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Fターム[4K029DC21]の内容

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【課題】成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜速度を高め、ターゲットの使用効率を向上したマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】ターゲット31の背面側に設けられたマグネット配列体5は、両端が互に異極である棒状マグネットが網の目状に配置されると共に、網の目の交点にて、棒状マグネットの端面に囲まれる領域には透磁性のコア部材を設けるように構成されている。棒状マグネットの両端の極からの磁束がコア部材を通して出ていくため、隣接する棒状マグネット同士の磁束の反発が抑えられて磁束線の歪みが抑制され、水平磁場が広い範囲で形成される。このため、高密度のプラズマが広範囲に均一に形成され、成膜速度の面内均一性を確保しながら、速い成膜速度が得られる。また、ターゲット31のエロージョンの面内均一性が良好であり、エロージョンが均一性を持って進行するため、ターゲット31の使用効率が高くなる。 (もっと読む)


【課題】 スパッタ法により良好にNa添加されたCu−In−Ga−Seからなる膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Cu,In,GaおよびSeを含有し、さらに、NaF化合物、NaS化合物、又はNaSe化合物の少なくとも1種の状態でNaが、Na/(Cu+In+Ga+Se+Na)×100:0.05〜5原子%の割合で含有され、酸素濃度が、200〜2000重量ppmであり、残部が不可避不純物からなる成分組成を有する。 (もっと読む)


【課題】低抵抗であると共に耐塩化性及び耐熱性に優れた導電体膜およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】導電体膜3が、Mgを、0.5〜2質量%含有し、さらにEuを、0.05〜1質量%含有し、残部がAgおよび不可避不純物からなる成分組成の銀合金で構成されている。この導電体膜3の製造方法は、Mgを、0.5〜2質量%含有し、さらにEuを、0.05〜1質量%含有し、残部がAgおよび不可避不純物からなる成分組成の銀合金で構成されているスパッタリングターゲットを用いてスパッタにより成膜する。 (もっと読む)


【課題】磁気トンネル接合素子のMR比を向上させることが可能なスパッタリングターゲット、及びそれを用いた磁気メモリの製造方法を提供する。
【解決手段】MgOを主成分とし、厚さが3mm以下であるターゲット本体10を備えることを特徴とするスパッタリングターゲット、及びそれを用いた、MR比を向上させることができる磁気メモリの製造方法である。 (もっと読む)


【課題】大型ターゲット等の製造コストの低減を図った上で、ターゲットに起因するパーティクルの発生を抑制したスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲット1の製造方法は、基体2と金属原料粒子とを準備する工程と、基体2にコールドスプレー法を適用して金属原料粒子を高速で吹付け、基体2上に金属粒子4の堆積膜からなるターゲット層3を形成する工程とを具備する。ターゲット層3のX線回折チャートにおける第1ピークと第2ピークとの比率をP1、金属原料粒子のX線回折チャートにおける第1ピークと第2ピークとの比率をP2としたとき、P1とP2との差が10%以内となるように、金属原料粒子を基体2に吹付ける。 (もっと読む)


【課題】 ターゲット材の長寿命化を図ることができるとともに、スパッタリング中に消耗するターゲット材の外力による変形を抑制することができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 本発明のスパッタリングターゲット100では、ターゲット材が、バッキングプレートに接する板状の基部と、前記基部のバッキングプレートと接する面とは反対側の面の中央部に前記基部と同軸かつ一体的に形成された凸部とを有する。また、本発明のスパッタリングターゲット200では、ターゲット材が、バッキングプレートに接する板状の基部と、前記基部のバッキングプレートと接する面の中央部に前記基部と同軸かつ一体的に形成された凸部とを有し、バッキングプレートが、ターゲット材と接する面の中央部にターゲット材の前記凸部と嵌合する凹部を有する。 (もっと読む)


【課題】大型化しても、耐力が低下せず、溶接作業のコストが従来より低い真空容器を提供する。
【解決手段】
中空の箱形容器11と、箱形容器11の第一の壁面121より大きく、第一の壁面121に密着して固定された第一のフランジ板13aと、第一のフランジ板13aと第一の壁面121とを貫通して設けられ、箱形容器11の中空の部分14と外部空間とを連通させる第一の貫通孔15aと、箱形容器11の第一の壁面121に接続された第二の壁面122に設けられた第一の開口16aと、第一の開口16aより大きく、第一の開口16aを覆う位置に取り外し可能に配置された第一の扉板17aとを有する真空容器10であって、第一のフランジ板13aと第一の壁面121とは一体成形されている。そのため、繰り返し使用しても、第一のフランジ板13aと第一の壁面121との間に割れが起こらず、気密不良が生じない。 (もっと読む)


【課題】窒化リン酸リチウム膜の成膜速度を高めつつ、該窒化リン酸リチウム膜における膜特性の安定性を高めることの可能な窒化リン酸リチウム膜の成膜方法、該方法を用いて窒化リン酸リチウム膜を成膜する装置、及び該方法によって成膜された窒化リン酸リチウム膜を提供する。
【解決手段】
窒素とアルゴンとが含まれる真空槽11内でリン酸リチウムのターゲット13をスパッタして窒化リン酸リチウム膜を基板Sに成膜する。スパッタ装置のターゲット13には、インジウム層14を介して銅からなるバッキングプレート15が接合され、バッキングプレート15には、インジウム層14を温調する冷却水が循環される。スパッタ時には、真空槽11内の圧力を0.25Pa以上1.0Pa以下とし、ターゲット13に3.5W/cm以上5.7W/cm以下の電力密度で高周波電力を供給し、インジウム層14の温度を20℃以上60℃以下とする。 (もっと読む)


【課題】 ダメージが少なく均質な膜を形成可能な成膜装置や、当該成膜装置により形成される膜を電極として用いる発光装置を提供する。
【解決手段】 成膜装置1は、ターゲットTaの側方を囲うように配置されるシールド部6と、ターゲットTaの裏面側に配置されて磁場を発生する棒状の磁場発生部4と、ターゲットTaの表裏方向に対して垂直な面である水平面内で磁場発生部4の長手方向に対して垂直な方向である駆動方向に沿って磁場発生部4を直線的に往復駆動する駆動部5と、を備える。磁場発生部4が駆動部5によって駆動される範囲の端に位置するとき、磁場発生部4と、シールド部6を水平面に対して垂直に投影したときの射影との駆動方向における距離は、10mm以上である。 (もっと読む)


【課題】簡素な構成として、既存のスパッタ装置に容易に搭載可能であって、スパッタ源であるターゲットをスパッタ装置に取り付けた状態で、孔の開く直前の限界まで使用することが可能となるスパッタ源終端検出機構を提供する。
【解決手段】ターゲット終端検出器10は、スパッタ装置のターゲットホルダ25の表面に形成された溝25cに収納されて、その上に載置されているターゲットT1の裏面に光を照射する導光体11と、導光体11に接続した光源12とを備え、導光体11は、ターゲットT1におけるスパッタ装置により消費される部位の裏側に配置され、ターゲットT1が薄肉化して孔の開く直前になると、導光体11から発光した光がターゲットT1を透過して、表面側で検知されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング用分割ターゲット装置及びそれを利用したスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】ベースプレート110と、ベースプレートの一面に規則的な列をなして付着した複数の小片ターゲット120、及びベースプレートの他面に複数の小片ターゲットとそれぞれ対になって付着した複数の磁石130とを備えた複数のソースユニット140と、を備え、ソースユニットは、列の方向である第1方向と、それに垂直である第2方向との間の角度において相互平行に配列されたスパッタリング用分割ターゲット装置100である。これにより、製造及び取扱の容易な小片ターゲットを使用しつつも均一な蒸着品質が得られ、結果的に、ディスプレイ装置の輝度を画面全体にわたって均一にしうる。 (もっと読む)


【課題】インジウムターゲット内における不要な不純物の含有が良好に抑制された積層構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】積層構造体は、バッキングプレート、バッキングプレート上に形成された、インジウムと金属Mとの合金からなるロウ材、及び、ロウ材上に形成されたインジウムターゲットを備え、金属Mが、亜鉛、銀、及び、ビスマスから選択された1種以上である。 (もっと読む)


【課題】マグネトロン型スパッタ装置において複雑な駆動機構などを要することなくターゲットのエロージョンプロファイルを改善してターゲットの使用効率を向上させる。
【解決手段】ターゲット裏面の外周縁に沿って配置された外周磁石1と、外周磁石1の内周側に外周磁石1と間隔を有して周回配置された内周シム6と、ターゲット裏面の中央部でターゲットの長軸方向に沿って伸張して内周シム6内周側と間隔を有して配置された中央シム7を備え、外周磁石1は、ターゲットの短軸方向両端部に位置して長軸方向に伸長し、互いに異極の長軸磁石部2、3と、長軸方向両端部に位置して、長さ方向で二つに分割され、隣接する長軸磁石部2、3と同極の磁極を有する短軸磁石部2a、2b、3a、3bを有し、生成プラズマ密度が一様となり、ターゲットのエロージョンを均一にできる。 (もっと読む)


【課題】スパッタ開始から終了までの成膜レートや放電電圧等のスパッタ特性が安定なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ターゲットの一方の表面から他方の表面にかけてターゲットの厚さ方向に延びる柱状晶組織を有し、柱状晶組織の体積含有率が90〜100%であるインジウムターゲット。 (もっと読む)


【課題】全固体電池等の薄膜電池で使用する薄膜正極を形成するリチウム含有遷移金属酸化物ターゲット及びその製造方法並びにリチウムイオン薄膜二次電池を提供する。
【解決手段】結晶系が六方晶系を示すリチウム含有遷移金属酸化物の焼結体よりなるターゲットであって、相対密度が90%以上、平均結晶粒径が1μm以上50μm以下の焼結体よりなるリチウム含有遷移金属酸化物ターゲット及び結晶系が六方晶系を示すリチウム含有遷移金属酸化物の焼結体よりなるターゲットであって、CuKα線を使用したX線回折による(003)面、(101)面、(104)面の強度比が次の(1)及び(2)の条件を満たすリチウム含有遷移金属酸化物ターゲット。(1)(003)面に対する(101)面のピーク比が0.4以上1.1以下、(2)(104)面に対する(101)面のピーク比が1.0以上。 (もっと読む)


【課題】
低酸素含有量窒化ガリウム焼結体ならびに低酸素含有量窒化ガリウムスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】
第1形態によれば、2.5g/cm以上5.0g/cm未満である窒化ガリウム焼結体を作成し、該焼結体をアンモニア含有雰囲気にて加熱処理することで、X線回折における窒化ガリウム(002)面のピーク強度に対する酸化ガリウム(002)面のピーク強度比が3%未満である低酸素含有量窒化ガリウム焼結体を作成する。 (もっと読む)


【課題】円筒形のセラミックスのターゲット材の接合面を電解還元することによって金属層を形成させ、これを下地層とすることによって、接合の際に接合部を押圧しなくても、冷却固化させるだけで、十分な接合率および強度が得られ、かつスパッタリング中の熱の影響で剥離や割れのない円筒形スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】円筒形セラミックスターゲット材21の内周面を電界還元して、ターゲット材の還元金属から成る下地層31を形成し、次いで円筒形支持基材11の外周面に円筒形セラミックスターゲット材を接合することにより、円筒形スパッタリングターゲットを製造する。 (もっと読む)


【課題】溶接入熱による変形を抑制しつつ、耐熱性・高耐圧性を確保することができるバッキングプレート及びその製造方法を提供する。
【解決手段】バッキングプレート10は、冷却媒体の循環用通路14が形成された本体11と、通路14と対向する開口121が形成された金属板12との接合構造を有する。金属板12の開口121には蓋体13が配置され、これにより通路14が被覆される。バッキングプレートにおいては、本体11よりも低硬度の金属材料で構成された金属板12に蓋体13が接合される。このため、例えば本体11に耐熱性を有する高強度材料を使用する一方、金属板12に摩擦撹拌接合(FSW)のような溶接入熱の少ない接合法を適用することができる金属材料を使用することができる。これにより溶接入熱による変形が抑制された、耐熱性・高耐圧性を有するバッキングプレートを得ることができる。 (もっと読む)


【課題】本発明の課題は、スパッタリングターゲットの寿命の間、スパッタリング材料の不変的に均質な層の製造を確実にするスパッタリングターゲットを提供することである。
【解決手段】この課題は、インジウム、亜鉛およびガリウムの少なくとも1つの三元系混合酸化物を含有する、インジウム、亜鉛およびガリウムの酸化物の混合物を有するスパッタリングターゲットであって、インジウム、亜鉛およびガリウムの三元系混合酸化物の割合が、混合物の総質量に対して少なくとも50質量パーセントであり、且つ、アモルファス相の割合が、混合物の総質量に対して少なくとも20質量パーセントである、スパッタリングターゲットによって解決される。 (もっと読む)


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