【課題】大規模なターゲットを製造するため、相対密度が大きい圧粉体を生じるスリップキャスト成形のための型を提供する。
【解決手段】スリップキャスト成形のための型は、底面板１０、不透水性の側壁２０、および、成型スペース３０を有する。底面板１０は、水を吸収する多孔性材料でできている。不透水性の側壁２０は、底面板１０に取り付けられる。成型スペースは、底面板１０および不透水性の側壁２０によって定められる。型は、底面板１０によって水を吸収するのみである。すべてのスラリーは、乾燥の間型に連続的に注入されるよりはむしろ型に注入される大きさである。したがって、型において形成される圧粉体は均一であり、高い相対密度を有する。圧粉体は、亀裂または変形を引き起こさずに焼結されることができるので、大きいサイズのスパッタリングターゲットの製造に適している。 （もっと読む）

【課題】透明性及びガスバリア性に優れた薄膜の形成に好適な蒸着材及び該薄膜を備える薄膜シート並びに積層シートを提供する。
【解決手段】ＺｎＯ粉末のＺｎＯ純度が９８％以上であり、ＣｅＯ₂粉末のＣｅＯ₂純度が９８％以上であり、蒸着材がＺｎＯ粒子とＣｅＯ₂粒子を含有するペレットからなり、蒸着材に含まれるＣｅＯ₂粒子の平均粒径が０．０５〜５μｍであり、蒸着材中のＣｅ元素の含有量が２０質量％を超え８０質量％以下であることを特徴とする。薄膜シートは、第１基材フィルム上にＺｎ元素とＣｅ元素を含む薄膜を形成してなり、薄膜中のＣｅ元素の含有量が２０質量％を超え８０質量％以下である。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体の軟磁性層として用いられる、アモルファス薄膜を作製するための、高ＰＴＦ値を示すスパッタリングターゲット材とこれに使用する低飽和磁束密度原料粉末を提供する。
【解決手段】 Ｆｅ，Ｎｉ，Ｚｒを含む軟磁性薄膜を製造するための、粉末を固化成形したスパッタリングターゲット材おいて、原料粉末としてａｔ％で、Ｃｏ：≦６％、Ｚｒ：１〜２０％に、Ｈｆ：≦２０％、Ｎｂ：≦２０％、Ｔａ：≦２０％を含有し、残部がＦｅ，Ｎｉおよび不可避的不純物からなり、かつ、下記式を満たす原料粉末およびこれを形成したことを特徴とするスパッタリングターゲット材。（ただし、Ｃｏ、Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａは０％を含む）
０．２５≦［Ｎｉ％／（Ｆｅ％＋Ｎｉ％）］−０．０１１×（Ｚｒ％＋Ｈｆ％＋Ｎｂ％＋Ｔａ％）≦０．３５ … （１）
Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｎｂ＋Ｔａ≦２０％ … （２） （もっと読む）

【課題】少なくともＡｌ／Ｃｒ比に関して調節可能な均質または変更可能な層組成を有しかつ少なくとも特定の用途においては従来公知の層を設けた工作物よりも高い耐摩耗性を有する工作物を提供する。
【解決手段】工作物あるいは部品であって、組成（Ａｌ_yＣｒ_1-y）Ｘの少なくとも１層を含む層システムを有し、Ｘ＝Ｎ、Ｃ、Ｂ、ＣＮ、ＢＮ、ＣＢＮ、ＮＯ、ＣＯ、ＢＯ、ＣＮＯ、ＢＮＯまたはＣＢＮＯでありかつ０．２≦ｙ＜０．７であり、上記層中の層組成は、実質的に一定であるか、または層厚にわたって連続的あるいは段階的に変化する。 （もっと読む）

【課題】膜の成分組成の均一性（膜均一性）に優れたＣｕ−Ｇａスパッタリング膜を形成でき、かつ、スパッタリング中のアーキング発生を低減できると共に、強度が高くスパッタリング中の割れを抑制できるＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｇａを含むＣｕ基合金からなるスパッタリングターゲットであって、その平均結晶粒径が１０μｍ以下であり、かつ気孔率が０．１％以下であることを特徴とするＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタリング時の漏洩磁束量を従来よりも増加させる。
【解決手段】解決手段の第１態様は、Ｃｏを有するマグネトロンスパッタリング用ターゲットであって、Ｃｏを含む磁性相１２と、Ｃｏを含む非磁性相１６と、酸化物相１４と、を有し、該磁性相１２と該非磁性相１６と該酸化物相１４とが互いに分散しており、該磁性相１２はＣｏおよびＣｒを主成分として含み、該磁性相１２におけるＣｏの含有割合は、７６ａｔ％以上８０ａｔ％以下である。解決手段の第２態様は、Ｃｏを有するマグネトロンスパッタリング用ターゲットであって、Ｃｏを含む磁性相１２と、Ｃｏを含む非磁性相１６と、を有し、該磁性相１２と該非磁性相１６とが互いに分散しており、該非磁性相１６はＰｔを主成分として含むＰｔ−Ｃｏ合金相であり、該Ｐｔ−Ｃｏ合金相におけるＣｏの含有割合は、０ａｔ％より大きく１３ａｔ％以下である。 （もっと読む）

【課題】酸化錫の含有量が３．５質量％以下と低濃度であるにも拘わらず割れによる収率の低下が起こり難いＩＴＯスパッタリングターゲットとその製造方法を提供すること。
【解決手段】このＩＴＯスパッタリングターゲット（焼結体）は、酸化インジウムに対する酸化錫の含有量が質量比で０％以上１％以下である第一造粒粉と、酸化錫の含有量が質量比で３％以上６％以下である第二造粒粉を用いて製造され、酸化インジウムに対する酸化錫の含有量が質量比で１．５％以上３．５％以下、焼結体の相対密度が９８％以上、焼結体の結晶相が単相で、平均結晶粒径が１０μｍ以下であり、焼結体の表面部における最大結晶粒径に対する焼結体の厚み方向における中心部の最大結晶粒径の比が０．５〜１かつ焼結体の曲げ強度が７０ＭＰａ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 大型基板に高品質のセラミックス薄膜をスパッタ形成するための大型のターゲットを提供する。
【解決手段】 材料粉末Ｐをプレス成形により板状に圧縮成形して、プレス成形体１１を形成するプレス成形工程と、複数のプレス成形体１１を互いに接触させて板状に並べ、これらプレス成形体１１を冷間等方圧加圧により圧縮して一体に接合し、プレス成形体１１よりも大面積の板状のＣＩＰ接合体１３を形成するＣＩＰ工程と、ＣＩＰ接合体１３を焼成して、板状の焼成体１４を形成する焼成工程とを有するターゲットの製造方法。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つのモリブデン系化合物を含む公称厚さのターゲットであって、ラメラ微細構造、１０００ｐｐｍ未満、好ましくは６００ｐｐｍ未満、特に好ましくは４５０ｐｐｍ未満の酸素量、及び前記化合物の理論電気抵抗率の５倍未満、好ましくは３倍未満、特に好ましくは２倍未満の電気抵抗率を有することを特徴とするターゲットに関する。 （もっと読む）

【課題】スパッタ時に発生するパーティクル（発塵）やノジュールを低減し、品質のばらつきが少なく量産性の向上可能なＺｎＳを主成分とするスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】ターゲットの結晶粒が微細であり、密度が９７％以上、さらには９９％以上の高密度を備えた、アルカリ金属０．５〜１０ｗｔｐｐｍを含有する焼結性に優れたスパッタリングターゲット用ＺｎＳ粉末を主成分とする粉末を焼結して形成されたスパッタリングターゲットで、アルカリ金属はＮａ又はＫである。 （もっと読む）

本発明は、耐火金属、抵抗性酸化物及び揮発性酸化物から選択される少なくとも１つの化合物を含むターゲットを、溶射、特にはプラズマ溶射によって製造するための方法に関する。当該方法は、粉末組成物の形態の前記化合物の少なくとも一部が、制御された雰囲気中で溶射によって前記ターゲットの表面の少なくとも一部に噴射され、及びその構築の際に前記ターゲットに向けられる強力な極低温の冷却ジェットが使用されることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】ハフニウム中に含まれるジルコニウムの含有量を低減させた高純度ハフニウム、同ハフニウムからなるターゲット及び薄膜並びに高純度ハフニウムの製造方法に関し、効率的かつ安定した製造技術及びそれによって得られた高純度ハフニウム、同ハフニウムからなるターゲット及び薄膜を提供する。
【解決手段】ジルコニウム含有量が１〜１０００ｗｔｐｐｍ、酸素５００ｗｔｐｐｍ以下、窒素及び炭素がそれぞれ１００ｗｔｐｐｍ以下、鉄、クロム、ニッケルがそれぞれ１０ｗｔｐｐｍ以下であり、かつ純度が炭素、酸素、窒素等のガス成分を除き４Ｎ〜６Ｎであることを特徴とする高純度ハフニウム。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、素子を構成する材料の高純度化と均質性によって回路の微小化を可能とするための、高純度バナジウム、高純度バナジウムからなるターゲット、高純度バナジウム薄膜、及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】α放射を生ずるＵの同位体元素とＴｈの同位体元素の不純物含有量が、それぞれ１ｗｔｐｐｂ未満であり、さらにＰｂ及びＢｉの同位体元素の不純物含有量を、それぞれ１ｐｐｍ未満、０．１ｐｐｍ未満とし、バナジウムの純度が９９．９９ｗｔ％以上とする。粗バナジウム原料を、溶融塩電解してカソード側に電析バナジウムを得、次にこれを電子ビーム溶解し、得られたインゴットを鍛造・圧延してスパッタリング用ターゲットとする。 （もっと読む）

【課題】半導体LSI、磁気記録媒体、平面型ディスプレイ、携帯電話などの発達に伴い使
用済みの薄膜材料形成用白金族元素含有スパッタリングターゲットが大量に生じている。元来は高純度のターゲット材を、効率よく、簡単で、低コストな手法で再生させる技術の開発が求められている。
【解決手段】高純度廃却白金族元素含有ターゲット材を出発原料とし、溶融塩中で塩素化せしめ、次に生成した金属塩化物を選択的に還元処理することで、高融点金属や貴金属の粉末を高純度の状態で得る。得られた金属粉末は、それを使用してスパッタリングターゲット材製造に使用される。 （もっと読む）

【課題】改良された物理的構造を有するスパッタリング・ターゲット及びそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】アルミニウム及び少なくとも１種の他の金属粉末を混合して粉末ブレンドを形成すること、前記粉末ブレンドを大きな力の下で圧縮して、理論密度の少なくとも５０％の充填密度を有する圧縮されたブランクを得ること、使用される条件下においてブランク中に平均２５％より多い金属間相を形成すると思われる温度未満の温度においてブランクを加熱すること、ブランクを圧延してブランクの理論厚さの少なくとも９５％を得ること、及びブランクを適当な基材に接合することを含む、スパッタリング・ターゲットを製造する方法が提供される。この方法から製造されたスパッタリング・ターゲットも提供される。 （もっと読む）

【課題】発光膜中のＯ含有量を十分に低減することができるＥＬ素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】ＥＬ素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法が、少なくとも、２価金属の硫化物と、３価金属と、発光中心元素の硫化物とを混合して混合物を得る混合工程と、該混合物を成形して成形物を得る成形工程と、該成形物を焼結してＥＬ素子製造用スパッタリングターゲットを得る焼結工程とを含むと、上記課題を解決することができる。 （もっと読む）

【課題】形成された物理蒸着薄膜にマクロおよびミクロな偏析の生じない銅−ガリウム合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】７１原子％ないし７８原子％のＣｕと２２原子％ないし２９原子％のＧａからなり、その金属ミクロ組織中に２５％以下の化合物相を有する銅−ガリウム合金スパッタリングターゲットを、原料ターゲットに５００℃ないし８５０℃の温度範囲での少なくとも１回の熱を伴う機械的な処理、０．５ないし５時間の焼なまし処理、またはそれらを組み合わせた処理を施す工程。 （もっと読む）

bcc金属またはbcc金属合金からスパッターターゲットを製造する方法。当該インゴットは、電子ビーム溶解され、真空アーク再溶解される。次に、当該インゴットを三軸鍛造し、当該三軸鍛造ステップ中、当該インゴットの中心線が当該インゴットの中心に保たれる。次に、当該インゴットを真空焼鈍して、クロックローリングする。このクロックローリング中、当該インゴットの中心線は、当該インゴットの中心に保たれ、かつ当該クロックローリング時に使用される圧縮力に垂直である。次に、クロックローリングされたインゴットは、真空焼鈍され、スパッターターゲットとしての使用のためのニアネットシェイプとされる。少なくとも99.5%の純度と約25 ppmよりも小の格子間不純物(CONH)濃度とを有するタンタルターゲット材料を開示する。本発明によるタンタルターゲットは、約50〜100μmの結晶粒径と厚さの中心に向かって割合に大きな%{111}勾配を有する{100}/{111}混合集合組織とを有する。 （もっと読む）

一つの例の実施形態において、半導体性のカルコゲニドのフィルムを堆積させるためのスパッターのターゲットの構造は、記載される。スパッターのターゲットは、少なくともおおよそ２Ｎ７のカルコゲニドの合金の純度、個々に酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、及び水素（Ｈ）について５００ｐｐｍと比べてより少ない気体の不純物、並びに、５００ｐｐｍと比べてより少ない炭素（Ｃ）の不純物を有する少なくとも一つのカルコゲニドの合金を備えるターゲットの本体を含む。特定の実施形態において、少なくとも一つのカルコゲニドの合金のカルコゲニドは、ターゲットの本体の組成物の少なくとも２０原子パーセントを備えると共に、カルコゲニドの合金は、カルコゲニドの合金についての理論的な密度の少なくとも９５％の密度を有する。
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【課題】比較的価格の安いアルミを主成分としかつ希土類金属を使用しない、表面平滑性に優れた光メディア用スパッタリングターゲット、その製造方法、及び、光メディア及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】Ａｌを主成分とし、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を１〜１０ａｔ％、及び、Ａｇを０．１〜１０ａｔ％含む光メディア用スパッタリングターゲットである。基板１０と、Ａｌを主成分とし、Ｔａ及びＮｂからなる群より選択される１又は２種の元素を１〜１０ａｔ％、及び、Ａｇを０．１〜１０ａｔ％含む組成を有し基板１０上に設けられた反射層２０Ａ，２０Ｂと、を備える光メディア１００である。 （もっと読む）