【課題】反射膜の膜厚が約２５ｎｍ以下に薄く調整されていても、光情報記録媒体での反射率やジッター値などの初期特性に優れていることは勿論のこと、高温高湿下で長期間保管した場合であってもこれらの特性が劣化することがなく、耐久性に優れた光情報記録媒体用反射膜を提供する。
【解決手段】本発明の光情報記録媒体用反射膜は、Ｓｉを０．５〜１０％、および／またはＧｅを０．５〜１０％と、高融点金属元素を０．２〜１．０％含むＡｌ基合金からなる。上記反射膜の膜厚は２５ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】分割ターゲット装置、及びそれを利用したスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】ベースプレートに規則的な列をなして付着した複数個の分割ターゲットを備え、分割ターゲット間の間隙が、列の方向である第１方向と、それに垂直な第２方向との間の角度に沿って配列される分割ターゲット装置である。かかる構造の分割ターゲット装置を利用してスパッタリングを行えば、製造と取扱とが容易な分割ターゲットを使用しつつも、基板上に均一な蒸着品質が得られ、結果的にディスプレイ装置の輝度を画面の全体にわたって均一にすることができる。 （もっと読む）

【課題】外部電極の電気的特性及び部品本体への密着力の双方が良好であり且つ小型化に適したチップ状電子部品を提供する。
【解決手段】内部電極１１が埋設された部品本体１０と該部品本体１０の外面に形成された外部電極２０とを備えたチップ状電子部品１において、外部電極２０は、少なくとも部品本体１０に接する部位において物理的蒸着法で形成されてなり且つ第１の電極材料２３と第２の電極材料２４とが混合された混合層２１を含み、該混合層２１は部品本体から離れるにしたがって第１の電極材料２３に対する第２の電極材料２４の混合率が漸小している。 （もっと読む）

【課題】高周波スパッタリング法等により一括して製造することができ、半導体ナノスケール粒子がＮｂ_２Ｏ_５単相マトリクスに均一に分散した構造の半導体ナノ複合構造薄膜材料およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体ナノ複合構造薄膜材料（１）は、一般式Ｇｅ_{１００−ｘ−ｙ}Ｎｂ_ｘＯ_ｙ（ただし、７０≦ｘ＋ｙ≦９８、２０≦ｘ≦２８、５０≦ｙ≦７０であり、各元素の添字は原子比率を示す）で表され、その結晶構造が、半導体ナノスケール粒子（２）としてのＧｅ相がマトリクス（３）としてのＮｂ_２Ｏ_５相中に分散した複合構造を有する。この複合構造薄膜材料は、高周波スパッタリング法により上記一般式で表されるアモルファス薄膜を成膜し、これを不活性雰囲気中において５００〜８００℃で熱処理して結晶化することにより製造される。 （もっと読む）

【課題】高い反射率を有しながら、膜に欠陥が存在していても、白濁部が発生したり白濁部が粗大化しないＡｇ基合金からなる反射膜およびそれらを形成するためのスパッタリングターゲット材または蒸着材料を提供すること。
【解決手段】０．００５〜１．０ｍａｓｓ％のＰ、０．０１〜５．０ｍａｓｓ％のＣｕ、０．９ｍａｓｓ％より多く５．０ｍａｓｓ％以下のＡｕを含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物より構成されるＡｇ基合金からなることを特徴とする反射膜。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数のターゲット部材を接合して得られた分割スパッタリングターゲットにおいて、スパッタリングされることにより、バッキングプレートの構成材料が、成膜する薄膜中に混入することを効果的に防止できる技術を提供する。
【解決手段】本発明は、バッキングプレート上に、複数のターゲット部材を低融点ハンダにより接合して形成される分割スパッタリングターゲットにおいて、接合されたターゲット部材間に形成される間隙に沿って、バッキングプレートに保護体を設けたものであり、
ターゲット部材が酸化物半導体であり、保護体が高分子シートであることを特徴とする分割スパッタリングターゲットとした。 （もっと読む）

【課題】 苛酷な使用環境下で使用される切削工具や金型や自動車部品等の部材において、耐摩耗性と摺動特性が優れる被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 スパッタリング法によって被覆した硬質皮膜を表面に有する被覆部材であって、該硬質皮膜は原子比でＳｉよりもＣが多いＳｉＣ皮膜であり、該硬質皮膜の組織は六方晶の結晶構造相を含む耐摩耗性と摺動特性に優れた被覆部材である。
そして、スパッタリング法によって被覆した硬質皮膜を表面に有する被覆部材の製造方法であって、０を超え２５体積％以下のＣ相を含んだＳｉＣ複合ターゲットを用い、該ＳｉＣ複合ターゲットに印加する平均電力を２ｋＷ以上でスパッタし、原子比でＳｉよりもＣが多く、六方晶の結晶構造相を含むＳｉＣ皮膜を被覆する耐摩耗性と摺動特性に優れた被覆部材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】従来知られている低温液相メタノール合成用触媒と比較して、メタノールの合成原料ガス中に二酸化炭素、水等が混在しても触媒の活性低下の度合いがより低く、かつ、より活性の高い触媒とすることができるメタノール合成用触媒の製造方法、並びにこの製造方法で製造された触媒を用いた液相でのメタノールの合成方法を提供する。
【解決手段】メタノール合成用触媒の製造方法において、アルコール溶媒の存在下で、一酸化炭素と水素を含む原料ガスから、ギ酸エステルを経由してメタノールを合成する際に用いられる銅を含む触媒のスパッタリング法による製造方法。 （もっと読む）

【課題】高品質なシリコン系薄膜を高速かつ安全・安価に形成できるスパッタリング装置、スパッタリング方法および該シリコン薄膜を用いて作成した太陽電池や液晶表示装置（ＬＣＤ）等の電子デバイスを提供すること。
【解決手段】シリコンを主成分とするメインターゲット１ｍ上に該ターゲットと同様にシリコンを主成分とし、かつ面積が該メインターゲットより小さいサブターゲット１ｓを複数個配置したスパッタリングカソードをマグネトロン放電させ、かつ基板ホルダ７に載置した基板８に薄膜を形成することで解決できる。 （もっと読む）

【課題】構造が簡単な熱電変換装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】酸素濃度が化学量論的な濃度より低いチタン酸ストロンチウム基板１０と、前記チタン酸ストロンチウム基板１０上に形成され、チタンとニオブとの合計の原子濃度が、ストロンチウムの原子濃度より高いチタン酸ストロンチウム膜１２と、を具備する熱電変換装置。 （もっと読む）

【課題】プリベーク・ポストベーク工程を経ても弱酸でのパターニング処理が可能な特定の組成の非晶質膜を結晶化することにより、耐候性が高く、高抵抗な透明導電膜を製造できる方法を提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｓｎ、元素Ａ（ただし元素Ａは、Ｄｙ，Ｅｒ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｈｏ，Ｌｕ，Ｎｄ，Ｐｒ，Ｓｃ，Ｓｍ，Ｔｂ，Ｔｍ，Ｙ，Ｙｂから選ばれる１種以上）および酸素からなる非晶質透明導電膜であって、当該膜を構成する元素の原子比を、ｘ＝［元素Ａ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｎ］＋［元素Ａ］）、ｙ＝［Ｓｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｎ］＋［元素Ａ］）としたときに、ｘ＝０．００２〜０．０５、かつ、−０．６１２ｘ＋０．０８０６≦ｙ≦−１．０２ｘ＋０．１５１である非晶質透明導電膜を、酸素共存下で２５０℃から３００℃で加熱し、結晶質透明導電膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の低い有機材料製の基材表面にアモルファス構造と層状結晶構造とが混在する微結晶性五酸化バナジウムたる電極活物質層を薄膜化して形成でき、薄膜リチウム二次電池に適用したときに高い電池性能が得られる生産性の良いリチウム二次電池用の電極活物質層の形成方法を提供する。
【解決手段】バナジウム含有のターゲット２を備えた処理室１１内に基材Ｗを配置し、処理室を所定圧力まで真空引きすると共に、基材を、加熱または冷却して当該基材の耐熱温度以下の所定温度に保持し、処理室内に希ガスと酸素ガスとを所定分圧で導入し、ターゲットに所定電力を投入して処理室内にプラズマ雰囲気を形成してターゲットをスパッタリングし、電極活物質層たるバナジウム酸化物膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れたＭｇＯ薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】ＭｇＯ薄膜の製造方法は、加熱工程と堆積工程からなる、強磁性体上へのＭｇＯ薄膜の製造方法であり、前記加熱工程は、２００℃以上の温度において実施され、前記堆積工程は、ＭｇＯとＭｇＦ_２からなるターゲットをスパッタリングすることにより実施され、前記ターゲットにおいて、前記ＭｇＯに対する前記ＭｇＦ_２の概算仕込み量が、２．３原子パーセント以上、７．０原子パーセント以下であることを特徴とする。本構成により、（１００）配向かつ結晶性に優れたＭｇＯ薄膜を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】異常放電を抑制し安定にスパッタリングを行うことのできるターゲット、金属又は合金用のエッチング液であるリン酸系エッチング液でもエッチング可能な透明導電膜が得られるターゲットを提供する。
【解決手段】インジウム、錫、亜鉛、酸素を含有し、六方晶層状化合物、スピネル構造化合物及びビックスバイト構造化合物を含むことを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】実用可能な耐湿性と、透明導電膜として必要な特性を備え、しかも経済性に優れた、ＺｎＯ系の透明導電膜を提供する。
【解決手段】ＺｎＯにIII族元素酸化物をドーピングして基体上に成長させた透明導電膜において、ＺｎＯ（００２）ロッキングカーブ半値幅が１３．５°以上であるようにする。
III族元素酸化物のドーピング量を、透明導電膜中のIII族元素酸化物の割合が７〜４０重量％となるように、ＺｎＯにIII族元素酸化物をドープさせる。
透明導電膜を、ＳｉＮｘ薄膜を介して、基体上に形成する。
基体にバイアス電圧を印加しながら、薄膜形成方法により基体上に透明導電膜を形成する。 （もっと読む）

本発明は、化学式Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｘ_２（ここで、ＸはＳまたはＳｅ）を有する半導体材料から成る膜を堆積させるための方法および装置に関する。本発明の方法は、少なくとも１つのスパッタリングターゲットから基板の少なくとも１つの表面上にＣｕ，ＩｎおよびＧａをカソードスパッタ堆積させることを含み、加えて、カソードチャンバ内の前記表面上に蒸気相にあるＸを同時堆積させることを含む。Ｘまたは後者の前駆物質の蒸気形態は、第１のガス層流の形態で移動させられ、その進行経路は基板表面に平行であり、かつ後者と接触し、しかも不活性ガスに対する第２のガス層流の形態で同時に移動させられ、その進行経路は第１のガス層流と平行であり、かつ第１ガス層流の進行経路とスパッタリングターゲットの表面との間に設置され、これによって、第１のガス層流が基板の周りの領域に制限されることが可能となる。 （もっと読む）

本発明は，基板をコーティングする装置に関し，真空チャンバーと，内部がコートされる基板を受ける様に設計された真空チャンバーと，粒子の衝撃により装置の動作の間に除去されるように意図された少なくとも一つのスパッタリングターゲットを有し，少なくとも一つの窓が，前記真空チャンバーの壁に配置され，そして，前記スパッタリングターゲットの摩滅を判定する装置を有し，前記真空チャンバーの外側の少なくとも一つの予め規定されたポイントと，前記スパッタリングターゲットの表面の少なくとも一つの予め規定されたポイントとの間の距離を光学的に測定する側的装置を有し，前記測定装置が，更に視差オフセット及び/又は幾何学的歪みを修正できる評価装置を有する。さらに，本発明は，対応する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】量産時の連続スパッタリング工程においても、非エロージョン部に堆積した付着膜がターゲット表面から剥がれにくく、ノジュールやアーキングの生じにくい焼結体ターゲットの提供。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とした薄膜製造用焼結体ターゲットにおいて、ベースとなる焼結体ターゲットのスパッタ面に、ｃ軸配向した酸化亜鉛を主成分とした薄膜が膜厚２０ｎｍ以上のシード膜として形成されていることを特徴とする薄膜製造用焼結体ターゲット；酸化亜鉛を主成分とした薄膜製造用焼結体ターゲットの製造方法において、ベースとなる焼結体ターゲットのスパッタ面に、組成が、該焼結体ターゲットの組成と実質的に同じであるシード膜形成用ターゲットを用いて、スパッタリング法で、ｃ軸配向した酸化亜鉛を主成分としたシード膜を２０ｎｍ以上の厚さに成膜することを特徴とする薄膜製造用焼結体ターゲットの製造方法などによって提供。 （もっと読む）

【課題】微細なＰｔ粒子をＳｎＯ_２中に高分散で多量に存在させることができる新規な錫・白金複酸化物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】例えば、酸素を含有する不活性スパッタガス中でＳｎＯ_２とＰｔとを同時スパッタで成膜して合成することにより、一般式Ｓｎ_ＸＰｔ_{（１−Ｘ）}Ｏ_２（０．５６５≦Ｘ≦０．９７）で示されるルチル構造を有する錫・白金複酸化物を合成する。詳細には、ルチル構造であるＳｎＯ_２のＳｎサイトに多量のＰｔを固溶した新規なＳｎＯ_２（Ｓｎ_ＸＰｔ_{（１−Ｘ）}Ｏ_２）を合成することにより、微細なＰｔ粒子をＳｎＯ_２中に高分散で多量に存在させることが達成される。 （もっと読む）

【課題】処理面近傍に形成する磁場の強度を変更しても処理面近傍に均一な磁場を形成することが可能であり基板上に成膜する磁性薄膜の磁気異方性を良好に揃える。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内で基板を支持する基板支持部と、基板支持部に支持された基板の処理面に磁性薄膜を成膜する成膜機構と、基板支持部に支持された基板の処理面に対して該処理面を側方から挟むように互いに対向して配置される一対の磁気部と、処理室内のガス雰囲気を排気するガス排気部と、を備えている。磁気部は、複数の磁気体がそれぞれ配列してなり、基板の中心部を挟む磁気体の配列間隔が、基板の外縁部を挟む磁気体の配列間隔よりも大きく設定されている。 （もっと読む）