【課題】スパッタリング成膜時のアーキングやノジュールの発生を低減すると共に高出力成膜においても高い生産性を有する高密度で、なお且つ厚肉化を可能とする酸化亜鉛系円筒ターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高温のプラズマジェット４中に酸化亜鉛粉末の昇華を抑えられる範囲内で酸化亜鉛系粉末をできるだけ長く滞在させて、その粉末の溶融度向上を図り、溶融粉末の溶着堆積後、すみやかに溶射ターゲットの表面温度を所定温度以下になるように冷却できる基板冷却配管構造を装着した溶射ガン７で酸化亜鉛系粉末を溶射する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いて透明導電膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し安定にスパッタリングを行うことのできるインジウム含有量が低減されたターゲット、このターゲットを用いて作製した透明導電膜及び透明電極を提供する。
【解決手段】少なくともインジウム、錫及び亜鉛を含有し、Ｚｎ_２ＳｎＯ_４で表されるスピネル構造化合物及びＩｎ_２Ｏ_３で表されるビックスバイト構造化合物を含む酸化物の焼結体であることを特徴とするスパッタリングターゲット；その製造方法、透明導電膜及び透明電極。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリングの際に安定した成膜が可能なＣｕ−Ｇａ合金ターゲット材を提供する。
【解決手段】 Ｇａを１０〜９５質量％含有し、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなるＣｕ−Ｇａ合金ターゲット材であって、組織が平均粒径３００μｍ以下のＣｕ−Ｇａ合金相からなり、ターゲット材中の各部位のＧａ含有量のターゲット材全体のＧａ含有量の平均値に対する変動量が±３％以内の範囲にあり、ターゲット材の各部位の相対密度のターゲット材全体の相対密度の平均値に対する変動量が±２％以内の範囲にあり、ターゲット材全体の相対密度の平均値が１００％以上であり、ターゲット材の各部位の酸素含有量のターゲット材全体の酸素含有量の平均値に対する変動量が±２０％以内の範囲にあり、且つ、ターゲット材全体の酸素含有量の平均値が３００質量ｐｐｍ以下であるＣｕ−Ｇａ合金ターゲット材。 （もっと読む）

【課題】従来の皮膜よりも耐酸化性および耐摩耗性に優れた硬質皮膜を提供する。
【解決手段】（Ａｌ_ａ，Ｍ_ｂ，Ｓｉ_ｃ，Ｂ_ｄ，Ｔｉ_{１−ａ−ｂ−ｃ−ｄ}）（Ｃ_１−ｅＮ_ｅ）からなる硬質皮膜（但し、ＭはＷ及び／又はＭｏ）であって、
０．２５≦ａ≦０．６、
０．０５≦ｂ≦０．３、
０．０１≦ｃ＋ｄ≦０．１５、
０．５≦ｅ≦１
（ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅはそれぞれＡｌ，Ｍ，Ｓｉ，Ｂ，Ｎの原子比を示す。）
であることを特徴とする硬質皮膜。 （もっと読む）

【課題】異常放電を抑制し安定にスパッタリングを行うことのできるターゲット、金属又は合金用のエッチング液であるリン酸系エッチング液でもエッチング可能な透明導電膜が得られるターゲットを提供する。
【解決手段】インジウム、錫、亜鉛、酸素を含有し、六方晶層状化合物、スピネル構造化合物及びビックスバイト構造化合物を含むことを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 飽和磁束密度と透磁率を高いレベルで両立可能なアモルファス構造を有する磁気記録媒体用の軟磁性裏打ち層膜を提供する。
【解決手段】 Ｃｏ−Ｆｅ系合金でなる磁気記録媒体用の軟磁性裏打ち層膜であって、該軟磁性裏打ち層膜における原子％で表されたＣｏとＦｅの組成の比率が８８：１２〜９２：８の範囲内にあり、添加元素として３．０原子％以上のＺｒと、２．０原子％以上Ｂ、Ｙ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａの群から選ばれる１種または２種以上の元素と、をいずれも含有し、かつ、前記添加元素の含有量の合計が５．０〜９．０原子％の範囲内にある磁気記録媒体用の軟磁性裏打ち層膜である。また、上記と同組成の磁気記録媒体の軟磁性裏打ち層膜形成用スパッタリングターゲット材およびそのスパッタリングターゲット材を用いてスパッタリング法により形成される磁気記録媒体用の軟磁性裏打ち層膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】相対密度が高く、抵抗が低く、均一で、良好な酸化物半導体や透明導電膜等の酸化物薄膜を作製しうるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】下記に示す酸化物Ａと、ビックスバイト型の結晶構造を有する酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）と、を含有するスパッタリングターゲット。
酸化物Ａ：インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、Ｘ線回折測定（Ｃｕｋα線）により、入射角（２θ）が、７．０°〜８．４°、３０．６°〜３２．０°、３３．８°〜３５．８°、５３．５°〜５６．５°及び５６．５°〜５９．５°の各位置に回折ピークが観測される酸化物。 （もっと読む）

【課題】面内均一性に極めて優れたＡｇ系薄膜を形成するのに有用なＡｇ系スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ａｇ系スパッタリングターゲットのスパッタリング面の平均結晶粒径ｄ_aveを下記手順（１）〜（３）によって測定したとき、平均結晶粒径ｄ_aveは１０μｍ以下を満足する。（手順１）スパッタリング面の面内に任意に複数箇所を選択し、選択した各箇所の顕微鏡写真（倍率：４０〜２０００倍）を撮影する。（手順２）各顕微鏡写真について、井桁状または放射線状に４本以上の直線を引き、直線上にある結晶粒界の数ｎを調べ、各直線ごとに下式に基づいて結晶粒径ｄを算出する。ｄ＝Ｌ／ｎ／ｍ式中、Ｌは直線の長さ、ｎは直線上の結晶粒界の数、ｍは顕微鏡写真の倍率を示す。（手順３）全選択箇所の結晶粒径ｄの平均値をスパッタリング面の平均結晶粒径ｄ_aveとする。 （もっと読む）

【課題】安定したスパッタ運転を可能にし、優れた光学特性を有するＳｉＯ_２膜を製膜可能にするスパッタリングターゲット、その製造方法、ターゲット材原料を提供する。
【解決手段】加速粒子の衝突により金属成分を放出するスパッタリングターゲットであって、金属の基材と、前記基材の表面に、原子番号が１１以下の金属が混合された金属シリコンで溶射により膜状に形成されたターゲット材とを備える。このように、原子番号が１１以下の金属が混合された金属シリコンでターゲット材が形成されているため、抵抗率を低下させることができる。その結果、安定したスパッタ運転を可能にすることができる。そして、シリコンの純度を高めたターゲット材を用いてスパッタリングで作製したＳｉＯ_２膜について、原子番号が１１以下の金属の含有は光学特性を低下させない。その結果、優れた光学特性を有するＳｉＯ_２膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】安全に製造することが可能なＩｎ−Ｓｅ合金粉末、Ｉｎ−Ｓｅ合金焼結体、Ｇａ−Ｓｅ合金粉末、Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体、Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末、Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末及びＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体の製造方法を提供すること
【解決手段】本発明のＩｎ−Ｓｅ合金粉末の製造方法は、Ｉｎ粉末とＳｅ粉末を混合してＩｎ及びＳｅ混合粉末を作製する。Ｉｎ及びＳｅ混合粉末は、Ｉｎ及びＳｅの融点以上に加熱された加熱部に逐次的に投入される。
Ｉｎ及びＳｅ混合粉末は、加熱部に逐次的に投入されるため、その部分に含まれるＩｎとＳｅの合金化反応により発生した熱は次のＩｎ及びＳｅ混合粉末が投入されるまでに放熱される。したがって、ＩｎとＳｅの合金化反応に伴なう熱が爆発的に発生することが防止され、安全にＩｎ−Ｓｅ合金粉末を製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】大電力によるスパッタ時においても、ターゲット材の割れや剥離が発生せず、溶射法やＨＩＰ法によるものと異なり、あらゆる材質のターゲットに適用可能で、かつ、低コストの円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】円筒形基材の外側面に円筒形状のセラミックス焼結体からなる円筒形ターゲット材を複数接合してなる円筒形スパッタリングターゲットとするとともに、前記円筒形ターゲット材同士の接続部に所定量の間隙を有する円筒形スパッタリングターゲットとする。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯと同等以上の導電性を有する透明な酸化チタン系薄膜を工業的に製造するのに適したターゲット材を提供すること。
【解決手段】酸化チタン粉末にホウ素単体粉末またはホウ化チタン粉末を混合して焼結し、ホウ素のドープされた酸化チタン透明薄膜形成に際して使用する直流スパッタ用ターゲット材を製造するターゲット材製造方法である。本発明によれば、ＩＴＯ代替の透明電極等を製造できる工業用途向けのターゲット材を製造することができる。 （もっと読む）

【解決手段】ＳｎをＳｎＯ₂換算で５質量％以下含有し、残留応力が−６５０〜−２００ＭＰａであることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲットである。前記残留応力は、ＩＴＯスパッタリングターゲットがボンディングされるバッキングプレートの熱膨張係数が２．３８６×１０^-5／℃以下である場合には−６００〜−２００ＭＰａ、熱膨張係数が２．３８６×１０^-5／℃より大きい場合には−６５０〜−２５０ＭＰａであることが好ましい。
【効果】本発明のＩＴＯスパッタリングターゲットは、ＳｎＯ₂の含有量が５質量％以下であっても割れにくく、銅製のバッキングプレート等にボンディングするときであっても割れを生じにくい。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いて酸化物半導体薄膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し、酸化物半導体薄膜を安定且つ再現性よく得ることができる酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】インジウム及びアルミニウムの酸化物を含有し、原子比Ａｌ／（Ａｌ＋Ｉｎ）が０．０１〜０．０８である酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】還元処理を行わなくても比抵抗が低い、酸化物半導体膜形成用のターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを含み、周囲よりもＩｎの含有量が多い組織と、周囲よりもＧａ及びＺｎの含有量が多い組織を備えている酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】高品質なＣｕ−Ｇａ合金粉末を容易に製造することができるＣｕ−Ｇａ合金粉末の製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金粉末、並びにＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットの製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃｕ粉末とＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合された混合粉末を、不活性雰囲気中で３０〜７００℃の温度で攪拌して合金化することにより、Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を得る。また、このＣｕ−Ｇａ合金粉末を成型し、焼結することにより、Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを得る。 （もっと読む）

【課題】 効率的に高い接合強度で長尺の一体型のターゲットを実現可能な円筒型Ｍｏ合金ターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｍｏ粉末とＭｏ以外の高融点金属粉末とからなる複数の円筒型成形体を端面で接合する円筒型Ｍｏ合金ターゲットの製造方法であって、一方の円筒型成形体の接合端面を５〜８５度のテーパー状に形成し、他方の円筒型成形体の接合端面を前記テーパー状の端面に対して補角となるすり鉢状に形成し、前記円筒型成形体を、前記接合端面同士が当接するように中空の円筒型充填空間を有する金属カプセルに挿入した後、減圧封止し、その後、熱間静水圧プレスを施し、一体型の焼結体を得る円筒型Ｍｏ合金ターゲットの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】耐電力特性が高く、高い成膜速度での成膜が可能なスパッタリングターゲット及び光メディアの製造方法を提供する。
【解決手段】シリカを主成分とするマトリクス、及び、マトリクス中に分散した酸化ビスマス粒子を備えたスパッタリングターゲットで、酸化ビスマス粒子の平均粒径が３〜７μｍとし、シリカと、酸化ビスマスと、の合計に対するシリカのモル分率が、４０〜７０％とする。また、本スパッタリングターゲットにより光メディアの光記録層を成膜する。 （もっと読む）

【課題】高出力密度スパッタリングのために有用な、高屈折率を有する酸化物を含有するスパッタリングターゲット及びこのスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】第一酸化物を含むマトリックス材料、及び金属性成分を含む組成物を有するスパッタリングターゲットであって、高屈折率を有する第一酸化物が、任意の酸化物変態にある、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化バナジウム、酸化イットリウム、酸化モリブデン、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化タングステン及び酸化ハフニウムからなる酸化物の群、又はその混合物から選択される。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＺＯの原料として、酸化インジウム粉末との均一混合性に優れた酸化ガリウム粉末を提供する。
【解決手段】嵩密度（ＡＤ）が０．４０〜０．７０ｇ／ｃｍ³であることを特徴とする酸化ガリウム粉末を提案する。かかる酸化ガリウム粉末は、酸化インジウム粉末との嵩密度の差が小さいため、酸化インジウム粉末などと混合した際に均一に混合させることができ、均質な混合焼結体、例えばスパッタリングターゲットを作製することができる。 （もっと読む）