陰極としてのターゲット物質、陽極およびワークピースを有するスパッタリング室を備えるスパッタリングシステム。直流（ＤＣ）電源が、上記スパッタリング室内にプラズマを生成するのに十分な電力を上記陽極および上記陰極に供給する。検出モジュールが、上記プラズマの電気特性をモニタリングすることにより上記スパッタリング室内でのアークの発生を検出する。上記モニタリングされる電気特性は、一実施形態では、上記プラズマのインピーダンスであり、別の実施形態では、上記プラズマのコンダクタンスである。
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【課題】 対をなすターゲットに低い周波数でパルス電位を印加するときでも、基板表面に形成すべき薄膜の膜厚分布の均一化を図り易い電源装置を提供する。
【解決手段】 本発明の電源装置Ｅは、プラズマに接触する一対のターゲットＴ１、Ｔ２に対して所定の周波数で交互に所定のパルス電位を印加する第１の放電回路Ｅ１と、前記一対のターゲットのうち第１の放電回路から出力されていないターゲットとグランドとの間で所定のパルス電位を印加する第２の放電回路Ｅ２とを備える。 （もっと読む）

【課題】 基板のチャージアップに起因した異常放電の発生を抑制でき、大面積の基板に対しても良好な薄膜形成が可能な電源装置を提供する。
【解決手段】 本発明の電源装置Ｅは、プラズマに接触する一対のターゲットＴ１、Ｔ２に対して所定の周波数で交互に極性を反転させて所定の電位を印加する第１の放電回路Ｅ１と、前記一対のターゲットのうち第１の放電回路から電位が印加されていない電極とグランドとの間で所定の電位を印加する第２の放電回路Ｅ２とを備える。そして、第２の放電回路には、極性反転時に前記電極の少なくとも一方に出力電位と逆の電位を印加する逆電位印加手段３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールやスルーホール、配線溝等の内壁面に対して、膜厚や膜質などの点で高い膜性能を確保した成膜を行い得るパルス状直流スパッタ成膜方法及びこの方法のための成膜装置を提供する。
【解決手段】ターゲット６に対してパルス状の直流電力を印加するスパッタ成膜方法において、あらかじめ、化合物種たる反応ガスを導入可能とすると共に前記パルス状直流電力の平均電力を一定に保ったまま該パルス状電力のデューティ比を可変とし、前記反応ガスを所定流量で導入した状態で、前記デューティ比を変化させて、基板７に形成される金属化合物薄膜の組成比を異ならせる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マグネトロンスパッタリングによる厚膜の製造方法が開示される。
【解決手段】本発明の厚膜の製造方法は、基板上にマグネトロンスパッタリング法に基づいて、圧縮残留応力を有する第１薄膜を形成するステップと、前記第１薄膜上にマグネトロンスパッタリング法に基づいて引張残留応力を有する第２薄膜を形成するステップと、前記第１薄膜および第２薄膜を蒸着するステップを少なくとも１回以上繰り返して全体残留応力が予め設定された範囲内で制御される厚膜を蒸着するステップとを含む。このような厚膜の製造方法によって、全体厚膜の応力を許容可能な範囲内で制御しつつ、異種物質のみならず同じ物質の厚膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ＬａＢ₆薄膜をスパッタリングで成膜するに際し、得られるＬａＢ₆薄膜の広域ドメイン方向の単結晶性を改善する。
【解決手段】ターゲット１１には、高周波電源１９３からの高周波電力と、第一直流電源１９４からの高周波成分をカットした結果の第一直流電力とを印加し、基板ホルダー１３には、該高周波電力及び第一直流電力の印加中に、第二直流電源２１からの直流電力を印加する。 （もっと読む）

開示された発明は、ＰＶＤ又はＩＰＶＤにおいてイオン化を高めるために同軸マイクロ波アンテナを使用する。同軸マイクロ波アンテナは、電源に従属しているスパッタリングカソード又はターゲットに隣接するプラズマ密度を均一に増加させる。同軸マイクロ波源は電磁波を横電磁波（ＴＥＭ）モードで生成する。また、本発明はスパッタリングを更に高めるためにスパッタリングカソード又はターゲットの近傍にマグネトロンを使用する。更に、高価なターゲット材料の高い収率を得るために、ターゲットは収率を改善するために回転可能とする。ターゲットは誘電体材料、金属、又は半導体を含む。またターゲットは、ターゲットが回転する中心軸周りに実質的に対称な断面を有する。ターゲットは実質的に円形又は環状の断面を有していてもよい。
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【課題】透明電極がＺｎＯ膜で形成され、且つ、熱処理に対する特性の変化を低減することが可能な、表示用基板及びその製造方法並びに表示装置を提供する。
【解決手段】表示用基板１は、支持基板２と、支持基板２上に形成された有機樹脂層３と、有機樹脂層３上に形成された透明電極４と、を備え、透明電極４は有機樹脂層４に密着して形成された酸化亜鉛を含む第１層５と、第１層５上に形成された、第１層５よりも厚い層厚を有する酸化亜鉛を含む第２層６と、からなる。第１層５は、直流スパッタ又は直流マグネトロンスパッタにより形成されており、第２層６は、高周波スパッタ、高周波マグネトロンスパッタ、高周波重畳直流スパッタ、高周波重畳直流マグネトロンスパッタの何れかにより形成される。表示用基板１は、例えば、液晶表示装置の対向電極用の透明電極付基板として使用することができる。 （もっと読む）

金属壁２６を有する真空チャンバに、スパッタターゲットを備えたマグネトロンが複数配されており、少なくともそのうちの一つは、ＨＰＰＭＳマグネトロンで、スイッチング素子５を介して容量素子６をＨＰＰＭＳマグネトロンのスパッタターゲットに接続することで、電気パルスが供給される。効率的な基板の前処理及びコーテイングを達成するために、スイッチング素子がチャンバ壁に配されている。電極対がもけられており、その第１電極はＨＰＰＭＳマグネトロンとなり、第１及び第２電極を適切に配することで、基板テーブル４に保持された物体１１は、電極対の両能動面の間に位置するか、あるいは両能動面の間の空間を通って移動する。エッチング工程で、負のバイアス電圧が物体に印加され、物体は金属イオン照射によってエッチングされ、その後バイアス電圧を連続的に下げることによって、スパッタターゲットからスパッタされた物質は物体に積もり層になる。
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【課題】スパッタリング膜の成膜レートを低下させずに、ターゲットのスパッタリング時に生じるターゲット材料の凝集を適切かつ容易に抑制できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１００は、基板３４Ｂおよびターゲット３５Ｂを格納する真空成膜室３０と、カソードユニット４１を有して、カソードユニット４１およびアノードＡ間の放電により、真空成膜室３０内にプラズマ２７を形成可能なプラズマガン４０と、プラズマガン４０に電力を供給するプラズマガン電源５０と、ターゲット３５Ｂにバイアス電圧を印加するバイアス電源５２と、を備え、プラズマ２７中の荷電粒子によりスパッタリングされたターゲット３５Ｂの材料が基板３４Ｂにおいて凝集を起こさないよう、プラズマの放電電流ＩＤがプラズマガン電源５０を用いて調整され、かつ、バイアス電圧ＶＢがバイアス電源５２を用いて調整されている。 （もっと読む）

【課題】結晶の対称性のミスマッチが無い半導体基板を高スループットかつ低コストで製造することが可能な半導体基板の製造方法、半導体基板、発光素子及び電子素子を提供すること。
【解決手段】Ｓｉ基板を用いることにより、サファイア基板やＳｉＣ基板を用いる場合に比べて製造コストを格段に低下させることができる。また、従来のＳｉ基板の（１００）面ではなく、Ｓｉ基板の（１１０）面に１３族窒化物を成長させることにより、結晶の対称性のミスマッチを解消することができる。さらに、パルススパッタ堆積法によって１３族窒化物を成長させるので、例えば１２インチ以上の大面積の基板においても製造することができ、高いスループットで製造することができる。 （もっと読む）

【課題】スパッタ装置用電源回路１０に組み込まれたスイッチング素子が、イグニッション電圧Ｖｉｇにより破壊されるのを防止する。
【解決手段】２つの出力端子の一方と、第２のスイッチング素子Ｑ２を介して直流電力を供給するＤＣスパッタ電源２と、この２つの出力端子に逆バイアス電圧を供給する逆バイアス電源回路２０を備えている。逆バイアス電源回路２０は、逆バイアス用電源４と、これに直列接続する第１のスイッチング素子Ｑ１が接続ノードβを介して接続しており、この接続ノードβと第２のスイッチング素子Ｑ２の直流電源側とは電流バイパス用の第１のダイオードＤ１が接続している。２つの出力端子の一方と上記接続ノードβとの間の電圧を検出し、この検出電圧が所定値を超えたときに、第２のスイッチング素子Ｑ２をオン動作させて、第２のスイッチング素子Ｑ２の両端に高電圧が印加されないようにした。 （もっと読む）

【課題】過酷な環境に長期間曝されても比抵抗値および透明性が劣化することのない耐劣化性に優れた透明導電膜およびこの透明導電膜を成膜するためのターゲットを提供するものであり、この透明導電膜は液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置、帯電防止導電膜コーティング、ガスセンサー、太陽電池などに用いられる。
【解決手段】Ｃｅ：０．５〜４．５質量％、Ｇａ：０．０５〜１．５質量％、Ｚｎ：７３．４〜７９．８質量％、残部：酸素からなり、かつＣｅ含有量＞Ｇａ含有量となる条件を満たす成分組成を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板への被覆層が、長い時間期間に亘って良好な安定性を有し、その上、その層の特性、例えば、シート抵抗及びシート均一性が改善された装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ２には、ｎ個のカソード７−１０と、各々カソード７−１０に隣接したｎ＋１個のアノード２８−３２と、が配置される。上記ｎ個のカソード７−１０の各々及び上記アノードのうちの、ｎ個の割り当てられたアノード２９−３２は、電力供給源１１−１４に接続される。上記アノードのうちの、カソード７−１０に割り当てられていない１つのアノード２８は、上記アノード２８−３２の各々を接続している電気ライン６３に接続される。プルダウン抵抗器３４の一端が上記ライン６３に接続され、そのプルダウン抵抗器３４の他端が接地３３に接続される。 （もっと読む）

【課題】ターゲットから金属元素を金属の状態で放出させて成膜するメタルモード成膜を安定化させる。
【解決手段】プラズマ生成室から基板に向かいプラズマの流路において、プラズマ中の酸素活性種の流れを制御することによって、ターゲット表面での急激な酸化を抑制するともに、基板表面での酸化反応を促進し、メタルモード成膜を安定化させる。反応室内に、プラズマが基板に向けて流れる流路に沿って配置するターゲット電極と、プラズマに流れを制御するシールドとを備え、シールドによりプラズマ中の酸素活性種の流れを制御する。基板方向に向かうプラズマとターゲット方向に向かうプラズマの流動比率を変更することによって、ターゲット表面に向かう酸素活性種の量を抑制すると共に、基板に向かう酸素活性種の量を相対的に増大させ、ターゲット表面での急激な酸化を抑制し、基板に向かう酸素活性種の量を増すことで基板表面での酸化反応を促進する。 （もっと読む）

【課題】 特に、物理蒸着の際の放熱効果を高めて樹脂シート上に適切に蒸着膜を成膜することが可能な蒸着膜の製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 ＲＦマグネトロンスパッタ装置１の真空チャンバ１２内にて、基台８と樹脂シート９の間に放熱シート２０を密着させた状態で、前記樹脂シート９上に蒸着膜１１を成膜する。これにより樹脂シート９に対する放熱効果を高めることができ、従来に比べて、樹脂シート９が溶解する不具合を抑制でき、樹脂シート９上に均一に且つ所望の特性を備える蒸着膜１１を成膜できる。 （もっと読む）

薄膜電解質のための代替のスパッタ標的の組成または構成が提案され、この場合、スパッタ標的材料システムは、スパッタ堆積のための（パルス）ＤＣ標的電力の使用を可能にする十分な電気伝導性を所有する。電解質膜材料は、電気伝導性スパッタ標的材料システムから反応性スパッタ堆積後、必要とされる電気絶縁性およびリチウムイオン伝導性特性を採用する。リチウムイオン薄膜電解質を作製する方法は、伝導性スパッタ標的を提供することと、真空蒸着チャンバを提供することと、伝導性スパッタ標的をスパッタリングすることと、反応性スパッタ気体雰囲気においてリチウムイオン薄膜電解質を堆積させることとを包含する。
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直流電力供給装置を用いるプラズマベースのスパッタリング堆積の装置と方法が開示される。一実施形態において、プラズマは、複数の電極を電流の供給装置に接続することによって発生され、プロセシングチャンバー内の複数の電極の各々に印加される電圧の極性は、複数の電極の少なくとも一つの電極が材料を基板上にスパッタリングするように周期的に逆転される。そして、複数の電極の少なくとも一つの電極に印加される電力の量は、調節されることにより、静止した基板上に材料を所望の特質を備えて堆積する。一部の実施形態において、基板は、プロセシングの間、チャンバー内に静的に配置される。そして、多くの実施形態は、堆積の状態を示すフィードバックを利用することにより、一つ以上の電極に印加される電力の量を調節する。
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ここに記載される、導電性材料のトレンチの内面への磁気的に強化されたスパッタリングの方法は、磁場を導電性材料から少なくとも部分的に形成されたターゲットに隣接して設けるステップと、アノードとターゲットとの間にＤＣ電圧を複数のパルスとしてかけるステップと、を含んでいる。高周波信号は、半導体基板を支持するペデスタルに与えられて、半導体基板に隣接する自己バイアス場を生成する。高周波信号は、ＤＣ電圧パルスがかけられている時間に重複する時間、パルス状にペデスタルに与えられる。高周波信号が与えられる時間は、アノードとターゲットとの間にかけられるＤＣ電圧パルスの終了時を超えて延びている。それぞれのＤＣ電圧パルスの間に、導電性材料はスパッターされて半導体基板に形成されたトレンチの側壁に蒸着する。
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【課題】本発明は、アーク放電を停止し、電力再投入時の過大電力の印加も防ぎ、地絡事故に対して迅速に対処できる電源、スパッタ電源及びスパッタ装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様によれば、インダクタにより平滑した順方向の直流電力を負荷に対して出力して定常運転を行い、前記負荷のインピーダンスの低下が生ずると前記負荷に対する前記順方向の直流電力の出力を遮断する遮断動作を行う電源であって、前記遮断動作が実行されると前記インダクタを流れる電流は前記負荷を含まない迂回路を流れ、前記迂回路の中に設けられ、前記定常運転においても前記遮断動作が実行された場合にも前記インダクタを流れる電流を測定するインダクタ電流センサと、前記迂回路の外側に設けられ、前記負荷に対して出力される電流を測定する出力電流センサと、を備えたことを特徴とする電源が提供される。 （もっと読む）