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Fターム[4K029DC20]の内容

物理蒸着 (93,067) | スパッタリング装置 (13,207) | アースシールド、シールドリング (113)

Fターム[4K029DC20]に分類される特許

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【課題】反応性スパッタリングにより金属酸化物膜を形成する場合でも、長時間に亘って安定して放電させることができて、良好な成膜を可能とするターゲットを提供する。
【解決手段】スパッタ室で処理すべき基板と共に配置されるスパッタリング用のターゲット3であって、スパッタリング時に少なくとも酸素を含むガスが導入される状態でスパッタリングされるものにおいて、ターゲットのスパッタ面3aのうちターゲットを構成する元素との酸化物が付着、堆積し得る領域に絶縁性プレート8を貼付した
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【課題】基板サイズの大型化により、基板を水平搬送でき、基板を略垂直に立てて成膜でき、かつ膜厚均一性がよく、低コストのターゲットや電源を利用でき、蒸着装置とのクラスタ化に適したスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】処理真空チャンバ(10)を有するスパッタリング装置であって、処理真空チャンバ内にカソード電極(60)が設けられ、カソード電極上にスパッタリングターゲット材料(61)が設けられ、処理真空チャンバ内に基板が上面搬送され、カソード電極は矩形であり、基板が垂直方向に立てられた状態でカソード電極が基板面と平行に走査されることで、スパッタリングターゲット材料が基板に成膜されるスパッタリング装置。 (もっと読む)


【課題】ターゲットを高融点金属とし、このターゲットを処理対象物に成膜するときにグレインサイズや表面モホロジーを制御し得るスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】ターゲット2として高融点金属製のものを用い、真空チャンバ1内でこのターゲットに処理対象物Wを対向配置し、所定圧力の真空チャンバ内にスパッタガスを導入し、ターゲットに所定の電力を投入して真空チャンバ内にプラズマを形成してターゲットをスパッタリングし、処理対象物の表面に上記高融点金属からなる金属膜を成膜する。スパッタリング中、処理対象物の全面に亘って垂直な静磁場を作用させることを特徴とするスパッタリング方法。 (もっと読む)


【課題】 ダメージが少なく均質な膜を形成可能な成膜装置や、当該成膜装置により形成される膜を電極として用いる発光装置を提供する。
【解決手段】 成膜装置1は、ターゲットTaの側方を囲うように配置されるシールド部6と、ターゲットTaの裏面側に配置されて磁場を発生する棒状の磁場発生部4と、ターゲットTaの表裏方向に対して垂直な面である水平面内で磁場発生部4の長手方向に対して垂直な方向である駆動方向に沿って磁場発生部4を直線的に往復駆動する駆動部5と、を備える。磁場発生部4が駆動部5によって駆動される範囲の端に位置するとき、磁場発生部4と、シールド部6を水平面に対して垂直に投影したときの射影との駆動方向における距離は、10mm以上である。 (もっと読む)


【課題】プラズマを用いて被処理基板に対してプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置において、被処理基板載置部材の上に載置された被処理基板に傷が付くことを抑制する。
【解決手段】被処理基板100に対してプラズマ処理を行なうプラズマ処理装置1Aは、被処理基板載置部材5と、被処理基板載置部材5の表面5a上に設けられ、被処理基板載置部材5の上に載置された被処理基板100を上方支持することによって、被処理基板100と被処理基板載置部材5との間に隙間Sを形成する支持部材4と、被処理基板100に面するようにプラズマを生成することによって、被処理基板100にプラズマ処理を行なうプラズマ生成部と、を備える。 (もっと読む)


【課題】チャンバ内壁を保護するシールドの交換頻度を低下させ、半導体製造工程におけるスループットの向上および製造コストの低下を実現することができる成膜装置およびシールド部材を提供する。
【解決手段】本実施形態による成膜装置は、基板を真空雰囲気中に収容するチャンバと、基板に材料を成膜する際に前記チャンバの内壁を保護し、チャンバから着脱可能なシールド部材とを備えている。シールド部材は、チャンバの内壁の保護にまだ使用されていていない使用前シールドを筒状に巻いた使用前ロールと、使用前ロールと連続して繋がっており、チャンバの内壁の保護にすでに使用された使用後シールドを筒状に巻くことが可能な使用後ロールとを含む。ガイド部は、シールド部材をチャンバの内壁において支持する。 (もっと読む)


【課題】スパッタリングによって防着板に堆積した堆積物が、膨張、収縮時の応力が加わっても剥離し難くすることで、チャンバ内のパーティクルの拡散を抑制する。
【解決手段】下部防着板17は、ターゲットに臨む上面側17aが、ステージ13に近接する位置である内周縁17cから、少なくとも上部防着板の下端16Eに重なる位置まで平坦面31で構成されている。こうした平坦面31は、例えば、水平面に対する角度θが5°〜20°の範囲で、内周縁17cからチャンバ11の内周面(側壁)11aに向かって広がる傾斜面であればよい。 (もっと読む)


【課題】主材料のみからなる薄膜と該主材料に1%以下(ppmオーダー)の副材料を添加した薄膜、およびそれらの多層や積層膜を制御性よく高品質かつ安全・安価に提供することを目的としたスパッタリング装置、スパッタリング方法および該薄膜を用いて作成された電子デバイスを提供すること。
【解決手段】形成する薄膜の主材料ターゲット1iを有する複数のマグネトロンスパッタリングカソード3mの間に、添加材料となる成分を含む副材料からなる副材料ターゲット1p,1nを有するコンベンショナルスパッタリングカソード3cを配置し、マグネトロンスパッタリングカソード3mおよびコンベンショナルスパッタリングカソード3cに投入するスパッタリング電力を独立に制御することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】成膜不良を防止すること。
【解決手段】成膜対象に薄膜が成膜される雰囲気を生成するスパッタ処理室5と、その雰囲気に配置されている荷重測定対象15と、荷重測定対象15から支持部材14に印加される荷重を測定するセンサ16−1〜16−3とを備えている。このような成膜装置1は、その荷重に基づいて、その雰囲気に配置される物体に堆積した付着膜の一部が剥がれ落ちたかどうかを検出することができ、その雰囲気の成膜処理に対する適否を判別することができる。このため、成膜装置1は、その雰囲気が不適切と判別されたときにその雰囲気で成膜処理を実行しないことにより、その雰囲気で成膜される成膜対象の成膜不良を防止することできる。 (もっと読む)


【課題】ワークピースの配置場所を画成する蒸着装置において長期の高出力作動が可能となるシールド組立体を提供する。
【解決手段】複合シールド組立体10は、ワークピースの配置場所の周囲に置かれる第1シールド要素13と、第1シールド要素13の周りに延在して第1シールド要素13を保持する第2シールド要素14であって、第1シールド要素13の熱伝導率が当該第2シールド要素14の熱伝導率よりも大きく、第1シールド要素13及び当該第2シールド要素14が、熱的接触を密接にするように配置される、第2シールド要素14とを含む。 (もっと読む)


【課題】高温で成膜される低融点金属の凝集を防止し、十分なバリア性及びぬれ性を有するバリア層を形成して、凹部に低融点金属を付け回り良く充填する。
【解決手段】電子部品の製造方法が、4Pa以上20Pa以下の圧力下で、被処理体306と接する電極301に第1のバイアス電力を印加し、プラズマ処理により被処理体306の上にTiNxからなる第1のバリア層404を成膜する手順と、4Pa以上20Pa以下の圧力下で、電極301に第1のバイアス電力よりも小さいイオン入射エネルギーを与える第2のバイアス電力を印加し、またはバイアス電力を印加しないで、プラズマ処理により第1のバリア層の上にTiNxからなる第2のバリア層405を成膜する手順と、第2のバリア層405の上に、Tiからなる第3のバリア層409を成膜する手順と、第3のバリア層409の上に低融点金属406を充填する手順と、を有する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造コストを低減させ、信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体ウエハSWを支持するステージ53と、半導体ウエハSWに対向するターゲット54と、半導体ウエハSWとターゲット54との間に配置されたコリメータ61と、半導体ウエハSWとターゲット54との間の空間とコリメータ61とを囲むロアーシールド62及びダークスペースシールド63とを備える成膜装置を用い、スパッタリング法によって半導体ウエハSWにNi−Pt合金膜を形成する。この際、ロアーシールド62およびダークスペースシールド63の内面のうち、コリメータ61の下面61bより上に位置する領域にAl膜71を予め形成しておくが、コリメータ61の下面61bより下に位置する領域にはAl膜71を形成しない。ロアーシールド62及びダークスペースシールド63を取り外して洗浄する際に、アルカリ溶液によってAl膜71を溶解する。 (もっと読む)


【課題】例えば3以上の所定のアスペクト比を有するホールがパターニング形成されたものを処理対象物とし、これらホールを含む処理対象物の表面全体に亘って金属膜を成膜する際に、カバレッジ率を効果的に向上できるスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバ1内に処理対象物Wと、処理対象物に形成しようとする金属膜に応じて作製されたターゲット2とを対向配置し、処理対象物の全面に亘って垂直な磁場が作用するように垂直磁場MFを発生させ、この真空チャンバ内にスパッタガスを導入し、ターゲットに所定の電力を投入して真空チャンバ内にプラズマを形成してターゲットをスパッタリングし、スパッタガスをアルゴンとして、スパッタリング中、真空チャンバ内のアルゴンの分圧を5〜30Paの範囲に保持して成膜する。 (もっと読む)


【課題】真空成膜装置で内部応力が大きい薄膜を成膜する際に、成膜工程中に付着する成膜材料の剥離を安定かつ有効に防止し、装置クリーニングや部品の交換などに伴う生産性の低下や成膜コストの増加を抑える。
【解決手段】Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、W、Ru、Pd、Ir、Pt、Ag、AuおよびInから選ばれる金属元素の単体、もしくは前記金属元素を含む合金または化合物の薄膜を成膜する真空成膜装置の構成部品の製造方法であって、部品本体の表面にCuの含有比率が65〜95質量%の範囲のCu−Al合金からなるCu−Al合金膜を形成する工程と、前記Cu−Al合金膜に1.33×10−3Pa以下の真空雰囲気中で300〜800℃の温度でアニール処理を行う工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】対向ターゲット式スパッタ装置において、磁性体膜の成膜速度を高速化するとともに、長時間の成膜安定性を実現する。
【解決手段】スパッタ装置のターゲットモジュールは、スパッタされる表面を対向して設けられる一対のターゲット部材を交換可能に保持する一対のターゲット保持部と、一方のターゲット部材の表面から他方のターゲット部材の表面に向かう磁束を発生する磁場発生手段と、ターゲット部材の表面上で周辺部分よりも中央部分の磁束密度が低下するように磁束密度を分布させる磁束密度分布調整手段と、を有する。 (もっと読む)


【課題】地絡の発生を充分に防止して、長時間に亘って安定した成膜を行い、安定した品質の厚膜を形成することが可能なスパッタ成膜技術を提供する。
【解決手段】成膜材料からなるターゲットを載置するターゲット載置台、ターゲット載置台に載置されるターゲットの周囲を、所定の間隔を設けて取り囲むアースシールド、ターゲット載置台に対向して設けられた基材保持部を備えたスパッタ成膜装置であって、アースシールド内への異物の侵入を防止する、アースシールドよりも高い筒状の異物侵入防止用覆いが、アースシールドの周囲を、所定の間隔を設けて取り囲んで立設されていることを特徴とするスパッタ成膜装置。 (もっと読む)


【課題】厚さの増加を図りながらも、アーキングの発生が抑制されうるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】ターゲット材10には、その側面13の途中から裏面12に向かって当該ターゲット材10を徐々に小径または幅狭にするような傾斜面14が形成されている。側面13と傾斜面14との境界線をなす稜線部15の表面粗さRaおよび裏面12を基準とした高さhの組み合わせを表わすRa−h平面におけるプロットが、第1範囲S1又は第1範囲S1の一部である第2範囲S2に含まれるようにターゲット材10が形成されている。 (もっと読む)


【課題】本発明は高アスペクトのビアや凸凹形状のレンズのような3次元形状の基板に対して、小型装置にて面内の高い膜厚均一性かつ高スループットが達成できるスパッタリング装置を提供するものである。
【解決手段】真空容器と、前記真空容器内に配置されたターゲットと、前記真空容器内にガスを導入しながら排気するガス調整手段と、前記ターゲットに対向して配置され、かつ、基板を載置する回転可能な基板保持台によって構成され、スパッタガスまたは、スパッタガスと反応性ガスを導入することにより、前記ターゲットにてターゲット材料または、ターゲット材料の反応生成物を基板上に堆積することができるスパッタリング方法において、前記ターゲットを前記基板に対してずらして配置し、かつ、イオンを前記基板に対して、垂直および斜め方向から入射する複数のイオン発生機構を配置する。 (もっと読む)


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