【課題】スパッタリングターゲット周りに金属の膜を付けず、安定した遷移状態の放電が続いている状況の下で、所定金属の化合物膜を高い生産性を持って成膜する反応性スパッタリング方法及び光学部材を提供する。
【解決手段】反応性スパッタリング方法が、真空チャンバ内に不活性ガスと反応性ガスとを導入し、該真空チャンバ内の成膜基体に、スパッタリングターゲットと反応性ガスとの化合物膜を形成する反応性スパッタリング方法で、所望の成膜を行うスパッタリングターゲットへの印加電力よりも低い印加電力で、遷移状態となるような印加電圧を設定した状態で放電を開始後、印加電圧及び反応性ガスの導入量を制御することで遷移状態を維持しつつ、所望の成膜を行う投入電力とスパッタリングターゲットの反応状態に移行させるようにする。 （もっと読む）

【課題】シートプラズマ成膜装置において、成膜対象である基板が、その表面に穴や溝等の立体形状が形成されているものであっても、これら穴や溝における段差被覆性を向上させ、膜厚の分布をより均一とする技術を提供する。
【解決手段】互いに対向するターゲット電極３７と基板支持電極３６との間の成膜空間にシートプラズマＳＰが導入され、成膜プロセスが実施される。このとき、ターゲット電極３７の裏側面に、軟磁性材料からなりターゲット電極３７よりも小さい磁性部材４６を配置して、磁性部材移動機構６０により前記裏側面内を移動させる。これにより、シートプラズマＳＰにスパッタ量が増大する凸状部位Ｐｃが生じるので、成膜プロセス時に凸状部位Ｐｃを移動させれば、スパッタ量のばらつきを低減し、膜厚分布、段差被覆性等の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【解決手段】物理的蒸着装置は、側壁を有する真空チャンバ、カソード、高周波電源、基板支持体、シールド及びアノードを含む。カソードは真空チャンバ内にあり、スパッタリングターゲットを含むように構成される。高周波電源はカソードに電力を印加するように構成される。基板支持体は真空チャンバの側壁の内側にあり、当該側壁から電気的に絶縁される。シールドは真空チャンバの側壁の内側にあり、当該側壁に電気的に接続される。アノードは真空チャンバの側壁の内側にあり、当該側壁に電気的に接続される。アノードは環状体と当該環状体から内向きに突出する環状フランジとを含み、プラズマ生成用のターゲットの下の体積を画定するように環状フランジは配置される。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理室内に配置され、下方側に管構造を備える基板支持装置において、装置構成の大規模化や複雑化を招くことなく、管構造内部での結露を有効に防止する。
【解決手段】 基板支持電極を構成する基板ベース１１と基板支持電極を支持する支持管１４とは、絶縁フランジ１５で互いに絶縁され、また、基板ベース１１の下面１１１に接続される冷却水配管等は、支持管１４の内部で絶縁カラー１６により保持される。また絶縁カラー部１６は絶縁フランジの中空に嵌合している。ここで、基板ベース１１の下面１１１、絶縁フランジ１５の内周面１５２、および絶縁カラー部１６の外周面１６１により形成される下面露出空間Ｓを、防水透湿性材料からなるＯリング１７で水密に封止する。Ｏリングは透湿性を有するので、冷却により生じた水滴Ｄを水蒸気として、下面露出空間Ｓから揮発させることができる。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子流輸送用の輸送室の熱損傷、および、この輸送室での荷電粒子流の電力効率低下を簡易かつ適切に抑制できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置１００は、アノードおよびカソード間の放電により、荷電粒子流を形成できる荷電粒子流形成手段４０と、荷電粒子流形成手段４０から放出された荷電粒子流２７を輸送する輸送室２０と、輸送室２０から放出された荷電粒子流２７を用いて真空処理が行われる接地状態の導電性の真空処理室３０と、を備える。そして、輸送室２０が、導電性の第１壁部材２０Ｃおよび第１壁部材２０Ｃの内部に配された絶縁性の第２壁部材２０Ｄを有しており、第２壁部材２０Ｄの内部が、荷電粒子流２７の輸送空間２１になっている。 （もっと読む）

【課題】 シートプラズマ成膜装置を大型化することなく、基板により均一な膜厚の膜を効果的に形成することが可能なシートプラズマ成膜装置を提供する。
【解決手段】 シートプラズマ成膜装置１００が、成膜槽３０と、シートプラズマ発生機構６０と、多重リングターゲット３３及び基板ホルダ３４と、電源装置Ｖ２〜Ｖ６と、を備え、前記多重リングターゲットは、センターターゲット及び複数のリングターゲットを備え、前記多重リングターゲットの中央から周囲に向けて、前記センターターゲット及び前記複数のリングターゲットの偶数番目にバイアス電圧が印加されるように構成されている場合にはその奇数番目が少なくとも接地可能に構成され、その奇数番目にバイアス電圧が印加されるように構成されている場合には偶数番目が少なくとも接地可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】成膜レートを安定に維持することができるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の一形態に係るプラズマ処理方法は、エッチング工程と保護膜形成工程とを交互に繰り返し実施することでシリコン基板に高アスペクト比のビアを形成する。そして、保護膜の形成工程にはスパッタ法が適用される。スパッタ工程では、アンテナコイル２３に高周波電力（ＲＦ１）を供給して、真空槽２１内にスパッタ用ガスのプラズマを形成する。このとき、アンテナコイル２３に供給する高周波電力を２ｋＷ以上とする。アンテナコイル２３に供給する高周波電力が２ｋＷ以上の場合、当該高周波電力が２ｋＷ未満である場合と比較して、ターゲット３０の使用時間に依存しない安定した成膜レートを得ることが可能となる。 （もっと読む）

プラズマプロセスチェンバーにおいてウェーハレベルアークを検出するための方法と装置。方法は、例えば、プラズマプロセスチェンバーに供給された信号の波形を監視することと、波形中の特徴を検出することと、特徴を検出したことに応答して、波形が特徴の後で安定化したかどうかを決定することと、波形が安定化したことに応答して、特徴が双方向波形異常の一部であるかまたは一方向波形遷移であるかを決定することと、特徴が双方向波形異常の一部であることの指標かまたは特徴が一方向波形遷移であることの指標のどちらかを、コンピューター読み取り可能な媒体に記録することと、を含む。
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開示された発明は、ＰＶＤ又はＩＰＶＤにおいてイオン化を高めるために同軸マイクロ波アンテナを使用する。同軸マイクロ波アンテナは、電源に従属しているスパッタリングカソード又はターゲットに隣接するプラズマ密度を均一に増加させる。同軸マイクロ波源は電磁波を横電磁波（ＴＥＭ）モードで生成する。また、本発明はスパッタリングを更に高めるためにスパッタリングカソード又はターゲットの近傍にマグネトロンを使用する。更に、高価なターゲット材料の高い収率を得るために、ターゲットは収率を改善するために回転可能とする。ターゲットは誘電体材料、金属、又は半導体を含む。またターゲットは、ターゲットが回転する中心軸周りに実質的に対称な断面を有する。ターゲットは実質的に円形又は環状の断面を有していてもよい。
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【課題】Ｚｎ含有複合酸化物膜の成膜方法において、Ｚｎ抜け問題を解決して、所望の組成比を有する良質のＺｎ含有複合酸化物膜の成膜を可能とする。
【解決手段】 プラズマを用いるスパッタ法により、ターゲットホルダ上のターゲットの構成材料を、ターゲットと離隔した位置にある成膜基板に成膜するＺｎ含有複合酸化物膜の成膜方法において、成膜時のプラズマ中のプラズマ電位Ｖｓ（Ｖ）とフローティング電位Ｖｆ（Ｖ）との電位差Ｖｓ−Ｖｆ（Ｖ）を、成膜された膜中のＺｎが逆スパッタされる閾値以下となるように制御して膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 導電性フィルム、特にベアターゲット本体とバッキングプレートを比較的低温で加熱することにより接着可能な導電性フィルムを提供し、更にベアターゲット本体とバッキングプレートを該フィルムで接着したスパッタリングターゲット、及び該スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】 導電性微粒子を含有する不飽和カルボン酸をグラフトした変性ポリオレフィンからなる導電性フィルム、ベアターゲット本体とバッキングプレートを導電性フィルムを用いて接着してなるスパッタリングターゲット、及びベアターゲット本体とバッキングプレートを導電性フィルムを用いて接着させるスパッタリングターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 耐摩耗性および潤滑性が高くかつ耐欠損性に優れた表面被覆工具を提供することにある。
【解決手段】 基体２の表面に、Ｍ_１−ａＡｌ_ａ（Ｃ_ｂＮ_１−ｂ）（ただし、Ｍは周期表第４、５、６族元素、Ｓｉ、Ｙ、Ｃｅのうちの一種以上の金属元素、０．２５≦ａ≦０．７５、０≦ｂ≦１）で表わされる被覆層６が形成され、被覆層６は層厚が１．０〜７．０μｍでビッカース硬度が２０〜６０ＧＰａであり、平均結晶幅が０．０２〜０．２μｍの結晶にて構成されているとともに、被覆層６の表面に厚みが０．０５〜０．５μｍでビッカース硬度が被覆層６の内部のビッカース硬度よりも小さいとともに、平均結晶幅が被覆層６の内部の平均結晶幅より大きい結晶にて構成された表面領域７が存在する表面被覆工具１である。 （もっと読む）

【課題】導電性部材間の短絡を抑制することができる絶縁フランジを提供することを目的とする。
【解決手段】その両端面が一対の導電性部材とそれぞれ接触するように、一対の導電性部材の間に介在し、締結部材４５により導電性部材に締結される絶縁性の環状の第１部材４３ａと、その両端面が導電性部材に接触しないように、第１部材４３ａの内孔に嵌挿された絶縁性の環状の第２部材４３ｂと、を備える、絶縁フランジ。 （もっと読む）

【課題】容易に製造でき、熱媒体を漏らさず高効率で機能する温調プレートおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】熱媒体を流通させる屈曲した経路を有する金属製の管部２０と、管部２０が埋設され、金属基複合材料で形成された本体部１０と、管部２０と本体部１０との間に充填された金属製の充填部３０と、を備える。本体部１０が金属基複合材料で形成されているため、温調プレート１は高強度、高剛性、低熱膨張性を有し、軽量である。また、金属製の管部２０が埋め込まれ、その管部２０に熱媒体を流通させることができるため、熱媒体が漏れることがない。また、熱媒体を流通させる経路が屈曲しているため、熱媒体への熱伝導性を高くすることで温度調節の効率を向上させることができる。また、充填部３０が金属で構成されるため、充填部３０により管部２０と本体部１０との熱膨張の差を吸収することができる。 （もっと読む）

【課題】 均一性を改善するための、層をエッチングまたはスパッタ堆積する装置を提供する。
【解決手段】 スパッタされたターゲット材料を基板上に堆積させるためのプラズマ堆積装置において、ＲＦコイルのインピーダンス整合ボックス内のキャパシタンスを、堆積プロセス中に、ＲＦコイルと基板の加熱、及び薄膜の堆積が、ＲＦコイルに沿ったＲＦ電圧分布の「時間平均」によってより均一になるように、変化させる。 （もっと読む）

【課題】硬質炭素層を備えた摺動部材において、摩擦係数の一層の低減を図ると共に、簡便なプロセスで製造することができ、しかも潤滑剤や潤滑油の選択の制約が少ない摺動部材を提供すること。
【解決手段】表面の硬質炭素層３と下地基材１の間に中間層２を設け、その中間層２が呈する柱状のドメイン構造における粒界の傾きのばらつきが特定範囲内、すなわちドメイン壁面２ａの傾き角度の標準偏差が１２°以内に収まるようにする。 （もっと読む）

【課題】 実機の摺動面の隙間で発生するプラズマを用いて、その場でプラズマコーティングし、摺動しつつプラズマコーティングを行うことにより、コーティングと同時になじみ運転も行うことができる技術を提供する。また、摩擦または摺動により、薄膜には絶えず接線力を加えた状態でコーティングし、接線力による膜中の組織の配向を発生させ、極めて高い耐摩耗性、良潤滑性の膜をコーティングできる技術を提供する。
【解決手段】 摺動体と回転体を摩擦又は摺動させることにより、これらの間にトライボマイクロプラズを発生させ、該摺動体と回転体の一方又は双方に、摺動体又は回転体を構成する物質の少なくとも一部からなる膜を形成することを特徴とするトライボマイクロプラズマコーティング方法。 （もっと読む）

【課題】半導体製造系におけるプラズマチャンバのためのスパッタ用コイルを提供する。
【解決手段】前記スパッタ用コイル１０４は、エネルギーをプラズマ中に結合し、そしてまた、ターゲット１１０からワークピース上にスパッタされる物質を補うために、コイル１０４からワークピース上にスパッタされるスパッタ用物質の供給源とする。或いは、複数のコイルを提供して、一つは主としてプラズマ中にエネルギーを結合するためのものとし、そして他の一つは主としてワークピース上にスパッタされるスパッタ用物質の補足の供給源としてもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、クレーター摩耗を低減するとともに高度な耐摩耗性を付与することができる被膜を備えた表面被覆切削工具を提供することにある。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材と該基材上に形成された被膜とを備えるものであって、この被膜は、１以上の層を含み、この層のうち少なくとも１の層は、化学式Ｓｉ_1-XＺｒ_XＺ_Y（ただし、Ｘ、Ｙはそれぞれ原子組成比を示し、０＜Ｘ≦０．３であり、０．８≦Ｙ≦１．２である。また、Ｚは硼素、酸素、炭素、および窒素からなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を示す。）で示される非晶質の第１化合物を含むジルコニウム含有シリコン層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐久性の高いタッチパネル１を提供する。
【解決手段】基板２２上に透明電極膜１８を形成し、透明電極膜１８の表面に第一の金属薄膜３１を形成してから、第一の金属薄膜３１表面にスパッタリング法で第二の金属薄膜３２を形成して下部電極層３０とする。第二の金属薄膜３２を成膜する際には、スパッタリング雰囲気中に酸素ガス又は窒素ガスを導入し、導入量を増大しながら金属ターゲット６１をスパッタリングするので、第二の金属薄膜３２は表面側程酸素又は窒素の含有量が多くなり、下部電極層３０の表面の耐摩耗性が高くなる。 （もっと読む）