【課題】 太陽電池の光吸収薄膜層を製造するための低酸素Ｃｕ−Ｇａ系合金粉末、およびスパッタリングターゲット材の製造方法を提供する。
【解決手段】 原子％で、Ｇａを２５％以上、４０％未満含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなり、酸素含有量が２００ｐｐｍ以下としたＣｕ−Ｇａ系合金粉末。また、原子％で、Ｇａを２５％以上、４０％未満含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなり、酸素含有量が２５０ｐｐｍ未満、かつ結晶粒径が１０μｍを超え、１００μｍ以下としたＣｕ−Ｇａ系合金スパッタリングターゲット材。さらには、上記Ｃｕ−Ｇａ系合金粉末を原料とし、これを４００〜８５０℃の温度で固化成形するＣｕ−Ｇａ系スパッタリングターゲット材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
高密度で割れのない低酸素含有量珪化バリウム多結晶体ならびに低酸素含有量珪化バリウムガリウムスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】
本発明によれば、バリウムとシリコン粉末を用いて、酸素含有量が１０ｍｏｌ％以下の珪化バリウム粉末を作製することで、珪化バリウム多結晶体中に存在する酸素量が１０ｍｏｌ％以下であって、密度が３．０ｇ／ｃｍ^３以上であることを特徴とする珪化バリウム多結晶体を製造する。 （もっと読む）

【課題】高いシート抵抗値を実現でき、抵抗素子作製時の製造工程による抵抗値の変動の影響が小さい電気抵抗層付き金属箔の製造方法を提供する。
【解決手段】光学的方法で測定した十点平均粗さが４．０〜６．０μｍに調整した表面を有する金属箔上に、ニッケル、クロム、シリコンを含むスパッタリングターゲットを用いて、雰囲気気体として酸素を付与しながら気相成長法により電気抵抗層を形成させる工程を含む電気抵抗層付き金属箔の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】基板及び／又は絶縁膜との高い密着性を有し、且つ、液晶表示装置などの製造過程で施される熱処理後も低い電気抵抗率を有する新規なＣｕ合金膜を提供する。
【解決手段】基板上にて、基板及び／又は絶縁膜と直接接触するＣｕ合金膜であって、前記Ｃｕ合金膜は基板側から順に、合金成分としてＸ（Ｘは、Ａｇ、Ａｕ、Ｃ、Ｗ、Ｃａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｎ、ＢおよびＮｉよりなる群から選択される少なくとも一種の元素）を含有するＣｕ−Ｍｎ−Ｘ合金層（第一層）と、純Ｃｕ、またはＣｕを主成分とするＣｕ合金であって前記第一層よりも電気抵抗率の低いＣｕ合金からなる層（第二層）で構成されたＣｕ合金膜である。 （もっと読む）

【課題】酸素等の不純物の量の少ないＰｄ合金系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｐｄを主要成分として含有するＰｄ合金系スパッタリングターゲットであって、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａのうちの少なくとも１種以上を合計で１〜６０ａｔ％含有し、残部がＰｄおよび不可避的不純物からなり、ターゲット全体に対する酸素含有量を２０００質量ｐｐｍ以下にする。
また、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａのうちの少なくとも１種以上を合計で１〜６０ａｔ％含有し、残部がＰｄおよび不可避的不純物からなるＰｄ合金粉末をアトマイズ法で作製し、作製した該Ｐｄ合金粉末を加圧下で加熱して成形してＰｄ合金系スパッタリングターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】均一な組成のＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを得る。
【解決手段】Ｃｕ粉末を、水素ガスを含む混合ガス雰囲気中で１５０℃〜３００℃の温度で撹拌し、撹拌したＣｕ粉末に、Ｇａを１０質量％〜４５質量％の割合で配合した混合粉末を、真空又は不活性雰囲気中で３０℃〜３００℃の温度で攪拌することにより、直接、Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を形成する。Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を、真空又は不活性ガス雰囲気中で２５０℃〜１０００℃の温度で熱処理し、熱処理したＣｕ−Ｇａ合金粉末を、真空又は不活性ガス雰囲気中で２５０℃〜１０００℃の温度と、５ＭＰａ〜３０ＭＰａのプレス圧力とでホットプレス法により焼結する。 （もっと読む）

【課題】抵抗素子の電気的特性を安定的に得ることができ、金属箔と金属箔上に配置される電気抵抗層との間の剥離を抑制可能で、且つ高いシート抵抗値を実現可能な電気抵抗層付き金属箔の製造方法を提供する。
【解決手段】光学的方法で測定した十点平均粗さＲｚが１μｍ以下であり、イオンビーム強度が０．７０〜２．１０ｓｅｃ・Ｗ／ｃｍ²のイオンビーム照射により処理された表面を有する金属箔上に、ニッケル、クロム、シリコンを含むスパッタリングターゲットを用いて、雰囲気気体として酸素を付与しながら気相成長法により電気抵抗層を形成させる工程を含む電気抵抗層付き金属箔の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】Ｒｕターゲットの代替として用いることができるＲｕ−Ｐｄ系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＲｕとＰｄを主要成分として含有するＲｕ−Ｐｄ系スパッタリングターゲットであって、Ｒｕを１〜４０ａｔ％含有して残部がＰｄおよび不可避的不純物からなるＲｕ−Ｐｄ合金相と、不可避的不純物を含むＲｕ相とが互いに分散した構造を有するようにする。
また、Ｒｕを１〜４０ａｔ％含有し、残部がＰｄおよび不可避的不純物からなるＲｕ−Ｐｄ合金粉末をアトマイズ法で作製し、作製した該Ｒｕ−Ｐｄ合金粉末に、粉末全体に対するＰｄの含有量が１〜５０ａｔ％となるように不可避的不純物を含むＲｕ粉末を混合して混合粉末を作製した後、作製した該混合粉末を加圧下で加熱して成形して、Ｒｕ−Ｐｄ系スパッタリングターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】支持基材および反射電極としての機能を兼ね備え、かつ、熱伝導性に優れた、電極箔ならびにそれを用いた有機デバイスが提供される。
【解決手段】金属箔と、前記金属箔上に直接設けられる反射層とを備えてなり、フレキシブル電子デバイス用の支持基材を兼ねたアノードまたはカソードとして用いられる、１〜１００μｍの厚さを有する電極箔。 （もっと読む）

【課題】必要に応じて日射調整することが可能であり、採光性を確保しつつ日射遮蔽性に優れる透明ロールスクリーンを提供する。
【解決手段】透明高分子フィルムよりなるスクリーン基材１４と、スクリーン基材１４の少なくとも一方面に接着された透明積層フィルム１２と、を備え、透明積層フィルム１２が、透明高分子フィルムよりなるフィルム基材１６の少なくとも一方面に日射遮蔽性を有する積層構造部１８を備えた構成であり、可視光透過率６５％以上、日射遮蔽係数０．６９以下、可視光反射率１０％以下、ヘイズ２．０以下に設定されたシート材１０を備える。 （もっと読む）

【課題】Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石薄膜などの永久磁石薄膜の磁気特性を向上させることができる、永久磁石薄膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法の提供。
【解決手段】原子比率による組成式が、Ｒ_ｘＴ_{１００−ｘ−ｙ}Ｍ_ｙ（Ｒは希土類元素のうち少なくとも一種であってＮｄ及び／又はＰｒを必ず含み、Ｔは遷移元素のうち少なくとも一種であってＦｅを必ず含み、ＭはＢ又はＢとＣであって５０原子％≦Ｂ／Ｍを満足する）で表され、ｘ、ｙが、１７≦ｘ≦２０、７≦ｙ≦１０を満足する組成からなり、酸素含有量が１５００ｐｐｍ以下の焼結体である。 （もっと読む）

【課題】高Ｇａ濃度を有し、割れや異常放電、パーティクルが発生が抑制されたＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを得る。
【解決手段】Ｇａ濃度が３０質量％〜４５質量％であり、平均結晶粒径を２０μｍ以下、γ_１相、γ_２相、γ_３相及びγ相からなる群の面積割合が９５面積％以上、空孔率を１％以下、かつ三点曲げ強度を２００ＭＰａ以上とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法によって形成する成膜方法において、従来より均一な膜厚を形成する。
【解決手段】基板の被成膜面に薄膜をスパッタリング法によって形成する成膜方法であって、スパッタリングターゲットが、金属を含有する材料からなるインゴットを１軸の圧延方向に圧延したものであり、前記薄膜が、前記基板を被成膜面の中心を通る回転軸で回転させながら成膜され、前記スパッタリングターゲットのスパッタ面が、前記基板の被成膜面と対向し、かつ前記被成膜面に対して所定の角度を有するように配置され、前記基板の回転軸と、前記スパッタ面の中心を通り前記基板の回転軸に対して平行な直線とがずれた位置にあり、前記スパッタリングターゲットが、前記基板の回転軸と前記スパッタ面に対して垂直な面との両方に平行な平面に対し、圧延方向が略垂直となるように配置される、成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】めっき法以外の方法によって、スズと鉄とタングステンからなる耐食性の三元合金皮膜を基材上に形成させる方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、基材表面にスズ、鉄及びタングステンからなる耐食性合金皮膜を形成させる方法であって、
スズ、鉄及びタングステンの金属粉末を混合し、圧縮成形することによって、スパッタリングターゲットを形成する工程Ａと、
真空チャンバー内に前記基材と前記スパッタリングターゲットとを対向させ、スパッタリング法によってスズ、鉄及びタングステンからなる合金皮膜を形成する工程Ｂとを有し、
前記金属粉末は、タングステンの質量を１とした場合、スズの質量は５以上７以下であり、鉄の質量は２以上４以下である、ことを特徴とする方法に関する。耐食性合金皮膜の結晶構造は、アモルファスである。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ電極の保護膜として使用することができ、Ｃｕ電極の電解腐食や原子拡散による電気的特性の劣化を抑制することができ、ウェットエッチングにより高精度のパターニングが可能であり、透明電極との密着性が良好な保護膜を形成することができ、しかも、スパッタリングを効率よく行うことが可能なＣｕ電極保護膜用ＮｉＣｕ合金ターゲット材及びこれを用いて製造される積層膜を提供すること。
【解決手段】１５．０≦Ｃｕ≦５５．０ｍａｓｓ％、及び、０．５≦(Ｃｒ、Ｔｉ)≦１０．０ｍａｓｓ％を含み、残部がＮｉ及び不可避的不純物からなるＣｕ電極保護膜用ＮｉＣｕ合金ターゲット材及びこれを用いて製造される積層膜。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ濃度が高いにもかかわらず、加工処理を容易に行うことができるＣｕ−Ｇａ合金材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｕ−Ｇａ合金材の製造方法は、銅（Ｃｕ）及びガリウム（Ｇａ）を溶解し、Ｃｕ−Ｇａ合金を鋳造する溶解鋳造工程と、溶解鋳造工程で得られたＣｕ−Ｇａ合金を相変態温度の直下の温度に昇温させる昇温工程と、昇温工程がなされたＣｕ−Ｇａ合金を、所定の時間、昇温させた温度から所定の範囲内の温度に保持する温度保持工程と、温度保持工程がなされたＣｕ−Ｇａ合金を冷却する冷却工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ウエットエッチング性に優れた特性を有する新規な金属配線膜を提供すること。
【解決手段】表示装置またはタッチパネルセンサーの配線用Ｔｉ合金膜に用いられる配線膜であって、合金成分としてＸ群元素（Ｘは、希土類元素、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｆｅ、及びＮｉよりなる群から選択される少なくとも一種の元素）を３〜５０原子％、および／または酸素を０．２〜３．０質量％を含み、残部Ｔｉおよび不可避不純物からなることに要旨を有する表示装置の配線用Ｔｉ合金膜。 （もっと読む）

【課題】ウエットエッチングによる加工性に優れた特性を有する新規な金属配線用膜を提供すること。
【解決手段】表示装置またはタッチパネルセンサーの配線用膜であって、合金成分としてＸ群元素（Ｘは、希土類元素、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｆｅ、及びＮｉよりなる群から選択される少なくとも一種の元素）を３〜５０原子％、および／または酸素を０．２〜３．０質量％含有し、残部Ｔｉおよび不可避不純物からなるＴｉ合金層（第１層）と、Ａｌ系膜からなる第２層とを含む積層構造を有することに要旨を有する配線用膜。 （もっと読む）

【課題】４５０〜６００℃程度の高温下に曝されてもヒロックが発生せず高温耐熱性に優れており、膜自体の電気抵抗（配線抵抗）も低く、アルカリ環境下の耐食性にも優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】Ｇｅを０．０１〜２．０原子％と、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｗ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｅ、およびＯｓよりなる群（Ｘ群）から選択される少なくとも一種の元素とを含み、４５０〜６００℃の加熱処理を行なったとき、下記（１）の要件を満足する表示装置もしくは半導体装置用Ａｌ合金膜である。
（１）Ａｌと、前記Ｘ群から選択される少なくとも一種の元素と、Ｇｅとを含む第１の析出物について、円相当直径５０ｎｍ以上の析出物が２００，０００個／ｍｍ²以上の密度で存在する。 （もっと読む）

【課題】樹脂フィルムに形成した密着性が良好でかつ配線パターンの精細化に対応できるフレキシブル基板とその製造方法並びにフレキシブル回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂フィルム基板１の少なくとも片面に、接着剤を介さずに乾式メッキ法による直接形成した下地金属層２を具備し、その下地金属層上に所望の厚さの銅被膜層６を有するフレキシブル基板であって、前記下地金属層は、第１層が厚さ２〜１５ｎｍの絶縁性のＳｉ酸化物層またはＴｉ酸化物層３、第２層が厚さ１〜５ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、もしくはニッケル−クロム合金（Ｎｉ−Ｃｒ）から選ばれる１種の金属層４、さらに第３層が厚さ５０〜３００ｎｍの銅金属層５からなる。フレキシブル基板の銅被覆層をエッチング処理してフレキシブル回路基板とする。 （もっと読む）