【課題】本発明は、アーク放電を停止し、電力再投入時の過大電力の印加も防ぎ、地絡事故に対して迅速に対処できる電源、スパッタ電源及びスパッタ装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様によれば、インダクタにより平滑した順方向の直流電力を負荷に対して出力して定常運転を行い、前記負荷のインピーダンスの低下が生ずると前記負荷に対する前記順方向の直流電力の出力を遮断する遮断動作を行う電源であって、前記遮断動作が実行されると前記インダクタを流れる電流は前記負荷を含まない迂回路を流れ、前記迂回路の中に設けられ、前記定常運転においても前記遮断動作が実行された場合にも前記インダクタを流れる電流を測定するインダクタ電流センサと、前記迂回路の外側に設けられ、前記負荷に対して出力される電流を測定する出力電流センサと、を備えたことを特徴とする電源が提供される。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】防着板がスパッタリングされない成膜装置を提供する。
【解決手段】
ターゲット３２と静電吸着装置３１の間のスパッタリング空間を取り囲む防着板３５の内周側面の面積がターゲット３２の表面積よりも小さい成膜装置１の電源装置４０に、直流電圧源４１を設け、負の直流電圧であるバイアス電圧に高周波交流電圧が重畳されたスパッタ電圧をターゲット３２に印加する。ターゲット３２の電位が負電位になるので、接地電位の防着板３５はスパッタされなくなり、薄膜中の汚染物質が減少する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、耐摩耗性を高度に向上させた表面被覆切削工具を提供することにある。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材と、該基材上に形成された被覆層とを備えるものであって、該被覆層は、化学蒸着法により形成される１層以上の化学蒸着層と、その化学蒸着層上に物理蒸着法により形成される１層以上の物理蒸着層とを含み、該物理蒸着層は、超多層構造層または変調構造層を含み、該超多層構造層は、特定の化合物によって構成される２種以上の単位層が各々０．２ｎｍ以上２０ｎｍ以下の厚みで周期的に繰り返して積層された構造を有し、該変調構造層は、特定の化合物によって構成され、その化合物の組成または組成比が厚み方向において０．２ｎｍ以上４０ｎｍ以下の周期で変化する構造を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プロジェクタ用光源装置のリフレクタに用いても、高温環境で結晶化して剥離等の劣化を引き起こすことのない、ニオブ酸化物を主体とした非晶質構造の透明被膜、およびこの透明被膜を製造するための成膜装置、また、この透明被膜の製造方法を提供する。
【解決手段】透明被膜１７を構成する低屈折率層１７ａと高屈折率層１７ｂのうち、高屈折率層１７ｂをニオブ酸化物を主体として、Ｔｉまたはその酸化物を含ませることによって、ニオブ酸化物の結晶化温度を少なくとも６００℃以上にすることができる。 （もっと読む）

【課題】傾斜したマルチカソードの各々でスパッタされた中性原子を用いることでウェハー表面のパターン化された孔または溝でより良い側壁および底部のカバレッジを形成できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ウェハーホルダ１２に対して傾斜した複数のカソード１１を有し、該カソード１１に該カソード１１の中央軸とずれた軸で回転する複数のマグネット１８を設け、反応容器内を５Ｐａより高い圧力に制御し、プラズマがカソード１１に印加されたｒｆ電力の容量的結合によって生成されるとき、選択されたカソード１１の上に負の自己バイアス電圧を生成し、前記カソード１１から放出されたスパッタ原子をイオン化し、前記負バイアス電位により加速するように為したスパッタリング装置。 （もっと読む）

【課題】傾斜したマルチカソードの各々でスパッタされた中性原子を用いることでウェハー表面のパターン化された孔または溝でより良い側壁および底部のカバレッジを形成する。
【解決手段】５Ｐａより高い圧力下において、ウェハー基板２４を回転させながら、Ｈｉｇｈ−ｋ誘電体材料を有するターゲットおよびカソード１１を傾斜させて配置し、該カソード１１と下部電極１５にそれぞれｒｆ電流を印加し、下部電極１５にプラズマ電位に対して負のバイアス電位を印加してスパッタリングを行う。 （もっと読む）

【課題】回転自在に設けられた円筒状ターゲットの長さ方向の端部での局所消耗を抑制し、エロージョン領域を均一化し、その使用寿命を向上させることができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】回転自在とされた円筒状ターゲット１３を有し、前記円筒状ターゲット１３の内側に設けられ、その長さ方向に沿って配置された磁場発生部材１４を有するスパッタ蒸発源２の一対と、前記一対のスパッタ蒸発源２のそれぞれの円筒状ターゲット１３を共にカソードとしてこれらに放電電力を供給するスパッタ電源３を備える。前記一対のスパッタ蒸発源２，２は、それぞれの円筒状ターゲット１３が平行に対向して配置され、それぞれの磁場発生部材１４，１４は円筒状ターゲット１３，１３の表面を通り、互いに引き合う向きの磁力線を形成する磁場を発生させる。 （もっと読む）

本発明は、カミソリ刃を形成する方法に関する。本方法は、ａ）基板を準備する工程と、ｂ）３０°未満の夾角及び１，０００オングストローム未満の先端半径を有する楔形の鋭利な縁部を基板上に形成する工程と、ｃ）この基板を真空チャンバ内に配置する工程と、ｄ）第１の固体ターゲットをこの真空チャンバ内に配置する工程と、ｅ）イオン化されるガスをこの真空チャンバ内に供給する工程と、ｆ）負電圧を第１の固体ターゲットにパルスで印加することによって、基板上の楔形の鋭利な縁部上に薄膜コーティングを形成するイオンを第１の固体ターゲットから生成する工程と、を含む。
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本発明は、金属酸化物、窒化物、若しくは炭化物、又はそれらの混合物の被膜を形成する方法に関するものであり、これによれば、アルゴンと反応性ガスとの混合ガス（５、６）中で、２００Ｗｃｍ^-2より大きいピークパルス電力で、一個以上のターゲット（３）における高電力インパルス・マグネトロン・スパッタリングＨＩＰＩＭＳ放電を操作することにより、成膜速度が向上すると共に反応性ガス分圧フィードバックシステムの必要性が除去される。
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【課題】波長の選択性を向上させた誘電体多層膜フィルタの製造方法および誘電多層膜フィルタの製造装置を提供する。
【解決手段】第一チャンバＦＬと第二チャンバＦＨは、それぞれ対応する屈折率を有する誘電体、あるいは、その誘電体に含まれる導体元素を主成分とするターゲット１８を搭載し、該ターゲット１８をスパッタして低屈折率層と高屈折率層を形成する。そして、第一チャンバＦＬと第二チャンバＦＨは、それぞれターゲット１８をスパッタするときに、対応するバイアス電源Ｇ１を駆動して基板２に負のバイアス電位を印加し、かつ、対応する熱交換器ＨＸを駆動して基板２の温度を室温にする。 （もっと読む）

【課題】装置コストが低く、形成される薄膜の結晶性が高くなるようなエピタキシャル薄膜の形成方法、半導体基板の製造方法、半導体素子、発光素子及び電子素子を提供すること。
【解決手段】ターゲットをパルス電圧によって間欠的にスパッタし、基板上に金属原子を間欠的に供給することにより、安定した格子位置の金属窒化物を基板上に成長させることができる。これにより、結晶性の極めて良好な半導体薄膜を形成することができる。加えて、本実施形態の一連の製造工程はスパッタ装置によって行うことが可能であるため、装置コストを低く抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】平行平板型プラズマ処理装置において、基板の加工に適したイオンエネルギーを有し、さらにそのイオンエネルギー幅を小さくして、加工形状を精緻に制御することが可能な基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】内部が真空に保持されたチャンバー２１と、この内部に配置され、主面上において処理すべき基板を保持するように構成されたＲＦ電極２２、及びこのＲＦ電極２２と対向するように配置された対向電極２３と、前記ＲＦ電極２２に対して所定周波数のＲＦ電圧を印加するためのＲＦ電源２７と、前記ＲＦ電極２２に対して前記ＲＦ電圧と重畳するようにして所定のパルス電圧を印加するためのパルス電源２９とを有するようにプラズマ処理装置を構成する。前記パルス電源２９は、前記パルス電圧の前記印加のタイミングを調整し、前記パルス電圧を印加しない休止時間を設定する制御機構を有する。 （もっと読む）

【課題】基板、基材に対し、安定して長時間、かつ高速でのスパッタ成膜が可能であるスパッタリング装置を提供することであり、また、これを用いて成膜した積層体及び、この積層体を有する光学機能性フィルタおよび光学表示装置を提供する。
【解決手段】基材上に薄膜層を成膜するために、少なくとも１つ以上のマグネトロン電極を有することを特徴とするスパッタリング装置において、前記マグネトロン電極におけるアノード電極５，６が回転式電極であるスパッタリング装置。 （もっと読む）

【課題】 有機高分子フィルム基材上に、ＺｎＯ系薄膜を形成した透明導電フィルムであって、ＺｎＯ系薄膜の膜厚が薄くなった場合（特に膜厚が１５０ｎｍ程度以下の場合）にも、低抵抗値であり、かつ湿熱環境下においても抵抗値の変化率が小さい、透明導電フィルムを提供すること。
【解決手段】 有機高分子フィルム基材上に、Ａｌ_２０_３薄膜が形成されており、その上にＡｌをドープしたＺｎＯであるＡＺＯ薄膜が形成されていることを特徴とする透明導電フィルム。 （もっと読む）

無線周波数（ＲＦ）電力をプラズマ室に印加するための無線周波数発生装置はＤＣ電源（Ｂ+）を含む。無線周波数スイッチは中心周波数ｆ₀の上記ＲＦ電力を発生させる。低域通過散逸終端回路網はＤＣ電源（Ｂ+）とスイッチとの間に接続され、第一遮断周波数にて作動する。スイッチはシステムの忠実度を向上させる出力回路網へ信号を出力する。出力回路網は所定周波数を超えるＲＦ電力を通過させる高域通過サブ高調波負荷絶縁フィルターへ送られる出力信号を発生させる。低域高調波負荷絶縁フィルターが出力回路網と高域通過サブ高調波負荷絶縁フィルターとの間に挿入されてもよく、高調波終端回路網が出力回路網の出力に接続されてもよい。高域通過終端回路網は所定周波数を超える周波数のＲＦ電力を散逸させる。オフラインショートまたは分路回路網はスイッチの出力と出力回路網の入力とに接続され、所定周波数にてスイッチの出力を短絡させてもよい。
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【課題】スパッタ蒸発した原子をイオン化することにより、緻密性、結晶性に優れた皮膜を成膜することができるスパッタ装置及びその方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ１と、真空チャンバ内に対向して設けられた一対のターゲット２Ａ，２Ｂと、前記ターゲットにスパッタ電力を供給するスパッタ電源５と、前記ターゲットの表面を通り、その垂直方向ないしほぼ垂直方向に磁界を形成するマグネット３Ａ，３Ｂを備え、前記磁界を形成すると共に前記真空チャンバに導入したスパッタリングガス中で前記ターゲット間の空間部の外側に設けた基板Ｗにスパッタ成膜する対向ターゲットスパッタ装置である。前記スパッタ電源５は、スパッタ成膜する際にターゲット２Ａ，２Ｂに投入される瞬時電力のピーク値であるピーク電力を前記空間部の体積で除した最大体積電力密度が８３Ｗ／cm³ 以上となるようにスパッタ電力を前記ターゲットに供給する。 （もっと読む）

【課題】
光吸収のないフッ化物からなる蒸着材料をプラスチックフィルム上に電子ビーム加熱蒸着法により安定的に高速で形成する光学薄膜の成膜方法および成膜装置を提供する。
【解決手段】
フッ化物からなる蒸着材料をターゲットとした電子ビーム加熱蒸着法によりプラスチックフィルム基板上に無加熱で光学薄膜を形成する際、蒸着材料として焼結体を用いることで成膜安定性を保つ。さらにランプ５によりターゲット材料６を照射して加熱をアシストする。このとき蒸着材料６の温度を赤外放射温度計７により測定し、蒸着材料６の温度を制御回路装置を介して電子ビーム投入電力、またはランプ強度にフィードバックして蒸着材料６の温度を所定の範囲に保ち、成膜速度を一定にする。 （もっと読む）

【課題】ロール・ツー・ロールの積層体製造装置およびその製造装置を用いて成膜された積層体と、この積層体を前面に用いた光学機能性フィルタおよび光学表示装置に関する。
【解決手段】
プラスチック・フィルム上に薄膜層を成膜するために、少なくとも１つ以上のマグネトロン電極を有し、該マグネトロン電極毎に個別に真空度を設定でき、該マグネトロン電極に対し十分に大きな成膜ローラーを備えているロール・ツー・ロール型のマグネトロン・スパッタ装置において、前記成膜ローラーの直前および直後に、該成膜ローラーと比較して小さなローラーを設置し、該小さなローラーを搬送中に、該マグネトロン電極において発生するカソード−とアノード間のプラズマ流により、膜質を緻密化することが可能であることを特徴とするロール・ツー・ロール型のマグネトロン・スパッタ装置。 （もっと読む）

マグネトロンのカソード上での電流密度を０．１と１０Ａ／ｃｍ^２の間として、基板上にコーティングを形成するためパルスが印加されるスパッタリングを発生させるための装置が提供される。本装置は、前記マグネトロンに動作可能に接続された電源と、前記電源に動作可能に接続された少なくとも一つのキャパシタとを備える。また、第１のスイッチを備える。この第１のスイッチは、前記マグネトロンを充電させるために前記マグネトロンに前記電源を動作可能に接続し、前記第１のスイッチは、第１のパルスにより前記マグネトロンを充電させるように構成される。電気的バイアス装置が、前記基板に動作可能に接続され、基板バイアスを印加するように構成される。
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【課題】
真空負荷に逆電圧を印加するための半導体スイッチ素子のオフ時の電力損失を抑制し、温度上昇を制限すると共に、逆電圧電源の小容量化を実現すること。
【解決手段】
半導体スイッチ素子５がオンするときに直流電源１とは逆極性の出力電圧を逆電圧電源４から真空負荷２に印加する真空装置において、半導体スイッチ素子５がオフするときにそのオン期間に主インダクタ３に蓄えられた磁気エネルギーを吸収して電荷を蓄える第１の回路Ｓ１を備えると共に、半導体スイッチ素子５がオンするときに第１の回路Ｓ１から放電される電荷を磁気エネルギーとして蓄えるインダクタンス素子９と、半導体スイッチ素子５がオフするときにインダクタンス素子９に蓄えられている磁気エネルギーを逆電圧電源４に帰還するダイオード１０からなる第２の回路Ｓ２を備えることを特徴とする真空装置。 （もっと読む）