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Fターム[4K029DC34]の内容

物理蒸着 (93,067) | スパッタリング装置 (13,207) | スパッタ方式 (5,546) | 放電プラズマによるもの (2,861) | 電源 (2,524) | 直流 (1,517)

Fターム[4K029DC34]に分類される特許

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安価に製造することができ、高密度のスパッタリングターゲットを得ることができ、ターゲットのライフを伸ばすことができる酸化インジウム−酸化錫粉末及びそれを用いたスパッタリングターゲットを提供する。 In−Sn酸化物を主成分とする酸化インジウム−酸化錫
粉末であって、X線回折で間化合物InSn12が検出されず、In(222)積分回折強度及びSnO(110)積分回折強度の比から求められるSnOの析出量(質量%)から算出される、In中のSnO固溶量が2.3質量%以上であることを特徴とする酸化インジウム−酸化錫粉末にある。 (もっと読む)


機能層を作成する方法において、基材がプロセスチャンバー内に導入される工程と、少なくとも1つのプラズマが、例えばプラズマカスケード発生源のような、少なくとも1つのプラズマ発生源(3)により発生される工程と、前記プラズマ(P)の影響下で、少なくとも1つの第1蒸着材料を前記基材(1)上に蒸着させる工程と、同時に、少なくとも1つの第2材料(6)が、第2の蒸着工程により前記基材に適用される工程と、を備えた方法である。本発明はまた、少なくとも1つのプラズマを発生させる、例えばプラズマカスケード発生源のような少なくとも1つのプラズマ発生源と、蒸着材料を各プラズマ内へ導入する手段と、前記プラズマ発生源と同時に、前記基材上に少なくとも1つの第2蒸着材料を蒸着するように配置された第2蒸着発生源(6)と、を備えた装置である。
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【課題】 ブローホールのような内部欠陥を極力減少し、反りのない大面積のアルミニウム系ターゲットを提供することを目的とする。
【解決手段】 複数のアルミニウム合金ターゲット部材からなるアルミニウム系ターゲットにおいて、摩擦撹拌接合法によりアルミニウム合金ターゲット部材を接合した接合部を備えるものとした。また、この接合部は、アルミニウム母材中に径10μm以下の金属間化合物析出物が分散した組織であり、径500μm以下のブローホールが0.01〜0.1個/cm存在するものである。 (もっと読む)


本発明は、銀を主成分とし、第1の添加元素として銀より低融点の金属元素を少なくとも1種含んでなる光記録媒体の反射膜用の銀合金である。本発明において、第1の添加元素は、アルミニウム、インジウム、錫、ビスマス、ガリウム、亜鉛、ストロンチウム、カルシウム、ゲルマニウムが好ましい。また、本発明では、更に、第2の添加元素として、白金、金、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、パラジウム、鉛、銅、マンガン、シリコン、ニッケル、クロム、コバルト、イットリウム、鉄、スカンジウム、ジルコニウム、チタン、ニオブ、モリブデン、タンタル、タングステン、ハフニウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジウム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、ツリウム、イッテルビウム、マグネシウム、ホウ素の少なくとも1種を含むものが好ましい。 (もっと読む)


本発明は、銀を主成分とし、第1の添加元素として銀より高融点の元素を少なくとも1種含んでなる反射率維持特性に優れる銀合金である。本発明において、第1の添加元素は、銅、マンガン、シリコン、ニッケル、コバルト、イットリウム、鉄、スカンジウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、タンタル、タングステンが好ましい。また、本発明では、第2の添加元素として、白金、金、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、パラジウム、クロム、ゲルマニウム、インジウム、錫、鉛、アルミニウム、カルシウム、ガリウム、ビスマス、アンチモン、ストロンチウム,ハフニウム、ガドリニウム、サマリウム、ネオジウム、ランタン、セリウム、イッテルビウム、ユーロピウムの少なくとも1種を含むものが好ましい。 (もっと読む)


親水性、防曇性を有し、透明性に優れ、かつUV光によるガス分解性を有する、可視光応答性を有するTi酸化物膜およびその製造方法並びにTi酸化物膜付き基体を提供する。 ガラス基板上に形成されたTi酸化物膜であって、100mW/cmの輝度を有するキセノンランプの光を、400nm未満の紫外光をカットして前記Ti酸化物膜に照射しながら前記Ti酸化物膜に電圧を印加したときの電流値が、暗所における前記Ti酸化物膜に該電圧と同じ電圧を印加したときの電流値に対して1000倍以上であるTi酸化物膜。 (もっと読む)


本発明の実施態様は工具用の硬質な耐摩耗層に関する。具体的には、金属を切削するための例えばドリル、皿穴ドリル、穴ぐり刃、ねじタップ、リーマーなどの回転シャンク工具を含む切削用工具に関する。耐摩耗層は約1〜10μmの厚さを有し、物理気相成長法(PVD)により蒸着することが好ましい。耐摩耗層はCr、Ti、およびAlの金属窒化物からほぼなり、さらに粒状を微細にするため、低含量の元素(κ)を含む。全層の金属元素中において、Crは65%を超え、好ましくは66〜70%、Alは15〜23%、Tiは10〜15%である。 (もっと読む)


真空下で、光学ガラス基板の表面上のインジウム錫酸化物(ITO)などの透過性電極を持つ光学ガラス基板上のポリマー分散型液晶(PDLC)などの揮発性のゼラチン状層全体に、任意のコーティングを施すことを可能にするために、中間の応力吸収ポリマー材料の層が、先ず揮発性物質の蒸発および漏れ防止のために、揮発性のゼラチン状層を覆うように施されて、その後、超高真空下で、例えば物理的気相成長(PVD)またはスパッタリングと呼ばれる技術を使用して、コーティングが施される。
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本発明の一形態において、本発明の半導体製造システムは、不活性ガスが吸気及び排気できる真空ハウジングと、システム内に配置された多数の蒸着チャンバとを含む。本発明の装置は基板222、支え電極224、基板電源236、ガス吸入口232、質量流量計233、ガス供給源28、真空ポンプシステム234、ポンピングポート236、磁石102、104、106、108、ターゲット110、120、電子制限区域130及び電源140を含む。

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本発明は、電子ビームによる発生プラズマを用いて基板上に薄膜及び被覆を堆積する手段に関する。プラズマは、スパッタ応用におけるイオン源として用いることができ、イオンは、膜又は被覆を形成するため基板上に縮合できる材料をターゲットから放出させるのに用いられる。代わりに、プラズマは、スパッタ又は蒸着技術に基づくものを含む既存の蒸着源と組合わされ得る。いずれの構成においても、プラズマは、反応性蒸着プロセスにおいて成長する膜表面におけるイオン及びラジカル種の源として機能する。電子ビーム大面積堆積システム(EBELADS)は、数mまで及び数mを含む薄膜又は被覆を生成する新しい方法である。 (もっと読む)


ITOスパッタリングターゲット中に、王水でエッチングしたとき又はスパッタエッチングしたときに表出する、粒径100nm以上の粒子の個数が1個/μm以下であることを特徴とするITOスパッタリングターゲット及び密度が7.12g/cm以上であることを特徴とするITOスパッタリングターゲット。スパッタ特性、特にアーキングの発生を抑制し、このアーキングに起因するITO膜の欠陥の発生を抑え、ITO膜の品質低下を効果的に抑制する。 (もっと読む)


本発明は、IB−IIIA−VIA族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を製造するための方法であって、当該方法は、(i)IB族及びIIIA族金属の混合物を含む金属薄膜を配設するステップと、(ii)第1のVIA族元素(当該第1のVIA族元素は、これ以降、VIAと呼ばれる)の発生源が存在する中で、IB−VIA族合金及びIIIA−VIA族合金から成るグループから選択される少なくとも1つの二元合金と、少なくとも1つのIB−IIIA−VIA族三元合金との混合物を含む第1の薄膜を形成するための条件下で金属薄膜を熱処理するステップと、(iii)第2のVIA族元素(当該第2のVI族元素は、これ以降、VIAと呼ばれる)の発生源が存在する中で、第1の薄膜を、IB−VIA−VIA族合金及びIIIA−VIA−VIA族合金から成るグループから選択される少なくとも1つの合金と、ステップ(ii)の少なくとも1つのIB−IIIA−VIA族三元合金とを含む第2の薄膜に変換するための条件下で、オプションで、第1の薄膜を熱処理するステップと、(iv)第1の薄膜又は第2の薄膜のいずれかを熱処理して、IB−IIIA−VIA族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を形成するステップとを含む、IB−IIIA−VIA族四元合金又は五元合金以上の合金から成る半導体薄膜を製造するための方法に関する。
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例えば、マグネトロン蒸着装置に用いられるターゲット組立体が、主張される。ターゲット組立体は、管の軸受、管の回転、電気接点、冷媒シール、及び真空シールのような機能の少なくとも1つが管自体の内部に一体化されていることを特徴としている。このような組立体は、エンドブロックが内蔵される容積を低減させることによって、真空空間をさらに有効に用いるという利点を有している。組立体の小形化によって、現在、平面ターゲット組立体のみしか使用できない小型の設備にも、用いることができる。 (もっと読む)


本発明の1つの態様は、プラズマスパッタリアクタのチャンバー壁の外側に位置された補助的磁石リングであって、特に、スパッタ堆積されている基板をスパッタエッチングするためにプラズマを誘導的に発生するのに使用されるRFコイルの半径方向外方に少なくとも一部分配置された補助的磁石リングを包含する。従って、磁気バリアが、プラズマがコイルへと外方に漏れるのを防止し、スパッタエッチングの均一性を改善する。また、この磁界は、コイルが、一次ターゲットと同じ材料で作られているときに、二次ターゲットとして使用されるときには、マグネトロンとしても働く。本発明の別の態様は、ターゲットからペデスタルへと延び、滑らかな内面をもち、且つシールド中央部が環状フランジで支持された一部片の内部シールドを包含する。このシールドは、RFコイルを支持するのに使用されてもよい。 (もっと読む)


プラズマを用いて基板を処理するための処理システム(10)は、両端が開口した円筒型のターゲット(32)と、中空陰極マグネトロン(HCM)を形成する米国特許5,482,611に開示されたタイプのマグネットアレイ(34)とを用いて提供される。その円筒型ターゲットの開口端部の1つには、米国特許6,080,287や6,287,435に記載されているように誘導結合RFエネルギーソース(40)が配置される。その円筒型ターゲットの一端の誘電体窓(41)は、外気と処理システムの間にシールを形成するように作用し、真空空間内に位置する蒸着バッフルシールド(44)によって蒸着から保護され、チャンバー内にコイルからのRFエネルギーの供給を可能にするように設計される。RFソースに対向するその円筒型のターゲットの開口端部(13)は、真空チャンバー(11)内の処理空間に面する。
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【課題】本発明では、軽量で、高い透明性、水蒸気バリア性を有する積層体を提供することにある。また、従来の包装用途だけでなく、ディスプレイ用途にまで応用のできるバリア性の積層体を提供することを目的とする。
【解決手段】基材の少なくとも片面に、第1層として硫黄原子またはリン原子含有層、第2層として金属酸化物層を設けてなることを特徴とする積層体である。さらには、前記第1層である硫黄含有有機層またはリン含有有機層が、プラズマ重合法により形成されてなることを特徴とする積層体である。 (もっと読む)


【課題】 高い規格化保磁力を有するとともに、熱的な安定性に優れる磁気記録媒体およびその製造方法、並びに磁気記録装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る磁気記録媒体は、非磁性基体1と、該非磁性基体1上に金属下地層2を介して形成されたコバルト基合金からなる強磁性金属層3とを備える磁気記録媒体10において、保磁力Hcが2000(Oe)以上であり、かつ異方性磁界Hkgrainが10000(Oe)以上であることを特徴とする。また、前記金属下地層2および/または強磁性金属層3が、到達真空度10-9Torr台の成膜室において、不純物濃度1ppb以下の成膜用ガスを用いて成膜されてなるものであることが好ましい。 (もっと読む)


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