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Fターム[4K029DC25]の内容

物理蒸着 (93,067) | スパッタリング装置 (13,207) | バッキングプレート (485) | 冷却機構 (115)

Fターム[4K029DC25]に分類される特許

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【課題】特有の組成により、安定してスパッタ中の異常放電を防止できるスパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛質焼結体からなるスパッタリングターゲット材であって、密度が5.4×10kg/m以上5.6×10kg/m以下で、Al換算で1重量%以上3重量%以下のAlを含み、酸化亜鉛粒子10中に存在するZnAl粒子20の粒子径は3μm以下であり、酸化亜鉛粒界中に存在するZnAl粒子20の径は10μm以下である。このように僅かにボイドが存在する緻密な焼結体であるため、放電回数を低減しつつ、スパッタ中の割れを防止できる。また、適度にAlが含まれていることから体積抵抗率を低減できる。また、ZnAl粒子20が小さいため、抵抗の不均一相を小さくし、ZnAl粒子20を起点とする異常放電を防止できる。 (もっと読む)


【課題】 一つの低圧チャンバー内で、基材の表面の改質と該表面への成膜とを連続して行うことができるプラズマ改質成膜装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ改質成膜装置1は、チャンバー10と、基材Fを搬送する搬送手段20、200、201と、基材Fの表面を改質するECRプラズマ生成装置3と、基材Fの該表面に薄膜を形成する成膜装置6と、を備える。ECRプラズマ生成装置3は、マイクロ波を伝送する矩形導波管31と、該マイクロ波が通過するスロット320を有するスロットアンテナ32と、スロット320を覆うように配置され、プラズマ生成領域側の表面330はスロット320から入射する該マイクロ波の入射方向に平行である誘電体部33と、誘電体部33の裏面に配置される支持板34と、支持板34の裏面に配置される永久磁石35と、を備え、ECRプラズマP1を生成する。 (もっと読む)


【課題】円筒形状のターゲットの内部空間に冷却水が残留しにくいスパッタ装置、ターゲット装置を提供する。
【解決手段】
円筒形状のターゲット21の端部に固定された支持部材24には給水孔25と排水孔26とが設けられ、給水孔25からターゲット21の内部空間に冷却水が導入され、排水孔26から排出されながら、ターゲット21がスパッタされるスパッタ装置10であって、ターゲット21の内部空間には、ガスが供給されると体積が増加する風船部材28が配置されている。風船部材28が膨らむと、排水孔26より下方の空間に位置する冷却水は、風船部材28により押し上げられて排水孔26から排出され、ターゲット21の内部空間に残留する冷却水の量が減少する。 (もっと読む)


【課題】窒化リン酸リチウム膜の成膜速度を高めつつ、該窒化リン酸リチウム膜における膜特性の安定性を高めることの可能な窒化リン酸リチウム膜の成膜方法、該方法を用いて窒化リン酸リチウム膜を成膜する装置、及び該方法によって成膜された窒化リン酸リチウム膜を提供する。
【解決手段】
窒素とアルゴンとが含まれる真空槽11内でリン酸リチウムのターゲット13をスパッタして窒化リン酸リチウム膜を基板Sに成膜する。スパッタ装置のターゲット13には、インジウム層14を介して銅からなるバッキングプレート15が接合され、バッキングプレート15には、インジウム層14を温調する冷却水が循環される。スパッタ時には、真空槽11内の圧力を0.25Pa以上1.0Pa以下とし、ターゲット13に3.5W/cm以上5.7W/cm以下の電力密度で高周波電力を供給し、インジウム層14の温度を20℃以上60℃以下とする。 (もっと読む)


【課題】基板サイズの大型化により、基板を水平搬送でき、基板を略垂直に立てて成膜でき、かつ膜厚均一性がよく、低コストのターゲットや電源を利用でき、蒸着装置とのクラスタ化に適したスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】処理真空チャンバ(10)を有するスパッタリング装置であって、処理真空チャンバ内にカソード電極(60)が設けられ、カソード電極上にスパッタリングターゲット材料(61)が設けられ、処理真空チャンバ内に基板が上面搬送され、カソード電極は矩形であり、基板が垂直方向に立てられた状態でカソード電極が基板面と平行に走査されることで、スパッタリングターゲット材料が基板に成膜されるスパッタリング装置。 (もっと読む)


【課題】短い円筒型のサブターゲットを円筒軸方向に並べて構成される長い円筒型ターゲットを用いて、膜質の変化を抑制して成膜を行うスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】基板17を第1の円筒ターゲット19の近傍を所定の方向Dsに搬送させながら、中心軸Ax19に沿って延在する第1の円筒ターゲット19からスパッタリングして、当該基板17に薄膜を形成するスパッタリング装置Asであって、前記第1の円筒ターゲット19は、当該第1の円筒ターゲット19より筒長の短い第2の円筒ターゲット18が第1の所定数kだけ前記中心軸Ax19に沿って連結されて構成されると共に、当該中心軸Ax19が前記基板搬送方向Dsに対して第1の所定の角度θを成すように配置され、当該第1の所定の角度θは0°より大きく90°より小さいことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ターゲット材料をインジウムで全面接着することなく、冷却不足を解消できるバッキングプレート、ターゲット装置及びスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】バッキングプレートの基体部21の片側表面にはリング状に蓋板部23が密着固定され、その内側に形成された溝部24には外部から冷却媒体が送液される。冷却媒体は蓋板部23の裏面に接触し、蓋板部23表面上に保持されたターゲット材料22を冷却する。基体部21の内部には圧縮変形された弾性部材26が配置され、蓋板部23の裏面に裏面側から表面側に向く膨出力を印加している。プラズマ中のイオンの衝突によりターゲット材料22に反りが生じると、膨出力により蓋板部23はターゲット材料22の反りに追従して膨出するため、蓋板部23とターゲット材料22は広い面積で接触し続け、冷却効率は低下しない。 (もっと読む)


【課題】 中心磁極と外周磁極の間に中間磁極を配置した磁気発生機構を備え、スパッタリングターゲットの局所的な侵食を低減させ、使用効率を大幅に向上させたマグネトロンスパッタリングカソードを提供する。
【解決手段】 ターゲット表面の磁束密度について、領域A内で中心磁極12からターゲット端部への垂直磁束密度が−50〜+50ガウスの範囲で連続する長さを短辺長さの0.07倍以上に調整する。また、領域Aの長辺方向の中央での中心磁極12からターゲット端部への水平磁束密度の絶対値の極小値を両端での水平磁束密度の絶対値の極小値の0.95〜1.4倍の範囲とし、領域Bの短辺方向の中央での中心磁極12の水平磁束密度の絶対値を垂直磁束密度の絶対値の0.4倍以下とする。 (もっと読む)


【課題】焼結体のターゲットであっても、ランニングコストを低減することが可能なターゲット、およびこれを備えた成膜装置を提供する。
【解決手段】クランプ27によって冷却板22に固定されるターゲット25は、金属粉体としてのZnの粉体と、Znの融点よりも融点が高い金属酸化物としてのZnOの粉体とを含む混合物が、t<T<t(ただし、上記式中、tはZnの融点、tはZnOの融点または昇華点である)で表される焼結温度Tで焼結された亜酸化物の焼結体である。 (もっと読む)


【課題】円筒状ターゲットを有するスパッタリング装置において、スパッタリング装置の稼動を停止させることなく、T/M距離を調整することを可能とするスパッタリング装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板にスパッタリングを行うスパッタリング装置において、チャンバと、チャンバ内に設けられた円筒状ターゲットと、前記円筒状ターゲットの内部に設けられたマグネットと、前記マグネットを前記円筒状ターゲット内部で支持するマグネット支持部材と、前記マグネット支持部材に接続されたマグネット昇降棒と、を有し、前記マグネット昇降棒を前記マグネット昇降機構により昇降させることにより、前記マグネットと円筒状ターゲット内壁との間隔を変更可能としたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置、帯電防止導電膜コーティング、ガスセンサーなどに用いられる透明導電膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜形成用スパッタリングターゲットは、Ga:0.1〜30質量%を含有し、残部がZnからなる組成を有するZn−Ga合金結晶粒をZn−Ga複合酸化物が包囲している組織を有する。 (もっと読む)


【課題】溶接入熱による変形を抑制しつつ、耐熱性・高耐圧性を確保することができるバッキングプレート及びその製造方法を提供する。
【解決手段】バッキングプレート10は、冷却媒体の循環用通路14が形成された本体11と、通路14と対向する開口121が形成された金属板12との接合構造を有する。金属板12の開口121には蓋体13が配置され、これにより通路14が被覆される。バッキングプレートにおいては、本体11よりも低硬度の金属材料で構成された金属板12に蓋体13が接合される。このため、例えば本体11に耐熱性を有する高強度材料を使用する一方、金属板12に摩擦撹拌接合(FSW)のような溶接入熱の少ない接合法を適用することができる金属材料を使用することができる。これにより溶接入熱による変形が抑制された、耐熱性・高耐圧性を有するバッキングプレートを得ることができる。 (もっと読む)


【課題】キャンロールの外周面と長尺基板との間に形成されるギャップ部にガスを導入して長尺基板を均一かつ効率的に冷却する方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバー内でロールツーロールで搬送される長尺基板Fに対して、内部に冷媒が循環し外周面にガス導入孔15a,15bを備えたキャンロールの当該外周面に部分的に長尺基板Fを巻き付けながら熱負荷の掛かる処理を行う長尺基板Fの処理方法であって、キャンロールの外周面上に画定される長尺基板Fの搬送経路の上流および下流にそれぞれ隣接して設けられたフィードロールの周速度とキャンロールの周速度とに差をつけながらキャンロールの外周面とそこに巻き付けられる長尺基板Fとの間に形成されるギャップ部にガス導入孔からガスを導入する。 (もっと読む)


【課題】高周波印加電力に大電力が印加された場合でも、高周波印加電極や基板電極、反応室壁などの気相と接する装置表面の温度上昇を抑制し、高精度での温度制御を可能とする薄膜製造装置を得ること。
【解決手段】基板電極12、および基板電極12に対向して設けられる高周波印加電極13を内部に有する成膜室11と、高周波印加電極13に高周波電力を供給する高周波電源15と、を備える薄膜製造装置10において、ガスと接する部位の構成部材に設けられる配管22,32と、配管22,32に所定の温度の冷媒を循環させるチラー21,31と、を有し、異なる温度の冷媒ごとに設けられる複数の冷却系統20,30と、高周波電源15による高周波印加電極13への電力の供給のオン/オフによる構成部材への入熱量の変化に応じて、構成部材の温度が所定の温度となるように各冷却系統20,30の冷媒の流量制御を行う流量制御部16と、を備える。 (もっと読む)


【課題】ターゲットが磁性体・非磁性体であるに関わらず、ターゲット上に均一な平行磁場分布を形成し、均一なエロージョンが得られ、ターゲットの広幅化やスパッタ薄膜形成速度向上あるいはCVD成膜速度向上の効果が得られる放電電極及び放電方法を提供する。
【解決手段】平板ターゲットを有する放電電極において、前記平板ターゲットの表面側の両側縁に沿うように設けられ、前記平板ターゲットを隔てて対向する磁性体と、該磁性体を隔てて前記平板ターゲットの反対側に前記磁性体と組み合わせて設けられ前記平板ターゲットを隔てて異極性の関係であるターゲット上部磁石を有することを特徴とする放電電極。 (もっと読む)


【課題】装置サイズの小型化を図りつつ、効率的に冷却可能なロータリージョイントを提供する。
【解決手段】
本発明ロータリージョイント200は、挿通孔を有し、かつ外部から流体を導入するための導入口215を有する筐体204と、回転軸に対して筐体と相対回転可能とされるべく、筐体の挿通孔に挿通された軸体ユニット201と、軸体ユニット内に回転軸方向に沿って形成され、導入口と連通させるための第一軸体ユニット導入路及び第二軸体ユニット導入路の途中に設けられ、該流体の流量を切り替えるための切替部材208とを備える。切替部材は、第1穴209と、第1穴の径より小さく、第一軸体ユニット導入路及び第二軸体ユニット導入路の径より小さい第2穴210と有する。切替部材により、第一軸体ユニット導入路を流れる流体の流量及び第二軸体ユニット導入路を流れる流体の流量を変更可能である。 (もっと読む)


【課題】対向ターゲット式スパッタ装置において、磁性体膜の成膜速度を高速化するとともに、長時間の成膜安定性を実現する。
【解決手段】スパッタ装置のターゲットモジュールは、スパッタされる表面を対向して設けられる一対のターゲット部材を交換可能に保持する一対のターゲット保持部と、一方のターゲット部材の表面から他方のターゲット部材の表面に向かう磁束を発生する磁場発生手段と、ターゲット部材の表面上で周辺部分よりも中央部分の磁束密度が低下するように磁束密度を分布させる磁束密度分布調整手段と、を有する。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング法によってMgF薄膜を形成するにあたり、経時変化による屈折率の変化を抑えることのできる成膜方法を提供する。
【解決手段】酸素及び窒素の少なくとも一方を含むガスを導入しながら、表面の温度を650°C〜1100°Cの間に保持したMgF131をイオンでスパッタリングすることにより、MgFの少なくとも一部を分子状態で跳び出させ、分子状態のMgFで基板102上へ膜を形成する第1成膜工程と、基板上に酸化物を成膜する第2成膜工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】厚さの増加を図りながらも、アーキングの発生が抑制されうるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】ターゲット材10には、その側面13の途中から裏面12に向かって当該ターゲット材10を徐々に小径または幅狭にするような傾斜面14が形成されている。側面13と傾斜面14との境界線をなす稜線部15の表面粗さRaおよび裏面12を基準とした高さhの組み合わせを表わすRa−h平面におけるプロットが、第1範囲S1又は第1範囲S1の一部である第2範囲S2に含まれるようにターゲット材10が形成されている。 (もっと読む)


【課題】基板に対する成膜の生産性を向上させることが可能な成膜装置およびターゲット装置を提供する。
【解決手段】成膜装置1は、成膜材料であるターゲット25と当該ターゲット25に接触して冷却する板状の冷却板22とを備えており、ターゲット25と冷却板22とはクランプ27によって固定され、冷却板22は、ターゲット25と対向する面である第1の面22aとは反対側の面である第2の面22bが第1の面22aよりも高圧の雰囲気に曝されると共に、第1の面22bにおける中央部22cがターゲット25側に変位してターゲット25を押圧する。 (もっと読む)


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