【課題】 飽和磁束密度、非晶質性、結晶化温度および耐食性に優れた熱アシスト磁気記録媒体用軟磁性合金およびそのスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 ａｔ．％で、Ｆｅ：０〜７０％を含み、かつ下記（Ａ）群の各種元素の１種または２種以上を５〜２０％、残部Ｃｏおよび不可避的不純物からなる磁気記録用軟磁性合金。また、上記に加えて、ａｔ．％で、Ｆｅ：０〜７０％を含み、かつ下記（Ｂ）群元素の１種または２種以上を５〜３０％含有し、かつ（Ａ）群元素と（Ｂ）群元素との和を１０〜３５％とし、残部Ｃｏおよび不可避的不純物からなる磁気記録用軟磁性合金およびスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体。
（Ａ）Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ、（Ｂ）Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、溶射した酸化亜鉛系円筒ターゲットの組織を汚染することなく加工して仕上げる酸化亜鉛系円筒ターゲットの製造方法を提供することにある。
【解決手段】
バッキングチューブの外周面に酸化亜鉛系粉末を溶射して酸化亜鉛系ターゲット層を形成し、該酸化亜鉛系ターゲット層を乾式で切削加工することで、溶射した酸化亜鉛系円筒ターゲットの組織を汚染することなく加工することができる。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、少ないエネルギー消費・熱負荷で、緻密でバッキングチューブへの密着性が良好な長尺のセラミック溶射円筒ターゲットを製造する方法を提供することにある。
【解決手段】
長尺バッキングチューブを複数の溶射領域に分割して溶射する。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜したＷ膜の膜厚面内均一性を向上させることが可能であり、さらにはパーティクルの発生を減少させることが可能なＷスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｗスパッタリングターゲットは、スパッタリングされる面のＸ線回折により得られた結晶面（１１０）のピークの半値幅が０．３５以下であることを特徴とする。また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング工程中にパーティクルが発生し難い珪素ターゲット材を提供し、成膜される珪素含有膜の低欠陥化（高品質化）を図ること。
【解決手段】珪素含有膜の成膜に、室温での比抵抗が２０Ω・ｃｍ以上の珪素ターゲット材を用いる。珪素ターゲット材は、多結晶や非晶質のものでもよいが、単結晶のものとすればより安定した放電状態を実現できるという利点がある。また、ＦＺ法により結晶育成された単結晶シリコンは、酸素含有量が低いため、高純度珪素ターゲット材として好ましい材料である。また、安定した放電特性を得る観点からはドナー不純物を含むｎ型のもののほうが好ましい。珪素含有膜のスパッタリング成膜は、本発明の珪素ターゲット材のみを単独または複数用いて行うことのほか、珪素ターゲット材と遷移金属と珪素を含有するターゲット材を同時に用いたり、珪素ターゲット材と遷移金属ターゲット材を同時に用いることとして行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】大面積フィルム上へ連続的に均一な窒化チタン膜を工業的に成膜することを可能とする。
【解決手段】平均粒径が０．４〜１．２μｍの窒化チタン粉末を用い、アクリル酸メタクリル酸共重合体アンモニア中和物およびアクリル酸系共重合物アミン塩から選択される分散剤を、窒化チタン粉末１００質量部に対して０．５〜２．０質量部添加して、湿式粉砕し、噴霧乾燥し、９８〜２９４ＭＰａの圧力で成形し、大気圧窒素雰囲気中、１８００〜２０００℃の温度で焼成し、加工し、組成比が、一般式：ＴｉＮ_xにおいて０．８≦ｘ≦１．０であり、かつ、理論密度比が９３％から１００％の範囲にある。窒化チタンスパッタリングターゲットを得る。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、スパッタリングターゲットの寿命の間、スパッタリング材料の不変的に均質な層の製造を確実にするスパッタリングターゲットを提供することである。
【解決手段】この課題は、インジウム、亜鉛およびガリウムの少なくとも１つの三元系混合酸化物を含有する、インジウム、亜鉛およびガリウムの酸化物の混合物を有するスパッタリングターゲットであって、インジウム、亜鉛およびガリウムの三元系混合酸化物の割合が、混合物の総質量に対して少なくとも５０質量パーセントであり、且つ、アモルファス相の割合が、混合物の総質量に対して少なくとも２０質量パーセントである、スパッタリングターゲットによって解決される。 （もっと読む）

【課題】取り扱いが困難なアルカリ金属単体を使用することなく、アルカリ金属を含有したＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットの製造方法及びこの製造方法により得られたＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】少なくともガリウム及び銅を含有するＣｕ−Ｇａ合金粉末と、アルカリ金属含有有機物とを混合した混合粉末を焼結し、アルカリ金属を０．０１〜５質量％含有したＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】高品質なＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを作製する。
【解決手段】Ｃｕ粉末とＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合された混合粉末が不活性雰囲気中で３０℃以上４００℃以下の温度で合金化されて得られたＣｕ−Ｇａ合金粉末１を真空又は不活性雰囲気中で４００℃以上９００℃以下の温度で熱処理した後に、加圧して焼結する。 （もっと読む）

【課題】 本発明はＯ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分を多量に含有する粗金属から、該ガス成分を大幅に減少させることのできる高純度金属の製造に際し、クロム、マンガン等の金属特有の蒸気圧が高いことを利用するとともに、低コストでかつ安全性が高い金属の製造方法並びにこれによって得られた高純度金属、高純度金属からなるスパッタリングターゲット及びスパッタリングにより形成した薄膜を提供する。
【解決手段】 Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｓ等のガス成分含有量が総量で２００ｐｐｍ以下であることを特徴とする高純度クロム又は高純度マンガンからなる高純度金属。 （もっと読む）

【課題】酸素含有量が少ないＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを作製する。
【解決手段】Ｃｕ粉末とＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合され、酸素含有量が０．２ｗｔ％以下である混合粉末を酸素分圧が２０Ｐａ以下の雰囲気中で合金化し、得られたＣｕ−Ｇａ合金粉末をホットプレス法により焼結する。 （もっと読む）

【課題】粉末焼結法で作製されたＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットにおいて、大きなスパッタ電力を投入しても、スパッタ膜にパーティクルが発生することを抑制することができる高品質なＣｕ−Ｇａ合金ターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃｕ粉末及びＧａが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合された混合粉末を、不活性雰囲気中で加熱しながら撹拌し合金化して得られた平均粒径が１５０μｍ以下のＣｕ−Ｇａ合金粉末を、ホットプレス焼結することにより、断面組織に平均結晶粒径４０μｍ以下の粒子が含有されたＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の成膜に好適に用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットであって、高い導電性と相対密度を兼ね備えた酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化スズと；Ａｌ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ｇａおよび希土類元素よりなる群から選択される少なくとも一種の金属（Ｍ金属）の酸化物の各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄化合物は検出されるが、スピネル型化合物であるＺｎＭ_XＯ_y相およびＭ_XＯ_y相（ｘ、ｙは任意の整数である）は検出されないものである。 （もっと読む）

【課題】絶縁性酸化物の量産性を高めこと、また、そのような絶縁性酸化物を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与すること、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】亜鉛のように４００〜７００℃で加熱した際にガリウムよりも揮発しやすい材料を酸化ガリウムに添加したターゲットを用いて、ＤＣスパッタリング、パルスＤＣスパッタリング等の大きな基板に適用できる量産性の高いスパッタリング方法で成膜し、これを４００〜７００℃で加熱することにより、添加された材料を膜の表面近傍に偏析させる。膜のその他の部分は添加された材料の濃度が低下し、十分な絶縁性を呈するため、半導体装置のゲート絶縁物等に利用できる。 （もっと読む）

【課題】酸化物薄膜の作製に使用するターゲット等として好適に利用できる、新規な結晶型を有する酸化物を提供する。
【解決手段】インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、
Ｘ線回折測定（Ｃｕｋα線）により、入射角（２θ）が、７．０°〜８．４°、３０．６°〜３２．０°、３３．８°〜３５．８°、５３．５°〜５６．５°及び５６．５°〜５９．５°の各位置に回折ピークが観測され、
かつ、２θが３０．６°〜３２．０°及び３３．８°〜３５．８°の位置に観測される回折ピークの一方がメインピークであり、他方がサブピークである、酸化物。 （もっと読む）

【課題】インジウムターゲットとバッキングプレートとが良好に密着し、インジウムターゲット内における不要な不純物の含有が良好に抑制された積層構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】積層構造体は、バッキングプレート、バッキングプレート上に形成された、ガリウム濃度が１．０〜３０ａｔ％であるインジウムとガリウムとの合金薄膜、及び、合金薄膜上に形成されたインジウムターゲットを備える。 （もっと読む）

【課題】装置のダウンタイムを低減し生産性を向上するスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１０は、外部より低圧な雰囲気に維持可能なチャンバ１２と、チャンバ１２内で基材１４を保持する保持部１６と、保持部１６で保持された基材１４に周面が対向するように設けられた回転可能な回転陰極１８であって、表面のターゲット材料をスパッタリングするための電力が供給される筒状の回転陰極１８と、回転陰極１８の表面に金属材料を供給可能な金属材料供給手段と、成膜室２２と金属材料供給室２４との間のガスの移動を規制するガス遮蔽部材１３０と、を備える。金属材料供給手段は、化学反応により回転陰極１８の表面にターゲット材料として成膜される原料を外部から供給可能な原料供給路２２０を有する。 （もっと読む）

【課題】スパッタ時の異常放電の発生を良好に抑制することが可能なインジウムターゲットの製造方法及びインジウムターゲットを提供する。
【解決手段】インジウム原料を溶解鋳造する工程を含み、該工程においてインジウム原料を鋳型の下部から供給するインジウムターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】異常放電の発生を良好に抑制することの可能なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】インジウムターゲットは、ターゲット表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１．６μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】従来の皮膜よりも耐酸化性および耐摩耗性に優れた硬質皮膜を提供する。
【解決手段】（Ａｌ_ａ，Ｍ_ｂ，Ｓｉ_ｃ，Ｂ_ｄ，Ｔｉ_{１−ａ−ｂ−ｃ−ｄ}）（Ｃ_１−ｅＮ_ｅ）からなる硬質皮膜（但し、ＭはＷ及び／又はＭｏ）であって、
０．２５≦ａ≦０．６、
０．０５≦ｂ≦０．３、
０．０１≦ｃ＋ｄ≦０．１５、
０．５≦ｅ≦１
（ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅはそれぞれＡｌ，Ｍ，Ｓｉ，Ｂ，Ｎの原子比を示す。）
であることを特徴とする硬質皮膜。 （もっと読む）