【課題】成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜速度を高め、ターゲットの使用効率を向上したマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】ターゲット３１の背面側に設けられたマグネット配列体５は、両端が互に異極である棒状マグネットが網の目状に配置されると共に、網の目の交点にて、棒状マグネットの端面に囲まれる領域には透磁性のコア部材を設けるように構成されている。棒状マグネットの両端の極からの磁束がコア部材を通して出ていくため、隣接する棒状マグネット同士の磁束の反発が抑えられて磁束線の歪みが抑制され、水平磁場が広い範囲で形成される。このため、高密度のプラズマが広範囲に均一に形成され、成膜速度の面内均一性を確保しながら、速い成膜速度が得られる。また、ターゲット３１のエロージョンの面内均一性が良好であり、エロージョンが均一性を持って進行するため、ターゲット３１の使用効率が高くなる。 （もっと読む）

【課題】円筒形状のターゲットの内部空間に冷却水が残留しにくいスパッタ装置、ターゲット装置を提供する。
【解決手段】
円筒形状のターゲット２１の端部に固定された支持部材２４には給水孔２５と排水孔２６とが設けられ、給水孔２５からターゲット２１の内部空間に冷却水が導入され、排水孔２６から排出されながら、ターゲット２１がスパッタされるスパッタ装置１０であって、ターゲット２１の内部空間には、ガスが供給されると体積が増加する風船部材２８が配置されている。風船部材２８が膨らむと、排水孔２６より下方の空間に位置する冷却水は、風船部材２８により押し上げられて排水孔２６から排出され、ターゲット２１の内部空間に残留する冷却水の量が減少する。 （もっと読む）

【課題】成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜効率を向上させ、ターゲットの使用効率を向上させること。
【解決手段】真空容器２内に載置されたウエハ１０に対向するようにターゲット３１を配置し、このターゲット３１の背面側にマグネット配列体５を設ける。このマグネット配列体５は、マグネット６１，６２がマトリックス状に配列された内側マグネット群５４と、この内側マグネット群５４の周囲に設けられ、電子の飛び出しを阻止するリターン用のマグネット５３とを備えている。これによりターゲット３１の直下にカスプ磁界による電子のドリフトに基づいて高密度のプラズマが発生し、またエロージョンの面内均一性が高くなる。このためターゲット３１とウエハ１０とを接近させてスパッタを行うことができ、成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜効率を向上させることができる上、ターゲットの使用効率が高くなる。 （もっと読む）

【課題】薄膜均一性および高い生産性を維持しつつ、低抵抗の良質なＷ膜の成膜を可能とするマグネトロンスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ターゲットと交差する方向に磁化された２つの磁石部材を、ターゲット側に向く磁極が互いに逆向きとなるようにして隣接配置したマグネットピース２２を複数備えた磁石ユニットを設けたマグネトロンスパッタリング装置とし、磁石ユニットによって作り出されるターゲット表面の水平磁束密度を高くすることによって、ターゲットへ加速されるＡｒイオンのイオンエネルギーを小さくする。すなわち、ターゲット表面の水平磁束密度を高くするとターゲット表面で生成されるプラズマ密度が増加し、同一のＤＣ電力を投入した場合に、プラズマ密度が増加した分だけプラズマインピーダンスが低下してターゲット電圧が低下し、Ｗ膜に取り込まれる反射Ａｒの含有量を小さくすることによりＷ膜の低抵抗化を実現する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して信頼性が劣る場合があった。そこで、信頼性が高い酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜に含まれる水素、窒素および炭素などの不純物は酸化物半導体膜の半導体特性を低下させる要因となる。例えば、酸化物半導体膜に含まれる水素および窒素は、酸化物半導体膜を用いたトランジスタのしきい値電圧をマイナス方向へシフトさせてしまう要因となる。また、酸化物半導体膜に含まれる窒素、炭素および希ガスは、酸化物半導体膜中に結晶領域が生成されることを阻害する。そこで、酸化物半導体膜の不純物濃度を低減することで、高い信頼性を有するトランジスタを作製する。 （もっと読む）

【課題】封止膜の形成工程以後に処理対象物が１００℃以上に加熱されても、封止膜の表面にしわ（膜異常）が発生しない封止膜形成方法とリチウム二次電池の製造方法を提供する。
【解決手段】
１，３−ビス（イソシアナートメチル）シクロヘキサンと４，４’−メチレンビス（シクロヘキシルイソシアナート）のいずれか一方又は両方からなるイソシアナート材料と、４，４−メチレンビス（シクロヘキシルアミン）と１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサンのいずれか一方又は両方からなるアミン材料とを別々に加熱して蒸気を発生させ、蒸気を処理対象物の表面に一緒に到達させてポリ尿素膜１６ａ₂を形成し、アルミナのターゲットをスパッタして、アルミナの粒子をポリ尿素膜１６ａ₂が表面に露出する処理対象物の表面に到達させて、ポリ尿素膜１６ａ₂の表面にアルミナ膜１６ｃ₂を形成する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングによるターゲットの消耗を抑えつつ、ターゲット表面に付着する付着物の除去を行うことが可能なロータリースパッタリングカソード、およびロータリースパッタリングカソードを備えた成膜装置を提供すること。
【解決手段】ターゲット２１の外表面に付着した付着物を加熱して昇華させて除去する除去手段５１、又は、付着物を機械的に除去する除去手段を備える構成とする。これにより、従前のような付着物除去のためのスパッタリングを不要とする。付着物を加熱して昇華させる除去手段としては、例えばフィラメント５１を用い、付着物を機械的に除去する除去手段としては、例えばブラシ５３を用いることができる。これにより、ターゲットの消耗を抑えつつ、付着物を取り除くことができる。 （もっと読む）

【課題】短い円筒型のサブターゲットを円筒軸方向に並べて構成される長い円筒型ターゲットを用いて、膜質の変化を抑制して成膜を行うスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】基板１７を第１の円筒ターゲット１９の近傍を所定の方向Ｄｓに搬送させながら、中心軸Ａｘ１９に沿って延在する第１の円筒ターゲット１９からスパッタリングして、当該基板１７に薄膜を形成するスパッタリング装置Ａｓであって、前記第１の円筒ターゲット１９は、当該第１の円筒ターゲット１９より筒長の短い第２の円筒ターゲット１８が第１の所定数ｋだけ前記中心軸Ａｘ１９に沿って連結されて構成されると共に、当該中心軸Ａｘ１９が前記基板搬送方向Ｄｓに対して第１の所定の角度θを成すように配置され、当該第１の所定の角度θは０°より大きく９０°より小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】粉末ターゲットを用いて、酸素の含有率の少ない高品質なシリコン薄膜を高速で成膜することができるスパッタリング方法及び装置を提供することを目的とする。
【解決手段】スパッタ成膜を行う前段階に、ターゲット材料８近傍に設置した高融点金属フィラメント１４を加熱することで、真空チャンバ１内に導入したガスを分解し活性種を生成する。この活性種を用いて、ターゲット材料８表面の酸化膜の還元や真空チャンバ壁及び部材についた堆積膜の除去を行うことで、スパッタ成膜中の酸素量を低減させ、高品質なシリコン薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングによって防着板に堆積した堆積物が、膨張、収縮時の応力が加わっても剥離し難くすることで、チャンバ内のパーティクルの拡散を抑制する。
【解決手段】下部防着板１７は、ターゲットに臨む上面側１７ａが、ステージ１３に近接する位置である内周縁１７ｃから、少なくとも上部防着板の下端１６Ｅに重なる位置まで平坦面３１で構成されている。こうした平坦面３１は、例えば、水平面に対する角度θが５°〜２０°の範囲で、内周縁１７ｃからチャンバ１１の内周面（側壁）１１ａに向かって広がる傾斜面であればよい。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの利用効率を向上させることができるスパッタ装置およびスパッタ方法を提供すること。
【解決手段】実施形態のスパッタ装置は、底面がウェハ基板と対向配置可能なターゲットと、ターゲットの上面に対向配置され、磁界を形成する磁石を含んだ磁界形成部と、ターゲットと磁界形成部との間隔を維持させつつ、磁界形成部にターゲットのウェハ基板と対向する面における中心点の周りを周回させながら、当該中心点から磁界形成部における所定の基準点までの距離を変化させる機構と、ウェハ基板を所定の位置に配置可能なウェハ保持部とを備える。 （もっと読む）

【課題】少ない処理室で効率よくバリア層及び埋込層を形成する小型の真空処理装置を提供する。
【解決手段】バリア層は、Ｔｉ製のターゲットと希ガスを導入してプラズマ雰囲気を形成し、ターゲットをスパッタリングして第１金属層を形成し、処理室内に酸素ガス及び窒素ガスを含むガスを導入して、第１金属層の表面およびターゲット表面を酸窒化処理する。更にターゲットをスパッタリングして酸窒化処理された表面に第２金属層を形成する。他方、埋込層は、Ａｌ含有の金属製のターゲットを用い、スパッタ粒子をプラズマ中の荷電粒子と衝突するように所定圧力に調節すると共に、当初投入したバイアス電力を、成膜中に停止し、処理室の圧力も低下させると共に、加熱手段により処理対象物Ｗを、処理対象物表面に付着、堆積した金属粒子が流動する温度に加熱する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ中のエネルギによる表面のダメージがない薄膜電解質を製造できるマグネトロンスパッタ装置を用いて固体電解質薄膜を製造する方法、及び薄膜固体リチウムイオン２次電池を製造する方法を提供する。
【解決手段】平行平板型マグネトロンスパッタ装置を用いて固体電解質薄膜を製造する方法において、リン酸リチウム焼結体からなるターゲットを用いるスパッタリング法により、希ガス及び窒素ガスを供給して、０．１〜２．０Ｐａの圧力下、窒素置換リン酸リチウム薄膜である固体電解質薄膜を製造し、得られた固体電解質薄膜を有する薄膜固体リチウムイオン２次電池を製造する。 （もっと読む）

【課題】均一な面内膜厚を有した薄膜を堆積させるとともに、使用効率の良いスパッタができるスパッタリング用ターゲットを提供すること。
【解決手段】実施形態のスパッタリング用ターゲットは、薄膜形成に用いられるターゲット原子を含んで構成されている。また、スパッタリング用ターゲットは、前記ターゲット原子がスパッタされるスパッタ面側の表面にスパッタ面の中心からの距離に応じた同心円状の厚みを持たせることによって前記スパッタ面が湾曲させられるとともに、湾曲させられた前記スパッタ面の表面に複数の凹凸形状部が形成されている。そして、前記凹凸形状部は、前記スパッタ面の凹部位置から所定の角度で斜め方向に叩き出されたターゲット原子を前記凹凸形状部の側壁に衝突させることで、前記斜め方向に叩き出されたターゲット原子が前記スパッタ面から放出されることを防いでいる。 （もっと読む）

【課題】強磁性体ターゲットと磁石ユニットの間に働く吸引力による装置への負荷を低減する。
【解決手段】スパッタリング装置は、ターゲットを取り付け可能なターゲット電極と、前記ターゲット電極を支持する第１支持部材と、前記ターゲットの表面に磁界を形成する磁石ユニットと、前記磁石ユニットを支持する第２支持部材と、前記第１支持部材と前記第２支持部材の間に設けられ、前記ターゲットと前記磁石ユニットとの間の磁界によって前記第２支持部材に対して作用する第１の力と反対方向の第２の力を発生する力発生部とを備える。前記第２の力の大きさは、前記磁石ユニットが前記ターゲット電極に近いほど大きい。 （もっと読む）

【課題】短時間で薄膜を積層させる場合であっても、スループットを損なうことなく効率的に上記積層を実現可能なスパッタリング装置、及び電子デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るスパッタリング装置は、回転可能な基板ホルダー１０３と、基板ホルダー１３０に対して斜めに配置されたターゲットホルダー１０７ａ〜１０７ｄと、ターゲットホルダーと基板ホルダーの間に設けられ、回転軸Ｘに対して２回対称に配置された２個の孔を有する第１シャッター１１５および第２シャッター１１６とを備える。ターゲットホルダー１０７ａ、１０７ｃは、回転軸Ｘに対して２回対称な位置に配置される第１群のターゲットホルダーであり、ターゲットホルダー１０７ｂ、１０７ｄは、第１群のターゲットホルダー同士の間に回転軸Ｘに対して２回対称に配置される第２群のターゲットホルダーである。 （もっと読む）

【課題】高温で成膜される低融点金属の凝集を防止し、十分なバリア性及びぬれ性を有するバリア層を形成して、凹部に低融点金属を付け回り良く充填する。
【解決手段】電子部品の製造方法が、４Ｐａ以上２０Ｐａ以下の圧力下で、被処理体３０６と接する電極３０１に第１のバイアス電力を印加し、プラズマ処理により被処理体３０６の上にＴｉＮｘからなる第１のバリア層４０４を成膜する手順と、４Ｐａ以上２０Ｐａ以下の圧力下で、電極３０１に第１のバイアス電力よりも小さいイオン入射エネルギーを与える第２のバイアス電力を印加し、またはバイアス電力を印加しないで、プラズマ処理により第１のバリア層の上にＴｉＮｘからなる第２のバリア層４０５を成膜する手順と、第２のバリア層４０５の上に、Ｔｉからなる第３のバリア層４０９を成膜する手順と、第３のバリア層４０９の上に低融点金属４０６を充填する手順と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ターゲット全表面に生成される不純物層の除去を的確かつ効率よく行なうことを可能とするスパッタリング装置及びそのスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】カソード２を構成する磁石機構４を自転軸８１Ａの周りに回転させる自転機構と、磁石機構を公転軸８２Ａの周りに回転させる公転機構と、自転機構と公転機構とを自転軸及び公転軸とは異なる回転軸の周りに回転させる回転機構と、ターゲット５表面の不純物層の膜厚を測定する測定手段と、測定手段を前記ターゲット表面の一端から他端まで移動させる駆動機構とを有し、自転機構は自転軸の自転速度を変更させる自転速度変更機構を備え、公転機構は公転軸の公転速度を変更させる公転速度変更機構を備える。 （もっと読む）

【課題】円筒状ターゲットを有するスパッタリング装置において、スパッタリング装置の稼動を停止させることなく、Ｔ／Ｍ距離を調整することを可能とするスパッタリング装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板にスパッタリングを行うスパッタリング装置において、チャンバと、チャンバ内に設けられた円筒状ターゲットと、前記円筒状ターゲットの内部に設けられたマグネットと、前記マグネットを前記円筒状ターゲット内部で支持するマグネット支持部材と、前記マグネット支持部材に接続されたマグネット昇降棒と、を有し、前記マグネット昇降棒を前記マグネット昇降機構により昇降させることにより、前記マグネットと円筒状ターゲット内壁との間隔を変更可能としたことを特徴とする。 （もっと読む）