【課題】ＩＧＺＯなどのスパッタリングターゲット用原料として好適となるように、他の粉体との混合性を高めるために、粉砕した際に凝集粒子が壊れやすい、新たな酸化ガリウム粉末を提供する。
【解決手段】レーザー回折散乱式粒度分布測定法により測定して得られる体積基準粒度分布によるＤ５０（以下、単に「Ｄ５０」とも称する）と比表面積（ＳＳＡ）との積（「Ｄ５０×ＳＳＡ」とも称する）が１５．０×１０^-6〜３０．０×１０^-6ｍ³／ｇの範囲内であることを特徴とする酸化ガリウム粉末を提案する。 （もっと読む）

【課題】 マグネトロンスパッタリング法に用いる透磁率の低減したスパッタリングターゲット材の製造方法の提供。
【解決手段】 スパッタリングターゲット材の粉末を熱間で固化成形し急冷することで、ターゲット材の結晶構造やターゲット組成または温度によらずターゲット材の透磁率の低減方法で、周期律表の８Ａ族の４周期の元素のＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉからなる粉末原料を、あるいは周期律表の８Ａ族の４周期の元素のＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉを主成分とし、これとＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｂ、Ｃ、Ｃｅ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｄｙ、Ｆｅ、Ｇｄ、Ｈｆ、Ｉｎ、Ｌａ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ｓｍ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｙ、ＺｎおよびＺｒから成る元素群から選択した少なくとも主成分以外の１つの元素の粉末原料を熱間で成形し、冷却速度１４４〜３６０００℃／ｈｒで３００℃まで冷却してターゲット材とする。 （もっと読む）

【課題】 高いＰＴＦが得られてスパッタレートの向上を図ることができ、原料粉末の取り扱い時の危険性も排除できる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ｆｅ：３０〜７０原子％を含有し、残部：Ｐｔおよび不可避不純物からなる成分組成を有し、その組織が、純Ｐｔ相とＦｅＰｔ合金相とで構成され、かつＦｅＰｔ合金相が純Ｐｔ相中に局所的に点在し、Ｆｅ濃度が７０原子％以上であるＦｅリッチ領域が、５〜４０面積％の面積率で分散形成されている。 （もっと読む）

【課題】酸化マグネシウム又は酸化ゲルマニウムと酸化ビスマスとを主成分とする光メディアの記録層を高速成膜できる、耐電力特性の高いスパッタリングターゲット及び製造方法を提供する。
【解決手段】酸化マグネシウム又は酸化ゲルマニウムを主成分とするマトリクス、及び、前記マトリクス中に分散した酸化ビスマス粒子を備え、充填率が高い成形法と粒成長抑制効果のある昇温速度と温度で焼成した、酸化ビスマス粒子の平均粒径が０．２〜０．７μｍであるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】パーティクルやノジュールを低減し、量産性を向上した硫化亜鉛−ケイ酸化物を主成分とする相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】硫酸根量（ＳＯ_４）が０．０５〜０．３５ｗｔ％の硫化亜鉛粉とケイ酸化物のメジアン粒径を各Ａμｍ、Ｂμｍとし、ケイ酸化物の混合比をＭｍｏｌ％とし、０．１μｍ＜Ａ＜１０μｍ、０．５μｍ＜Ｂ＜１５μｍ、１５ｍｏｌ％≦Ｍの範囲で、１．４≦Ｂ／Ａを満たし、かつ比表面積が各Ｃｍ^２／ｇ、Ｄｍ^２／ｇであり、ケイ酸化物の混合比をＭｍｏｌ％とし、５ｍ^２／ｇ≦Ｃ≦４０ｍ^２／ｇ、０．５ｍ^２／ｇ≦Ｄ≦１５ｍ^２／ｇ、１５ｍｏｌ％≦Ｍの範囲で、３．５≦Ｃ／Ｄを満たし、さらに粒径Ａ換算比表面積をＥｍ^２／ｇとしたとき１５≦Ｃ／Ｅであり、粒径Ｂ換算比表面積をＦｍ^２／ｇとしたときＤ／Ｆ≦５である硫化亜鉛粉とケイ酸化物粉を均一混合分散した粉体を用いる。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が低く、かつ、光の透過率が高い薄膜を形成することができるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体は、ＺｎＧａ₂Ｏ₄結晶で形成される第１相と、Ｉｎ₂Ｏ₃結晶で形成される第２相とを含み、焼結体の任意の断面における全ての相に対する第１相および第２相の合計の相面積比率が７０％以上１００％以下である。また、本Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体の製造方法は、ＺｎＯ粉末とＧａ₂Ｏ₃粉末とを混合して第１混合物を調製する第１混合工程と、第１混合物を８００℃以上１３００℃以下で仮焼してＺｎＧａ₂Ｏ₄を含む粉末を形成する仮焼工程と、ＺｎＧａ₂Ｏ₄を含む粉末とＩｎ₂Ｏ₃粉末とを混合して第２混合物を調製する第２混合工程と、第２混合物を焼結する焼結工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光メディアの記録信頼性を向上できる、スパッタリングターゲットの製造方法等を提供する。
【解決手段】石英ガラス容器及び石英ガラスボールを備えたボールミル中において石英粒子を粉砕する粉砕工程と、粉砕工程後のボールミル中にさらにＺｎＯ粒子を添加し、粉砕された石英粒子とＺｎＯ粒子とを前記ボールミル中で混合することにより混合物を得る混合工程と、混合物を焼結する工程と、を備える製造方法により得られる、ＳｉＯ_２及びＺｎＯを主成分とする干渉膜２４を有する光メディアスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】ＦｅＲＡＭやＤＲＡＭなどに使用されるＴｉ−Ａｌ−Ｎ膜などの成膜用のＴｉ−Ａｌ合金ターゲットにおいて、不純物量の低減を図った上で、ターゲットの製造歩留りを高めると共に、膜品質の向上などを図る。
【解決手段】スパッタリングターゲットは、Ａｌを５〜５０原子％の範囲で含有するＴｉ−Ａｌ合金からなる。このようなＴｉ−Ａｌ合金ターゲットにおいて、ターゲットのＣｕ含有量を１０ｐｐｍ以下およびＡｇ含有量を１ｐｐｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットとして用いるに好適な、均一かつ微細結晶組織を有する高純度銅加工材を提供する。
【解決手段】Ｃｕ純度９９．９９９９重量％以上の高純度銅からなる鋳塊を、５５０℃以上で熱間鍛造した後急水冷し、次いで、初期温度３５０℃以上で温間鍛造した後急水冷し、次いで、５０％以上の総圧下率で冷間クロス圧延をし、次いで、２００℃以上で歪取焼鈍を行うことにより、平均結晶粒径が２０μm以下であり、かつ、個々の結晶粒についてその粒径分布を測定した場合に、平均結晶粒径の２．５倍を超える粒径の結晶粒が占める面積割合は、全結晶粒面積の１０％未満である均一かつ微細な結晶組織を有する高純度銅加工材。 （もっと読む）

【課題】 高い漏洩磁束密度が得られてスパッタ効率の向上を図ることができる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するターゲットであって、その組織が、少なくともＣｏとＣｒとＰｔとを含む非磁性合金相中に非磁性酸化物が分散した第１相１と、少なくともＣｏを含む強磁性合金相中に非磁性酸化物が分散した第２相２との複合組織からなる。 （もっと読む）

【課題】 高い漏洩磁束密度が得られてスパッタ効率の向上を図ることができる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 非磁性酸化物：０．５〜１５モル％、Ｃｒ：４〜２０モル％、Ｐｔ：５〜２５モル％を含有し、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分組成を有するスパッタリングターゲットであって、その組織が、少なくともＣｏとＣｒとを含む合金相中に非磁性酸化物が分散した第１相１と、少なくともＣｏとＰｔとを含む強磁性合金相中に非磁性酸化物が分散した第２相２との複合組織からなる。 （もっと読む）

【課題】窒化リン酸リチウムを主成分とするものにおいて、リチウムイオン伝導率をより高めた固体電解質及び全固体型リチウム二次電池を提供する。
【解決手段】本発明の全固体型リチウム二次電池２０は、正極２４と、負極２８と、正極２４と負極２８との間に介在する固体電解質２６とを備えている。この固体電解質２６は、リン原子に対するリチウム原子の原子比（Ｌｉ／Ｐ）が３．０以上６．０以下である窒化リン酸リチウムからなり、ＸＰＳスペクトルにおける窒化リン酸リチウムのリン原子のＰ_2p結合のピークが１３４ｅＶ以上１３５ｅＶ以下の範囲に存在する。また、固体電解質２６は、リン酸リチウム及び酸化リチウムの混合粉体をターゲットとして高周波スパッタリング法により作製されていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットの大型化に伴い、ターゲットに大電力が投入されてもスプラッシュを抑制することができる有機ＥＬ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲットを提供することを課題とする。
【解決手段】 Ｉｎ：０．１〜１．５質量％とＣａ：０．００５〜０．０５質量％とを含み、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金ターゲットであって、該合金の結晶粒の平均粒径が１２０〜２５０μｍであり、前記結晶粒の粒径のばらつきが、平均粒径の２０％以下であることを特徴とする、有機ＥＬ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲットである。 （もっと読む）

【課題】高い強度を有するＩＴＯ燒結体、スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のＩＴＯ焼結体は、酸化スズを８〜１２重量％、並びに元素の周期表の２ａ族及び４ａ族元素のうちの少なくとも１種の元素の酸化物を０．００１〜０．１重量％含み、残部が酸化インジウムからなる。このＩＴＯ燒結体からなるターゲット。これらの酸化物を上記量で配合し、成形した後焼成してＩＴＯスパッタリングターゲットを得る。 （もっと読む）

【課題】低配線抵抗と耐ヒロック性に優れた金属配線薄膜の形成に有用であり、さらにスパッタリング時のスプラッシュの発生を抑制することができる、Ｃｕ含有Ａｌ基合金スパッタリングターゲット、およびその製法を提供する。
【解決手段】Ｃｕを０．２５〜１．０質量％含有し、残部Ａｌおよび不可避不純物からなり、平均結晶粒径が１００μｍ以下であり、かつビッカース硬度が２６Ｈｖ以上であることを特徴とするＡｌ基合金スパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】熱間鍛造や熱間圧延後の、冷間鍛造や冷間圧延、及び、その後の熱処理が不要な純銅板の製造方法、及び、その製造方法により得られた微細な組織を有すると共に部分再結晶化によって双晶組織を形成させる事により、高い特殊粒界比率を付与した、特に、スパッタリング用銅ターゲット素材やめっき用アノード等に適した純銅板を提供する。
【解決手段】純度が９９．９６ｗｔ％以上である純銅のインゴットを、５５０℃〜８００℃に加熱して、総圧延率が８５％以上で圧延終了時温度が５００〜７００℃であり、かつ、1パス当たりの圧下率が５〜２４％の仕上げ圧延を1パス以上有する熱間圧延加工を施した後に、必要に応じて圧延終了時温度から２００℃以下の温度になるまで２００〜１０００℃／ｍｉｎの冷却速度にて急冷する。 （もっと読む）

【課題】 長期間使用できるＮｉ合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提
供する。
【解決手段】 平均結晶粒径１０００μｍ以下のＮｉ合金からなるＮｉ合金スパッタリン
グターゲットにおいて、スパッタ面の結晶配向がランダム配向であり、ターゲットの厚さ
方向の中心面の結晶配向のランダム配向であることを特徴とするＮｉ合金スパッタリング
ターゲット。粉末にしてＸ線回折を行ってもピークの順番が変わらないことが好ましい。
また、厚さが３ｍｍ以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットの構成材料として好適な高純度かつ高密度の金属ホウ化物焼結体の製造方法、及び上記性状を有するホウ化ランタン焼結体を提供する。
【解決手段】（ａ）金属炭化物、金属酸化物、金属−ホウ素複合酸化物、ホウ素炭化物及びホウ素酸化物の中から選ばれる少なくとも一種の不純物を含む金属ホウ化物粉末を、大気中にて６００〜８００℃の温度で加熱処理して、前記不純物を酸化する工程、（ｂ）前記（ａ）工程で得られた金属ホウ化物粉末の加熱処理物を無機酸中で処理して酸化した不純物を溶出させ、不純物の除去を行う工程、及び（ｃ）前記（ｂ）工程で得られた金属ホウ化物粉末を加圧焼結する金属ホウ化物焼結体の製造方法、並びにＬａＢ₆を主成分とし、Ｌａ、Ｃ、Ｏ及びＢのうち少なくとも２つ以上の元素から構成されるＬａＢ₆以外の不純物含有量が０．３体積％以下、焼結体相対密度が８８％以上のホウ化ランタン焼結体である。 （もっと読む）

【課題】熱間鍛造や熱間圧延後の、冷間鍛造や冷間圧延、及び、その後の熱処理が不要でシンプルな純銅板の製造方法、及び、その製造方法により得られた微細で均質な残留応力の少ない加工性の良好な、特に、スパッタリング用銅ターゲット素材に適した純銅板を提供する。
【解決手段】純度が９９．９６ｗｔ％以上である純銅のインゴットを、５５０℃〜８００℃に加熱して、総圧延率が８５％以上で圧延終了時温度が５００〜７００℃である熱間圧延加工を施した後に、前記圧延終了時温度から２００℃以下の温度になるまで２００〜１０００℃／ｍｉｎの冷却速度にて急冷する。 （もっと読む）

【課題】 均一な組織を有するＭｏスパッタリングターゲットを提供する。また、このよ
うなＭｏスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】 純度９９．９％以上のＭｏスパッタリングターゲットにおいて、平均結晶
粒径が６０μｍ以下、スパッタ面の平均ビッカース硬度Ｈｖが１５０〜２００でビッカー
ス硬度Ｈｖのばらつきが±１０％以内であることを特徴とする。また、結晶配向をランダ
ム配向とすることも有効である。 （もっと読む）