複合スパッタリングターゲットは、同一又は異なる材料の使用済みスパッタリングターゲットでできる又は、表面に窪みが形成された異なる材料からなるバックプレートの中に金属又は金属含有パウダーを加熱加圧することによって製造される。窪みは同じ幾何学を有するターゲットのエロージョンパターンに相当する。窪みは、例えば機械加工によって形成できる。バックプレートは、グラファイト金型内に装着され、アセンブリを形成するためにスパッタリング材料で覆われる。詰め込み具が加えられたアセンブリは、緻密にされたスパッタリング材料のスパッタリングゾーンを有する複合スパッタリングターゲットを形成するために、真空下で適正な加圧と加温による加熱加圧を行う。 （もっと読む）

【課題】レーザ蒸着装置に用いる酸化物ターゲットにおいて、高レーザー出力および高温雰囲気によるターゲットの割れの伸展を防いで、安定した成膜を長時間行うことができるレーザー蒸着用酸化物ターゲットの提供。
【解決手段】ターゲットにレーザー光を照射してターゲット表面から酸化物の微粒子を発生させ、該微粒子を基材表面に堆積させ、基材表面に酸化物膜を成膜するレーザ蒸着装置に用いる酸化物ターゲットにおいて、希土類酸化物粉末、炭酸バリウム粉末及び酸化銅粉末を一定比率で混合し、この混合粉末を圧粉成型し、さらに部分溶融成型して得られたターゲット本体に銀網が埋設されたことを特徴とするレーザー蒸着用酸化物超電導ターゲット。 （もっと読む）

【課題】金属表面に耐食性や耐磨耗性を有する硬質被膜を効率的に形成できるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】クロムを主成分とし、けい素を１〜５０原子％含有し、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、タングステンおよびモリブデンから成る群より選択される少なくとも１種の元素を０．１〜３０原子％含有する原料粉末を調製する工程と、得られた原料粉末を真空度が５×１０^−２Ｐａ以下の真空中で脱ガス処理を実施する工程と、脱ガス処理した原料粉末に２０〜３５ＭＰａの加圧力を作用せしめ温度１１００℃〜１５００℃に加熱して焼結し板状の合金ターゲット材を調製する工程とを備えることにより、相対密度が９５．０％以上であり、欠陥の最大幅が０．１ｍｍ以下であり、ビッカース硬度（Ｈｖ０．０５）が１０００以上の硬質被膜を形成するスパッタリングターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】高い投入電力を導入してもスパッタリング時に発生するアーキングを低減しつつ、かつスパッタリングターゲット自体の割れが発生するのを有効に防止するスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲットは、粉末冶金法により作製されてなる板状のスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲット内に存在するピンホールによって占有される割合が、該スパッタリングターゲット内の上面側近傍よりも下面側近傍の方が高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ターゲット割れの発生を抑制することができるスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
【解決手段】金属間化合物域の鋳塊を粉砕して得たＩｎを主成分とする主粉末と、前記主粉末とは異なる成分組成の副粉末を混合、焼結して所定の成分組成となるようにして製造されるスパッタリングターゲットであり、その含有成分中の不可避的不純物であるＳｉ、Ａｌ、Ｆｅの合計含有量が、３００質量ｐｐｍ以下であることを特徴とする。また、金属間化合物はＩｎと、ＣｏとＮｉから選ばれる１種以上を含む。 （もっと読む）

【課題】酸化マグネシウムを増量したＧＺＯ焼結体とその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛粉末と酸化ガリウム粉末とを湿式法により混合し、該混合物に酸化マグネシウム粉末を添加し、１時間以上１０時間以下、湿式法により混合を行ってスラリーを得て、該スラリーを急速乾燥造粒して造粒粉を得て、該造粒粉を成形し、焼成することにより、５〜１５質量％の酸化マグネシウムと、１〜１０質量％の酸化ガリウムとを含有し、亜鉛とマグネシウムとガリウムの複合酸化物からなり、相対密度が８０％以上で、マグネシウムの偏析部の径が１０μｍ以下であるＧＺＯ焼結体を得る。 （もっと読む）

【課題】低抵抗率で、かつ、抵抗率の耐湿安定性及び膜厚依存性が少ない酸化亜鉛を母材とする透明導電膜およびその製造用技術並びに薄膜製造用製造用酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】
例えば、アルミニウム添加酸化亜鉛（ＡＺＯ）にモリブデンを共添加した透明導電膜で、アルミニウムの含有量をＡｌ／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｍｏ）の原子比で１％を超え８％未満、かつモリブデンの含有量をＭｏ／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｍｏ）の原子比で０．１％を超え１％未満として作製したＺｎＯ系焼結体ターゲットもしくはペレットを用いるマグネトロンスパッタリング法により、低抵抗率で抵抗率の耐湿安定性及び膜厚依存性が改善されたＺｎＯ系透明導電膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高速、無潤滑切削に用いられる切削工具に適した、耐酸化性、耐熱性に優れたZr-Al-Si-N系の皮膜をPVD処理により基板上に形成するために、製作工程における金属間化合物形成による脆化やジルコニウム粉末の酸化による発火や爆発の危険性を防止して容易にかつ低コストで製造したPVD処理用のZr-Al-Si系ターゲット材を提供する。
【解決手段】必要数のプラグ嵌合用の孔を加工したジルコニウム板材に、Al-Si合金で製作したプラグを嵌合し、ＰＶＤ処理用のZr-Al-Si系ターゲット材を製作する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の光吸収層を形成するためのＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金膜を形成するときに使用するＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ三元系焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】原料粉末として、Ｇａ：２０〜５０質量％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなるＣｕ−Ｇａ二元系母合金粉末、Ｉｎ：２０〜７０質量％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなるＣｕ−Ｉｎ二元母合金粉末並びに純Ｃｕ粉末を用意し、これら原料粉末をＩｎ：４０〜６０質量％、Ｇａ：１〜４５質量％を含有し、残部がＣｕからなる成分組成となるように配合し混合して混合粉末を作製し、得られた混合粉末をプレス成形して成形体を作製し、得られた成形体を焼結する。 （もっと読む）

【課題】低透磁率を有する磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｒ：５０〜７０原子％を含有し、残部がＣｏからなる成分組成を有する第一ＣｏＣｒ合金粉末、Ｃｒ：５〜１５原子％を含有し、残部がＣｏからなる成分組成を有する第二ＣｏＣｒ合金粉末、Ｐｔ粉末および非磁性酸化物粉末を、非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％を含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる成分組成となるように配合し、混合したのち加圧焼結することを特徴とし、前記第一ＣｏＣｒ合金粉末および前記第二ＣｏＣｒ合金粉末のいずれか一方または両方の粉末は、さらにＢ：０．５〜８原子％を含有しても良い。 （もっと読む）

【課題】
成膜時の蒸発速度、成膜速度が高く、導電性および透明性に優れ、さらには耐湿性に優れた緻密なＺｎＯ膜を形成するＺｎＯ蒸着材とその製造方法を提供する。
【解決手段】
透明導電膜の成膜に用いられるＺｎＯ蒸着材であって、ＣｅおよびＡｌを含み、Ｃｅ含有量がＡｌ含有量より多く、Ｃｅ含有量が０.１〜１４.９質量％の範囲内およびＡｌ含有量が０.１〜１０質量％の範囲内であるＺｎＯ多孔質焼結体を主体とし、該焼結体が３〜５０％の気孔率を有することを特徴とし、好ましくは、ＣｅとＡｌの合計含有量が０.２〜１５質量％、平均気孔径０.１〜５００μｍ、平均結晶粒径１〜５００μｍのＺｎＯ蒸着材であるＺｎＯ多孔質焼結体とその製造方法。 （もっと読む）

【課題】ターゲット材の位置合わせ工程及び接合工程を行うことなくスパッタリングターゲットを製造する。
【解決手段】圧延ローラ４Ａ，４Ｂ間において圧延処理することによって導電体からなる板状体２１の少なくとも一方の面に透明酸化物導電体の形成材料からなる粉末２を圧着させる圧着工程と、上記板状体に圧着された上記粉末２を焼結させる焼結工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 飽和磁束密度、非晶質性に優れた垂直磁気記録媒体用軟磁性合金、およびこの合金においてマグネトロンスパッタ時に効率良く使用できる高ＰＴＦ値ターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、ＴａおよびＢの１種または２種以上を含有し、残部ＣｏおよびＦｅ、ならびに不可避的不純物よりなり、下記式１および式２を満足することを特徴とする垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用合金およびターゲット材。
０．２０≦Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）≦０．６５（ａｔ．％比） … （１）
５ａｔ％≦（Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｎｂ＋Ｔａ）＋Ｂ／２≦１０ａｔ％ … （２）
ただし、Ｂ：７％以下とする。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉ、Ｌａ、およびＳｉを含むＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｓｉ系Ａｌ合金スパッタリングターゲットを用いて成膜したときに発生するスプラッシュを低減し得る技術を提供する。
【解決手段】Ｎｉ、Ｌａ、およびＳｉを含有するＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｓｉ系Ａｌ合金スパッタリングターゲットであって、スパッタリングターゲットの平面に対して垂直な断面における（１／４）ｔ（ｔは厚み）〜（３／４）ｔの部位を走査型電子顕微鏡（２０００倍）で観察したとき、（１）Ａｌ及びＮｉを主体とするＡｌ−Ｎｉ系金属間化合物について、Ａｌ−Ｎｉ系金属間化合物の全面積に対する平均粒径０．３〜３μｍのＡｌ−Ｎｉ系金属間化合物の合計面積≧７０％であり、（２）Ａｌ、Ｎｉ、Ｌａ、およびＳｉを主体とするＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｓｉ系金属間化合物について、Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｓｉ系金属間化合物の全面積に対する平均粒径０．２〜２μｍのＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｓｉ系金属間化合物の合計面積≧７０％である。 （もっと読む）

高融点金属プレートが提供される。前記プレートは、中心、板厚、端部、上面および裏面を有し、前記プレートにわたって実質的に均一な結晶組織（１００／／ＮＤ組織成分および１１１／／ＮＤ組織成分のそれぞれについて、板厚方向勾配、帯形成度およびプレート内変動によって特徴付けられる）を有する。
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半導体処理装置に特殊セラミック材料を適用する方法であり、この特殊セラミック材料はハロゲン含有プラズマに耐性である。特殊セラミック材料は、少なくとも１種の酸化イットリウム含有固溶体を含有する。特殊セラミック材料の一部の実施形態は、半導体処理チャンバ内でのアーク放電の可能性を低下させる抵抗率を付与するように改質されている。
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【課題】光記録媒体（ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭなど）のＡｇ合金反射膜を形成するためのＡｇ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃｕ：０．１〜３．０質量％、Ｇａ：０．０５〜２．０質量％、Ｃａ：０．００１〜０．１質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、ターゲット本体１の周囲に鍔２を有する鍔付きターゲットであって、ビッカース硬さが４０〜７０の範囲内にあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ターゲット材料を成形又は焼成することなく、緻密な結晶構造を有するターゲット材料を形成することにより、スパッタリングの際にパーティクルが発生し難いスパッタリング用ターゲットを提供する。
【解決手段】このターゲット製造方法は、スパッタリングによって無機物の膜を形成する際に用いられるターゲットを製造する方法において、金属製の基材及びターゲット材料の粉末を用意する工程（ａ）と、ターゲット材料の粉末をガス中に分散させることによりエアロゾルを生成し、生成されたエアロゾルをノズルから基材に向けて噴射することにより基材上にターゲット材料を堆積させる工程（ｂ）とを具備する。 （もっと読む）

本明細書中に開示されているのは、使用済みスパッタリングターゲットを修復するための方法である。この方法は、粉末化金属がスパッタではじき出されなかった金属と融合して、修復されたターゲットを生産するように、充分な熱および軸方向の力を、充填されたスパッタリングターゲットに適用して、スパッタリングターゲットを加熱プレスする各ステップを含む。この方法は、ルテニウムターゲット等の高価な金属ターゲット、修復するために使用できる。
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【課題】ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％、Ｂ：０．５〜８モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、このスパッタリングターゲットは素地中にＣｏ−Ｃｒ−Ｂ三元系合金相が均一分散している組織を有する。 （もっと読む）