可避的不純物からなる電子部品用積層配線膜。 （もっと読む）

【課題】金属カルコゲナイド膜の積層体を有する相変化メモリにおいて、読み書き動作の速度を高めることのできる相変化メモリの形成装置、及び相変化メモリの形成方法を提供する。
【解決手段】ＧｅＴｅ膜とＳｂＴｅ膜とを基板上にて交互に積層することによって相変化メモリを形成する際に、処理基板Ｓの温度を２５０℃以上３５０℃以下の所定温度に維持する。加えて、互いに異なる組成を有する二つのターゲットであるＧｅＴｅターゲット２２ａとＳｂ_２Ｔｅ_３ターゲット２２ｂの各々を互いに異なるタイミングでアルゴンガスによりスパッタする。このとき、互いに異なる組成を有した二つ以上の金属カルコゲナイド膜であるＧｅＴｅ膜とＳｂ_２Ｔｅ_３膜とを毎秒３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の速度で前記基板上に積層する。 （もっと読む）

【課題】ＣｒＡｌＮ／ＢＮナノコンポジット被膜が高い付着強度で工具母材に設けられ、そのＣｒＡｌＮ／ＢＮナノコンポジット被膜が有する優れた被膜性能が適切に得られるようにする。
【解決手段】Ａｌ_a Ｔｉ_b Ｃｒ_c の窒化物または炭窒化物から成るＩ層２２が工具母材１２の表面上に設けられるとともに、ＣｒＡｌＮ／ＢＮナノコンポジット被膜から成るII層２６が最表層となるように、それ等のＩ層２２およびII層２６が交互に２層以上積層されて硬質被膜２０が構成されているため、高い付着強度が得られる。また、Ｉ層２２およびII層２６の層厚Ｔ１、Ｔ２は何れも５０ｎｍを超えており、且つ被膜全体の総膜厚Ｔtotal は０．１μｍ〜２０μｍの範囲内であるため、II層２６を構成しているＣｒＡｌＮ／ＢＮナノコンポジット被膜が有する優れた被膜性能が適切に得られ、高負荷時の工具寿命が向上するとともに、溶着が抑制されることで加工面粗さが向上する。 （もっと読む）

【課題】ヘッドスペーシングの拡大、および磁性層の磁気異方性の低下を抑制することができる垂直磁気記録媒体の製造方法の提供。
【解決手段】（１）規則合金を構成する金属および炭素を含むターゲットを用いるスパッタ法によって、非磁性基板上に、規則合金の結晶粒子および炭素からなる粒界層を含む磁気記録層と、磁気記録層上に存在し、炭素からなる保護層前駆体とを形成する工程と、（２）保護層前駆体に、炭化水素系ガスに対するプラズマ放電により生成した炭化水素系イオンを照射して、保護層前駆体を保護層に変化させる工程とを含み、炭化水素系イオンは保護層前駆体に到達する際に３００ｅＶ以上のエネルギーを有することを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】 膜の良好な平坦性および耐紫外線性を有すると共に酸化による反射率の低下を防ぐことができる光記録媒体の反射膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびこのターゲットを用いて成膜した光記録媒体の反射膜を提供する。
【解決手段】 反射膜形成用銀合金スパッタリングターゲットが、Ｉｎ：０．５〜１０質量％およびＺｎ：０．５〜１０質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる組成の銀合金からなる。または、Ｉｎ：０．５〜１０質量％、Ｚｎ：０．５〜１０質量％およびＣｕ：０．５〜２質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる組成の銀合金からなる。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性及び密着性に優れた硬質被膜を形成するためのターゲット、及び、表面がこのような硬質被膜で被覆された硬質被膜被覆切削工具を提供すること。
【解決手段】Ｃｒ_1-x-y-zＡｌ_x[Ｎｉ_1-aＺｒ_a]_yＭ_zで表される組成を有し、相対密度が９５％以上であり、切削工具用硬質被膜を形成するために用いられるターゲット。但し、Ｍは、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｂ、Ｗ及びＶから選ばれる少なくとも１種の元素、０．５≦ｘ≦０．８、０．０１≦ｙ≦０．３５、０≦ｚ≦０．２、０．５１≦ｘ＋ｙ＋ｚ＜１、０．２≦ａ≦０．５。基材と、基材の表面に形成された、上記ターゲットを用いて形成された窒化物、炭化物又は炭窒化物を含む硬質被膜とを備えた硬質被膜被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】 規則化温度の低い膜を成膜することができると共にパーティクルの発生が抑制可能な磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットが、一般式：｛（Ｆｅ_ｘＰｔ_{１００−ｘ}）_{（１００−ｙ）}Ｉｎ_ｙ｝_{（１００−ｚ）}Ｃ_ｚ、原子比により３０≦ｘ≦８０、１≦ｙ≦２０、３≦ｚ≦６５で表される組成を有した焼結体からなる。また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、ＩｎＰｔ合金粉と、ＦｅＰｔ合金粉と、Ｐｔ粉と、グラファイト粉またはカーボンブラック粉と、の混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有している。 （もっと読む）

【課題】 磁気記録媒体等に用いられる軟磁性膜形成用のＦｅ−Ｃｏ―Ｔａ系スパッタリングターゲット材において、スパッタリング時に発生するパーティクルを極力抑止することが可能なスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｆｅ−Ｔａ粉末とＣｏ−Ｔａ粉末と純Ｔａ粉末とを混合して混合粉末を得る工程と、前記混合粉末を焼結温度１１００〜１４００℃、圧力１２５〜２００ＭＰａで１〜１０時間の加圧焼結をする工程とを有するＦｅ−Ｃｏ−Ｔａ系スパッタリングターゲット材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】相対密度の高く、抵抗値のバラツキが小さいＣｕＧａＮａ系スパッタリング用ターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るＣｕＧａＮａ系スパッタリング用ターゲットの製造方法は、ＣｕＧａ合金粉末と１５０μｍ以下の平均粒度を有するＮａ₂ＣＯ₃粉末との混合粉末を作製し、上記混合粉末を加圧焼結する。ＣｕＧａ合金粉末に添加されるＮａ原料としてＮａ₂ＣＯ₃粉末を採用し、そのＮａ₂ＣＯ₃粉末の平均粒度を１５０μｍ以下に制限することで、焼結体の相対密度を例えば９８％以上に高めることができるとともに、抵抗値のバラツキを例えば±６％以下に抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットの成分をその中により均一に分布させることに加えて、スパッタリング時のアーク放電効果及び不要な粒子の形成を減少させたＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、白金（Ｐｔ）、酸化コバルト、及び非磁性酸化物組成物を含有し、スパッタリングターゲットに形成されるＣｒ_２Ｏ_３及びＣｏ（Ｃｒ）−Ｘ−Ｏのセラミック相の長さが、それぞれ３μｍ未満である（「Ｘ」は、非磁性酸化物の金属元素を表す）ＣｏＣｒＰｔに基づく合金スパッタリングターゲットとする。 （もっと読む）

【課題】相対密度の高く、抵抗値のバラツキが小さいＣｕＧａＮａ系スパッタリング用ターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るＣｕＧａＮａ系スパッタリング用ターゲットの製造方法は、ＣｕＧａ合金粉末と１００μｍ以下の平均粒度を有するＮａＣｌ粉末との混合粉末を作製し、上記混合粉末を加圧焼結する。ＣｕＧａ合金粉末に添加されるＮａ原料としてＮａＣｌ粉末を採用し、そのＮａＣｌ粉末の平均粒度を１００μｍ以下に制限することで、焼結体の相対密度を例えば９７％以上に高めることができるとともに、抵抗値のバラツキを例えば±１０％以下に抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】円筒形ターゲットは、ターゲット材と円筒形基材の熱膨張率の差により、スパッタリング中の膨張、収縮を繰り返すうちに円筒形基材とターゲット材とが剥離する恐れがあり、また、ターゲット材が長尺一体であるためにスパッタリング中に円筒形基材とターゲット材の伸びの差が大きくなり、ターゲット材に割れが発生し、スパッタリングにより形成されたスパッタ膜に欠陥が発生することがあるなどの問題がある。
【解決手段】円筒形基材の外周面に長尺のターゲット材をらせん状に巻き付けて取り付けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、Ｍｏの分散性が良い、均一微細な組織をもったＭｏＴｉターゲット材の製造方法およびＭｏＴｉターゲット材を提供することである。
【解決手段】 本発明は、（１）Ｍｏ一次粒子が凝集したＭｏ凝集体を平均粒径１０μｍ以下に解砕してＭｏ粉末を作製する工程と、（２）前記Ｍｏ粉末と平均粒径５０μｍ以下のＴｉ粉末とを混合して混合粉末を作製する工程と、（３）前記混合粉末を加圧焼結してＭｏＴｉ焼結体を作製する工程とを有するＭｏＴｉターゲット材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ−Ｃａ系合金を用いたスパッタリングターゲットとして、スパッタリング時における異常放電の発生を抑制し得るようにしたターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃａを０．５〜１０．０原子％含有し、残部が実質的にＣｕよりなるＣｕ−Ｃａ系の銅合金からなり、かつＣｕ−Ｃａ系合金において不可避的に晶出するＣｕ−Ｃａ系晶出物の平均粒径を、１０〜５０μｍの範囲内に規制する。さらに、Ｃｕ−Ｃａ系晶出物の最大径を、１００μｍ以下に規制する。 （もっと読む）

【課題】透明性および導電性に優れる透明導電膜を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜は、Ｔｉ、Ｐ、ＯおよびＮを必須元素とし、任意元素として、Ｖ、ｎ、Ｓｉ、Ｆｅ等を含むものでもよい。この透明導電膜が基材表面に形成された導電部材は、従来になく優れた透明性および導電性を発現する。特にＴｉ原子比（Ｔｉ／（Ｔｉ＋Ｐ））が０．５〜０．８である場合にその傾向が顕著である。本発明の透明導電膜は、従来の透明導電膜に必須であったＩｎやＮｂ等の希少元素を含まない。従って本発明によれば、資源的リスクがなく、低コストな透明導電膜の提供が可能となる。このような透明導電膜は、各種の薄型ディスプレイ、タッチパネル、太陽電池、バイオ刺激電極などの部材に利用可能である。 （もっと読む）

【課題】 飽和磁束密度、非晶質性および耐候性に優れた垂直磁気記録媒体用軟磁性合金において、マグネトロンスパッタ時に効率良く使用できるターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、ＴａおよびＢの２種以上を含有し、残部ＣｏおよびＦｅ、ならびに不可避的不純物よりなり、下記式１および式２を満足し、相対密度９９％以上であることを特徴とする垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用合金ターゲット材。
０．６０≦Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）≦０．６５（ａｔ．％比） … （１）
５ａｔ％≦（Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｎｂ＋Ｔａ）＋Ｂ／２≦１０ａｔ％ … （２）
ただし、Ｂ：７％以下とする。 （もっと読む）