【課題】 非製品用基板を用いずに処理室内の状態安定化処理を実行可能とすることで，非製品用基板の搬送等にかかる時間を省き，製品用基板の処理のスループットを向上させる。
【解決手段】 処理室２０２内でウエハＷのプロセス処理を開始するのに先立って，サセプタ２０５にウエハＷを載置しない状態で，処理室内に所定のガスを供給しながら処理室内の排気を行って，サセプタ２０５に高周波電力を印加して，処理室内の状態を安定化させる処理を実行させる。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線回折による最強回折強度を制御して、皮膜の密着特性を犠牲にすることなく、硼化物皮膜の高硬度化への性能改善をすることである。
【解決手段】基体表面にＡｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒから選択される１種以上の金属元素からなる硼化物皮膜を被覆した被覆工具において、該硼化物皮膜は六方晶の結晶構造を有し、Ｘ線回折において最強回折強度を（００１）面に有し、残留圧縮応力が０．１ＧＰａ以上であること、を特徴とする被覆工具である。 （もっと読む）

【課題】陽極に形成された反応生成物を取り除くことができるシートプラズマ装置を提供する。
【解決手段】本発明のシートプラズマ装置１００は、内部を減圧可能な減圧容器６０と、プラズマガン１０と、減圧容器の内部においてプラズマを受ける平板状の陽極５１と、減圧容器の一部を成すように形成され、その内部に円柱状のプラズマ２２を流動させかつこの円柱状のプラズマをシート状のプラズマ２７に変形させるシートプラズマ変形槽２０と、減圧容器の一部を成すように形成された成膜槽３０と、陽極を回転させる回転機構７５と、陽極の背後にかつ円柱状のプラズマの中心軸２２Ａ上に配置された永久磁石５２と、シート状のプラズマと離れた位置に陽極の前面に対向するように配置された清掃部材７６と、清掃部材を陽極に押し付ける押付機構８１と、清掃部材とシート状のプラズマとの間に配置された遮蔽板８２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマプロセスへのアーク放電のネガティブな作用及びプラズマプロセスの実施に使用される装置を最小限にまで低減し、この際に処理レートをできるだけ高く保持することである。
【解決手段】上記課題は、プラズマプロセスの動作の際のアーク放電の抑制のための方法において、対抗措置の時間経過は選択的に次のパラメータのうちの少なくとも１つに依存して決定される、すなわち、少なくとも１つの以前の対抗措置に対する時間間隔；当該開始時点以来の又は当該開始時点の前の可変的な時間以来の少なくとも１つの特性量の経過；以前の対抗措置が少なくとも１つの特性量の経過に基づいてトリガされたか又は少なくとも１つの以前の対抗措置に対する時間間隔に基づいてトリガされたかの区別に依存して決定されることによって解決される。 （もっと読む）

【課題】被堆積面がダメージを受け難くかつ膜組成の変更が容易なマグネトロンスパッタリング技術を提供する。
【解決手段】本発明の成膜方法は、各々が方向５１に延びた形状を有するターゲット部２１および２２を方向５２に並べてなりかつターゲット部２１および２２は組成が異なるスパッタリングターゲット２と、カソードマグネット１１と、基板３と、枠体１４１とこれに支持されたトラップマグネット１４３ａおよび１４３ｂとを備えたスパッタリングトラップ１４とを、ターゲット２と基板３とが枠体１４１の開口部１４２を挟んで向き合いかつターゲット２がカソードマグネット１１と基板３との間に介在するように配置し、カソードマグネット１１がターゲット部２１および２２と順次向き合うようにカソードマグネット１１をターゲット２に対して方向５２に相対的に移動させながらマグネトロンスパッタリング法により基板３上に膜を形成することを含む。 （もっと読む）

無線周波数（ＲＦ）電力をプラズマ室に印加するための無線周波数発生装置はＤＣ電源（Ｂ+）を含む。無線周波数スイッチは中心周波数ｆ₀の上記ＲＦ電力を発生させる。低域通過散逸終端回路網はＤＣ電源（Ｂ+）とスイッチとの間に接続され、第一遮断周波数にて作動する。スイッチはシステムの忠実度を向上させる出力回路網へ信号を出力する。出力回路網は所定周波数を超えるＲＦ電力を通過させる高域通過サブ高調波負荷絶縁フィルターへ送られる出力信号を発生させる。低域高調波負荷絶縁フィルターが出力回路網と高域通過サブ高調波負荷絶縁フィルターとの間に挿入されてもよく、高調波終端回路網が出力回路網の出力に接続されてもよい。高域通過終端回路網は所定周波数を超える周波数のＲＦ電力を散逸させる。オフラインショートまたは分路回路網はスイッチの出力と出力回路網の入力とに接続され、所定周波数にてスイッチの出力を短絡させてもよい。
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【課題】 有機高分子フィルム基材上に、ＺｎＯ系薄膜を形成した透明導電フィルムであって、ＺｎＯ系薄膜の膜厚が薄くなった場合（特に膜厚が１５０ｎｍ程度以下の場合）にも、低抵抗値であり、かつ湿熱環境下においても抵抗値の変化率が小さい、透明導電フィルムを提供すること。
【解決手段】 有機高分子フィルム基材上に、Ａｌ_２０_３薄膜が形成されており、その上にＧａをドープしたＺｎＯであるＧＺＯ薄膜が形成されていることを特徴とする透明導電フィルム。 （もっと読む）

【課題】スパッタ装置を大気に解放してメンテナンスを行う必要性を少なくするとともに、成膜プロセスを安定化させる。
【解決手段】減圧した成膜室１０にスパッタリングガス（Ａｒ）および反応性ガス（Ｏ₂ ）を導入し、反応性スパッタリングによって基板Ｗに成膜を行うスパッタ装置において、まず、スパッタリングガスのみを用いたメタルモード放電を行う。これによって、成膜室１０の内壁面やシャッター３１の閉口部に金属薄膜を被着させながら投入パワーを徐々に増大させて、成膜時の誘電体モードに移行させる。成膜室１０内にアノードとなる金属面を確保して成膜条件を安定させることで、設計値に極めて近い光学特性を有する誘電体薄膜を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の凹状成膜面における膜厚が均一で分光特性のばらつきが少なく、生産性が良く低コストで製造可能な薄膜の形成方法及びカルーセル型スパッタリング装置を提供すること。
【解決手段】所定の真空度に保たれたチャンバ内に、ターゲットとこのターゲットの前方に回転可能に基板ホルダを設け、前記基板ホルダに保持した凹状成膜面を有する基板の凹状成膜面に、前記基板ホルダを回転させ前記ターゲットの前方を横断させて、薄膜を形成するカルーセル型スパッタリング装置を用いた薄膜の形成方法であって、前記基板ホルダの上下部に保持された凹状成膜面を有する基板が前記ターゲットと対向する位置関係において、前記ターゲットに対面する前記基板の基板面はターゲットの中心方向に傾斜して保持される。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の配線および電極を形成するための熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた銅合金薄膜並びにその薄膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】希土類元素のうちの１種または２種以上を合計で０．１〜３原子％を含み、さらにＡｇ：０．１〜５原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなる。 （もっと読む）

【課題】アーク放電を検出して電源を遮断した後の任意の時刻において、アーク放電が連続的に発生するか否かを検出することができ、かつハードアークを抑制することができるアーク放電抑止装置およびその方法を提供する。
【解決手段】第２のアーク制御器１２２は、保持器１２３、モノステーブル回路１２４，Ｒ−Ｓフリップフロップ回路１２５およびオンディレイタイマー１２６を備える。保持器１２３は、アーク放電を検出してから所定の時定数だけアーク検出信号を保持する。Ｒ−Ｓフリップフロップ回路１２５は、モノステーブル回路１２４によりアーク放電を検出してから所定時間が経過した際に、アーク検出信号を保持しているときには、そのアーク放電をハードアークと判定し、さらにオンディレイタイマー１２６により所定時間だけ経過したとき、電源を再起動する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、グロー放電からアーク放電への移行を的確に行うことができ、また、アーク放電により発生したプラズマが安定してから成膜動作を行うことができるプラズマ成膜システムを提供することを目的とする。
【解決手段】カソード１５を有するプラズマガン１と、アノード４６と、カソード１５とアノード４６との間を流れるプラズマをシート状に変形するシートプラズマ変形機構１１０と、ターゲット３７及び基板３３と、を有するプラズマ成膜装置１０１と、ターゲット３７とアノード４６との間の電圧を検出する第１電圧検出器１０２と、制御装置１０６と、カソード１５に電圧を印加する主電源１０７と、を備え、制御装置１０６は、前記第１電圧検出器で検出された電圧の変化率に基づき、主電源１０７によってカソード１５とアノード４６との間に印加する電圧値を変更する、プラズマ成膜システム。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、アノードの清掃を容易に行うことができ、また、生産効率が高いプラズマ成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】容器１０１と、プラズマを発生させるプラズマガン１と、プラズマを受けるアノード４８と、容器１０１の一部を成しその内部に成膜空間４２を有する成膜室４と、アノード４８と成膜空間４２との間に設けられ、容器１０１の内部空間のアノード４８に対向する位置に進出し及びそこから退避することにより、アノード４８に対して成膜空間４２を遮蔽及び開放し、かつ、放電電極として機能する遮蔽部材５２と、遮蔽部材５２を進出及び退避するよう駆動するための駆動機構５３と、アノード４８と遮蔽部材５２との間に放電によりプラズマを発生するための電圧を印加する電源３６と、を備える、プラズマ成膜装置。 （もっと読む）

【課題】バリヤ層や補助シード膜等の成膜プロセス条件を適切に選択して凹部の底部を削り取り、削り込み窪み部の底部の電気抵抗上昇の原因となる層を取り除きつつ側面や上面に薄膜を形成することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】処理容器３４内で金属ターゲット７８をイオン化させて金属イオンを含む金属粒子を発生させ、載置台４４上に載置した被処理体Ｗにバイアス電力により引き込んで表面に凹部５が形成されている被処理体の表面に薄膜を形成する成膜方法において、凹部の最下層の底部を削って削り込み窪み部１２を形成しつつ凹部内の表面を含む被処理体の表面全体に第１の金属を含む薄膜よりなるバリヤ層１０を形成するバリヤ層形成工程と、削り込み窪み部の底部を更に削って凹部内の表面を含む被処理体の表面に第２の金属を含む薄膜よりなるメッキ用の補助シード膜１４Ａを形成する補助シード膜形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、プラズマとターゲット及び／又は基板との間の距離を制御することにより、効率よくスパッタすることができ、基板に所望の膜厚を形成することができるプラズマ成膜システムを提供することを目的とする。
【解決手段】カソード１５と、アノード４６と、カソード１５とアノード４６との間を流れるプラズマをシート状に変形するシートプラズマ変形機構１１０と、ターゲット３７及び基板３３と、を有するプラズマ成膜装置１０１と、ターゲット３７とアノード４６との間の電圧を検出する第１電圧検出器１０２と、ターゲット３７をプラズマが流れる方向に対して垂直方向に移動させる第１駆動機構１０４と、制御装置１０６と、を備え、制御装置１０６は、第１電圧検出器１０２で検出された電圧値に基づき第１駆動機構１０４を駆動させることによりターゲット３７の位置を調整する、プラズマ成膜システム。 （もっと読む）

【課題】 両サイド解放タイプの連続成膜装置において、真空成膜時に固定チャンバ部に回転自在に支持されたロール群の軸間平行度が崩れないようにする。
【解決手段】 真空チャンバ１を備え、真空チャンバ１の口字形外枠部２５を固定チャンバ部１５とし、前記外枠部２５の側方開口を閉塞する側面壁２６Ｌ，２６Ｒを移動チャンバ部１６Ｌ，１６Ｒとし、前記固定チャンバ部１５に対して開閉自在に設ける。前記固定チャンバ部１５に成膜ロール２などのロールを回転軸が壁面に垂直になるように設ける。前記固定チャンバ部の背面壁２１及び正面壁２２は、前記真空チャンバ１を減圧したとき、背面壁と正面壁が内側に曲がることによって生じるたわみが縦方向の任意位置にて同等となるように設けられる。 （もっと読む）

【課題】 両サイド解放タイプの連続成膜装置において、成膜ロールの下方に成膜源を設けた場合でもそのメンテナンス性に優れた連続成膜装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ１を備え、真空チャンバ１の口字形外枠部２５を固定チャンバ部１５とし、前記外枠部２５の側方開口を閉塞する側面壁２６Ｌ，２６Ｒを移動チャンバ部１６Ｌ，１６Ｒとし、前記固定チャンバ部１５に対して移動チャンバ部をヒンジ機構１８により開閉自在に設ける。前記固定チャンバ部１５に成膜ロール２を回転自在に設け、その側方に配置される側方成膜源７Ｌ，７Ｒを前記移動チャンバ部１６Ｌ，１６Ｒに着脱自在に設け、その下方に配置される下方成膜源８Ｌ，８Ｒを前記固定チャンバ部１５内に設けられたヒンジ機構１９によって前記固定チャンバ部１５の内外に出退自在に設ける。 （もっと読む）

【課題】 抵抗温度係数が−２５〜＋２５ｐｐｍ／℃の範囲内という抵抗温度特性、１５５℃で１０００時間の高温保持における経時的抵抗変化率が０．１％以下という高温安定性、および、酸性人工汗液（ＪＩＳ Ｌ０８４８）を用いた電食試験における溶解開始電圧が３Ｖ以上となる耐塩水性を、同時に備える薄膜抵抗器を提供する。
【解決手段】 スパッタリング法により抵抗薄膜を成膜するに際して、２０質量％以上、６０質量％以下のＴａと、８質量％を超え、１５質量％以下のＡｌを含み、残部はＣｒおよびＮｉからなり、Ｎｉに対するＣｒの質量比Ｃｒ／Ｎｉが０．５〜１．２であるスパッタリングターゲットを用いる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングされた材料内の軽い成分は、スパッタリングされた材料内の重い成分よりも高濃度に堆積される傾向がある。このことから、スパッタリングされた材料が均質に堆積されるスパッタ堆積装置および方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１つのスパッタターゲット２、第１のプラズマ３、基板ホルダー４、および追加プラズマ５を備えたスパッタ堆積装置を提案する。追加プラズマ５は、ＥＣＷＲプラズマであることが好ましい。別の形態によれば、追加プラズマ５と上記基板ホルダー４との間に、アノード６が備えられている。さらに別の形態によれば、基板ホルダー４は、厚さを変化させた誘電体層を有している。 （もっと読む）

【課題】 アスペクト比４以上のホールの内面にボトムカバレッジ率よく成膜を行えるようにする。
【解決手段】 チタン等の金属製のターゲット２をスパッタして基板５０に所定の薄膜を作成するスパッタチャンバー内に所定のガスを導入するガス導入手段４は、ターゲット２から放出されるスパッタ粒子に反応して、ホール５００の側面５０１に対する付着性がスパッタ粒子単体の場合よりもより低く且つホール５００の底面５０２において解離可能な化合物を生成する水素等の反応性ガスを導入することが可能である。狭いホール５００の底面５０２まで効率よくスパッタ粒子が到達できるので、ホール５００の底面５０２での膜堆積が促進され、ボトムカバレッジ率が向上する。 （もっと読む）