【課題】簡素な構成として、既存のスパッタ装置に容易に搭載可能であって、スパッタ源であるターゲットをスパッタ装置に取り付けた状態で、孔の開く直前の限界まで使用することが可能となるスパッタ源終端検出機構を提供する。
【解決手段】ターゲット終端検出器１０は、スパッタ装置のターゲットホルダ２５の表面に形成された溝２５ｃに収納されて、その上に載置されているターゲットＴ１の裏面に光を照射する導光体１１と、導光体１１に接続した光源１２とを備え、導光体１１は、ターゲットＴ１におけるスパッタ装置により消費される部位の裏側に配置され、ターゲットＴ１が薄肉化して孔の開く直前になると、導光体１１から発光した光がターゲットＴ１を透過して、表面側で検知されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタ粒子の無駄を抑え、有効に使用できるイオンビームスパッタ用ターゲット、該ターゲットを用いた酸化物超電導導体用基材の製造方法および酸化物超電導線材の製造方法の提供。
【解決手段】本発明のイオンビームスパッタ用ターゲットは、イオンビームをターゲットに照射し、該ターゲットから叩き出されたスパッタ粒子を基材上に堆積させて、該基材上に成膜するイオンビームスパッタ法に用いられるターゲットであって、中央板部３と、この中央板部３に隣接して配置された側板部１、２を備え、側板部１、２は、中央板部３のイオンビームが照射される面３Ａの内側向きに傾斜されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】界面拡散を抑えつつ基板上に薄膜を形成すること。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する成膜装置であって、薄膜を構成する物質のスパッタ粒子を基板に向けて放出する放出部と、放出されたスパッタ粒子のうち少なくとも一部を帯電させる帯電部と、帯電した状態で基板に到達するスパッタ粒子の運動エネルギーの大きさを調整する調整部とを備える。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットに起因する異物低減可能なＥＵＶマスクブランクスの製造方法の提供。
【解決手段】基板１１上にＭｏ／Ｓｉ多層反射膜１２、保護層１３としてＲｕ膜またはＲｕ化合物膜を、イオンビームスパッタリング法を用いて実施し、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜１２のＳｉ膜成膜時、および、Ｒｕ膜またはＲｕ化合物膜成膜時に、ターゲット角度、プロセスガス種類、プロセスガス圧力、イオンソースのＲＦパワー、サプレッサ電圧、イオンビーム電圧、および、イオンビーム電流をほぼ同一とし、Ｓｉ膜成膜に使用したスパッタリングターゲットのエロージョン領域に基づき、Ｒｕ膜またはＲｕ化合物膜成膜に使用するスパッタリングターゲットのエロージョン領域、非エロージョン領域を予測し、ＲｕターゲットおよびＲｕ化合物ターゲットの予測される非エロージョン領域に粗面化処理を施してから、Ｒｕ膜またはＲｕ化合物膜成膜を実施する。 （もっと読む）

【課題】凹面を有する光学素子に膜厚が均一な金属酸化膜を形成する。
【解決手段】金属ターゲットから放出されたスパッタ粒子を、光学素子２の凹面２ａに蒸着させて金属膜１１を形成する（スパッタ処理工程）。次に、スパッタ処理工程にて形成された金属膜にイオンビームｉを照射して、金属膜１１から放出されたスパッタ粒子ｓａを再度、光学素子２の凹面２ａに蒸着させて金属膜１１Ａを形成する（再スパッタ処理工程）。このとき、主に凹面２ａの中央部の金属がスパッタされて、スパッタ粒子ｓａが凹面２ａの周縁部に蒸着される。次に、再スパッタ処理工程にて形成された金属膜１１Ａに、酸素ラジカルビームを照射して酸化処理を行い、金属酸化膜１５を形成する（酸化処理工程）。 （もっと読む）

【課題】本発明は、イオンビームアシストデポジション法による結晶配向の対称性が制御された岩塩構造の中間層の成膜方法の提供、すなわち、４回対称の岩塩構造の中間層と３回対称の岩塩構造の中間層を選択的に作り分けることのできる成膜方法を提供することを第１の目的とする。また、本発明は、４回対称の岩塩構造の中間層を用いた酸化物超電導導体及び３回対称の岩塩構造の中間層を用いた酸化物超電導導体を提供することを第２の目的とする。
【解決手段】本発明の成膜方法は、イオンビームアシストデポジション法により、金属基材の上方に岩塩構造の中間層を成膜する方法であって、成膜時の水蒸気圧を制御することにより前記中間層の結晶配向の対称性を３回対称又は４回対称に制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】相手部材の材質によらずに、その相手部材の摩耗を抑制することができる摺動部材を提供すること。
【解決手段】摺動部材１００は、鋼材などを用いて形成された基材２００と、基材２００の表面を被覆するＦｅ−ＤＬＣ膜３００とを備えている。Ｆｅ−ＤＬＣ膜３００は、摺動部材１００の摺動面１０１の少なくとも一部を形成し、相手部材４００の表面と摺動する。Ｆｅ−ＤＬＣ膜３００は、Ｆｅが添加されたＤＬＣからなる堆積膜である。この実施形態では、Ｆｅ−ＤＬＣ膜３００におけるＦｅの濃度はたとえば約３ａｔ．％である。相手部材４００は、非鉄系の軟質材料（たとえばＣｕ材料など）を用いて形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、優れた超電導特性を発揮する酸化物超電導導体用基材並びにその基材を用いた酸化物超電導導体として有用な技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、基材と、その上に、イオンビームアシスト法により成膜されて結晶配向性が整えられ、４回対称性が付与されたＮｉＯからなる中間層と、該中間層上に形成されたキャップ層とを具備してなり、該キャップ層はその上に酸化物超電導層が設けられるものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多層反射膜中の１５０ｎｍ未満の大きさの高酸化物欠陥が検出されない多層反射膜付基板および反射型マスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、高屈折率材料である金属を含有する材料からなる高屈折率層と低屈折率材料であるケイ素を含有する材料からなる低屈折率層を交互に積層してなる多層反射膜２をスパッタ成膜装置を用いてスパッタリング法で形成することにより、多層反射膜付基板を製造する。また、多層反射膜２上に保護膜３及び吸収体膜４を形成することにより、反射型マスクブランク１０を製造する。ここで、基板１が搬入されるスパッタ成膜装置の室内の気体を水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体に置換し終えた後に、該室内の減圧を行い、次いで多層反射膜２のスパッタリング法による成膜を開始する。 （もっと読む）

【課題】 基板上に成膜される薄膜の膜質を向上させる。
【解決手段】 イオンを発生するイオン発生部と、ターゲットを複数配列させたターゲット群を保持し、ターゲット群のうち所定のターゲットにイオンが入射するようターゲット群を回動させるターゲット保持部と、所定のターゲットにて発生したスパッタ粒子が入射されるように基板を保持する基板を保持する基板保持部と、ターゲット保持部に保持され、各ターゲットに対向する部位に第１開口部がそれぞれ形成されると共に、隣接する各ターゲット間を仕切る隔壁を複数有し、所定のターゲットにて発生したスパッタ粒子が他のターゲットに飛散することを抑制する飛散抑制部と、飛散抑制部と基板との間に設けられ、所定のターゲットを露出させるように第２開口部が形成されると共に、他のターゲットに対向する第１開口部を覆うように構成され、所定のターゲットにて発生したスパッタ粒子が他のターゲットに入射することを抑制する入射抑制部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス頻度を低減でき、適切なメンテナンス時期を見極めることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、イオンを発生させるイオン源４０と、イオン源４０からのイオンビーム４５を受けるターゲット３６と、第一真空容器１１内に収容されてターゲット３６からのスパッタ粒子４６を受けるウエハ１を保持するウエハホルダ１８と、第二真空容器２２へのスパッタ粒子４６の付着を抑制する防着板５１と、防着板５１へ付着するスパッタ粒子４６の付着量を予測する付着量予測部６１とを備える。 （もっと読む）

【課題】 基板上に成膜される薄膜の面内膜厚の均一性を向上させる。
【解決手段】 イオンを発生するイオン発生部と、ターゲットを複数配列させたターゲット群を保持し、ターゲット群のうち所定のターゲットにイオンが入射するようターゲット群を回動させるターゲット保持部と、所定のターゲットにて発生したスパッタ粒子が入射されるように基板を保持する基板保持部と、スパッタ粒子の基板上への入射を規制する規制部材を複数保持し、所定のターゲットに応じた所定の規制部材を基板と所定のターゲットとの間に挿入させる規制部材保持部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】イオンビームアシストスパッタ法により４回対称ＭｇＯ膜と３回対称ＭｇＯ膜を選択的に作り分けることのできる成膜方法を提供することを第１の目的とする。また、４回対称ＭｇＯ膜を用いた酸化物超電導導体及び３回対称ＭｇＯ膜を用いた酸化物超電導導体を提供することを第２の目的とする。
【解決手段】イオンビームアシストスパッタ法により金属基材上にＭｇＯ膜を成膜する方法において、背圧を０．００１Ｐａ未満として成膜することにより４回対称ＭｇＯ膜を成膜することができ、背圧を０．００１Ｐａ以上として成膜することにより３回対称ＭｇＯ膜を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】ターゲット表面に入射する正のイオン流による急速な帯電に起因するアーク放電を生じることなく、絶縁材料の堆積にも使用できるイオンビーム源を提供する。
【解決手段】非導電ターゲットとともに使用するイオンビーム源であって、イオンを抽出するグリッド１〜４と、このグリッドにパルス電力を供給する電源（直流電源１６およびビーム制御装置１７）とからなり、前記電源は、グリッド１電源〜グリッド３電源と、前記グリッドに対する電力の供給を接続および遮断するスイッチのセット１９と、このスイッチを制御する電力スイッチング装置２１と、スイッチの切替を行うためのパルス発生器２０とを有する。 （もっと読む）

【課題】グリッド・アセンブリ内の熱ひずみが小さいイオンビーム発生器を提供すること。
【解決手段】放電チャンバの側壁（１Ａ）、取付けプラットホーム（４０）および抽出グリッド電極アセンブリ（２０）の熱膨張係数α_Ｐ、α_Ｍおよびα_Ｇが、α_Ｐ＞α_Ｍ≧α_Ｇの関係を有するように選択される。たとえば、放電チャンバ側壁の材料はステンレス鋼またはアルミニウムであり、グリッドの材料はＭｏ、ＷまたはＣであり、また、プラットホームの材料はＴｉまたはＭｏである。 （もっと読む）

【課題】鉛を含有しない強誘電体からなる圧電素子を有する液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子並びに圧電材料を提供する。
【解決手段】ノズル開口２１に連通する圧力発生室１２と、第１電極６０と、前記第１電極上に形成された圧電体層７０と、前記圧電体層上に形成された第２電極８０とを備えた圧電素子３００と、を具備し、前記圧電体層は、Ｂｉ、Ｌａ、Ｆｅ及びＭｎを含むペロブスカイト型複合酸化物からなり、強誘電体である液体噴射ヘッドＩとする。 （もっと読む）

【課題】フットプリントを抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を保持する基板ホルダと、イオンを発生させるイオン源と、該イオン源から発生するイオンが照射されるターゲットと、前記基板ホルダが軸延長方向に位置するように配置される回転軸と、該回転軸に対して垂直方向であって異なる方向に複数延在する延在部と、該延在部それぞれに設けられ前記ターゲットを前記基板ホルダ側に近づくに従って前記回転軸と前記ターゲットとの距離が短くなるように保持するターゲットチャックと、前記回転軸を回転させる回転装置と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板表面へ薄膜を形成する際にオペレータによる煩雑な設定操作を少なくして、条件設定のミスを回避することにより、均一な厚さの薄膜を形成する様にした薄膜形成装置と薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】オペレータが、ターゲット種類設定部５６でターゲット種類を設定し、基板表面に堆積させる膜厚を膜厚設定部５７で設定する。予め実験によって、薄膜の堆積速度とイオンビーム電流値との相関関係等をデータテーブル化しておき、そのデータと前記ターゲット種類、膜厚とから積算イオンビーム電流値を算出し、その算出結果を設定して、イオンビーム電流値をモニタして、積算イオンビーム電流値から減算しながらイオンビームの照射を行う。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの角度を調整可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、イオンを発生させるイオン源と、該イオン源が発射したイオンビームが照射されるターゲットと、該ターゲットを保持するターゲットホルダと、前記ターゲットからはじき出されたターゲット成分粒子が堆積する位置で基板を保持する基板ホルダと、前記ターゲットの前記イオンビームに対する角度を調整する角度調整部と、を有している。ターゲットホルダに保持されたターゲットの角度を角度調整部により調整し、イオン源が発射したイオンビームを前記ターゲットに照射させて前記ターゲットからはじき出されたターゲット成分を基板ホルダに保持された基板に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】極薄で耐摩耗性および耐食性に優れたＳｉＣ膜を形成することが出来るＳｉＣ膜形成方法の提供。
【解決手段】ＳｉＣ膜形成方法は、加熱を行わないスパッタ成膜法により被成膜面上にＳｉ膜を形成し（Ｓ１０）、その後に、該被成膜面上のＳｉ膜を初期欠陥層が露出するまでエッチングする（Ｓ２０）第１の工程と、第１の工程でエッチングされたＳｉ膜の上に加熱を行わないスパッタ成膜法によりＳｉ粒子を堆積して、該Ｓｉ膜を所定膜厚のＳｉ膜とする第２の工程（Ｓ４０）と、所定膜厚のＳｉ膜に炭素イオンを照射して、該Ｓｉ膜をＳｉＣ化する第３の工程（Ｓ５０）と、を有する。 （もっと読む）