【課題】 蒸着面が汚染されることがなく、それ故蒸着不良による品質の低下がなく、また在庫管理も格別に必要としない、表面に薄膜を有する成形品の成形方法を提供する。
【解決手段】
固定側金型（２）と、スライド金型（１５）とを使用して、第１の成形位置で第１の基板（Ｋ１）を、第２の成形位置で第２の基板（Ｋ２）を成形する。そして、第２の基板（Ｋ２）を成形中にその前に成形された第１の基板（Ｋ１）の表面に蒸着し、第１の基板（Ｋ１）を成形中にその前に成形された第２の基板（Ｋ２）の表面に蒸着する。このとき、内部にターゲット電極、基板電極、真空吸引管等の蒸着要素が設けられている蒸着用チャンバー（２５）により、スライド金型（１５）の凹部（１６、１７）に残っている状態の基板を覆って、金型内で蒸着条件を出して蒸着する。 （もっと読む）

本発明の薄膜形成装置（１）は、真空容器（１１）内に反応性ガスを導入するガス導入手段と、真空容器（１１）内に反応性ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生手段（６１）を備える。プラズマ発生手段（６１）は、誘電体壁（６３）と渦状のアンテナ（６５ａ，６５ｂ）を有して構成されている。アンテナ（６５ａ，６５ｂ）は、高周波電源（６９）に対して並列に接続され、アンテナ（６５ａ，６５ｂ）の渦を成す面に対する垂線に垂直な方向に隣り合った状態で設けられている。
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【課題】電源装置と成膜室とを接続する電源供給線の長さに影響されず、安定した放電により異常放電を抑制することが可能となり、安価に構成することができるスパッタ装置を提供する。
【解決手段】スパッタ装置において、成膜用電源装置として構成された直流電源装置１，２と、該直流電源装置からの直流電源を成膜装置に供給するため、これら直流電源装置と成膜装置とを接続する電源接続用手段６，７と、前記成膜装置側に設けられた印加電圧の極性を切り替えるスイッチ手段１５，１６を含む制御部と、を備え、前記電源接続用手段を介して前記直流電源装置から供給された直流電源による印加電圧の極性を、前記スイッチ手段によって切り替えて前記成膜装置におけるチャンバー１２とターゲット１３間に印加可能に構成する。 （もっと読む）

【課題】ＮをドープしたＺｎＯ膜を高速かつ安定して成膜する方法を提供する。
【解決手段】カバー２６内部におけるターゲット２１ａ，２１ｂの上方に基板１を配置し、ポンプによってカバー２６内を真空にした後、アルゴン等の不活性ガス中に酸素及び窒素を含有させた混合ガスをカバー２６内に導入する。Ｚｎよりなる第１、第２のターゲット２１ａ，２１ｂに、交互にパルスパケット状の電圧を印加する。ターゲット２１ａ，２１ｂのスパッタ時におけるＺｎの放電の発光波長と発光強度が、ＰＥＭ３１ａ，３１ｂによって検知される。各ターゲット２１ａ，２１ｂのスパッタ速度が算出され、この算出結果に基づき、各ターゲット２１ａ，２１ｂに付与されるパルス電力、パルス量及びパルス幅、カバー２６内に供給する酸素量及び窒素量、並びにカバー内の圧力が制御される。 （もっと読む）

【課題】金属をドープしたＴｉＯ_２膜を高速にて成膜する方法を提供する。
【解決手段】ＴｉＯ_ｘ（但し、ｘは０．５以上１．９９以下）よりなる第１のターゲット２１ａと、金属をドープしたＴｉＯ_ｘ（但し、ｘは０．５以上１．９９以下）よりなる第２のターゲット２１ｂに、交互にパルスパケット状の電圧を印加する。ターゲット２１ａのスパッタ時におけるＴｉの放電の発光波長と発光強度が、ＰＥＭ３１ａによって検知される。また、ターゲット２１ｂのスパッタ時におけるＴｉ及びドープ金属の放電の発光波長と発光強度が、コリメータ３０ｂ、フィルタ及び光倍増幅管を介して電気信号となり、ＰＥＭ３１ｂによって検知される。各ターゲット２１ａ，２１ｂのスパッタ速度が算出され、この算出結果に基づき、各ターゲット２１ａ，２１ｂに付与されるパルス電力、パルス量及びパルス幅、カバー２６内に導入する酸素量、並びにカバー内の圧力が制御される。 （もっと読む）

【課題】従来試みられることのなかった新規な方法で担体に触媒材料を担持してなる水素貯蔵及び発生用触媒構造体、並びに該触媒構造体を用いた水素の貯蔵及び発生方法を提供する。
【解決手段】担体表面に反応性スパッタリング法により触媒材料をコーティングしてなる水素貯蔵及び発生用触媒構造体、並びに、該触媒構造体と、芳香族炭化水素とを用いることを特徴とする水素の貯蔵方法、及び上記触媒構造体と、芳香族炭化水素の水素化誘導体とを用いることを特徴とする水素の発生方法である。 （もっと読む）

【課題】酸化数が精密に制御されたＮドープＣｕ_２Ｏ膜を高速にて成膜する方法及びこの成膜方法によって得られたＣｕ_２Ｏ膜を光吸収層として用いた太陽電池を提供する。
【解決手段】カバー２６内部に透明基板１を導入し、アルゴン中に酸素及び窒素を含有させた混合ガスをカバー２６内に導入する。ターゲット電極２０Ａ，２０Ｂに一定の周期で交互にパルスパケット状の電圧を印加して、グロー放電を形成させる。これにより、ターゲット２１ａ，２１ｂから粒子がスパッタされ、基板１上にＣｕ_２Ｏ膜よりなるｐ層３が形成する。コリメータ３０ａ，３０ｂを介して得られたプラズマの発光スペクトルが電気信号となりＰＥＭ３１ａ，３１ｂに取り込まれる。このＰＥＭ３１ａ，３１ｂを用いてプラズマ中の銅の発光強度が常に一定になるように酸素ガスの導入流量を制御する。 （もっと読む）

【課題】 高価な高周波設備を使用せずに、逆スパッタ時に異常なアーク放電の発生による基板の絶縁破壊が起こらないようなスパッタ装置を提供する。
【解決手段】 電源に直流パルスを使用し、基板ホルダーをＴｉ、Ａｌ等のスパッタ率が低く酸化しにくい金属で構成し、少なくともプラズマ発生空間に面した部分は金属を露出させておく。切り替えスイッチによりパルス電圧の負荷を被処理基板側とターゲット側に切り替えることにより、簡単に逆スパッタと正スパッタを同一の装置で行う。 （もっと読む）

本発明によって、プラズマを点火させることを提供する装置と方法とが提供される。該装置と方法とでは、アークの場合は、シャントスイッチが電力をプラズマからそらせるために使われ、該プラズマは、過剰電圧保護回路に組み込まれている。アークが消失すれば、プラズマを再点火させるための点火電圧をブースとするため、蓄えられたインダクタエネルギーが使用されるよう、該過剰電圧保護回路は、アークが消失したときに、シャントスイッチをブーストスイッチとして動作するように制御する。アークが消失し、インダクタ電流が減少し、プラズマが点火するとき、スイッチＳ１はオフにされ、インダクタエネルギーはプラズマに行き、電源は通常動作モードで動作する。 （もっと読む）

強電離プラズマを生成する方法および装置が記載されている。本発明による強電離プラズマを生成する装置には、アノードとカソードとが含まれており、カソードはアノードに隣接して配置され、アノードとカソードとの間にギャップが形成される。イオン源は、カソードの近傍に弱電離プラズマを生成する。電源は、アノードとカソードとの間のギャップに電場を生成する。電場は、弱電離プラズマ内に励起原子を生成し、カソードから二次電子を生成する。二次電子は励起原子を電離することにより、強電離プラズマを生成する。
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【課題】良好な特性を有するカルコゲン化合物薄膜を形成するスパッタリング蒸着装置およびそれを利用したカルコゲン化合物薄膜形成方法の提供。
【解決手段】カルコゲン化合物ターゲット及び基板にマイナスの値とプラスの値の間をスイッチングするパルス直流バイアスを提供する。マイナスの直流バイアスが供給されるときに、カルコゲン化合物ターゲットから構成元素がスパッタされて、反応ガスと結合して基板上にカルコゲン化合物薄膜が形成される。プラスの直流バイアスが供給されるときに、カルコゲン化合物ターゲット表面に局所的に蓄積された不活性ガスイオンがカルコゲン化合物ターゲットから離脱される。不活性ガスの蓄積による放電がなく、不純物ドーピング濃度が増加したカルコゲン化合物薄膜を形成することができ、カルコゲン化合物薄膜の比抵抗を増加できる。 （もっと読む）

本発明により、１ｋＷ／ｃｍ^２より大きいピーク電流密度を伴う０．１メガワットから数メガワットを有するピーク電流供給することが可能な直流パルス電源を含む新規のマグネトロンスパッタリング装置が提供されている。電源は、アーク状態の検出で、エネルギー蓄積コンデンサおよびプラズマから切断し、かつ、インダクタエネルギーをエネルギー蓄積コンデンサへ再循環させるスイッチ手段を有する直列接続されたインダクタを含むパルス回路を有する。エネルギー蓄積コンデンサおよび直列接続されたインダクタは、インピーダンス整合をプラズマへ提供し、アーク発生の場合には、電流の上昇速度および最大振幅を制限し、プラズマへの電圧パルスを成形する。
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【課題】 改善された光学的および電気的膜特性を有する透明で導電性の酸化物膜（ＴＣＯ膜）であり、薄膜太陽電池において使用するのに適する表面構造を有する該膜の提供。
【解決手段】 この課題は、反応性スパッタリングによって基板上に導電性で透明な酸化亜鉛膜を生成し、プロセスにヒステリシス領域を有している方法において、ドーピング剤を含有する金属Ｚｎターゲットを使用し、該ターゲットのドーピング剤含有量が２．３原子％より少なく； 基板のための加熱器を、２００℃より高い該基板温度に調整される様に調整し；
１９０ｎｍ／分より早い静的溶着速度に相当する５０ｎｍ*ｍ／分より早い動的溶着速度に調整し；そして安定な金属プロセスと不安定なプロセスとの間の転換点と安定化されたプロセス曲線の屈曲点との間に位置する、不安定なプロセス領域内で安定化した作業点を選択する各段階を含むことを特徴とする、上記方法によって解決される。 （もっと読む）

プラズマを用いて基板を処理するための処理システム（１０）は、両端が開口した円筒型のターゲット（３２）と、中空陰極マグネトロン（ＨＣＭ）を形成する米国特許５，４８２，６１１に開示されたタイプのマグネットアレイ（３４）とを用いて提供される。その円筒型ターゲットの開口端部の１つには、米国特許６，０８０，２８７や６，２８７，４３５に記載されているように誘導結合ＲＦエネルギーソース（４０）が配置される。その円筒型ターゲットの一端の誘電体窓（４１）は、外気と処理システムの間にシールを形成するように作用し、真空空間内に位置する蒸着バッフルシールド（４４）によって蒸着から保護され、チャンバー内にコイルからのＲＦエネルギーの供給を可能にするように設計される。ＲＦソースに対向するその円筒型のターゲットの開口端部（１３）は、真空チャンバー（１１）内の処理空間に面する。
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