【課題】スパッタリング時に異常放電によりスプラッシュが発生することを抑制または低減することができるスパッタリングターゲットの製造方法、および該製造方法によって得られるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】正面フライス１００を軸線Ｌまわりに回転させながら、軸線Ｌに直交する走査方向に走査させて切削加工を行うことで、スパッタリングターゲットのスパッタリング面５１を仕上げ加工する。正面フライス１００には、スローアウェイチップ（インサート）３として、第１チップ３１と第２チップ３２とが設けられる。第１チップ３１は、円弧状の切り刃を有する。第２チップ３２は、直線状の切り刃を有する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットに局所的な侵食が発生することが抑制できてターゲットの利用効率を高めることができるマグネトロンスパッタカソードを提供する。
【解決手段】マグネトロンスパッタカソードは、立体形状の輪郭を有するターゲット１ａと、トンネル状の磁場を形成する磁石ユニット２ａとを備える。このターゲットの表面の一部をスパッタリングにより侵食されるスパッタ面１２ａ、１２ｃとし、前記磁場の垂直成分がゼロとなる位置を通る線が、スパッタ面を跨いでターゲットの周囲を周回するように磁石ユニットが構成される。 （もっと読む）

【課題】磁気トンネル接合素子のＭＲ比を向上させることが可能なスパッタリングターゲット、及びそれを用いた磁気メモリの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭｇＯを主成分とし、厚さが３ｍｍ以下であるターゲット本体１０を備えることを特徴とするスパッタリングターゲット、及びそれを用いた、ＭＲ比を向上させることができる磁気メモリの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 ターゲット材の長寿命化を図ることができるとともに、スパッタリング中に消耗するターゲット材の外力による変形を抑制することができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 本発明のスパッタリングターゲット１００では、ターゲット材が、バッキングプレートに接する板状の基部と、前記基部のバッキングプレートと接する面とは反対側の面の中央部に前記基部と同軸かつ一体的に形成された凸部とを有する。また、本発明のスパッタリングターゲット２００では、ターゲット材が、バッキングプレートに接する板状の基部と、前記基部のバッキングプレートと接する面の中央部に前記基部と同軸かつ一体的に形成された凸部とを有し、バッキングプレートが、ターゲット材と接する面の中央部にターゲット材の前記凸部と嵌合する凹部を有する。 （もっと読む）

【課題】反応性スパッタリングにより金属酸化物膜を形成する場合でも、長時間に亘って安定して放電させることができて、良好な成膜を可能とするターゲットを提供する。
【解決手段】スパッタ室で処理すべき基板と共に配置されるスパッタリング用のターゲット３_１であって、スパッタリング時に少なくとも酸素を含むガスが導入される状態でスパッタリングされるものにおいて、ターゲットのスパッタ面３ａのうちターゲットを構成する元素との酸化物が付着、堆積し得る領域に絶縁性プレート８を貼付した
。 （もっと読む）

【課題】基板サイズの大型化により、基板を水平搬送でき、基板を略垂直に立てて成膜でき、かつ膜厚均一性がよく、低コストのターゲットや電源を利用でき、蒸着装置とのクラスタ化に適したスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】処理真空チャンバ（１０）を有するスパッタリング装置であって、処理真空チャンバ内にカソード電極（６０）が設けられ、カソード電極上にスパッタリングターゲット材料（６１）が設けられ、処理真空チャンバ内に基板が上面搬送され、カソード電極は矩形であり、基板が垂直方向に立てられた状態でカソード電極が基板面と平行に走査されることで、スパッタリングターゲット材料が基板に成膜されるスパッタリング装置。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの動きおよびＰＶＤプロセスで起こる擦れを減少させるターゲット構造物および方法を提供する。
【解決手段】ターゲット構造物であって、ターゲット構造物の前面に配置されたスパッタ面を含むスパッタ領域と、スパッタ領域に対して横方向外方に向かい、かつ、スパッタ領域から前記構造物の外縁まで延びる前面を有するフランジ領域２２と、フランジ領域２２の前面の少なくとも一部を覆う保護層５０とを備える。保護層５０が約０．００２５４ｃｍ（０．００１インチ）から約０．２５４ｃｍ（０．１インチ）の厚さであり、保護層５０はフランジ領域２２の前面に較べて低摩擦係数を有する。 （もっと読む）

【課題】 ダメージが少なく均質な膜を形成可能な成膜装置や、当該成膜装置により形成される膜を電極として用いる発光装置を提供する。
【解決手段】 成膜装置１は、ターゲットＴａの側方を囲うように配置されるシールド部６と、ターゲットＴａの裏面側に配置されて磁場を発生する棒状の磁場発生部４と、ターゲットＴａの表裏方向に対して垂直な面である水平面内で磁場発生部４の長手方向に対して垂直な方向である駆動方向に沿って磁場発生部４を直線的に往復駆動する駆動部５と、を備える。磁場発生部４が駆動部５によって駆動される範囲の端に位置するとき、磁場発生部４と、シールド部６を水平面に対して垂直に投影したときの射影との駆動方向における距離は、１０ｍｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】分割ターゲット装置、及びそれを利用したスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】ベースプレートに規則的な列をなして付着した複数個の分割ターゲットを備え、分割ターゲット間の間隙が、列の方向である第１方向と、それに垂直な第２方向との間の角度に沿って配列される分割ターゲット装置である。かかる構造の分割ターゲット装置を利用してスパッタリングを行えば、製造と取扱とが容易な分割ターゲットを使用しつつも、基板上に均一な蒸着品質が得られ、結果的にディスプレイ装置の輝度を画面の全体にわたって均一にすることができる。 （もっと読む）

【課題】粉末ターゲットを用いて、酸素の含有率の少ない高品質なシリコン薄膜を高速で成膜することができるスパッタリング方法及び装置を提供することを目的とする。
【解決手段】スパッタ成膜を行う前段階に、ターゲット材料８近傍に設置した高融点金属フィラメント１４を加熱することで、真空チャンバ１内に導入したガスを分解し活性種を生成する。この活性種を用いて、ターゲット材料８表面の酸化膜の還元や真空チャンバ壁及び部材についた堆積膜の除去を行うことで、スパッタ成膜中の酸素量を低減させ、高品質なシリコン薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 割れや、バッキングプレートやバッキングチューブに対する剥がれが生じ難いスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、ＣｕＧａ合金粉末とＣｕ粉末との混合粉末を、金属基体上に溶射してスパッタリングターゲットを形成する工程を有する。これによって作製されたターゲットは、互いに不定形なＣｕＧａ合金相と純Ｃｕ相とが、相互に食い込み合った組織を有している。 （もっと読む）

【課題】スパッタ粒子の無駄を抑え、有効に使用できるイオンビームスパッタ用ターゲット、該ターゲットを用いた酸化物超電導導体用基材の製造方法および酸化物超電導線材の製造方法の提供。
【解決手段】本発明のイオンビームスパッタ用ターゲットは、イオンビームをターゲットに照射し、該ターゲットから叩き出されたスパッタ粒子を基材上に堆積させて、該基材上に成膜するイオンビームスパッタ法に用いられるターゲットであって、中央板部３と、この中央板部３に隣接して配置された側板部１、２を備え、側板部１、２は、中央板部３のイオンビームが照射される面３Ａの内側向きに傾斜されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、公知のスパッタターゲットを改善して均一なスパッタ速度および均一な厚さの層を達成することである。
【解決手段】支持管と、該支持管上に配置されたインジウムベースのスパッタ材料とを有する管状スパッタターゲットであって、該スパッタ材料が、スパッタ材料のスパッタで粗くされる表面上のグレインの平均直径として測定される１ｍｍ未満の平均グレインサイズを有する微細構造を有し、該スパッタ材料が最大１質量％の銅またはガリウム部分を含むことを特徴とする、管状スパッタターゲットによって解決される。 （もっと読む）

【課題】均一な面内膜厚を有した薄膜を堆積させるとともに、使用効率の良いスパッタができるスパッタリング用ターゲットを提供すること。
【解決手段】実施形態のスパッタリング用ターゲットは、薄膜形成に用いられるターゲット原子を含んで構成されている。また、スパッタリング用ターゲットは、前記ターゲット原子がスパッタされるスパッタ面側の表面にスパッタ面の中心からの距離に応じた同心円状の厚みを持たせることによって前記スパッタ面が湾曲させられるとともに、湾曲させられた前記スパッタ面の表面に複数の凹凸形状部が形成されている。そして、前記凹凸形状部は、前記スパッタ面の凹部位置から所定の角度で斜め方向に叩き出されたターゲット原子を前記凹凸形状部の側壁に衝突させることで、前記斜め方向に叩き出されたターゲット原子が前記スパッタ面から放出されることを防いでいる。 （もっと読む）

【課題】基板表面の損傷を抑えつつ、成膜速度を向上させることのできるスパッタリング装置を提供することを目的とする。
【解決手段】スパッタリング装置は、対になる部材が空間をあけて対向するよう配置され、空間に磁場を発生させる磁場発生部１（１ａ，１ｂ）と、対になる部材の側方に、空間と対面するよう被成膜部材６を配置可能な被成膜部材保持部と、空間内に配置され、被成膜部材６に向けて傾斜したターゲット面２ａを有するターゲット部材２と、ターゲット部材２に接続され、ターゲット部材２へ電圧を印加する電力供給部３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】十分な接合率および接合強度が得られ、スパッタリング中に熱の影響を受けても割れの発生を著しく低減できるスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】円筒形状のセラミックス焼結体からなるターゲット材２０の内周面に、または円筒形状のセラミックス焼結体からなるターゲット材の内周面と円筒形支持基材１０の外周面の両方に、ニッケルまたは銅からなる第１の下地層３０を形成し、その第１の下地層の上に、スズからなる第２の下地層４０を形成し、次いで、そのターゲット材を円筒形支持基材の外側に配置し、両者を接合材で接合し、ターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数のターゲット部材を接合して得られた分割スパッタリングターゲットにおいて、スパッタリングされることにより、バッキングプレートの構成材料が、成膜する薄膜中に混入することを効果的に防止できる技術を提供する。
【解決手段】本発明は、バッキングプレート上に、複数のターゲット部材を低融点ハンダにより接合して形成される分割スパッタリングターゲットにおいて、接合されたターゲット部材間に形成される間隙に沿って、バッキングプレートに保護体を設けたものであり、
ターゲット部材が酸化物半導体であり、保護体が高分子シートであることを特徴とする分割スパッタリングターゲットとした。 （もっと読む）