【課題】ターゲットの表面の状態に応じてバーンインの最適化を図ることができる半導体製造装置、ターゲットの表面処理方法、及びプログラムを提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係るスパッタリング装置１は、半導体ウエハＷが配置されるテーブル３、及びテーブル３に対向する位置に設けられたターゲット４を収容する処理容器２と、処理容器２内に放電ガスを供給するガス供給部１０と、ターゲット４に電力を供給して放電させ、これによりプラズマを生成してイオン化した放電ガスでターゲットをエッチングするパルス電源部１２と、プラズマの生成後の放電電圧を測定する電圧測定部１３Ａと、ターゲット４のエッチングの進行状況に起因する電圧測定部１３Ａによる測定値の変化に基づいて、ターゲット４のエッチングを終了させる制御を行う制御部１４Ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングによる成膜レートを低くし、被処理体の表面に形成されたアスペクト比が３以上の孔または溝の内壁面および内底面に被覆性が良好な金属薄膜を形成し、少ない電力でも、ターゲットにおける自己保持放電を発生させる成膜方法を提供する。
【解決手段】ターゲット３に電圧Ｖおよび電流Ｉを印加しチャンバ２内でターゲットから放電が発生した後、スパッタガスの導入を止めてターゲットのイオンにより自己保持放電を発生させ、被処理体Ｗの表面の孔または溝内を含む被処理体の表面全面に金属薄膜を形成する工程において、ターゲットに印加する電流Ｉを一定とし、放電が不安定になった時に電圧Ｖを増大させるとともに、関係式（１）および（２）を満たすことを特徴とする。Ｉ＞Ｉ_０・・・（１）、Ｐ＞Ｐ_０・・・（２）（Ｉ_０：自己保持放電を開始する電流の最小値、Ｐ：ターゲットの電力、Ｐ_０：自己保持放電を開始する電力の最小値） （もっと読む）

ペデスタル上に支持されたウエハにプラズマ処理を行うための装置および方法を提供する。本装置は、ウエハを支持することができるペデスタル、可変容量を有する可変コンデンサ、可変コンデンサのキャパシタンスを変える可変コンデンサに取り付けられたモータ、モータを回転させてモータに接続されたモータコントローラ、およびペデスタルに接続された可変コンデンサからの出力部を含むことができる。可変コンデンサの所望の状態は、プロセスコントローラにおける処理方策に関連づけられている。処理方策が実行されると、可変コンデンサは所望の状態に置かれる。
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【課題】給電端子がそれぞれの接続端子への接触と離間を繰り返したとしても、給電端子と接続端子の接触面に発生した異物を挟んでしまうことを低減させることができ、その結果、接触抵抗の増加による温度上昇を回避することができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置の接電端子は、その深さ方向に所定のテーパー角を有する凹部が形成され、給電端子２２が凹部に進入して電気的に接続された時、該凹部の最底部は該給電端子の先端部が接することのできない空間を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

１０μｍ以下のサイズを有する粒子を製造するための、高い生産速度の、プラズマ・スパッタリング・プロセスが開示される。このプロセスは、スパッタされたターゲット原子の少なくとも一部をイオン化させ、グレインの表面での、イオン化されスパッタされたターゲット原子の、ピックアップ可能性が高いようなパラメータで、実行される。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、第１のトランジスタ１６０と、第２のトランジスタ１６２と、を有し、第１のトランジスタ１６０は、半導体材料を含む基板に設けられ、第２のトランジスタ１６２は酸化物半導体層を含んで構成され、第１のトランジスタ１６０のゲート電極と、第２のトランジスタ１６２のソース・ドレイン電極とは、電気的に接続され、第１の配線と、第１のトランジスタ１６０のソース電極とは、電気的に接続され、第２の配線と、第１のトランジスタ１６０のドレイン電極とは、電気的に接続され、第３の配線と、第２のトランジスタ１６２のソース・ドレイン電極の他方とは、電気的に接続され、第４の配線と、第２のトランジスタ１６２のゲート電極とは、電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】イオンビーム照射を安定的且つ継続的に稼働させることで、装置の稼働率を上昇させ、生産性の向上を図る基板処理装置を提供する。
【解決手段】イオンビームをターゲットに照射するイオン源と、該イオン源を駆動させる電源と、該電源に設けられる過電流保護部５９とを有する基板処理装置であって、該過電流保護部は過電流設定値を設定可能な過電流設定値設定部６２と、該過電流設定値設定部に設定された過電流設定値以上の電流値であれば過電流状態であると判断する過電流値判断部６３と、過電流状態が継続する許容時間を設定可能な過電流許容時間設定部６４と、該過電流許容時間設定部に設定された過電流許容時間の経過を判断する過電流許容時間経過判断部６５とを具備する。 （もっと読む）

【課題】プロセス処理変更のタイミングに同期させて電源制御の変更コマンドを送信することで、シリアル通信の遅れによる誤差をなくし、高精度且つ再現性のよいスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置は、所定時間サイクルでカソード部に電力供給を行う電源の状態の読み出しを行う電源状態読み出し信号と、所定のタイミングで前記カソード部への電力供給を停止する電力印加停止信号とを電源に対してシリアル通信によって送信する機能を有する電源制御部を備えて構成されており、電源制御部は、電源状態読出しの信号の送信を停止する読出し停止信号を送信して電源の状態の読み出し処理を停止させた後に電力印加停止信号を送信する。 （もっと読む）

【課題】基材上の被膜の密着性が高いとともに、優れた耐熱性と優れた耐摩耗性と優れた潤滑性とを併せ持つ表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 本発明の表面被覆切削工具は、基材と、該基材上に形成された被膜とを備えるものであって、該被膜は、物理蒸着法により形成され、かつ一以上の層を含み、該一以上の層のうち少なくとも一層は、第１被膜層であり、該第１被膜層は、ＡｌとＮとを含み、その熱浸透率が２０００Ｊ・ｓｅｃ^-1・ｍ^-1・Ｋ^-1以上５０００Ｊ・ｓｅｃ^-1・ｍ^-1・Ｋ^-1以下であって、かつ０．２μｍ以上５μｍ以下の膜厚であり、第１被膜層は、基材側から順に非晶質領域と結晶質領域とを有し、非晶質領域は、非晶質からなり、かつ０．０１μｍ以上２μｍ以下の厚みであり、結晶質領域は、六方晶構造を含む結晶構造からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】優れた耐熱性と優れた耐摩耗性と優れた潤滑性とを併せ持つ表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 本発明の表面被覆切削工具は、基材と、該基材上に形成された被膜とを備える表面被覆切削工具であって、該被膜は、物理蒸着法により形成され、かつ一以上の層を含み、該一以上の層のうち少なくとも一層は、第１被膜層であり、該第１被膜層は、ＡｌとＮとを含み、その熱浸透率が２０００Ｊ・ｓｅｃ^-1・ｍ^-1・Ｋ^-1以上５０００Ｊ・ｓｅｃ^-1・ｍ^-1・Ｋ^-1以下であって、かつ０．２μｍ以上５μｍ以下の膜厚であり、六方晶構造を含む結晶構造からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング中におけるアーク放電抑制の失敗を無くすことができるスパッタリング用電源装置を提供すること。
【解決手段】 負極出力端子及び正極出力端子を有するスパッタリング用電源装置において、スパッタリング用直流電源ＰＳ１と、このスパッタリング用直流電源の負極側に設けられた第1のスイッチング手段ＳＷ１と、この第1のスイッチング手段に複数直列接続される互いに独立のチョークコイルＬ１〜Ｌ４と、この複数のチョークコイルと前記負極出力端子との間に設けられた逆方向アーク防止回路１３と、逆電圧発生用直流電源ＰＳ２と、この逆電圧発生用直流電源と前記複数直列接続された互いに独立のチョークコイルと逆方向アーク防止回路との中間位置との間に設けられた第２のスイッチング手段ＳＷ２と、前記負極出力端子と前記正極出力端子との間に発生する電圧を検出する電圧検出部Ｒ１，Ｒ２と、前記第1のスイッチング手段及び第２のスイッチング手段の開閉を制御する制御手段２１とから構成される。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング中におけるアーク放電抑制の失敗を無くすことができるスパッタリング用電源装置を提供すること。
【解決手段】 負極出力端子及び正極出力端子を有するスパッタリング用電源装置において、スパッタリング用直流電源ＰＳ１と、このスパッタリング用直流電源の負極側に設けられた第1のスイッチング手段ＳＷ１と、この第1のスイッチング手段に複数直列接続される互いに独立のチョークコイルＬ１〜Ｌ４と、この複数のチョークコイルと前記負極出力端子との間に設けられた逆方向アーク防止回路１３と、逆電圧発生用直流電源ＰＳ２と、この逆電圧発生用直流電源と前記複数直列接続された互いに独立のチョークコイルと逆方向アーク防止回路との中間位置との間に設けられた第２のスイッチング手段ＳＷ２と、前記負極出力端子と前記正極出力端子との間に発生する電圧を検出する電圧検出部Ｒ１，Ｒ２と、前記第1のスイッチング手段及び第２のスイッチング手段の開閉を制御する制御手段２１とから構成される。 （もっと読む）

【課題】プラズマを利用して基板等に所定の処理を施す処理装置において、プラズマの状態にアーク放電のような異常放電がある場合に小電力環境でラジカルやイオンを消滅させることなく異常放電を解消することで、動作信頼性に優れ処理効率の良いプラズマ処理を実現する高周波プラズマ処理方法及び高周波プラズマ処理装置を得る。
【解決手段】 二つの電極６１，６２が所定の間隔あけて対向配置された真空容器５内に所定のガスを導入し、処理対象物７を前記二つの電極６１，６２の電極間に配置した状態で、真空容器５内が通常放電状態のときは高周波電源１からの高周波信号を、異常放電状態のときは前記高周波信号と前記高周波信号よりも周波数の低い中間周波数信号とで振幅変調したものを出力し、その出力の最大振幅レベルを所定の振幅に増幅させて前記電極間に印加することにより、放電を発生させてプラズマ１４を形成し前記処理対象物７に所定の処理を施す。 （もっと読む）

【課題】
出力電力に比例する総合電流を高速で監視し、速やかに成膜状態に適した電力の制御を行い、高品質の成膜結果を得ること。
【解決手段】
出力電力が設定電力になるように定電力制御される電源ユニットを互いに並列接続してなる電源装置を備える成膜装置において、前記電源ユニットの出力電流を検出する電流検出器と、出力電圧を検出する電圧検出器と、前記電流検出器により検出された検出電流と前記電圧検出器により検出された検出電圧とを乗算して出力電力に比例する監視信号を出力する乗算回路と、その乗算回路からの監視信号を監視電流信号に変換する回路とを備え、各電源ユニットの監視電流信号は共通の信号線を通して監視回路に入力され、その監視回路は前記監視電流信号を合算して、総合電力監視信号として出力し、前記総合電力監視信号によって前記電源ユニットの出力電力の制御が行われる成膜装置。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い半導体層を有する半導体基板、半導体基板の製造方法、半導体成長用基板、半導体成長用基板の製造方法、半導体素子、発光素子、表示パネル、電子素子、太陽電池素子及び電子機器を提供する。
【解決手段】芳香族系テトラカルボン酸と芳香族系テトラアミンを縮合して得られる複素環状高分子からなるグラファイト層２と、当該グラファイト層２の表面上に設けられ、当該グラファイト層２の表面を成長面とする半導体層４とを備えた半導体基板１。前記グラファイト層は結晶性に優れているため、グラファイト層の表面を成長面とする半導体層についても、結晶性に優れたものが得られる。これにより、結晶性に優れた半導体層を有する半導体基板１を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】現状のＬＣＤ製造プロセスにおけるＩＴＯ透明電極形成技術をＺｎＯ系に適用した場合の膜厚が２００ｎｍ程度より薄くなるに伴って、電気的特性が膜厚に大きく依存する（膜厚の減少に伴って抵抗率が大幅に増加する）こと解決する酸化亜鉛系透明導電膜製造技術並びに成膜に使用する焼結体ターゲットを提供することを課題とする。
【解決手段】酸化亜鉛系透明導電膜の直流マグネトロンスパッタ成膜プロセスにおいて、成膜の開始（初期）段階は、その後に続く通常の直流マグネトロンスパッタ成膜プロセスとは異なる条件下で成膜を開始することにより、膜の最低抵抗率特性が大幅に改善できることを見出した。 （もっと読む）

【課題】高反射率を有すると共に、この高反射率を長期間に亘り維持できる優れた耐久性を示す反射膜積層体を提供すること。
【解決手段】本発明の反射膜積層体は、基体上に、第１層として、純Ａｇ膜、またはＢｉを含むＡｇ基合金膜を有し、かつ前記第１層上に、第２層として、ＢｉとＧｅを含有し、さらにＡｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈの１種以上を含有するＡｇ基合金膜を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板にシリサイド形成用の金属膜を形成する時に、ゲート絶縁膜にダメージが加わることを抑制する。
【解決手段】このスパッタリング装置は、チャンバ１０１、ウェハステージ１０２、リングチャック１０４、金属ターゲット１０５、防着シールド１０７、マグネット１０８、コリメータ１０９、並びに直流電源１１０，１２０を備えている。直流電源１１０は、コリメータ１０９に負電圧のみを印加するために設けられている。コリメータ１０９に印加される負電圧は、金属ターゲット１０５に印加される電圧より低電圧、例えば−７０Ｖ以上−５０Ｖ以下である。 （もっと読む）

【課題】膜厚が薄く、低抵抗率及び高透過率を有する透明導電膜を提供する。
【解決手段】基板上に設けられる、酸化インジウム錫膜からなる透明導電膜であって、膜厚が８〜２０ｎｍの範囲であり、Ｘ線回折法における（２２２）面のピーク強度Ｉ_１と（４００）面のピーク強度Ｉ_２との比Ｉ_１／Ｉ_２が０．１〜１．０の範囲であり、抵抗率が１．５×１０^−４Ωｃｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）