説明

Fターム[4K029DC08]の内容

物理蒸着 (93,067) | スパッタリング装置 (13,207) | ターゲット (7,009) | 製造法 (1,638) | 溶解、鋳造 (318)

Fターム[4K029DC08]に分類される特許

1 - 20 / 318



【課題】 酸素、水蒸気およびアウトガスを透過しにくいガスバリア性に優れたフィルム部材、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 フィルム部材は、樹脂フィルムからなる基材と、該基材の表裏少なくとも一方側に配置される酸窒化アルミニウム(AlON)膜と、を有し、該酸窒化アルミニウム膜の組成は、Al:39〜55at%、O:7〜60at%、N:1〜50at%である。当該フィルム部材の製造方法は、スパッタ成膜装置1のチャンバー8内に、基材20をアルミニウム製のターゲット30に対向するように配置し、チャンバー8内を所定の真空度に保持する減圧工程と、チャンバー8内に、窒素を含む原料ガスとキャリアガスとを導入し、所定の真空度で、チャンバー8内の窒素ガス圧に対する酸素ガス圧の比率が20%以下の雰囲気において、基材20の成膜面に酸窒化アルミニウム膜を形成する成膜工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】 スパッタ法により良好にNa添加されたCu−In−Ga−Seからなる膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Cu,In,GaおよびSeを含有し、さらに、NaF化合物、NaS化合物、又はNaSe化合物の少なくとも1種の状態でNaが、Na/(Cu+In+Ga+Se+Na)×100:0.05〜5原子%の割合で含有され、酸素濃度が、200〜2000重量ppmであり、残部が不可避不純物からなる成分組成を有する。 (もっと読む)


【課題】 機械加工性に優れ、主としてCu,Gaを含有する化合物膜が成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のスパッタリングターゲットは、スパッタリングターゲット中の全金属元素に対し、Ga:15〜40原子%を含有し、さらに、Bi:0.1〜5原子%を含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる成分組成を有する。このスパッタリングターゲットの製造方法は、少なくともCu,GaおよびBiの各元素を単体またはこれらのうち2種以上の元素を含む合金を1050℃以上に溶解し、鋳塊を作製する工程を有する。または、少なくともCu,GaおよびBiの各元素を単体またはこれらのうち2種以上の元素を含む合金の粉末とした原料粉末を作製する工程と、原料粉末を真空、不活性雰囲気または還元性雰囲気で熱間加工する工程を有している。 (もっと読む)


【課題】 切断加工時などにおけるひび割れの発生を抑制することができるCu−Ga合金スラブ、および、このようなCu−Ga合金スラブを用いて作製されたスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 Cu−Ga合金スラブは、Cu−Ga合金よりも融点の高い高融点金属を、原子百分率で1at%以下含有する。このCu−Ga合金スラブを用いて、スパッタリングターゲットを作製する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、ドープされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品及びドープされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品の作製プロセスを提供する。
【解決手段】 ドープされた金属酸化物誘電体材料及びこの材料で作られた電子部品が明らかにされている。金属酸化物はIII族又はV族金属酸化物(たとえば、Al、Y、TaまたはV)で、金属ドーパントはIV族元素(Zr、Si、TiおよびHf)である。金属酸化物は約0.1重量パーセントないし約30重量パーセントのドーパントを含む。本発明のドープされた金属酸化物誘電体は、多くの異なる電子部品及びデバイス中で用いられる。たとえば、ドープされた金属酸化物誘電体は、MOSデバイスのゲート誘電体として用いられる。ドープされた金属酸化物誘電体はまた、フラッシュメモリデバイスのポリ間誘電体材料としても用いられる。 (もっと読む)


【課題】ITO膜と引き回し配線との密着性に優れた透明導電フィルムを提供する。信頼性の高いタッチパネルを提供する。
【解決手段】透明導電膜(II)4と直接接続する金属配線(III)5を有するフィルムであって、前記金属配線(III)5が、金属配線5中の金属全体を100重量%としたとき、Niを30重量%以上、80重量%未満、Cuを20〜50重量%含む透明導電フィルム1。前記透明導電膜(II)4が結晶性ITOにより形成されていることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 Cu−Ga合金からなるCu−Ga合金スラブを溶解鋳造により作製するための鋳造装置において、大型のCu−Ga合金スラブを、ひび割れ発生を充分に抑制して製造することができる鋳造装置を提供する。
【解決手段】 鋳造装置100は、坩堝1と鋳型2との間に貯留槽3を備える。貯留槽3は、坩堝1の下方に配置され、坩堝1の出湯開口12から出湯された溶湯を一時的に貯留する。この貯留槽3は、坩堝1の出湯開口12から出湯された溶湯が流入する流入開口32と、該流入開口32よりも下方に設けられ、流入開口32から流入して貯留される溶湯を、溢流させて排出可能な排出開口33とが設けられている。 (もっと読む)


【課題】成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜効率を向上させ、ターゲットの使用効率を向上させること。
【解決手段】真空容器2内に載置されたウエハ10に対向するようにターゲット31を配置し、このターゲット31の背面側にマグネット配列体5を設ける。このマグネット配列体5は、マグネット61,62がマトリックス状に配列された内側マグネット群54と、この内側マグネット群54の周囲に設けられ、電子の飛び出しを阻止するリターン用のマグネット53とを備えている。これによりターゲット31の直下にカスプ磁界による電子のドリフトに基づいて高密度のプラズマが発生し、またエロージョンの面内均一性が高くなる。このためターゲット31とウエハ10とを接近させてスパッタを行うことができ、成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜効率を向上させることができる上、ターゲットの使用効率が高くなる。 (もっと読む)


【課題】亀裂がなく、かつ、抵抗が低いタングステン遮光膜を得ることが可能なタングステン遮光膜の製造方法およびタングステン遮光膜を提供する。
【解決手段】本発明のタングステン遮光膜の製造方法は、基板11の一面11aに窒化タングステン膜を成膜する成膜工程と、窒化タングステン膜が形成された基板11を熱処理する熱処理工程と、を少なくとも備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】太陽電池に用いられるCu−Ga合金スパッタリングターゲットにおいて、従来問題になっていたスパッタリング時の放電やスパッタ膜の濃度分布不均一性という問題を解決する品質の高いCu−Ga合金スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るCu−Ga合金スパッタリングターゲットは、Ga濃度が、27.4重量%以上32重量%以下であり、不可避的空隙を含み、残部がCuからなるスパッタリングターゲットであり、凝固方向と平行な面において、不可避的空隙のうち50μm以上の空隙の面積率が、0.05%以下である。 (もっと読む)


【課題】 低抵抗かつ高反射率の特性と共に表面粗さが小さく、高い耐硫化性及び耐塩化性を兼ね備えた導電性膜およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 導電性膜が、InおよびSnのうち1種または2種を合計で:0.1〜1.5原子%、Sb:0.1〜1.5原子%を含有し、さらにGa,Mgの内の1種または2種を合計で0.5〜3原子%を含有し、残部がAgおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成されている。この導電性膜は、表面に有機EL素子の透明導電膜が積層され、さらにその上に有機EL層を含む電界発光層が積層される有機EL素子用の反射電極膜として好適である。 (もっと読む)


【課題】低抵抗であると共に耐塩化性及び耐熱性に優れた導電体膜およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】導電体膜3が、Mgを、0.5〜2質量%含有し、さらにEuを、0.05〜1質量%含有し、残部がAgおよび不可避不純物からなる成分組成の銀合金で構成されている。この導電体膜3の製造方法は、Mgを、0.5〜2質量%含有し、さらにEuを、0.05〜1質量%含有し、残部がAgおよび不可避不純物からなる成分組成の銀合金で構成されているスパッタリングターゲットを用いてスパッタにより成膜する。 (もっと読む)


【課題】円筒形状のCu−Ga合金からなる高品質で量産が可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】溶解容器5内のCuとGaを加熱手段で溶解して溶湯Mを形成し、前記溶解容器の底部に形成された円環状の開口7を開閉自在に覆うことができる引下部材6を所定の速度で引き下げることにより、前記開口を開放すると共に前記溶解容器内の前記溶湯を凝固させながら連続的に円筒形状のスパッタリングターゲットとなる凝固材を抜き出すに際して、前記溶解容器内の前記開口付近の前記溶湯を流動可能な半凝固状態とし、且つ前記溶解容器の前記開口から外部に出た直後に流動性のない凝固状態となるように、前記加熱手段によって温度制御を行う。 (もっと読む)


【課題】 本発明により、室温で低いBsを示すとともに、高温においてBsの低下幅が小さい垂直磁気記録媒体用軟磁性合金およびこの合金の薄膜を作製するためのスパッタリングターゲット材を提供できる。
【解決手段】 at%で、Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Ni,Cu,Al,B,C,Si,P,Zn,Ga,Ge,Snを1種以上、残部Co、Feおよび不可避的不純物からなり、下記の式(1)〜(3)を全て満たすことを特徴とした垂直磁気記録媒体における軟磁性薄膜層用合金およびスパッタリングターゲット材。(1)0≦Fe%/(Fe%+Co%)≦0.5
(2)5≦Ti%+Zr%+Hf%+V%+Nb%+Ta%+B%/2
(3)0.3≦0.813×Fe%/(Fe%+Co%)−0.062×TNM+1.751≦1.2 (もっと読む)


【課題】高いバリア性を有するCu−Mn合金膜を形成する。
【解決手段】半導体素子の配線の形成に用いられるCu−Mn合金スパッタリングターゲット材10であって、濃度が8原子%以上30原子%以下のMnと、不可避的不純物とを含むCu−Mn合金からなり、Cu−Mn合金の平均結晶粒径が10μm以上50μm以下である。 (もっと読む)


【課題】化合物半導体による薄膜太陽電池の光吸収層の成膜工程において、スパッタリングの成膜速度(スパッタ速度)を上げ、生産性を向上させることができるインジウムメタルターゲット及び同ターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】溶解鋳造後に、圧延回数を5回以上として冷間圧延されてできたインジウムメタルターゲット。インジウムメタル原料を溶解鋳造してインジウムメタルインゴット又はスラブを作製した後、該インゴット又はスラブを薄板状に冷間圧延してターゲットとするインジウムメタルターゲットの製造方法であって、圧延回数が5回以上であるインジウムメタルターゲットの製造方法。 (もっと読む)


【課題】チタンまたはチタン合金製の摺動部品の表面に設けられるDLC膜の密着性を向上させ、優れた耐衝撃性を実現する。
【解決手段】本発明による内燃機関用摺動部品は、チタンまたはチタン合金から形成された部品本体1aと、部品本体1aの表面に形成された表面硬化層1bと、表面硬化層1b上に設けられたダイヤモンドライクカーボン膜3と、表面硬化層1bとダイヤモンドライクカーボン膜3との間に設けられたチタン層2とを有する。表面硬化層1bは、チタン酸化物層である。 (もっと読む)


【課題】単純な装置構成を用いて適宜に加熱処理等を施すことにより、両面に真空成膜が施された積層体を効率的に製造できる成膜方法を提供すること等。
【解決手段】ロール状に巻かれた長尺の基体を第1の面を被成膜面として第1ロール室から第2ロール室へ向う方向に第1ロール室から繰り出し、繰り出された基体を脱ガスし、脱ガスされた基体の第1の面に第1成膜室において第1の膜材料を成膜し、第1の膜材料の上に第2成膜室において第2の膜材料を成膜し、膜材料が積層された基体を第2ロール室でロール状に巻取り、巻き取った基体を第1の面とは反対側の第2の面を被成膜面として方向に第1ロール室から繰り出し、上記全ての処理を繰り返す。 (もっと読む)


【課題】 膜の良好な平坦性および耐紫外線性を有すると共に酸化による反射率の低下を防ぐことができる光記録媒体の反射膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびこのターゲットを用いて成膜した光記録媒体の反射膜を提供する。
【解決手段】 反射膜形成用銀合金スパッタリングターゲットが、In:0.5〜10質量%およびZn:0.5〜10質量%を含有し、残部がAgおよび不可避不純物からなる組成の銀合金からなる。または、In:0.5〜10質量%、Zn:0.5〜10質量%およびCu:0.5〜2質量%を含有し、残部がAgおよび不可避不純物からなる組成の銀合金からなる。 (もっと読む)


1 - 20 / 318