【課題】熱間鍛造や熱間圧延後の、冷間鍛造や冷間圧延、及び、その後の熱処理が不要でシンプルな純銅板の製造方法、及び、その製造方法により得られた微細で均質な残留応力の少ない加工性の良好な、特に、スパッタリング用銅ターゲット素材に適した純銅板を提供する。
【解決手段】純度が９９．９６ｗｔ％以上である純銅のインゴットを、５５０℃〜８００℃に加熱して、総圧延率が８５％以上で圧延終了時温度が５００〜７００℃である熱間圧延加工を施した後に、前記圧延終了時温度から２００℃以下の温度になるまで２００〜１０００℃／ｍｉｎの冷却速度にて急冷する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕのセルフイオンスパッタ法を適用する場合において、プラズマ状態を安定させて長時間にわたって自己維持放電を持続させることを可能にしたＣｕスパッタリングターゲットが求められている。
【解決手段】高純度Ｃｕからなるスパッタリングターゲットを用い、Ｃｕのセルフイオンスパッタ法によりＣｕ膜を製造するＣｕ膜の製造方法であって、前記高純度ＣｕはＡｇおよびＡｕから選ばれる少なくとも１種の元素を含有し、かつ前記ＡｇおよびＡｕの合計含有量が０．００５〜５００ｐｐｍの範囲であり、前記ＡｇおよびＡｕから選ばれる少なくとも１種の元素の含有量のバラツキがターゲット全体として±３０％以内である。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングの初期段階で発生する問題（スプラッシュの個数の増加や、成膜された薄膜の電気抵抗の上昇）を解消でき、プリスパッタ時間を短縮可能なＡｌ基合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明のＡｌ基合金スパッタリングターゲットは、スパッタ面の算術平均粗さＲａが１．５０μｍ以下、および最大高さＲｚが１０μｍ以下であり、且つ、粗さ曲線における中心線から山頂または谷底までの高さが（０．２５×Ｒｚ）を超えるピーク高さをそれぞれ、ＰまたはＱとし、基準長さ１００ｍｍに亘って、ＰおよびＱを順次カウントしたとき、Ｐと、その直後に現れるＱと、その直後に現れるＰとの間の平均間隔Ｌが０．４ｍｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】 ＤＣスパッタリングでも高抵抗なＺｎＯ膜を作製可能なＺｎＯターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 ＺｎＯターゲットが、ＺｎＯを主成分とし、不可避不純物が０．１質量％以下であり、ＺｎＯ粒子の平均粒径が、１５μｍから１００μｍである。このＺｎＯターゲットの作製方法は、ＺｎＯ粉末を、３．０ｇ／ｃｍ^３以上の密度に成形して成形体とする工程と、成形体を、１２００℃から１５００℃の焼結温度で焼成して焼結体とする工程と、を有している。 （もっと読む）

半導体カルコゲニド膜の堆積のためのスパッタターゲットが記載される。前記スパッタターゲットはターゲット体を含み、前記ターゲット体の組成物はＣｕ_１−ｘ（Ｓｅ_{１−ｙ−ｚ}Ｓ_ｙＴｅ_ｚ）_ｘを含み、ｘは約０．５以上、ｙは約０から１の間、ｚは約０と約１の間及ターゲット体組成物でのＳｅ、Ｓ及びＴｅの合計量がターゲット体組成物の５０体積パーセント未満である。 （もっと読む）

【課題】大面積で均一な薄膜トランジスタパネルの製造が可能なＩｎ−Ｇｎ−Ｚｎ系酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ（インジウム）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｇａ（ガリウム）及びＳｎ（錫）を含有し、Ｓｎ（錫）の原子比が下記式を満たす酸化物焼結体。
０．０１＜Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＜０．１０ （もっと読む）

【課題】Ｇａの含有量がＩｎの含有量に比べ低い領域において、単一の結晶構造を主成分として有するスパッタリングターゲットに使用できる焼結体を提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを０．２８≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）≦０．３８、０．１８≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）≦０．２８の原子比で含む酸化物であって、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）で表されるホモロガス結晶構造を有する化合物を主成分とする酸化物からなる焼結体。 （もっと読む）

【課題】欠陥の少ないかつ結晶粒サイズを制御した低コストでスパッタリング時のスプラッシュ等の不具合の発生のないアルミニウム製のスパッタリングターゲット材を提供する。また、このようなスパッタリングターゲット材用アルミニウム材を、既存の設備を使用して大規模サイズの一枚物として製造できるスパッタリングターゲット材用アルミニウム材の製造方法、及びスパッタリングターゲット材用アルミニウム材を提供する。
【解決手段】Fe、Siをそれぞれ0.001〜0.01質量％、Cuを0.0001〜0.01質量％含有するアルミニウム鋳造インゴットを熱間加工するに際し、熱間加工の中の少なくとも1回の加工を、加工率（R）が温度（T）の関数としてR（％）≧−0.1×T＋80（300℃≦T≦500℃）で示される条件で行うことによりスパッタリングターゲット材用アルミニウム材を製造する。 （もっと読む）

【課題】強度の高い酸化インジウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）の酸化物を含有する焼結体の製造において、製造に用いるＺｎＯ粉末の出発原料又は解砕後の最大粒径を３μｍ以下に抑えることにより、焼結体中の結晶のグレインサイズを均一化とし、結晶のグレインサイズの短径を３μｍ〜５μｍ、長径を５μｍ〜１０μｍである焼結体。 （もっと読む）

【課題】 ＺｒＳ系薄膜よりも短波長のレーザー光に対する屈折率が高く、耐熱衝撃性に優れ、かつ熱に対して高い安定性を有するとともに、直流スパッタリング等の効率の良いデポジション法によって成膜することが可能な薄膜を提供する。
【解決手段】酸化チタン系薄膜は、酸化チタンを主成分とし、副成分として酸化ニオブを含有してなり、４００ｎｍの波長光に対する屈折率が２．５以上であり、かつ非晶質構造を有する。この酸化チタン系薄膜は、例えば光記録媒体に用いられる。 （もっと読む）

【課題】従来の皮膜よりも耐酸化性および耐摩耗性に優れた硬質皮膜を提供する。
【解決手段】（Ａｌ_ａ，Ｍ_ｂ，Ｃｒ_{１−ａ−ｂ}）（Ｃ_１−ｅＮ_ｅ）からなる硬質皮膜（但し、ＭはＷ及び／又はＭｏ）であって、
０．２５≦ａ≦０．６５、
０．０５≦ｂ≦０．３５、
０．５≦ｅ≦１
（ａ，ｂ，ｅはそれぞれＡｌ，Ｍ，Ｎの原子比を示す。）
であることを特徴とする硬質皮膜。 （もっと読む）

【課題】高品質な焼結体を安価に製造することができるＩＴＯ焼結体の製造方法及びＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るＩＴＯ焼結体の製造方法は、酸化インジウム及び酸化スズを主成分とする焼結片群を容器内で撹拌しながら破砕することで、第１の平均粒子径を有する第１のＩＴＯ粉末を作製する工程を含む。上記第１のＩＴＯ粉末を媒体撹拌ミル又はジェットミルによって破砕することで、上記第１の平均粒子径よりも小さい第２の平均粒子径を有する第２のＩＴＯ粉末が作製される。上記第２のＩＴＯ粉末に酸化インジウム粉末及び酸化スズ粉末を混合し、その混合粉末を粉砕することで、上記第２の平均粒子径よりも小さい第３の平均粒子径を有する第３のＩＴＯ粉末が作製される。上記第３のＩＴＯ粉末を含むスラリーを型に鋳込むことで成形体が作製された後、焼結される。 （もっと読む）

【課題】円筒形基材と円筒形ターゲット材とを接合材を用いて接合する際に、空気を取り込むことなく均一な接合層を形成することができ、割れ、剥離を著しく低減することができる円筒形スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス焼結体から成る円筒形ターゲット材と円筒形基材とを接合材を用いて接合し、円筒形スパッタリングターゲットを製造する方法において、円筒形ターゲット材内側面および円筒形基材外側面によって形成される空間に接合材を充填する際、テーパ形状を有するアダプタを円筒形ターゲット材の上端部に設置し、それを介して接合材を注入し充填する。 （もっと読む）

【課題】量産時の連続スパッタリング工程においても、非エロージョン部に堆積した付着膜がターゲット表面から剥がれにくく、ノジュールやアーキングの生じにくい焼結体ターゲットの提供。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とした薄膜製造用焼結体ターゲットにおいて、ベースとなる焼結体ターゲットのスパッタ面に、ｃ軸配向した酸化亜鉛を主成分とした薄膜が膜厚２０ｎｍ以上のシード膜として形成されていることを特徴とする薄膜製造用焼結体ターゲット；酸化亜鉛を主成分とした薄膜製造用焼結体ターゲットの製造方法において、ベースとなる焼結体ターゲットのスパッタ面に、組成が、該焼結体ターゲットの組成と実質的に同じであるシード膜形成用ターゲットを用いて、スパッタリング法で、ｃ軸配向した酸化亜鉛を主成分としたシード膜を２０ｎｍ以上の厚さに成膜することを特徴とする薄膜製造用焼結体ターゲットの製造方法などによって提供。 （もっと読む）

本発明は、酸化スズを主要構成要素として有し、１種類が酸化アンチモンである少なくとも２種類の別の酸化物０．５から１５ｗｔ％を有するセラミック体を含むスパッタリングターゲットを記述する。ターゲットは、理論密度（ＴＤ）の少なくとも９０％、好ましくは少なくとも９５％の密度を有し、５０Ω・ｃｍ未満の電気抵抗率を有する。ターゲットは、平面または回転構造を有し、スパッタリング面積が少なくとも１０ｃｍ^２、好ましくは少なくとも２０ｃｍ^２である。このスパッタリングターゲットを製造するプロセスであって、酸化スズと少なくとも２種類の別の酸化物とを含むスラリーを用意するステップ、スラリーから未焼成体を成形し、未焼成体を乾燥させるステップ、未焼成体を１０５０から１２５０℃の温度で焼成し、それによって予備成形ターゲットを得るステップ、および予備成形ターゲットを粉砕してその最終寸法にするステップを含むプロセスも記述する。 （もっと読む）

【課題】高い反射率を有すると共に、自動車用灯具などのように加熱と冷却を繰返し受ける環境下に曝して結露が生じても反射率が低下し難い、耐温水性に優れたＡｌ合金反射膜を提供する。
【解決手段】本発明のＡｌ合金反射膜は、Ｇｄ，Ｌａ，Ｙ，Ｓｃ，Ｔｂ，Ｌｕ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｃｅ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，及びＴｍよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を合計で２．５〜６原子％と、Ｃｒ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ｓｉ，Ｍｏ，Ｖ，Ｆｅ，及びＢｅよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を合計で１５原子％以下（０％は含まない）とを含有し、残部がＡｌ及び不可避不純物であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】比較的価格の安いアルミを主成分としかつ希土類金属を使用しない、表面平滑性に優れた光メディアの反射層用スパッタリングターゲット、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】光メディアの反射層用スパッタリングターゲットは、Ａｌを主成分とし、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を１〜１０ａｔ％、及び、Ａｇを０．１〜１０ａｔ％含む。光メディアの反射層用スパッタリングターゲットの製造方法は、Ａｌを主成分とし、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を１〜１０ａｔ％、及び、Ａｇを０．１〜１０ａｔ％含む組成を有する原料粉体を焼成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】ホウ化ランタンにより高密度のターゲットを製造する。
【解決手段】ホウ化ランタン粉と、不活性ガス中の熱重量分析によって、５００℃に到達した時点における重量減少率が９５重量％未満であるバインダと、有機溶媒とを混合して、ホウ化ランタン濃度が３０〜７５重量％のスラリーを調整し、このスラリーを噴霧乾燥した後、その乾燥粉を４５〜２５０μｍに分級することにより混合造粒粉とし、その混合造粒粉を真空中でホットプレスすることにより焼結体を得る。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法により成膜された場合に純Ａｌ膜よりも高い反射率を有すると共に、優れた耐アルカリ性、耐酸性および耐湿性を有し、これにより、保護被膜なしでも反射率低下が起り難いＡｌ合金反射膜、このようなＡｌ合金反射膜を有する反射膜積層体、及び、自動車用灯具、照明具、ならびに、このようなＡｌ合金反射膜を形成することができるＡｌ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】(1) Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｌｕの１種以上の元素を合計で０．４〜２．５ａｔ％含有し、残部がＡｌおよび不可避的不純物からなり、原子間力顕微鏡で測定した膜表面の粗さが４ｎｍ以下であることを特徴とするＡｌ合金反射膜、(2) この反射膜を有している自動車用灯具、照明具、 (3) この反射膜を形成するためのＡｌ合金スパッタリングターゲット等。 （もっと読む）

本発明は、反応副生物として生じる塩によって被覆された金属粒子を生成するためにハロゲン化金属、またはハロゲン化金属の混合物の液相還元を使用する、金属粉末または合金粉末の製造方法を対象とする。反応条件を選定することにより、様々な金属粒子サイズを選択でき、塩皮膜により、酸化（または大気中の他のガスとの反応）が防止され、金属粉末を使用して実現するのが従来は難しかった様々な用途が可能になる。 （もっと読む）