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Fターム[4K029DC27]の内容

物理蒸着 (93,067) | スパッタリング装置 (13,207) | スパッタ方式 (5,546) | 放電プラズマによるもの (2,861)

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電源 (2,524)

Fターム[4K029DC27]に分類される特許

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【課題】ガス導入チューブ内でのプラズマの発生を防ぐことのできるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】一端部がカソード部のガス導入口に接続され、他端部が接地された部材に結合された電気絶縁性のガス導入チューブ25の中空部内に、この中空部を長手方向に沿って複数に分ける通気性を有する複数の導体31と、ガス導入チューブ25の中空部を狭めて、その中空部よりも断面積が小さいガス流路をガス導入チューブ25の一端部と他端部との間に形成する複数の誘電体32と、を設けた。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング時にパーティクル発生が少ない相変化膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】原子%でGeを20.2〜24.2%、Sbを20.2〜24.2%含有し、残部がTeおよび不可避不純物からなる組成を有しかつ六方晶構造のGeSbTe相が質量%で90%以上占めている組織を有するターゲットであって、このターゲットは前記組成を有するインゴットを熱処理したのち粉砕もしくは前記インゴットを粉砕して得られた合金粉末を熱処理したのち解砕した原料合金粉末を加圧焼結することにより得られる。 (もっと読む)


【課題】一様なプラズマ処理を行うこと。
【解決手段】半導体用プラズマ処理装置における非一様性を低減させるためのシステム(40)であって、基板支持体(14)を囲み得る寸法のものとされ、かつ、少なくとも3個という複数のセグメントから形成された、リング形状電極(50)と;この電極の各セグメントに対して接続された電気エネルギー供給源と;この電気エネルギー供給源に対して接続されたコントローラ(60)と;を具備し、コントローラが、電極の各セグメントを順次的に励起するようにして電気エネルギーを供給するようにプログラムされており、これにより、基板支持体の周縁回りにおける基板の非一様性の処理に影響を与え得るものとされている。 (もっと読む)


【課題】 プロセス全体に要するコストや時間を軽減させ、微粒子をナノオーダで選択的に堆積させつつ、高精度なパターニングを実現する。
【解決手段】 少なくとも微粒子を基板表面に堆積させて構成した薄膜の作製方法において、ナノメータサイズの核をいわゆる起点として照射される光により微粒子の堆積が誘起されることに着目し、ナノメータサイズの核が予め形成された基板表面へ微粒子を堆積させると共に光を照射させ、この照射する光の波長を制御することにより微粒子を選択的に堆積させる。 (もっと読む)


【課題】より安定に状態の保持が得られるなど、金属酸化物から構成された材料を用いて安定した動作が得られる金属酸化物素子を提供する。
【解決手段】単結晶シリコンからなる基板101の上に絶縁層102,共通に設けられた下部電極層103,BiとTiとOとから構成された膜厚30〜200nm程度の複数の金属酸化物層104,金属酸化物層104毎に設けられた上部電極105を備える。また、隣り合う酸化物層104の間が、五酸化タンタルからなる絶縁分離層106により素子分離されている。 (もっと読む)


【課題】 ターゲットの交換や成膜処理ソースのメンテナンスが容易で、しかも設置スペースが少なくて済む連続成膜装置を提供する。
【解決手段】 本発明の連続成膜装置は、一端が閉塞されたチャンバ本体1と、前記チャンバ本体1の開口部を中間フランジ31を介して開閉自在に閉塞するベースフランジ2を有する。前記ベースフランジ2には巻出しロール12、巻取りロール13及び成膜ロール11を回転自在に支持するロールユニット3が設けられる。前記中間フランジ31には、前記ベースフランジ2が前記チャンバ本体1の開口部を中間フランジ31と共に閉塞する際、前記ロールユニット3が挿通する挿通穴が形成されると共に前記成膜ロール11に対向するように成膜処理ソース4が設けられる。 (もっと読む)


【課題】 イオンビームスパッタやマグネトロンスパッタ法で形成された、異なる2種類の膜材料界面で相互拡散や相互反応のない多層膜が形成可能なスパッタリングターゲットの提供。
【解決手段】 炭化硼素を主成分としたターゲットにアルカリ金属又はアルカリ金属の化合物を1種又は2種以上含む炭化硼素(B4C)ターゲットで、前記アルカリ金属又はアルカリ金属の化合物は、リチウム(Li)又はリチウム化合物を1種又は2種以上含む炭化硼素(B4C)ターゲットであるスパッタリングターゲット。 (もっと読む)


【課題】 耐熱性の低い基体に対しても、金属酸化物、窒化物、炭窒化物等のような高融点材料からなる成膜を形成することができる、バイポーラパルススパッタリング成膜技術を提供する。
【解決手段】 デュアルマグネトロン形式のバイポーラパルススパッタリング成膜装置において、マグネトロンと成膜する基体との間であって、二つのデュアルマグネトロンの中間位置に、プラズマ形状制御板を基体表面にできるだけ近づけるとともに、マグネトロン1基あたり投入電力をデューティー比30%以下に調整することによって、プラズマによる高活性領域、及び高プラズマ密度を、基体側に近づけるようにする。 (もっと読む)


スパッタ付着プロセスを改良する方法が提供されている。本方法は、下記のステップ、(a)真空を設けるステップと、(b)設けられた真空中に電極(10、34、34’、44、44’)を設けるステップと(c)、前記電極(10、34、34’、44、44’)と接触しない、前記真空中に基板を設けるステップと、(d)真空中に装置(22、22’、24、24’、26、26’、28、28’、30、36、36’、48、48’)をもたらすステップとを備える。本装置は、電極に対して相対運動状態であり、接触ゾーン全体にわたり電極と接触している。本装置は、電極から固体物質を取り除いたりあるいは電極に固体物を貼付したりする。本方法は、簡単なメカニズムによって行われる。複雑なエレクトロニクスあるいは精巧な制御アルゴニズムを必要としない。本方法は、真空中で行われる、すなわち、真空を破壊する必要なく、そのために機械停止期間が減少される。
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【課題】 プラズマスパッタ蒸着による、ガラス基板上への透明なかつ導電性に優れた薄膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】 圧力:3×10−5Pa以下の真空容器中に、周期表における0族の元素でアルゴン以上の元素の少なくとも1種からなる不活性ガスを0.7×10−1Pa〜1.8×10−1Paの圧力となるまで導入し、該不活性ガスに0.6%〜1%の水素および/または重水素を含有せしめた雰囲気下に、アルカリフリーガラス基板をターゲットに対向配置しプラズマ内で電気的にフローティング状態として、金属フィラメントの存在下に低ガス圧プラズマスパッタ法によって基板上に100nm以上の厚さの高機能透明導電性薄膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】 酸化化合物薄膜を形成するスパッタ成膜装置に於いて、マスキング等の物理的遮断機構を用いずに、大口径ターゲットを用いた成膜のスパッタ成膜レートを均一化する為の成膜手段の提供。
【解決手段】 ターゲットと成膜基板間であって、位置的にターゲットと成膜基板間ではあるが、高密度なプラズマの分布領域を避けたターゲットの脇、及び周辺位置に、各々が独立した2個以上の複数のガス導入、供給経路及びガス吹き出し口を持ち、各々から放電ガスや反応ガス、或いは放電及び反応ガスを混合したガスを供給できる機構(供給口)を具備し、そのガス吹き出し口位置とターゲット表面及び端部との距離をmm単位で調整(変えることが)可能に成る機構を持つ構成、及び本発明の各々のガス導入、供給口は、導入ガスの流量をコントロールすることの出来るマスフローとそのマスフローコントローラーを具備し、各々のターゲット毎に決まった流量を決まったガス導入経路から導入、供給することが出来る機構を持つ構成。 (もっと読む)


本発明は、窒素残留ガスを用いて、混相の圧縮性タンタル薄膜(112)を形成する方法(200)を包含する。当該方法(200)は、所定のβタンタル対αタンタル比率に応じて、プラズマスパッタリング時の窒素残留ガス圧を選択すること(204)を含むことができる。当該方法(200)は、300℃未満の基材温度において実行することができる。混相の圧縮性タンタル薄膜(112)及び流体吐出デバイス(100)も開示する。
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誘電窓を導電性の付着物から保護するための改良されたバッフルが、高密度プラズマ装置において提供される。 このバッフルは、導電性のブリッジで寸断される溝部の切込みを有する中央部の円形状の部材を備えている。 前記溝部の間で本体に形成されたリブは、穿設された冷却液通路区域を備えており、前記バッフルの周辺の環状部材に形成された相互接続通路部によって直列的に接続されており、前記バッフルの周辺の前記環状部材に、前記入口から前記出口への連続する蛇行状の冷却液流路が形成される。
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【課題】被処理体の凹部の開口にオーバハング部分を生ずることなく、この凹部の側壁に均一に金属膜を形成することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器14内でプラズマにより金属ターゲット56をイオン化させて金属イオンを発生させ、金属イオンを処理容器内の載置台20上に載置した被処理体にバイアス電力により引き込んで凹部2が形成されている被処理体に金属膜6、70を堆積させるようにした成膜方法において、載置台に、金属イオンに対する引き込みによる成膜とプラズマガスによるスパッタエッチングとが同時に生ずるような大きさのバイアス電力を加えて、凹部の側壁に金属膜を堆積させる成膜工程を行う。これにより、凹部の開口にオーバハング部分を生ずることなく、この凹部の側壁に均一に金属膜を形成する。 (もっと読む)


チタン−銅−ニッケルベースの合金の使用を提供する。前記チタン−銅−ニッケルベースの合金は、高分子基板上に少なくとも1つの抵抗薄膜を形成することに使用される。前記合金は、50から80重量%のチタンと、10から25重量%の銅と、10から25重量%のニッケルと、を含み、前記薄膜の厚さは、約100から160ナノメートルである。前記合金は、有利には、69重量%のチタンと、15.5重量%の銅と、15.5重量%のニッケルとを含む。 (もっと読む)


【課題】転がり摺動部材から発生する摩耗粉を簡易にトラップする。
【解決手段】被処理体に対してアモルファス状又は多層状に固体潤滑膜を成膜する。この成膜は、スパッタリングされるためのターゲット16a,16b,16c,16dと、ターゲットの表面に非平衡磁場を発生させる非平衡磁場発生手段11,12と、ターゲットからスパッタリングされる物質が付着するように被処理体を対向配置するための配置手段14とを有し、電磁的に閉鎖した状態で被処理体に成膜する閉鎖磁界不均衡マグネトロンスパッタ(UBMS)装置を用いて行われる。そして、ターゲットの少なくとも1つ(16b)は磁性体(Ni)によって構成されているので、かかる装置によって成膜される固体潤滑膜は、被処理体に成膜された状態のときには磁場の影響をほとんど受けず、外力を受けることによって粉体となったときには磁場の影響を受ける。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、処理チャンバにダメージを与えることなく、クリーニング速度を速め、低温度で効率良く処理チャンバのクリーニングを行うことの可能な半導体基板処理装置のクリーニング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、半導体基板に所定の処理を施す処理チャンバを備えた半導体基板処理装置のクリーニング方法において、外部のチャンバ内で発生させたプラズマ放電によって、前記外部のチャンバ内でクリーニング用のガスを活性化させてハロゲンラジカル及び還元性ラジカルを生成させ、前記ハロゲンラジカル及び還元性ラジカルを処理チャンバ内に導入し、処理チャンバ内に堆積している堆積物を前記還元性ラジカルで還元して、前記ハロゲンラジカルで高蒸気圧ハロゲン化物として排気することを特徴とする。 (もっと読む)


強電離プラズマを生成する方法および装置が記載されている。本発明による強電離プラズマを生成する装置には、アノードとカソードとが含まれており、カソードはアノードに隣接して配置され、アノードとカソードとの間にギャップが形成される。イオン源は、カソードの近傍に弱電離プラズマを生成する。電源は、アノードとカソードとの間のギャップに電場を生成する。電場は、弱電離プラズマ内に励起原子を生成し、カソードから二次電子を生成する。二次電子は励起原子を電離することにより、強電離プラズマを生成する。
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【課題】 高速重切削加工で表面被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆超硬合金製切削工具を提供する。
【解決手段】超硬基体の表面に(a)下部層として層厚方向にそって、Al最高含有点(以下点A)とTi最高含有点(以下点B)とが所定間隔をおいて交互に繰り返し存在し、AlおよびTi含有量がそれぞれ連続的に変化する成分濃度分布構造を有し、点Aが特定の組成式:(Al1-X TiX)Nを満足し、上記点Aと点Bの間隔が、0.01〜0.1μmからなるTiとAlの複合窒化物層からなる硬質層、(b)上部層としてW:5〜20原子%、Ti:5〜20原子%、窒素:0.5〜18原子%、を含有し、残りが炭素と不可避不純物からなる組成を有すると共にW成分含有の炭素系非晶質体の素地に、結晶質炭窒化チタン系化合物の微粒が分散分布した組織を有する非晶質炭素系潤滑層、以上(a)及び(b)で構成された表面被覆層を形成してなる。 (もっと読む)


プラズマ処理システム(10)と方法は、金属流動シールド(42)が誘電体ウインドウを保護する時ほどでない制限的要件を持てる方法で、内部の高濃度プラズマ(30)を維持する真空チャンバ(12)の内部コイル(40)を提供する。シールドはコイルをプラズマ熱負荷からも保護する。コイルは積極的に冷却しなくてよい。若干の金属がシールドを通過できコイル上に蒸着できる。これは、外部コイル形態のシールドほど複雑でないスロット(43)を備えた薄いシールドをもたらす。シールドの良好なRF透明性は、遥かに簡単なシールド形状の結果である。コイルはスパッタリングされず消耗品でない。コイルは小さな導電空間に囲まれ、インダクタンスを減らし、コイル電流と電圧を減少し、調整回路(22a)とRFコネクタの設計と構成を順に単純化する。スティフナ(45)はコイルを支持し、金属蒸着による導電性通路の形成を避けるよう作られる。
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