【課題】異常放電が少なく、長時間安定的に放電可能なプラズマ処理用マグネトロン電極、及び異常放電に伴うダスト発生を抑制した成膜方法を提供する。
【解決手段】カソードケース１０１の開口部にバッキングプレート１０３を設け、その上にターゲット１０２が設けられ、カソードケースの中央部に主磁石１０５がターゲット側がＳ極の向きで設けられ、主磁石を取り囲むように補助磁石１０６がＮ極向きで設けられる。第二電極１０４を、第一電極１０１，１０２，１０３の外側磁極１１１の内側端部よりも外側か、または磁束密度の低い部分にのみ設ける。 （もっと読む）

【課題】基板の端部に均一な膜厚の薄膜を形成できるスパッタリング装置及びスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】
長手方向が互いに平行で、スパッタされる面が同一平面に位置し、側面が対面するように並んで真空槽内に配置された細長形状の複数のターゲットのうち、隣接する二個のターゲットを一組のターゲット組にすると、一組のターゲット組内では、少なくとも一個のターゲットにオフ電圧を印加し、オン電圧とオフ電圧とを、一組のターゲット組内の二個のターゲットに交互に印加してターゲットをスパッタし、基板に薄膜を形成するスパッタリング方法であって、ターゲット組は一列に並べられており、ターゲットにオン電圧とオフ電圧とを印加する際には、前記一列の端に位置するターゲット組内では、前記一列の端の方に位置するターゲットのオン電圧の印加期間を、他方のターゲットのオン電圧の印加期間よりも長くする。 （もっと読む）

【課題】
ターゲット材料の使用効率を良くできると共に形成される膜の均一性に優れたスパッタ成膜装置を提供する。
【解決手段】
本発明によるスパッタ成膜装置では、基板ホルダを回転させかつターゲットに対する距離を変えるため垂直方向に移動させる基板駆動装置と、カソード電極を基板の表面に平行に移動させるカソード電極水平方向駆動装置と、基板駆動装置及びカソード電極水平方向駆動装置に接続され、基板駆動装置による基板の回転及び垂直方向移動、並びにカソード電極水平方向駆動装置によるターゲットの水平移動を制御して、基板の表面形状に応じて基板とターゲットとの距離及び基板に対するターゲットの位置を調整する制御装置とが設けられる。 （もっと読む）

【課題】非晶質磁性膜上に形成される薄膜の結晶配向性を高めることが可能なスパッタ成膜装置を提供する。
【解決手段】非晶質磁性膜を有した基板Ｓが収容されて希ガスが供給される真空槽１１と、前記真空槽１１に設けられた接地電極であるシャッタ２２と、前記真空槽１１内に配置されたＭｇＯターゲットＴに接続されたターゲット電極を内蔵するカソード１８と、高周波電力を前記ターゲット電極に出力する高周波電源ＧＥと、前記ＭｇＯターゲットＴと前記高周波電源ＧＥとの間に直列に接続されたインピーダンス整合器２０とを備えるスパッタ成膜装置１０であって、前記シャッタ２２に流れる電流値を変更する可変キャパシタ２６が、前記インピーダンス整合器２０に対する前記ＭｇＯターゲットＴ側に、前記ＭｇＯターゲットＴと前記シャッタ２２とから構成される負荷２５に対して並列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】成膜方法および成膜装置において、成膜に用いる真空槽を大型化することなく、効率よく容易に多元系の薄膜の成膜を行うことができるようにする。
【解決手段】真空槽２内で被処理体３上に多元系の薄膜を成膜する成膜方法であって、構成元素あるいは組成が異なる２種類以上のターゲット片を有するターゲット組立体６を、独立に出力調整可能な複数の電源１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄの陰極に電気的に接続されたバッキングプレート７上に設置し、２種類以上のターゲット片のそれぞれに対して電圧印加するため、電源１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄの陽極に個別の配線を介して電気的に接続された電極を配置して、電源１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄの各出力電力をそれぞれ０％〜１００％の範囲で個別に調整して、ターゲット片からの原子または分子の放出量を変化させて、前記被処理体上に多元系の薄膜を成膜する方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】成膜方法および成膜装置において、ターゲットの使用効率を向上することができ、組成や膜厚の調整が容易であり、異なる膜構成を有する薄膜の成膜の効率を向上できるようにする。
【解決手段】スパッタ装置１を用いて、複数の膜構成に応じた材料のターゲット片を、第１電源１１、第２電源１２の陰極に接続されたバッキングプレート７上に設置するとともにターゲット片のいずれかの近傍に配置され第１電源１１、第２電源１２の陽極に接続可能に設けられた電極Ｅ_１〜Ｅ_ｎを設置し、被処理体Ｗをターゲット片を横断する移動経路に沿って時間差を設けて２個以上移動させ、膜構成と移動位置との情報に基づいて、電極Ｅ_１〜Ｅ_ｎの少なくともいずれかに選択的に電力を供給し、ターゲット片から選択的にターゲット粒子を放出させて、被処理体Ｗの各表面にそれぞれに応じた膜構成の成膜を行う成膜方法とする。 （もっと読む）

【課題】特性の良好な薄膜を効率よく成膜可能なスパッタリング成膜装置及び太陽電池製造装置を提供する。
【解決手段】反応室２１内に、成膜対象となる基板１０と、基板１０に対向して配置されたカソード電極となるターゲット２３と、基板１０とターゲット２３との間に配置されたアノード電極２４とを備えたスパッタリング成膜装置において、アノード電極２４が、櫛歯状をなし、該櫛歯状の隙間部分が成膜面に対して投影されるように配置されているスパッタリング成膜装置を備えた太陽電池製造装置。 （もっと読む）

【課題】高品質なシリコン系薄膜を高速かつ安全・安価に形成できるスパッタリング装置、スパッタリング方法および該シリコン薄膜を用いて作成した太陽電池や液晶表示装置（ＬＣＤ）等の電子デバイスを提供すること。
【解決手段】シリコンを主成分とするメインターゲット１ｍ上に該ターゲットと同様にシリコンを主成分とし、かつ面積が該メインターゲットより小さいサブターゲット１ｓを複数個配置したスパッタリングカソードをマグネトロン放電させ、かつ基板ホルダ７に載置した基板８に薄膜を形成することで解決できる。 （もっと読む）

【課題】隣接する薄膜間に勾配層が形成された多層膜であって、勾配層における濃度勾配がなだらかな多層膜を形成し得る方法を提供する。
【解決手段】円筒型の第１及び第２のターゲット３１ｂ，３２ｂを、第１のターゲット３１ｂからのスパッタ粒子の飛散領域である第１の飛散領域Ｒ１と、第２のターゲット３２ｂからのスパッタ粒子の飛散領域である第２の飛散領域Ｒ２とが重なるように配列し、第１のターゲット３１ｂ内の第１のカソード３１ａと第２のターゲット３２ｂ内の第２のカソード３２ａとの間に交流電圧を印加した状態で、基体１０を、第１及び第２のターゲット３１ｂ，３２ｂの配列方向において、第１のターゲット３１ｂ側から第２のターゲット３２ｂ側に向けて移動させ、第１及び第２の飛散領域Ｒ１，Ｒ２を通過させることによって基体１０の上に、第１及び第２の薄膜１１，１３と勾配層１２とを形成する。 （もっと読む）

【課題】 基板表面にダメージを与えずに高速成膜できると共に、異常放電が発生しにくいスパッタ装置を提供する。
【解決手段】 スパッタ装置１０は、チャンバ内に離間して設置された第１、第２の円筒状スパッタターゲットと、第１、第２の円筒状スパッタターゲットにそれぞれ電圧を印加する電圧印加手段と、チャンバ内にスパッタガスを導入するガス導入系７０と、第１の円筒状スパッタターゲットの内部に設けられ、第２の円筒状スパッタターゲットに対向する磁石を有する第１の磁石装置６０Ａと、第２の円筒状スパッタターゲットの内部に設けられ、第１の磁石装置の磁石に対向する磁石を有し、第１の磁石装置との間に磁場を形成する第２の磁石装置６０Ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】タッチパネルのタッチ位置検出性能を高めるとともに、タッチパネルの製造コストを安価にすることのできる透明導電薄膜を提供する。
【解決手段】透明導電薄膜４は、歪みに対する電気抵抗の変化率が３００以上である材料から形成される。具体的には、透明導電薄膜４は、Ｚｎ：Ｏの組成比が、３７．２１：６２．７９から、３７．６９：６２．３１の範囲内のＺｎＯから形成される。透明導電薄膜４は、真空チャンバ内に、ガラス基板２と、Ｚｎを成分とするターゲットとを配置した状態で、真空チャンバ内に、１８．０ｃｍ^３／ｍｉｎの流量でアルゴンを導入し、且つ、１．０ｃｍ^３／ｍｉｎ以上、２．０ｃｍ^３／ｍｉｎ以下の流量で酸素を導入しながら、ターゲットをスパッタすることで製造される。 （もっと読む）

【課題】製膜速度が高く、品質が高い薄膜を形成することができるスパッタリング薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】スパッタ装置１０は、真空容器１１内に設けられたターゲットホルダ１４と、ターゲットホルダ１４に対向して設けられた基板ホルダ１５と、真空容器１１内にプラズマ生成ガスを導入する手段１９と、ターゲットＴの表面を含む領域にスパッタ用の電界を生成する手段１６１と、真空容器１１の壁の内面と外面の間に設けられ、誘電体窓１８３により真空容器の内部と仕切られた高周波アンテナ配置室１８２と、高周波アンテナ配置室１８２内に配置され、ターゲット保持手段に保持されたターゲットの表面を含む領域に高周波誘導電界を形成する高周波アンテナ１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】均一性及び再現性に優れた薄膜を形成することができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置は、真空槽からなるスパッタ室１と、スパッタ室１内で基板７を保持した状態で移動するトレー搬送機構と、基板７に薄膜を形成するためのターゲット８、９を固定するとともにプラズマを生成し、ターゲット８、９からスパッタ粒子を発生させるスパッタカソードと、基板７とターゲット８、９との間に配置された膜厚補正板１９と、を備えている。膜厚補正板１９は、その本体部１９ａがアノード電位であり、本体部１９ａを保持する枠部１９ｂを備えている。枠部１９ｂは、スパッタ粒子が発生した領域のトレー進行方向の略中央であって、スパッタ粒子が発生した領域を通過する基板７の近傍に本体部１９ａが配置されるように、本体部１９ａを保持する。 （もっと読む）

【課題】大気開放することなくチャンバー内で防着シールドのクリーニングを行うことができ、メンテナンスコストの低減を図ることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置は、基板に対してスパッタリング成膜処理を行うときは、カソード１４に電力を印加するとともに、シリンダー部３２を伸ばしてアース電極４１を防着シールド２０に電気的に接続させ、防着シールドをクリーニングするときは、防着シールドに高周波電流を印加するとともに、シリンダー部を縮ませてアース電極と防着シールドを電気的に絶縁することができるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】均一なスパッタリング及び蒸着効果を得ることができるスパッタリングシステムを提供する。
【解決手段】スパッタリングシステムは、互いに対向するターゲット１０，２０，３０，４０を持つスパッタ装置１，２が並列に配され、スパッタ装置の間の両側からガス供給管５０，６０によりガスが供給され、また、スパッタ装置の両側の開口を通じて２つの蒸着基板７１，８１に対する薄膜蒸着が同時に行われ、プラズマ領域が、ターゲットが互いに対向する空間に限定される。 （もっと読む）

【課題】前処理エッチング専用のチャンバーを別に設けることを不要し、さらには、前処理エッチングによる付着物からターゲット等を保護するシャッターの開閉専用の駆動系をも不要とするスパッタリング装置及びそのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】同一のチャンバー内部で行われる複数のカソードを配置するマルチカソード型のスパッタリング装置であって、少なくとも一基のカソードの位置に前処理エッチング時の付着物を付着させるシールド１３を設ける構成。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、省スペースにおいて高品質の多層膜を作成するのに適したスパッタ源およびスパッタ装置ならびにこれを用いた多層膜の製造方法に関する。より詳しくは、プラズマを効率よく電極間隙に閉じ込めることと、効率よくスパッタ粒子を取り出すことを両立した、開口幅の狭い対向型スパッタ源であって、かつ省スペースに複数組み合わせて用いることができるスパッタ源に関する。
【解決手段】
Ｖ字型に対向する電極面と、前記電極面を挟んで平行またはハの字型に対向する磁極面を有し、前記磁極面はお互いに逆極性であることを特徴とする、スパッタカソード。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングカソードの装着作業性と成膜の均一性を確保することができるスパッタリング装置を提供する
【解決手段】本発明の実施形態に係るスパッタリング装置は、ターゲットユニット２１を空間部１９に対して着脱操作する際、リブ１８と対向するターゲット部３１を、リブ１８と対向する第１の状態からリブ１８と対向しない第２の状態へ変換可能な変換機構を備える。これにより、ターゲットユニット２１の着脱の際、ターゲット部３１とリブ１８との干渉を防止でき、良好な作業性を確保することができる。また、空間部１９に収容された基板の表面に対してターゲット部３１〜３３の連続性あるいは配置対称性が確保されるため、基板全面に対する成膜の均一性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】物理的気相成長法（ＰＶＤ）により基板上に層を形成するプロセス中に、層の特性を制御可能なスパッタリング方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】 ターゲット物質（例えば、ＰＺＴ）をスパッタリングする方法及び装置であって、ターゲットと基板との間に導電グリッドを配置する。ターゲット、基板及びスパッタリング・ガスをチャンバー内に収容し、第１のＲＦ電源の電力がチャンバー内のプラズマを維持するために加えられる。第２のＲＦ電源の電力は導電グリッドに加えられる。ターゲット物質はターゲットから基板にスパッタされる。導電グリッドの位置及び第２のＲＦ電源により加えられる電力により、ターゲット物質のスパッタ成膜の特性が変化する。例えば、第２のＲＦ電源及び導電グリッドは、容量性回路の一部を構成しており、容量性回路内における電圧の変化によりスパッタリング・ガスの特性が変化し、その後、スパッタ・成膜プロセスの特性が変化する。 （もっと読む）

本発明は、特に光学的応用のためのセラミック層のマグネトロンスパッタリングの新しい基礎技術に関する。この新しいコンセプトは、反応性ＤＣ，ＭＦ若しくはＲＦマグネトロンスパッタリング、又はセラミックターゲットのマグネトロンスパッタリングのような周知の方法と比べて、厳密に定められた速度、均質性及び極めて良好な再現性を有するセラミック層の析出において、極めて精度を向上させたマグネトロンスパッタソースの形成を可能にする。 （もっと読む）