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Fターム[4K029DC34]の内容

物理蒸着 (93,067) | スパッタリング装置 (13,207) | スパッタ方式 (5,546) | 放電プラズマによるもの (2,861) | 電源 (2,524) | 直流 (1,517)

Fターム[4K029DC34]に分類される特許

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【課題】アスペクト比の異なる複数の開口下部に接続される配線に対して最適な処理を施すことができるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、第1の半導体基板と第2の半導体基板が接合された半導体基板の第1の開口の下部配線と、貫通接続孔と異なるアスペクト比の第2の開口の下部配線に対して、バリアメタル膜の成膜と、スパッタガスによる物理エッチングを同時に行うアンカー処理工程が含まれる。本技術は、例えば、固体撮像装置などの半導体装置に適用できる。 (もっと読む)


【課題】特有の組成により、安定してスパッタ中の異常放電を防止できるスパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛質焼結体からなるスパッタリングターゲット材であって、密度が5.4×10kg/m以上5.6×10kg/m以下で、Al換算で1重量%以上3重量%以下のAlを含み、酸化亜鉛粒子10中に存在するZnAl粒子20の粒子径は3μm以下であり、酸化亜鉛粒界中に存在するZnAl粒子20の径は10μm以下である。このように僅かにボイドが存在する緻密な焼結体であるため、放電回数を低減しつつ、スパッタ中の割れを防止できる。また、適度にAlが含まれていることから体積抵抗率を低減できる。また、ZnAl粒子20が小さいため、抵抗の不均一相を小さくし、ZnAl粒子20を起点とする異常放電を防止できる。 (もっと読む)


【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ57に備わるウエハステージ57a上に半導体ウエハSWを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハSWの主面上をドライクリーニング処理し、続いて180℃に維持されたシャワーヘッド57cにより半導体ウエハSWを100から150℃の第1の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハSWをチャンバ57から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ57において150から400℃の第2の温度で半導体ウエハSWを熱処理することにより、半導体ウエハSWの主面上に残留する生成物を除去する。 (もっと読む)


【課題】 酸素、水蒸気およびアウトガスを透過しにくいガスバリア性に優れたフィルム部材、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 フィルム部材は、樹脂フィルムからなる基材と、該基材の表裏少なくとも一方側に配置される酸窒化アルミニウム(AlON)膜と、を有し、該酸窒化アルミニウム膜の組成は、Al:39〜55at%、O:7〜60at%、N:1〜50at%である。当該フィルム部材の製造方法は、スパッタ成膜装置1のチャンバー8内に、基材20をアルミニウム製のターゲット30に対向するように配置し、チャンバー8内を所定の真空度に保持する減圧工程と、チャンバー8内に、窒素を含む原料ガスとキャリアガスとを導入し、所定の真空度で、チャンバー8内の窒素ガス圧に対する酸素ガス圧の比率が20%以下の雰囲気において、基材20の成膜面に酸窒化アルミニウム膜を形成する成膜工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜速度を高め、ターゲットの使用効率を向上したマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】ターゲット31の背面側に設けられたマグネット配列体5は、両端が互に異極である棒状マグネットが網の目状に配置されると共に、網の目の交点にて、棒状マグネットの端面に囲まれる領域には透磁性のコア部材を設けるように構成されている。棒状マグネットの両端の極からの磁束がコア部材を通して出ていくため、隣接する棒状マグネット同士の磁束の反発が抑えられて磁束線の歪みが抑制され、水平磁場が広い範囲で形成される。このため、高密度のプラズマが広範囲に均一に形成され、成膜速度の面内均一性を確保しながら、速い成膜速度が得られる。また、ターゲット31のエロージョンの面内均一性が良好であり、エロージョンが均一性を持って進行するため、ターゲット31の使用効率が高くなる。 (もっと読む)


【課題】表面にホワイトスポットがない外観が良好なスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】二種以上のホモロガス結晶構造を含む酸化物焼結体からなることを特徴とするスパッタリングターゲットを提供する。 (もっと読む)


【課題】低圧下で高密度のプラズマを生成可能なECRプラズマ生成装置、および表面の凹凸が小さい薄膜を形成可能なマグネトロンスパッタ成膜装置を提供する。
【解決手段】ECRプラズマ生成装置4は、マイクロ波を伝送する矩形導波管41と、該マイクロ波が通過するスロットを有するスロットアンテナ42と、スロットを覆うように配置され、プラズマ生成領域側の表面はスロットから入射する該マイクロ波の入射方向に平行である誘電体部43と、誘電体部43の裏面に配置される支持板44と、支持板44の裏面に配置される永久磁石45と、を備え、ECRプラズマP1を生成する。マグネトロンスパッタ成膜装置1は、ECRプラズマ生成装置4を備え、基材20とターゲット30との間にECRプラズマP1を照射しながら、マグネトロンプラズマP2による成膜を行う。 (もっと読む)


【課題】DLC皮膜などのカーボン皮膜の表面の欠陥が少なく、母材とカーボン皮膜との密着性が良好で、相手攻撃性が低く、摩擦係数が低い硬質皮膜被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】クロムターゲットを使用する処理装置の真空処理室内においてアルゴンガスと窒素ガスを含む雰囲気中でスパッタリングすることによって母材上に厚さ1〜30μmの窒素含有クロム皮膜を形成した後、カーボンターゲットを使用する処理装置の真空処理室内にアルゴンガスと窒素ガスを導入して、アルゴンガスと窒素ガスの全圧に対する窒素ガスの分圧の比が0.23以上、好ましくは0.37以上の雰囲気中において、バイアス電圧−250V以下、好ましくは−280V以下でスパッタリングして、窒素含有クロム皮膜上にカーボン皮膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】ターゲットであるCu2Oから、単一結晶相からなる有用なCu2O被膜(堆積膜)又はCuO被膜を選択的に形成できると共に、そのCu2O被膜の形成に際して、そのCu2O被膜の膜質制御を簡単に行うことができる被膜形成方法を提供する。
【解決手段】ターゲットとして、Cu2Oを用い、Arをプラズマ化するための投入電力とArを含む全ガス圧力とを、前記Cu2Oからのスパッタ粒子をO2流量比が高まるに伴ってCu2O,Cu4O3,CuOに順次、変化し得るように設定し、その上で、前記投入電力及び前記全圧力の下で、O2流量比を調整する。これにより、的確に、単一結晶相からなる有用なCu2O被膜又はCuO被膜のいずれかを選択的に形成できるようにする。また、Cu2O被膜の形成に際しては、O2流量比調整により広い範囲で抵抗率(キャリア密度)を調整して、Cu2O被膜の膜質特性の変更を簡単に行えるようにする。 (もっと読む)


【解決手段】PbおよびCdの少なくとも一方を含有することを特徴とする酸化ガリウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットまたは酸化アルミニウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲット。
【効果】本発明の酸化ガリウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットおよび酸化アルミニウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットは、焼結温度が低温、たとえば1300℃程度であっても高い焼結密度となることができる。このため高い焼結密度を得るために原料粉末を高温で焼結する必要がないので、焼結炉にかかる負担が小さく、焼結炉の早期劣化を避けることができ、また、原料粉末からの亜鉛等の成分の揮発を抑制することができ、予定していた組成を有する膜を容易に形成することができる。また、本発明のスパッタリングターゲットは、比抵抗が小さい。さらに本発明のスパッタリングターゲットは、スパッタレート減少率が小さい。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング法を用いた酸化物半導体膜の成膜時の異常放電の発生が抑制され、連続して安定な成膜が可能なスパッタリングターゲットを提供すること。希土類酸化物C型の結晶構造を持つ、表面にホワイトスポット(スパッタリングターゲット表面上に生じる凹凸などの外観不良)がないスパッタリングターゲット用の酸化物を提供すること。
【解決手段】ビックスバイト構造を有し、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛を含有する酸化物焼結体であって、インジウム(In) 、ガリウム(Ga)および亜鉛(Zn)の組成量が原子比で以下の式を満たす組成範囲にある焼結体を提供する。
In/(In+Ga+Zn)<0.75 (もっと読む)


【課題】金属またはセラミック材料の基材(ワークピース)上に少なくとも実質的に水素フリーのta−C層を製造する装置が提供される。
【解決手段】装置10は、a)不活性ガス供給源および真空ポンプに接続可能な真空チャンバ14と、b)真空チャンバ内へ挿入されるまたは挿入可能な、複数の基材(ワークピース)12のための支持装置と、c)炭素材料の供給源として機能し、マグネトロンを形成するための関連する磁石配置を有する黒鉛陰極16と、d)支持装置上の基材に負のバイアス電圧を印加するバイアス電源32と、e)黒鉛陰極および関連する陽極に接続可能な、陰極のための陰極電源18と、を備えており、陰極電源18は、(好ましくはプログラム可能な)時間間隔で離間された高電力パルス列を伝達するように設計され、各高電力パルス列は、自由選択では増大位相の後に、黒鉛陰極に供給されるように適合された高周波数のDCパルスの列から成る。 (もっと読む)


【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を異常放電や割れを抑制しつつ成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と;酸化インジウムと;Ti、Mg、Al、およびNbよりなる群から選択される少なくとも1種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をX線回折したとき、ZnmIn23+m(mは5〜7の整数)相、In23、及びZnOの各結晶相を含むと共に、相対密度95%以上、比抵抗0.1Ω・cm以下である。 (もっと読む)


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