【課題】ターゲット材とバッキングプレートをボンディング材を介してターゲット接合体とする際の反りの発生を抑制し、さらにはスパッタリング中の温度上昇に起因するターゲット材とバッキングプレートとの剥離や破壊を効果的に防止し、且つ導電性に優れたターゲット接合体を提供する。
【解決手段】ターゲット接合体１において、ボンディング材は、室温から１５０℃までにおける粘着力Ｓ（Ｎ／ｃｍ^２）が０．４以上である耐熱性粘着材４であり、ターゲット材２とバッキングプレート３の接合面積に対する耐熱性粘着材を貼着した面積率（Ａ％）が８０％以下であると共に、当該面積率（Ａ％）と、単位面積あたりのターゲット材の自重Ｆ（Ｎ／ｃｍ^２）との関係が１．０≦［（Ｓ×Ａ／Ｆ）］を満たし、且つ耐熱性粘着材が貼着していない接合面の少なくとも一部に、耐熱性及び導電性のスペーサー５が介在している。 （もっと読む）

【課題】高品質なＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを作製する。
【解決手段】Ｃｕ粉末とＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合された混合粉末が不活性雰囲気中で３０℃以上４００℃以下の温度で合金化されて得られたＣｕ−Ｇａ合金粉末１を真空又は不活性雰囲気中で４００℃以上９００℃以下の温度で熱処理した後に、加圧して焼結する。 （もっと読む）

【課題】バリア膜としての特性や品質に優れるＴｉ−Ａｌ−Ｎ膜を再現性よく形成することを可能にしたスパッタターゲットを提供する。
【解決手段】Ａｌを1〜30原子％の範囲で含有するＴｉ−Ａｌ合金により構成されたスパッタターゲットであって、前記Ｔｉ−Ａｌ合金中のＡｌは、Ｔｉ中に固溶した状態、およびＴｉと金属間化合物を形成した状態の少なくとも一方の状態で存在しており、かつ前記Ｔｉ−Ａｌ合金の平均結晶粒径が500μm以下であると共に、ターゲット全体としての結晶粒径のバラツキが30％以内、前記Ｔｉ−Ａｌ合金の平均酸素含有量が1070ppmw以下であることを特徴とするスパッタターゲット。 （もっと読む）

【課題】酸素含有量が少ないＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを作製する。
【解決手段】Ｃｕ粉末とＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合され、酸素含有量が０．２ｗｔ％以下である混合粉末を酸素分圧が２０Ｐａ以下の雰囲気中で合金化し、得られたＣｕ−Ｇａ合金粉末をホットプレス法により焼結する。 （もっと読む）

【課題】硬度、耐酸化性、また、靭性を向上させることで、耐摩耗性に優れる硬質皮膜およびこの硬質皮膜を用いて形成された硬質皮膜被覆工具を提供する。
【解決手段】工具の表面に被覆される硬質皮膜であって、硬質皮膜の組成がＡｌ_{１−ａ−ｂ−ｃ}Ｓｉ_ａＭｇ_ｂＭ_ｃ（Ｂ_ｘＣ_ｙＮ_ｚ）からなり、Ｍは、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、ＣｕおよびＹから選ばれる少なくとも１種以上の元素であり、ａ、ｂ、ｃ、ｘ、ｙ、ｚが原子比であるときに、０≦ａ≦０．３５、０≦ｂ≦０．２、０．０３≦ａ＋ｂ≦０．５、０≦ｃ≦０．１、かつ、原子比で、０．９≦Ａｌ＋Ｓｉ＋Ｍｇ、０≦ｘ≦０．２、０≦ｙ≦０．４、０．５≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満足することを特徴とする。
また、硬質皮膜を用いて形成される硬質皮膜工具であって、この硬質皮膜が、前記記載の硬質皮膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】粉末焼結法で作製されたＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットにおいて、大きなスパッタ電力を投入しても、スパッタ膜にパーティクルが発生することを抑制することができる高品質なＣｕ−Ｇａ合金ターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃｕ粉末及びＧａが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合された混合粉末を、不活性雰囲気中で加熱しながら撹拌し合金化して得られた平均粒径が１５０μｍ以下のＣｕ−Ｇａ合金粉末を、ホットプレス焼結することにより、断面組織に平均結晶粒径４０μｍ以下の粒子が含有されたＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】 Ｎｉの持つ耐湿性、耐候性に優れた特性を維持しながら、レーザー光吸収特性を改善したレーザー加工用Ｎｉ合金薄膜、およびこれに用いるＮｉ合金スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 本発明は、Ｔｉを１０〜１３原子％含有し、残部Ｎｉおよび不可避的不純物からなるレーザー加工用Ｎｉ合金薄膜である。本発明のレーザー加工用Ｎｉ合金薄膜は、Ｔｉを１０〜１３原子％含有し、残部Ｎｉおよび不可避的不純物からなるスパッタリングターゲットで得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴ等においては、ドリフト領域やフィールドストップ領域における少数キャリアのライフタイムを制御して、スイッチング特性を改善するため、ウエハへの電子線照射が行われている。この電子線照射によって、デバイスの閾値電圧がシフトするため、電子線照射後に水素アニールを施すことにより、閾値電圧の回復を図っている。しかし、ボンディングダメージ等を低減するため、デバイス表面のモリブデン系バリアメタルをＴｉＷ系バリアメタルに変更すると、水素アニールによる閾値電圧の回復率が低下する問題が発生した。
【解決手段】本願発明はシリコン系半導体ウエハのデバイス主面側にパワー系絶縁ゲート型トランジスタの主要部を形成する半導体装置の製造方法において、デバイス主面上にＴｉＷ系のバリアメタルをスパッタリングにより形成するに際して、ＴｉＷターゲットのチタン濃度を、８重量％以下で、且つ、２重量％以上とするものである。 （もっと読む）

【課題】酸化物反応層の寄生抵抗の低減を図り、動作特性の向上を図った電子デバイス配線用Ｃｕ合金スパッタリングターゲット材、及び素子構造を提供する。
【解決手段】ＴＦＴ素子１は、ａ−Ｓｉ膜５上に形成されたＰドープｎ^＋ａ−Ｓｉ膜６と、Ｐドープｎ^＋ａ−Ｓｉ膜６上に形成された１ｎｍ以下のＳｉ酸化膜７を有している。電極配線膜となるＣｕ合金膜８が、Ｓｉ酸化膜７上にスパッタリングにより形成されている。Ｃｕ合金膜８は、０．３〜２．０原子％のＳｎ、Ｉｎ、Ｇａの金属のうち１種以上を含有する。 （もっと読む）

【課題】異常放電の発生を抑えながら高いスパッタレートを達成することの可能なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によれば、インジウムと銅の合計原子数に対して０．５〜７．５ａｔ％の銅を含有し、残部インジウム及び不可避的不純物からなるインジウムターゲットであり、全体の平均結晶粒径が１０ｍｍ以下のインジウムターゲットが提供される。当該インジウムターゲットはインジウムと銅の合計原子数に対して０．５〜７．５ａｔ％の銅を含有し、残部インジウム及び不可避的不純物からなる組成をもつインジウム合金を溶解鋳造することにより製造可能である。 （もっと読む）

【課題】インジウムターゲットとバッキングプレートとが良好に密着し、インジウムターゲット内における不要な不純物の含有が良好に抑制された積層構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】積層構造体は、バッキングプレート、バッキングプレート上に形成された、ガリウム濃度が１．０〜３０ａｔ％であるインジウムとガリウムとの合金薄膜、及び、合金薄膜上に形成されたインジウムターゲットを備える。 （もっと読む）

【課題】 低い保磁力を有する垂直磁気記録媒体用軟磁性合金およびこの合金の薄膜を作製するためのスパッタリングターゲット並びに磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 ａｔ．％で、Ｚｒ，Ｈｆの１種または２種を合計で６〜２０％、Ｂを１〜２０％含み、残部Ｃｏおよび不可避的不純物よりなり、かつ式（１）を満たすことを特徴とする磁気記録媒体用軟磁性合金。また、上記の磁気記録媒体用軟磁性合金を用いたスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体。
６≦２×（Ｚｒ％＋Ｈｆ％）−Ｂ％≦１６ … （１） （もっと読む）

【課題】１平方センチあたり１テラビット以上の面記録密度を実現するのに十分な垂直磁気異方性エネルギーと結晶粒径を有し、量産性に優れた垂直磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に基板温度制御層２、下地層３、磁気記録層４を順次形成する。磁気記録層は、基板を加熱チャンバで加熱する第１工程と、Ｃ，Ｓｉ酸化物からなる群から選ばれた少なくとも一種の非磁性材料を添加したＦｅＰｔを主とする合金からなる磁気記録層を製膜チャンバで製膜する第２工程とからなる磁性層積層工程をＮ回（Ｎ≧２）繰り返して形成する。 （もっと読む）

【課題】性能低下が抑制される干渉フィルターを提供すること。
【解決手段】干渉フィルター５は、ギャップＧを介して対向する２つの反射膜５６，５７と、反射膜５６，５７を支持する基板５１，５２と、を備え、反射膜５６，５７は、純銀膜５６１，５７１と銀合金膜５６２，５７２とを含み、基板５１，５２には、基板５１，５２側から順に純銀膜５６１，５７１、及び銀合金膜５６２，５７２が設けられ、銀合金膜５６２，５７２は、銀（Ａｇ）、サマリウム（Ｓｍ）、及び銅（Ｃｕ）を含有するＡｇ−Ｓｍ−Ｃｕ合金膜、又は銀（Ａｇ）、ビスマス（Ｂｉ）、及びネオジム（Ｎｄ）を含有するＡｇ−Ｂｉ−Ｎｄ合金膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ターゲットに含まれる強磁性金属元素の含有量を減少させずに、マグネトロンスパッタリング時の漏洩磁束量を従来よりも増加させることができるマグネトロンスパッタリング用ターゲットを提供する。
【解決手段】強磁性金属元素を有するマグネトロンスパッタリング用ターゲットであって、前記強磁性金属元素を含む磁性相１２と、前記強磁性金属元素を含み、かつ、構成元素またはその含有割合の異なる複数の非磁性相１４、１６と、酸化物相１８とを有しており、前記磁性相１２および前記複数の非磁性相１４、１６からなる各相は、お互いに前記酸化物相１８により仕切られている。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットの効率を向上させる。
【解決手段】一面が基板に対向するスパッタリングターゲットと、前記スパッタリングターゲットの他面に対向するように配置された磁石部材と、前記スパッタリングターゲットの中心部に対応する部分が前記スパッタリングターゲットの前記他面に平行な第１方向に沿って形成された直線部を備え、前記スパッタリングターゲットのエッジ部に対応する部分が前記スパッタリングターゲットに対して、前記第１方向と垂直な第２方向に遠くなるように形成された傾斜部を備えるガイドレールと、前記ガイドレールに対向し、前記第１方向に沿って形成されたスクリューラインと、前記磁石部材と弾性部材により連結されて、前記スクリューラインに沿って前記磁石部材を前記第１方向に運動させる連結ブロックと、を備える、スパッタリング装置。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリングの際に安定した成膜が可能なＣｕ−Ｇａ合金ターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｇａを１０〜９５質量％含有し、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなるＣｕ−Ｇａ合金ターゲット材であって、組織が平均粒径３００μｍ以下のＣｕ−Ｇａ合金相からなり、ターゲット材中の各部位のＧａ含有量のターゲット材全体のＧａ含有量の平均値に対する変動量が±３％以内の範囲にあり、ターゲット材の各部位の相対密度のターゲット材全体の相対密度の平均値に対する変動量が±２％以内の範囲にあり、ターゲット材全体の相対密度の平均値が１００％以上であり、ターゲット材の各部位の酸素含有量のターゲット材全体の酸素含有量の平均値に対する変動量が±２０％以内の範囲にあり、且つ、ターゲット材全体の酸素含有量の平均値が３００質量ｐｐｍ以下であるＣｕ−Ｇａ合金ターゲット材。 （もっと読む）

【課題】従来の皮膜よりも耐酸化性および耐摩耗性に優れた硬質皮膜を提供する。
【解決手段】（Ａｌ_ａ，Ｍ_ｂ，Ｓｉ_ｃ，Ｂ_ｄ，Ｔｉ_{１−ａ−ｂ−ｃ−ｄ}）（Ｃ_１−ｅＮ_ｅ）からなる硬質皮膜（但し、ＭはＷ及び／又はＭｏ）であって、
０．２５≦ａ≦０．６、
０．０５≦ｂ≦０．３、
０．０１≦ｃ＋ｄ≦０．１５、
０．５≦ｅ≦１
（ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅはそれぞれＡｌ，Ｍ，Ｓｉ，Ｂ，Ｎの原子比を示す。）
であることを特徴とする硬質皮膜。 （もっと読む）

【課題】 飽和磁束密度と透磁率を高いレベルで両立可能なアモルファス構造を有する磁気記録媒体用の軟磁性裏打ち層膜を提供する。
【解決手段】 Ｃｏ−Ｆｅ系合金でなる磁気記録媒体用の軟磁性裏打ち層膜であって、該軟磁性裏打ち層膜における原子％で表されたＣｏとＦｅの組成の比率が８８：１２〜９２：８の範囲内にあり、添加元素として３．０原子％以上のＺｒと、２．０原子％以上Ｂ、Ｙ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａの群から選ばれる１種または２種以上の元素と、をいずれも含有し、かつ、前記添加元素の含有量の合計が５．０〜９．０原子％の範囲内にある磁気記録媒体用の軟磁性裏打ち層膜である。また、上記と同組成の磁気記録媒体の軟磁性裏打ち層膜形成用スパッタリングターゲット材およびそのスパッタリングターゲット材を用いてスパッタリング法により形成される磁気記録媒体用の軟磁性裏打ち層膜の製造方法である。 （もっと読む）

【解決手段】Ｇａを２５〜３０質量％含有し、残部がＣｕであるＣｕ−Ｇａ合金であって、電子顕微鏡で得られた組織画像に現れるＧａ濃度が３０〜３５質量％の相であるγ相の平均円相当径が５０μｍ以下であり、最大円相当径が２００μｍ以下であることを特徴とするＣｕ−Ｇａ合金。
【効果】本発明のＣｕ−Ｇａ合金は、組織が特定の相構造を有することにより、鋳造法で作製した場合であっても割れや欠け等が生じにくいので、Ｇａを２５〜３０質量％と高い濃度で含有していながら圧延加工を施すことが可能である。このため、Ｇａの含有量の多いスパッタリングターゲットを圧延により製造することが可能であり、スパッタリングターゲットの生産性の向上を図ることができる。また、本発明のＣｕ−Ｇａ合金が鋳造法で作製された場合には、ホットプレス等の粉末焼結法により製造されたＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットと比較してスパッタレートが速い。 （もっと読む）