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Fターム[4K029DC13]の内容

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Fターム[4K029DC13]に分類される特許

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【課題】円筒形状のターゲットの内部空間に冷却水が残留しにくいスパッタ装置、ターゲット装置を提供する。
【解決手段】
円筒形状のターゲット21の端部に固定された支持部材24には給水孔25と排水孔26とが設けられ、給水孔25からターゲット21の内部空間に冷却水が導入され、排水孔26から排出されながら、ターゲット21がスパッタされるスパッタ装置10であって、ターゲット21の内部空間には、ガスが供給されると体積が増加する風船部材28が配置されている。風船部材28が膨らむと、排水孔26より下方の空間に位置する冷却水は、風船部材28により押し上げられて排水孔26から排出され、ターゲット21の内部空間に残留する冷却水の量が減少する。 (もっと読む)


【課題】様々な基板の上に結晶性を制御した状態でハイドロキシアパタイトの薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】第1工程S101で、ハイドロキシアパタイトの焼結体からなるターゲットおよびH2Oガスを含むスパッタガスを用いたスパッタ法で、基板101の上に薄膜102を形成する。基板101は、例えば、シリコン基板であればよい。次に、第2工程S102で、酸素が存在する雰囲気で薄膜102を加熱して結晶化する。例えば、酸素ガスの雰囲気中、または、大気中で加熱を行えばよい。 (もっと読む)


【課題】円筒型スパッタリングターゲット材の外周面側から内周面側までのスパッタ速度の均一化を図る。
【解決手段】純度3N以上の無酸素銅から形成され、円筒形状を有する円筒型スパッタリングターゲット材20であって、外周面21側から内周面22側へ向けて硬さが次第に増加するとともに、外周面21側から内周面22側へ向けて(111)面の配向率が次第に増加する。 (もっと読む)


【課題】円筒形ターゲットは、ターゲット材と円筒形基材の熱膨張率の差により、スパッタリング中の膨張、収縮を繰り返すうちに円筒形基材とターゲット材とが剥離する恐れがあり、また、ターゲット材が長尺一体であるためにスパッタリング中に円筒形基材とターゲット材の伸びの差が大きくなり、ターゲット材に割れが発生し、スパッタリングにより形成されたスパッタ膜に欠陥が発生することがあるなどの問題がある。
【解決手段】円筒形基材の外周面に長尺のターゲット材をらせん状に巻き付けて取り付けたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板サイズの大型化により、基板を水平搬送でき、基板を略垂直に立てて成膜でき、かつ膜厚均一性がよく、低コストのターゲットや電源を利用でき、蒸着装置とのクラスタ化に適したスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】処理真空チャンバ(10)を有するスパッタリング装置であって、処理真空チャンバ内にカソード電極(60)が設けられ、カソード電極上にスパッタリングターゲット材料(61)が設けられ、処理真空チャンバ内に基板が上面搬送され、カソード電極は矩形であり、基板が垂直方向に立てられた状態でカソード電極が基板面と平行に走査されることで、スパッタリングターゲット材料が基板に成膜されるスパッタリング装置。 (もっと読む)


【課題】短い円筒型のサブターゲットを円筒軸方向に並べて構成される長い円筒型ターゲットを用いて、膜質の変化を抑制して成膜を行うスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】基板17を第1の円筒ターゲット19の近傍を所定の方向Dsに搬送させながら、中心軸Ax19に沿って延在する第1の円筒ターゲット19からスパッタリングして、当該基板17に薄膜を形成するスパッタリング装置Asであって、前記第1の円筒ターゲット19は、当該第1の円筒ターゲット19より筒長の短い第2の円筒ターゲット18が第1の所定数kだけ前記中心軸Ax19に沿って連結されて構成されると共に、当該中心軸Ax19が前記基板搬送方向Dsに対して第1の所定の角度θを成すように配置され、当該第1の所定の角度θは0°より大きく90°より小さいことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】スパッタリングによるターゲットの消耗を抑えつつ、ターゲット表面に付着する付着物の除去を行うことが可能なロータリースパッタリングカソード、およびロータリースパッタリングカソードを備えた成膜装置を提供すること。
【解決手段】ターゲット21の外表面に付着した付着物を加熱して昇華させて除去する除去手段51、又は、付着物を機械的に除去する除去手段を備える構成とする。これにより、従前のような付着物除去のためのスパッタリングを不要とする。付着物を加熱して昇華させる除去手段としては、例えばフィラメント51を用い、付着物を機械的に除去する除去手段としては、例えばブラシ53を用いることができる。これにより、ターゲットの消耗を抑えつつ、付着物を取り除くことができる。 (もっと読む)


【課題】 割れや、バッキングプレートやバッキングチューブに対する剥がれが生じ難いスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、CuGa合金粉末とCu粉末との混合粉末を、金属基体上に溶射してスパッタリングターゲットを形成する工程を有する。これによって作製されたターゲットは、互いに不定形なCuGa合金相と純Cu相とが、相互に食い込み合った組織を有している。 (もっと読む)


【課題】回転自在に設けられた円筒状ターゲットの長さ方向の端部での局所消耗を抑制し、エロージョン領域を均一化し、その使用寿命を向上させることができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】回転自在とされた円筒状ターゲット13を有し、前記円筒状ターゲット13の内側に設けられ、その長さ方向に沿って配置された磁場発生部材14を有するスパッタ蒸発源2の一対と、前記一対のスパッタ蒸発源2のそれぞれの円筒状ターゲット13を共にカソードとしてこれらに放電電力を供給するスパッタ電源3を備える。前記一対のスパッタ蒸発源2,2は、それぞれの円筒状ターゲット13が平行に対向して配置され、それぞれの磁場発生部材14,14は円筒状ターゲット13,13の表面を通り、互いに引き合う向きの磁力線を形成する磁場を発生させる。前記スパッタ電源は前記円筒状ターゲット間にペニング放電を発生させる。 (もっと読む)


【課題】円筒形基材および/またはターゲット材と半田材とを接合不良が少なく強固に接合させ、両者間の導電性および熱伝導性を高くし、かつ使用中のターゲット材の割れ、剥離を著しく低減できる円筒形ターゲットを提供する。
【解決手段】円筒形ターゲットの製造方法において、円筒形基材と円筒形ターゲット材を同軸上に配置し、それらを半田材の融点以上に加熱しながら、円筒形基材と円筒形ターゲット材との間の空間に溶融半田を注入し両者を接合する際に、あらかじめ半田材より比重が軽い粉体物質(強磁性材料、セラミックス材料等)を当該空間に入れ、次いで溶融半田を注入してその粉体物質を半田材の液面上に浮かせ、かつ粉体物質を振動させながら半田材を注入し、半田材を物理的に撹拌して円筒形ターゲットを製造する。 (もっと読む)


【課題】本発明の課題は、公知のスパッタターゲットを改善して均一なスパッタ速度および均一な厚さの層を達成することである。
【解決手段】支持管と、該支持管上に配置されたインジウムベースのスパッタ材料とを有する管状スパッタターゲットであって、該スパッタ材料が、スパッタ材料のスパッタで粗くされる表面上のグレインの平均直径として測定される1mm未満の平均グレインサイズを有する微細構造を有し、該スパッタ材料が最大1質量%の銅またはガリウム部分を含むことを特徴とする、管状スパッタターゲットによって解決される。 (もっと読む)


【課題】円筒形のセラミックスのターゲット材の接合面を電解還元することによって金属層を形成させ、これを下地層とすることによって、接合の際に接合部を押圧しなくても、冷却固化させるだけで、十分な接合率および強度が得られ、かつスパッタリング中の熱の影響で剥離や割れのない円筒形スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】円筒形セラミックスターゲット材21の内周面を電界還元して、ターゲット材の還元金属から成る下地層31を形成し、次いで円筒形支持基材11の外周面に円筒形セラミックスターゲット材を接合することにより、円筒形スパッタリングターゲットを製造する。 (もっと読む)


【課題】円筒状ターゲットを有するスパッタリング装置において、スパッタリング装置の稼動を停止させることなく、T/M距離を調整することを可能とするスパッタリング装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板にスパッタリングを行うスパッタリング装置において、チャンバと、チャンバ内に設けられた円筒状ターゲットと、前記円筒状ターゲットの内部に設けられたマグネットと、前記マグネットを前記円筒状ターゲット内部で支持するマグネット支持部材と、前記マグネット支持部材に接続されたマグネット昇降棒と、を有し、前記マグネット昇降棒を前記マグネット昇降機構により昇降させることにより、前記マグネットと円筒状ターゲット内壁との間隔を変更可能としたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】十分な接合率および接合強度が得られ、スパッタリング中に熱の影響を受けても割れの発生を著しく低減できるスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】円筒形状のセラミックス焼結体からなるターゲット材20の内周面に、または円筒形状のセラミックス焼結体からなるターゲット材の内周面と円筒形支持基材10の外周面の両方に、ニッケルまたは銅からなる第1の下地層30を形成し、その第1の下地層の上に、スズからなる第2の下地層40を形成し、次いで、そのターゲット材を円筒形支持基材の外側に配置し、両者を接合材で接合し、ターゲットを製造する。 (もっと読む)


【課題】高密度でバルク均一性が高く、製造時のみならずスパッタリング時にも、クラック、割れ、変形などが発生しない、円筒形スパッタリングターゲット用酸化物焼結体を得る。
【解決手段】2枚のメッシュ状の敷板(2)を隙間(9)を介して配置し、その上に、中空部分(8)の下方を隙間(9)が通過するように、成形体(1)を載置し、配管(3-1)を、配管出口の高さが成形体(1)の高さ方向の下部付近となるように、配管(3-3)を、配管出口の高さが成形体(1)の高さ方向の上部付近となるように、配管(3-2)を、敷板(2)の隙間(9)を介して成形体(1)の中空部分(8)に雰囲気ガスが流れるように、それぞれ配管の長さを調整して、雰囲気ガスを炉内に流通させて焼成を行う。得られる酸化物焼結体のバルクの各点での、密度の相対標準偏差は1%以下、比抵抗値の相対標準偏差は10%以下、平均結晶粒径の相対標準偏差は5%以下、密度は理論密度の90%以上である。 (もっと読む)


【課題】大型のサイズであっても真直度に優れ、表面が平滑である高品質な円筒状ターゲット材を提供することを目的とするとともに、たとえ大型の円筒状ターゲット材を製造する場合であっても、曲がりや歪が発生することがなく、表面に疵が発生することのない円筒状ターゲット材の製造方法、及び、円筒状ターゲット材のシート被覆方法を提供することを目的とする。
【解決手段】無酸素銅からなるターゲット材料に対して調質処理を施すターゲット材料調質処理工程S10と、該工程により形成した調質処理済ターゲット材に対して追加工を施す調質処理済ターゲット材追加工工程S20とを行い円筒状ターゲット材を製造する製造方法において、前記ターゲット材料調質処理工程S10では、所定の焼鈍工程、及び、引抜き抽伸工程を行った後、ターゲット材料仕上げ工程S15を行い、該ターゲット材料仕上げ工程S15において、仕上げ焼鈍工程S15Aを行い、その後、仕上げ引抜き抽伸工程S15Bを行うことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】
本発明の目的は、溶射した酸化亜鉛系円筒ターゲットの組織を汚染することなく加工して仕上げる酸化亜鉛系円筒ターゲットの製造方法を提供することにある。
【解決手段】
バッキングチューブの外周面に酸化亜鉛系粉末を溶射して酸化亜鉛系ターゲット層を形成し、該酸化亜鉛系ターゲット層を乾式で切削加工することで、溶射した酸化亜鉛系円筒ターゲットの組織を汚染することなく加工することができる。 (もっと読む)


【課題】
本発明の目的は、少ないエネルギー消費・熱負荷で、緻密でバッキングチューブへの密着性が良好な長尺のセラミック溶射円筒ターゲットを製造する方法を提供することにある。
【解決手段】
長尺バッキングチューブを複数の溶射領域に分割して溶射する。 (もっと読む)


【課題】隣接する薄膜間に勾配層が形成された多層膜であって、勾配層における濃度勾配がなだらかな多層膜を形成し得る方法を提供する。
【解決手段】円筒型の第1及び第2のターゲット31b,32bを、第1のターゲット31bからのスパッタ粒子の飛散領域である第1の飛散領域R1と、第2のターゲット32bからのスパッタ粒子の飛散領域である第2の飛散領域R2とが重なるように配列し、第1のターゲット31b内の第1のカソード31aと第2のターゲット32b内の第2のカソード32aとの間に交流電圧を印加した状態で、基体10を、第1及び第2のターゲット31b,32bの配列方向において、第1のターゲット31b側から第2のターゲット32b側に向けて移動させ、第1及び第2の飛散領域R1,R2を通過させることによって基体10の上に、第1及び第2の薄膜11,13と勾配層12とを形成する。 (もっと読む)


【課題】本発明の課題は、スパッタリングターゲットの寿命の間、スパッタリング材料の不変的に均質な層の製造を確実にするスパッタリングターゲットを提供することである。
【解決手段】この課題は、インジウム、亜鉛およびガリウムの少なくとも1つの三元系混合酸化物を含有する、インジウム、亜鉛およびガリウムの酸化物の混合物を有するスパッタリングターゲットであって、インジウム、亜鉛およびガリウムの三元系混合酸化物の割合が、混合物の総質量に対して少なくとも50質量パーセントであり、且つ、アモルファス相の割合が、混合物の総質量に対して少なくとも20質量パーセントである、スパッタリングターゲットによって解決される。 (もっと読む)


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