【課題】ターゲット抵抗の低いスパッタ用ＺｎＳ系誘電体ターゲット、並びにこのターゲットを用いて非結晶性の相変化光ディスク用誘電体膜を形成する成膜方法及び製造装置の提供。
【解決手段】ＺｎＳ系誘電体材料に対して、０〜５ｍｏｌ％のＡｌ_２Ｏ_３を配合したＺｎＯが５〜３０ｍｏｌ％分散されたターゲット。この誘電体材料は、ＺｎＳ単体又はＺｎＳに対して５ｍｏｌ％以下のＩｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、若しくはＩＴＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３＋ＳｎＯ_２）が配合されたものである。該ターゲットに５０〜４００ｋＨｚの周波数をＤＣに重畳させて印加できるように構成されたスパッタ電源を備えた成膜装置を用いて、スパッタ法により、基板上に、非結晶の相変化光ディスク用誘電体膜を形成する。 （もっと読む）

真空室内で回転するマグネトロンを用いて基板に成膜する方法であって、基板の運搬方向にマグネトロンに沿って基板を通過させて、マグネトロンと接続されたターゲットから放出される材料を用いて、場合によっては、その材料を真空室内に有る反応ガスと反応させて、成膜する方法に関し、ターゲットの回転に対して動作点を安定化させることによって、基板上の膜の均質性を改善することを課題とする。本課題は、ターゲットの回転によって引き起こされる第一のプロセスパラメータの周期的な変化を第二のプロセスパラメータの所定の大きさの周期的な変化によって補正することと、回転数の異なる二つのマグネトロンを配備することの一方又は両方によって解決される。
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【課題】安定した放電状態を短時間で達成し、より高速度での成膜を実現したスパッタリング装置及びスパッタリング処理方法を提供する。
【解決手段】ターゲットを取り付けるカソード電極５にＤＣ電圧を印加するためのＤＣ電源１が、イグニッション電圧設定手段を備え、該手段がイグニッション電圧無効と設定した場合には、ＲＦ電源２からカソード電極５にＲＦ電力を印加し、且つ、ＤＣ電源１からカソード電極５にイグニッション電圧を印加せずに、上位制御装置１２で設定された設定電力を印加し、空間６にプラズマを発生・維持し、上記手段がイグニッション電圧有効と設定した場合には、ＤＣ電源１からカソード電極５にイグニッション電圧、次いで設定電力を印加して空間６にプラズマを発生・維持する。 （もっと読む）

【課題】装置を小型化でき且つ生産コストを低減できるデュアルカソード型のスパッタリング装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１Ａは、真空チャンバ３と、真空チャンバ３内に設けられ、成膜対象物Ｓ１に対向して配置された少なくとも一対のターゲット４，５と、該一対のターゲット４，５間でカソード及びアノードが交互に入れ替わるように各ターゲット４，５に交流電圧Ｖｍｆ１，Ｖｍｆ２を印加する交流電源６と、交流電圧Ｖｍｆ１，Ｖｍｆ２に重畳して印加される高周波電圧Ｖｒｆを発生する高周波電源１０と、高周波電源１０と一対のターゲット４，５との間に接続され、高周波電圧Ｖｒｆを一対のターゲット４，５のそれぞれに対し交互に切り替えて印加する高速スイッチング回路１１とを備える。 （もっと読む）

反応性スパッタリングによって基板（１４）を被覆するための装置（１）は、軸（８）と、前記軸（８）に対して対称的に配置される少なくとも２つのターゲット（１１、１２）と、ターゲット（１１、１２）に接続される電源とを備え、ターゲットはカソードおよびアノードとして代替的に動作可能である。方法は、軸（８）を備える装置（１）において、反応性スパッタリングによって基板（１４）を被覆することにより、被覆された基板（１４）を製造するための方法である。本方法は、ａ）被覆する基板（１４）を設け；ｂ）前記軸（８）に対して対称的な配置で少なくとも２つのターゲット（１１、１２）を設け；ｃ）被覆の際に前記ターゲット（１１、１２）を代替的にカソードおよびアノードとして動作させることを含む。好ましくは、ターゲット（１１、１２）はスパッタリングの際回転させられる、および／またはターゲットは同心円的に配置され、最も内側の円形ターゲットは少なくとも１つのリング状外側ターゲットによって囲まれる。
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【課題】異常放電が発生した際に速やかに消弧し、異常放電が繰り返されないようにする真空負荷用電源を提供することを目的とする。
【解決手段】真空負荷に並列に接続され、真空負荷に直流電圧を印加する直流電源と、真空負荷に並列に接続され、真空負荷に直流逆電圧を印加する異常放電消弧用回路と、真空負荷内の異常放電を検出して異常放電消弧用回路の直流逆電圧を制御する制御回路と、を備える真空負荷用電源であって、異常放電消弧用回路は、符号が逆の直流逆電圧を真空負荷に印加する逆電圧直流電圧源を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法を用いる場合に問題となる電極やチャンバー壁面の汚染によるアーキング等のロングランの安定性、大面積化、ロール・ツー・ロール化の困難さを解決し、酸素バリア性および水蒸気バリア性に優れた、ガスバリア性積層体を生産する成膜装置を提供する。
【解決手段】減圧下の成膜チャンバー内に、基材を搬送する機構と、電極に電圧を印加することでプラズマ化した成膜ガスを該基材表面に噴出させる成膜手段とを少なくとも具備する成膜装置で、該電極は、成膜ガスをプラズマ化する内部空間１８と、該内部空間１８へ成膜ガスを導入するガス導入路１７と、該内部空間１８から該基材表面へプラズマ化した成膜ガスを噴出させる穴部１５とを少なくとも具備し、該電極は、一対で成膜チャンバー内に設置され、該一対の電極は、電気的に接続され、カソード又はアノードに交互に切り替わる。 （もっと読む）

【課題】膜厚補正板を設けることなく、複数の基板に対して均一な厚みの薄膜を形成することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】内部を真空状態に維持した真空容器内で、同一の膜原料物質で構成される一対のターゲット２９ａ，２９ｂを交互にスパッタし、基板Ｓを保持して回転する回転ドラム１３の一部の領域に向けてスパッタされた何れかのターゲット２９ａ又は２９ｂから膜原料物質を供給し、回転ドラム１３の回転毎に間欠的に基板Ｓの表面に膜原料物質を付着させて薄膜を形成する成膜装置である。一対のターゲット２９ａ，２９ｂのそれぞれを保持して電圧を印加する一対のスパッタ電極２１ａ，２１ｂと、この電極２１ａ，２１ｂに交流電力を供給する交流電源２３と、ターゲット２９ａ，２９ｂに向けてスパッタ用ガスを供給するスパッタ用ガス供給手段と、電極２１ａ，２１ｂの配置を真空容器の外部から変更可能な電極配置調整機構１００を有する。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で、被処理基板外周部の膜だれを防止し、膜厚分布を均一化するスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】少なくとも３対のターゲット対を同一平面上に並設し、このターゲット３０１ａ〜３０３ｂの後方に磁気回路３０１ｃ〜３０３ｄを平行配置し、上記並設方向両端のターゲット対３０１ａ〜３０１ｂ、３０３ａ〜３０３ｂに接続されたスパッタ電源Ｅ１、Ｅ３から、所定の電力比にしたがって、上記両端のターゲット対に挟まれたターゲット対３０２ａ、３０２ｂに接続されたスパッタ電源Ｅ２よりも大きな電力を供給し、さらに、上記磁気回路の並設方向と直交する方向の両端部の磁場強度を上げるスパッタリング方法。 （もっと読む）

【課題】各電極の極性反転時に発生する過電圧を抑制することで、アーク放電の誘発を防止することができるスパッタリング装置用の交流電源を提供する。
【解決手段】直流電力供給源１からの正負の直流出力ライン２ａ、２ｂ間に、複数のスイッチングトランジスタＳＷ１乃至ＳＷ４から構成されるブリッジ回路３を設ける。直流電力供給源１からブリッジ回路３への正負の直流出力ライン２ａ、２ｂの少なくとも一方に、直流出力を定電流特性とするインダクタＤＣＬを設け、ブリッジ回路３の入力３ａ、３ｂに対して並列にスナバ回路７を設ける。 （もっと読む）

【課題】本発明は、干渉縞の発生が少なく、透明性、コントラスト、視認性、及び、耐久性に優れ、ノルボルネン系樹脂からなる基材を用いても、該基材と放射線硬化性樹脂からなる層との間で優れた密着性を得ることのできる導電性積層フィルム、及びタッチパネルを提供する。
【解決手段】透明導電性積層フィルム１は、（Ｉ）ノルボルネン系樹脂からなる透明基材フィルム２と、（ＩＩ）放射線硬化性樹脂組成物の硬化物からなる樹脂層３と、（ＩＩＩ）透明導電性層４とがこの順に積層されてなる。（ＩＩ）樹脂層３を形成する放射線硬化性樹脂組成物は、直鎖アルキレンジ（メタ）アクリレートを含む。 （もっと読む）

【課題】金属化合物薄膜の生産性を向上するスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１０は、チャンバ１２と、基材１４を保持する保持部１６と、保持部１６で保持された基材に周面が対向するように設けられた回転陰極１８と、回転陰極１８の表面に金属材料を供給可能な補助陰極２０と、保持部１６が設けられた成膜室２２と金属材料供給室２４との間のガスの移動を規制するガス遮蔽部材３０と、成膜室２２に接続され、スパッタリングされたターゲット材料と反応して金属化合物を形成する反応性ガスを供給する反応性ガス供給路３２と、を備える。補助陰極２０は、スパッタリングされた回転陰極１８の表面にターゲット材料と同種の金属材料を新たに供給する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、被膜の最表面層として窒化アルミニウム層を形成することにより極めて優れた耐摩耗性を示す表面被覆切削工具を提供することにある。
【解決手段】本発明は、基材と、該基材上に形成された被膜とを備える表面被覆切削工具であって、該被膜は、物理的蒸着膜であり、かつ基材上に形成された厚み７〜１５μｍの窒化物層と、該窒化物層上に形成された厚み３〜１０μｍの炭窒化物層と、該炭窒化物層上に形成された厚み０．２〜５μｍのＡｌＮ層とを含むことを特徴とする表面被覆切削工具に係る。 （もっと読む）

【課題】アーク放電の発生を防止し、かつ、パルスピーク電流値をできるだけ大きくしてスパッタ粒子のイオン化を促進できるスパッタ装置を提供すること。
【解決手段】複数のスパッタ蒸発源に直流パルス電力を供給する電源装置を備えたスパッタ装置において、電源装置は、１台の直流電源と、電力貯蔵部に蓄えた電力を各スパッタ蒸発源毎に分配供給するパルス分配供給手段と、前記複数のスパッタ蒸発源の少なくとも一つに設けられて当該スパッタ蒸発源に流れる電流を測定するための電流センサと、該電流センサの出力に基づいて当該スパッタ蒸発源に流れるパルスピーク電流検出値を求めるパルスピーク電流検出部と、該パルスピーク電流検出部で検出したパルスピーク電流検出値がアーク放電を発生させないためのパルスピーク電流目標値を超えないように前記直流電源の出力を制御するパルスピーク電流制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】シャドーリングのような、基板の周縁に接近させて配置された部材がある場合に発生する異常放電であるアーキングを効果的に防止する。
【解決手段】プロセスチャンバー１内で、基板ホルダー３に保持された基板９に対しスパッタリングによるタングステン膜９２の作成が行われる。吸着電源３３が吸着電極３２に印加する電圧により基板９が誘電体プレート３１に静電吸着され、基板９の周縁から所定の距離の領域への薄膜堆積をシャドーシールド６２が防止する。誘電体プレート３１の表面の一部を覆う導電膜７１は、基板９の裏面に接触し、アースから絶縁されているとともに短絡用配線７６によりシャドーシールド６２に短絡されている。導電膜７１の電位が電圧計７２により計測され、アーキングの発生を、電圧計７２の測定値の急激な変動から判断手段７４が判断する。 （もっと読む）

【課題】 シートプラズマ成膜装置を大型化することなく、基板により均一な膜厚の膜を効果的に形成することが可能なシートプラズマ成膜装置を提供する。
【解決手段】 シートプラズマ成膜装置１００が、成膜槽３０と、シートプラズマ発生機構６０と、多重リングターゲット３３及び基板ホルダ３４と、電源装置Ｖ２〜Ｖ６と、を備え、前記多重リングターゲットは、センターターゲット及び複数のリングターゲットを備え、前記多重リングターゲットの中央から周囲に向けて、前記センターターゲット及び前記複数のリングターゲットの偶数番目にバイアス電圧が印加されるように構成されている場合にはその奇数番目が少なくとも接地可能に構成され、その奇数番目にバイアス電圧が印加されるように構成されている場合には偶数番目が少なくとも接地可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】複数のスパッタ蒸発源に、それぞれ、成膜速度を確保すべくベース電力として連続する電力と、緻密な皮膜を形成すべく、前記ベース電力に間欠的に重畳される直流パルス電力とを供給するに際し、前記各スパッタ蒸発源毎に直流パルス電源を設けることを不要とし、装置コストの低減を図ることができるスパッタ装置を提供すること。
【解決手段】複数のスパッタ蒸発源４に電力を供給する電源装置２を備えたスパッタ装置において、前記電源装置２は、１台の直流電圧発生機構２０と、該直流電圧発生機構２０の陰極側に接続され、直流電圧発生機構２０からの電力を前記各スパッタ蒸発源４に時分割パルス状に順次分配供給するパルス分配供給手段２１と、各スパッタ蒸発源４毎にそれぞれ設けられ、該各スパッタ蒸発源４にベース電力として連続する電力を供給するベース電力用電源１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】溶着現象を抑制した耐摩耗性及び耐高温酸化特性を持つ多層皮膜被覆部材を提供する。
【解決手段】基材２表面に硬質皮膜１を２層以上被覆した多層皮膜被覆部材において、該硬質皮膜１は外層である第１硬質皮膜４と、内層である第２硬質皮膜３を有し、該第１硬質皮膜４は、ＳｉＢＮＣＯ系であり、該第２硬質皮膜３は、金属成分がＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｓｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｍｏから選択される２種以上、非金属成分がＮと、硼素、Ｃ、Ｏ、Ｓから選択される１種以上を有し、該第１硬質皮膜４の表層は、Ｓｉ−Ｃ結合を示すピークから求めた面積をα、Ｓｉ−Ｏ結合を示すピークから求めた面積をβとしたとき９≦α／β≦２２、Ｂ−Ｎ結合を示すピークから求めた面積をＸとし、Ｂ−Ｏ結合を示すピークから求めた面積をＹとし、比をＸ／Ｙとしたとき、５≦Ｘ／Ｙ≦１２、であることを特徴とする多層皮膜被覆部材。 （もっと読む）

プラズマ促進物理蒸着反応器において、ワークピース全体にわたる堆積速度の半径方向分布の均一性を、ＲＦおよびＤＣ電力の両方をターゲットに印加し、ＲＦおよびＤＣ電力の電力レベルを別個に調整することによって向上させる。さらなる最適化は、ターゲットの上の磁石の高さを調整すること、ターゲットの上の磁石の軌道運動の半径を調整すること、および角度をつけたターゲットのエッジ面を設けることによって得られる。
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【課題】バルク抵抗が低く、高密度の酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット、及び金属薄膜に対し選択的エッチング可能な透明非晶質酸化物半導体膜を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛と酸化ガリウムと酸化スズからなり、ＺｎＧａ_２Ｏ_４で表されるスピネル化合物の格子定数とＺｎ_２ＳｎＯ_４で表されるスピネル化合物の格子定数との中間の格子定数を有するＡＢ_２Ｏ_４型化合物で表されるスピネル化合物を含有する酸化物焼結体。 （もっと読む）