【課題】 Ｎｉ系合金とその上層のＲｕ層との格子整合を向上させた磁気記録媒体のシード層用合金およびそれを使用したスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 Ｎｉ系合金であって、Ｓｎ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｉの１種又は２種以上をａｔ．％で０．５〜２０％含有し、残部がＮｉからなる垂直磁気記録媒体におけることを特徴とする磁気記録媒体のシード層用合金。上記のＮｉ系合金にＷ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｖの１種又は２種以上を０．５〜２０％含有させたことを特徴とする磁気記録媒体のシード層用合金。 （もっと読む）

【課題】本発明は、向上した防食性を有するマグネシウム部品に関する。
【解決手段】この部品は、Ｘが元素周期律表の第ＩＩＩ族主族の元素、第ＩＩＩ族の遷移元素、または希土類元素からなる群から選ばれた元素であり、Ｙが元素周期律表の第ＩＩＩ族または第ＩＶ族主族の元素、第ＩＩＩ族または第ＩＶ族の遷移元素、または希土類元素からなる群から選ばれた元素である、ガラス質の二元系Ｍｇ−Ｘ合金またはガラス質の三元系Ｍｇ−Ｘ−Ｙ合金が塗布されたものである。塗膜は、陰極線アトマイゼーションのような物理蒸着法により作製される。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金膜を形成するための積層膜として、スパッタ法により十分にＳｅを含有した膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 スパッタリングターゲットが、Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｅのうち１種または２種以上とＣｕとからなる合金相と、純Ｓｅ相とで構成されている。このスパッタリングターゲットの製造方法は、Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｅのうち１種または２種以上とＣｕとからなる合金粉と、純Ｓｅ粉との混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中で加圧焼結する工程を有している。 （もっと読む）

【課題】優れた耐摩耗性及び耐溶着性を兼ね備えた切削工具用硬質被膜及び硬質被膜被覆切削工具を提供する。
【解決手段】Ｔｉ_aＣｒ_bＡｌ_cＭｏ_1-a-b-cの窒化物又は炭窒化物から成る第１被膜層２２と、Ｔｉ_dＣｒ_eＡｌ_1-d-eの窒化物又は炭窒化物から成る第２被膜層２４とが、交互に２層以上積層した多層膜であり、原子比ａは０．２以上０．７以下の範囲内、ｂは０．０１以上０．２以下の範囲内、ｃは０．０１以上０．２以下の範囲内、１−ａ−ｂ−ｃは０．１以上、ｄは０．１以上０．７以下の範囲内、ｅは０．０１以上０．２以下の範囲内であり、且つ、第１被膜層２２の膜厚Ｄ１は０．１μｍ以上５．０μｍ以下の範囲内、第２被膜層２４の膜厚Ｄ２は０．１μｍ以上５．０μｍ以下の範囲内、総膜厚Ｄは０．２μｍ以上１０．０μｍ以下の範囲内であることから、耐摩耗性と耐溶着性を両立させることができる。 （もっと読む）

【課題】 真空チャンバー内へのガス漏れを抑制しつつキャンロールの外周面と長尺基板との間に形成される隙間にガスを導入する装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバー５１内においてロールツーロールで搬送される長尺基板Ｆを冷媒で冷却された外周面に巻き付けて冷却するキャンロール５６であって、周方向に略均等な間隔をあけて全周に亘って配設された複数のガス導入路１４を有しており、これら複数のガス導入路１４の各々はキャンロール５６の回転軸５６ａ方向に沿って略均等な間隔をあけて外周面側に開口する複数のガス導入孔１５を有しており且つ長尺基板Ｆが外周面に巻き付けられる領域であるか否かに対応して設けられた永久磁石などの磁力付与手段６５によって開閉するガス導入バルブ２０に接続している。 （もっと読む）

【課題】硬質難削材の断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐剥離性とすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットからなる工具基体の最表面に、少なくとも、０．５〜５μｍの平均層厚を有するＮｂ硼化物層を被覆してなる切削工具であって、前記Ｎｂ硼化物層は、複数の平均粒径を有する結晶粒組織の複合組織として構成され、該複合組織は、５〜２０ｎｍの平均粒径を有する一次結晶粒の集合体からなる平均粒径４０〜８０ｎｍの二次結晶粒と、該二次結晶粒の集合体からなる平均粒径１５０〜８００ｎｍの三次結晶粒とから構成されている。 （もっと読む）

【課題】キャンロールの外周面と長尺基板との間に形成されるギャップ部にガスを導入して長尺基板を均一かつ効率的に冷却する方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバー内でロールツーロールで搬送される長尺基板Ｆに対して、内部に冷媒が循環し外周面にガス導入孔１５ａ，１５ｂを備えたキャンロールの当該外周面に部分的に長尺基板Ｆを巻き付けながら熱負荷の掛かる処理を行う長尺基板Ｆの処理方法であって、キャンロールの外周面上に画定される長尺基板Ｆの搬送経路の上流および下流にそれぞれ隣接して設けられたフィードロールの周速度とキャンロールの周速度とに差をつけながらキャンロールの外周面とそこに巻き付けられる長尺基板Ｆとの間に形成されるギャップ部にガス導入孔からガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】硬質難削材の高速高送り切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐剥離性とすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットからなる工具基体の最表面に、少なくとも、０．５〜５μｍの平均層厚を有するＣｒ硼化物層を被覆してなる切削工具であって、前記Ｃｒ硼化物層は、複数の平均粒径を有する結晶粒組織の複合組織として構成され、該複合組織は、５〜１５ｎｍの平均粒径を有する一次結晶粒の集合体からなる平均粒径３０〜７０ｎｍの二次結晶粒と、該二次結晶粒の集合体からなる平均粒径１００〜６００ｎｍの三次結晶粒とから構成されている。 （もっと読む）

【課題】 飽和磁束密度、非晶質性、結晶化温度および耐食性に優れた熱アシスト磁気記録媒体用軟磁性合金およびそのスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 ａｔ．％で、Ｆｅ：０〜７０％を含み、かつ下記（Ａ）群の各種元素の１種または２種以上を５〜２０％、残部Ｃｏおよび不可避的不純物からなる磁気記録用軟磁性合金。また、上記に加えて、ａｔ．％で、Ｆｅ：０〜７０％を含み、かつ下記（Ｂ）群元素の１種または２種以上を５〜３０％含有し、かつ（Ａ）群元素と（Ｂ）群元素との和を１０〜３５％とし、残部Ｃｏおよび不可避的不純物からなる磁気記録用軟磁性合金およびスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体。
（Ａ）Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ、（Ｂ）Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ （もっと読む）

【課題】均一な組成のＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを得る。
【解決手段】Ｃｕ粉末とＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合された混合粉末を、不活性雰囲気中で撹拌しながら３０℃〜４００℃の温度で加熱して合金化した後、合金化物を粉砕及び粉砕物を混合して、Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を作製し、このＣｕ−Ｇａ合金粉末を焼結してＧａのばらつきが３．０質量％以内のＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】高品位および高記録密度の記録層を形成する多重酸化物を含有するスパッタターゲット、およびハードディスクの記録材を提供する。
【解決手段】コバルト−白金（ＣｏＰｔ）、コバルト−クロム−白金（ＣｏＣｒＰｔ）または、コバルト−クロム−白金−ホウ素（ＣｏＣｒＰｔＢ）の合金を基本とし、スパッタリングプロセスの間に酸素欠損に対して酸素を提供する酸素供給剤として、シリカ酸化物（ＳｉＯ_２）およびＣｒ_２Ｏ_３を付加したスパッタターゲットで、シリカ酸化物（ＳｉＯ_２）の量は４からの８原子％の範囲であり、酸化クロム（Ｃｒ_２Ｏ_３）の量は０．８原子％から５原子％の範囲である。 （もっと読む）

【課題】微小な内部欠陥を検出することができるスパッタリング用ターゲット材料の検査方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング用ターゲット材料の金属インゴットからサンプル片を切り出し、切り出された上記サンプル片を水素化処理し、水素化処理された上記サンプル片の内部欠陥を検査する。サンプル片を水素化処理することにより、ターゲット材料の母材と内部欠陥である介在物との間に侵入した水素の熱膨張により、母材と介在物との間の隙間が広げられる。これにより微小な介在物が見かけ上大きくなり、その検出が容易となる。したがって上記検査方法によれば、例えば０．２ｍｍφの微小な介在物をも検出することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング時にパーティクルの発生を抑制して異常放電を防止可能であり、安定してＦｅＰｔ−Ｃ膜を得ることができる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットが、ＦｅＰｔ合金相中にＣ相が分散している組織を有した焼結体からなる。また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、ＦｅＰｔ合金粉と、Ｐｔ粉と、アセチレンガスの熱分解により生成されたカーボンブラック粉と、の混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有している。 （もっと読む）

【課題】金属不純物の混入を抑制する。
【解決手段】金属製容器にて、Ｃｕ粉末及びＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合された混合粉末を、酸素分圧２０Ｐａ以下の雰囲気中で３０℃以上４００℃以下の温度で加熱しながら、金属製攪拌羽根で撹拌して合金化したＣｕ−Ｇａ合金粉末を作製し、このＣｕ−Ｇａ合金粉末を焼結して、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒの合計が３ｐｐｍ以下であるＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】成膜条件（成膜中の圧力、成膜に用いるガス種等）を変更しなくても、成膜された銅膜中の引張残留応力を低減できるＴＦＴ用銅スパッタリングターゲット材、ＴＦＴ用銅膜、及びスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るＴＦＴ用銅スパッタリングターゲット材は、銅材からなり、銅と不可避的不純物とからなる無酸素銅、又は銅合金からなるスパッタ面を備え、かつ、（１１１）面と、（２００）面と、（２２０）面と、（３１１）面との総和に対する、（１１１）面の占有割合が、１５％以上であるＴＦＴ用銅スパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップを基板に実装するためのＡｕバンプとＡｌ電極との間に形成してＡｕとＡｌとの拡散を防止するため膜であって、良好な拡散バリア性を有すると共に高いエッチングレートのＷ−Ｔｉ系拡散防止膜、並びにこの高いＷ−Ｔｉ系拡散防止膜を形成するためのスパッタリング用Ｗ−Ｔｉターゲットを提供すること。
【解決手段】 Ｔｉ：５〜２０質量％、Ｆｅ：１５〜２５ｐｐｍ、Ｃｒ：１〜５ｐｐｍを含有し、残部がＷ及び不可避不純物からなる組成を有することを特徴とするＷ−Ｔｉ系拡散防止膜、並びに同じ成分組成を有するＷ−Ｔｉ系拡散防止膜形成用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】ターゲットに含まれる強磁性金属元素の含有量を減少させずに、マグネトロンスパッタリング時の漏洩磁束量を従来よりも増加させることができるマグネトロンスパッタリング用ターゲットを提供する。
【解決手段】強磁性金属元素を有するマグネトロンスパッタリング用ターゲットであって、前記強磁性金属元素を含む磁性相１２と、前記強磁性金属元素を含み、かつ、構成元素またはその含有割合の異なる複数の非磁性相１４、１６と、酸化物相１８とを有している。 （もっと読む）

【課題】取り扱いが困難なアルカリ金属単体を使用することなく、アルカリ金属を含有したＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットの製造方法及びこの製造方法により得られたＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】少なくともガリウム及び銅を含有するＣｕ−Ｇａ合金粉末と、アルカリ金属含有有機物とを混合した混合粉末を焼結し、アルカリ金属を０．０１〜５質量％含有したＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】平滑面で高密度かつ大きな強度を有し、バンドギャップについて、シリコンのナノ結晶によるワイドギャップと、シリサイドナノ結晶によるナローギャップで、広範の波長に対応可能な、半導体材料を、低コストで形成する。
【解決手段】金属（Ｍ）とシリコン（Ｓｉ）の合金を、熱処理によってシリコンナノ結晶と金属シリサイド化合物ナノ結晶に相分離させ、直径１０ｎｍ以下のシリコンナノ結晶と金属シリサイドのナノ結晶が凝集しているシリコンナノ結晶と金属シリサイドナノ結晶凝集半導体材料を製造する。 （もっと読む）

【課題】５００℃以下の低温で、カーボンナノ構造体を製造できるカーボンナノ構造体形成用基板、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材表面に、Ｆｅ、Ｃｏ、およびＮｉよりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を含有するＡｌ合金膜を有し、前記Ａｌ合金膜に含まれる前記元素の合計量は０．１０〜２０原子％であり、前記基材側とは反対側のＡｌ合金膜表面に、前記元素の少なくとも一部を含む析出物を有しており、その析出物の平均粒径が５〜１００ｎｍであるカーボンナノ構造体形成用基板。 （もっと読む）