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Fターム[4K029DC04]の内容

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Fターム[4K029DC04]に分類される特許

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【課題】 マグネトロンスパッタリング法のターゲット材の透磁率の低減方法の提供。
【解決手段】 鋳造法や粉末冶金法によるスパッタリングターゲット材で、周期律表の8A族の4周期の元素のFe、Co、Niの1つ以上から、または8A族の4周期の元素のFe、Co、Niを主成分とし、これとAl、Ag、Au、B、C、Ce、Cr、Co、Cu、Ga、Ge、Dy、Fe、Gd、Hf、In、La、Mn、Mo、Nb、Nd、Ni、P、Pd、Pt、Ru、Si、Sm、Sn、Ta、Ti、V、W、Y、ZnおよびZrの元素群から選択した少なくとも1つの元素から、成るターゲット材で、これら組成の鋳造後に、またはこれら粉末の熱間成形した冷却後に、機械加工でターゲット材寸法に加工し、このターゲット材を室温から500〜900℃に加熱し、次いで後冷却速度2160〜540000℃/hrで室温に冷却して熱処理し、透磁率を低減してターゲット材とする。 (もっと読む)


【課題】 PTFを改善することができる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 非磁性酸化物、CrおよびPtを含有し、残部:Coおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、その組織が、CoとCrとPtとを含むCo−Cr−Pt粒相4と、PtとCoとCrと非磁性酸化物とを含む結合相であるマトリックス相3との複合組織からなり、マトリックス相3のCo濃度が、25質量%以下である。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング法を用いて形成されるタングステン膜の比抵抗を低下させることができる成膜方法及びこの成膜方法の実施に用いられるタングステンターゲットを提供する。
【解決手段】
タングステンを含有するターゲットTを希ガスによりスパッタしてタングステン膜を基板Sに形成する成膜方法において、ターゲットTとしてニッケルを含有するものを用いることで、成膜されたタングステン膜はニッケル酸化物を含有する。また、成膜されたタングステン膜におけるニッケルの濃度が、0.001質量%以上且つ1質量%以下となるようにする。 (もっと読む)


【課題】 割れ難く機械加工ができる程度まで密度を向上させることができるCo、Taおよび希土類金属を含有する膜を形成するためのスパッタリングターゲットの製造方法を提供すること。
【解決手段】 希土類金属をRとしてR:5〜10原子%、Ta:5〜10原子%を含有し、残部:Coおよび不可避不純物からなるターゲット組成となる割合で、CoとRとの合金粉末であるR−Co合金粉と、Ta粉と、の混合粉末を作製する工程と、該混合粉末を真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程と、を有している。 (もっと読む)


【課題】 高いPTFが得られてスパッタレートの向上を図ることができ、原料粉末の取り扱い時の危険性も排除できる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Fe:30〜70原子%を含有し、残部:Ptおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、その組織が、純Pt相とFePt合金相とで構成され、かつFePt合金相が純Pt相中に局所的に点在し、Fe濃度が70原子%以上であるFeリッチ領域が、5〜40面積%の面積率で分散形成されている。 (もっと読む)


【課題】 組織のさらなる微細化が可能であると共にコンタミネーションが少ない磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 非磁性酸化物、CrおよびPtを含有し、残部がCoおよび不可避不純物からなるターゲットの製造方法であって、Co、CrおよびPtの各元素を単体として又はこれらのうち2種以上の元素を含む合金として粉末にした原料粉末と非磁性酸化物の原料粉末との各原料粉末が混合された一次混合粉末を焼結させて一次焼結体を得る一次焼結工程と、一次焼結体を粉砕して一次焼結体粉末を得る粉砕工程と、前記各原料粉末が混合された二次混合粉末1と一次焼結体粉末2とを混合および粉砕後、焼結させる二次焼結工程と、を有し、二次混合粉末1の平均粒径が0.05〜30μmであり、一次焼結体粉末2の最大粒径が200μm未満である。 (もっと読む)


【課題】回路パターン形成の際のエッチング性が良好でファインピッチ化に適し、磁性が良好に抑制されたプリント配線板用銅箔及びそれを用いた積層体を提供する。
【解決手段】プリント配線板用銅箔は、銅箔基材と、銅箔基材の表面の少なくとも一部を被覆し、且つ、白金、パラジウム、及び、金のいずれか1種以上を含む被覆層とを備え、被覆層における白金の付着量が1050μg/dm2以下、パラジウムの付着量が600μg/dm2以下、金の付着量が1000μg/dm2以下である。 (もっと読む)


【課題】 マグネトロンスパッタリング法に用いる透磁率の低減したスパッタリングターゲット材の製造方法の提供。
【解決手段】 スパッタリングターゲット材の粉末を熱間で固化成形し急冷することで、ターゲット材の結晶構造やターゲット組成または温度によらずターゲット材の透磁率の低減方法で、周期律表の8A族の4周期の元素のFe、Co、Niからなる粉末原料を、あるいは周期律表の8A族の4周期の元素のFe、Co、Niを主成分とし、これとAl、Ag、Au、B、C、Ce、Cr、Co、Cu、Ga、Ge、Dy、Fe、Gd、Hf、In、La、Mn、Mo、Nb、Nd、Ni、P、Pd、Pt、Ru、Si、Sm、Sn、Ta、Ti、V、W、Y、ZnおよびZrから成る元素群から選択した少なくとも主成分以外の1つの元素の粉末原料を熱間で成形し、冷却速度144〜36000℃/hrで300℃まで冷却してターゲット材とする。 (もっと読む)


【課題】波長200nm以下の露光光に対する遷移金属及びケイ素を含有する材料からなるパターン形成用薄膜(光半透過膜、遮光膜)の耐光性を向上させ、転写パターンの線幅の変化(線幅の太り)を防止し、転写用マスク寿命を改善でき、かつパターン形成用薄膜の面内均一性に優れるマスクブランク及び転写用マスクの製造方法を提供することである。
【解決手段】透光性基板上にパターン形成用薄膜を備えたマスクブランクの製造方法であって、前記透光性基板上に、遷移金属及びケイ素を含有する材料からなる前記パターン形成用薄膜を成膜する工程と、前記パターン形成用薄膜を火炎処理する工程と、を備えることを特徴とするマスクブランクの製造方法である。 (もっと読む)


【課題】 薄型の固体電解コンデンサの陽極体として好適な箔状の多孔質バルブ金属陽極体を製造する際に、高容量を可能にする膜厚の厚いスパッタ膜の形成に有効なメタルマスクを提供する。
【解決手段】 略方形で相似形の開口形状を有する貫通した開口部を備え、相似比が小さい方の開口形状を有する平面の開口部縁に、前記開口部の壁が張り出し部を形成している金属製板材で、相似比の大きな方の開口形状を有する平面が、被スパッタ材と接する側であることを特徴とするスパッタ用メタルマスク。 (もっと読む)


【課題】単に機械的性質が高温で低下しないというだけでなく、大気中の加熱によって塑性硬さが成膜直後よりも向上するという優れた自己硬化性を有し、成膜後のアニール処理により、成膜硬さをコントロールでき、耐酸化性にも優れる加工工具用硬質保護膜を提供する。
【解決手段】Cr-Al-Nからなる窒化物相とBN相とが三次元的に混じり合う複合膜である加工工具用硬質保護膜。さらに、BN含有率が8〜28(vol%)であるCr-Al-Nからなる窒化物相とBN相とが三次元的に混じり合う複合膜である加工工具用硬質保護膜。 (もっと読む)


【課題】450〜600℃程度の高温下に曝されてもヒロックが発生せず高温耐熱性に優れており、膜自体の電気抵抗(配線抵抗)も低く、アルカリ環境下の耐食性にも優れた表示装置用Al合金膜を提供する。
【解決手段】Ta、Nb、Re、Zr、W、Mo、V、Hf、Ti、CrおよびPtよりなる群(X群)から選択される少なくとも一種の元素と、希土類元素の少なくとも一種とを含み、450〜600℃の加熱処理を行なったとき、下記(1)の要件を満足する表示装置用Al合金膜である。
(1)Alと、X群から選択される少なくとも一種の元素と、希土類元素の少なくとも一種とを含む第1の析出物について、円相当直径20nm以上の析出物が500,000個/mm2以上の密度で存在する。 (もっと読む)


【課題】被覆した物を輸送でき、その後に加熱による曇った被覆を生じることなく加熱できるような機械的耐久性を有する低放射率の被覆物の提供。
【解決手段】本発明に係る被覆された物品は、(A)基体と、(B)基体上にスパッタリングにより堆積された第1の透明層であって、第1の透明層が、(i)10〜90質量%の亜鉛および90〜10質量%のスズを有する第1のスズ酸亜鉛を含む第1の透明膜と、(ii)60〜90質量%の亜鉛および40〜10質量%のスズを含有する酸化亜鉛酸化スズ膜を含む、第1の透明膜上に堆積された第2の電気的性質を向上させる膜とを含む第1の透明層と、(C)第1の透明層上に位置する赤外線反射層とを含む。 (もっと読む)


【課題】FeRAMやDRAMなどに使用されるTi−Al−N膜などの成膜用のTi−Al合金ターゲットにおいて、不純物量の低減を図った上で、ターゲットの製造歩留りを高めると共に、膜品質の向上などを図る。
【解決手段】スパッタリングターゲットは、Alを5〜50原子%の範囲で含有するTi−Al合金からなる。このようなTi−Al合金ターゲットにおいて、ターゲットのCu含有量を10ppm以下およびAg含有量を1ppm以下とする。 (もっと読む)


【課題】 アモルファス性が高く、かつ高い結晶化温度を有する磁気記録媒体等に用いられるFe−Co系合金軟磁性膜を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式が((Fe−Co100−X100−YNi100−a−b−M−B、10≦X≦70、0≦Y≦25、7≦a、1≦b≦5、13≦a+b≦25で表され、前記組成式のM元素がNbおよび/またはTaである磁気記録媒体用軟磁性膜であって、膜厚が10〜500nmである磁気記録媒体用Fe−Co系合金軟磁性膜である。 (もっと読む)


【課題】Al基合金スパッタリングターゲットを用いた場合に、高速成膜してもスプラッシュの発生を抑制し得る技術を提供すること。
【解決手段】Ni−希土類元素−Al基合金スパッタリングターゲットの表層部、1/4×t部、1/2×t部の各スパッタリング面法線方向の結晶方位<001>、<011>、<111>、<012>および<112>を観察したとき、下記(1)、(2)の要件を満足することを特徴とする。
(1)前記<001>、<011>、および<112>の±15°の合計面積率をRとしたとき、Rが、0.35以上、0.8以下であり、かつ
(2)R、R、Rが、R平均値[Rave=(R+R+R)/3]の±20%の範囲内にある。 (もっと読む)


【課題】FeRAMやDRAMなどに使用されるTi−Al−N膜などの成膜用のTi−Al合金ターゲットにおいて、不純物量の低減を図った上で、ターゲットの製造歩留りを高めると共に、膜品質の向上などを図る。
【解決手段】スパッタリングターゲットはAlを5〜50原子%の範囲で含有するTi−Al合金からなる。このようなTi−Al合金ターゲットにおいて、Zr含有量およびHf含有量をそれぞれ100ppb以下とする。 (もっと読む)


【課題】無接着剤フレキシブルラミネートのタイコート層又はタイコート層と同等の金属又は合金を金属導体層状に形成する。同時に回路配線のファインピッチ化の妨げとなるサイドエッチングを抑制する。
【解決手段】少なくとも一方の面がプラズマ処理されたポリイミドフィルムと、その上に形成されたタイコート層と、該タイコート層上に形成された金属導体層を有し、さらに該金属導体層の上に前記タイコート層と同一成分の層を有することを特徴とする無接着剤フレキシブルラミネート。 (もっと読む)


【課題】 高い漏洩磁束密度が得られてスパッタ効率の向上を図ることができる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 非磁性酸化物:0.5〜15モル%、Cr:4〜20モル%、Pt:5〜25モル%を含有し、残部:Coおよび不可避不純物からなる成分組成を有するターゲットであって、その組織が、少なくともCoとCrとPtとを含む非磁性合金相中に非磁性酸化物が分散した第1相1と、少なくともCoを含む強磁性合金相中に非磁性酸化物が分散した第2相2との複合組織からなる。 (もっと読む)


【課題】 高い漏洩磁束密度が得られてスパッタ効率の向上を図ることができる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 非磁性酸化物:0.5〜15モル%、Cr:4〜20モル%、Pt:5〜25モル%を含有し、残部:Coおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、その組織が、少なくともCoとCrとを含む合金相中に非磁性酸化物が分散した第1相1と、少なくともCoとPtとを含む強磁性合金相中に非磁性酸化物が分散した第2相2との複合組織からなる。 (もっと読む)


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