【課題】アーキングの発生回数を抑制しつつも、基板への異物の付着を抑制することが可能な薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜の製造方法では、ターゲット９４と向かい合う上面に第１の極性を有する第１の磁石５１と、上面に第２の極性を有し、第１の磁石５１の周囲に配置される第２の磁石５２と、を含む磁石ユニット５を配置し、ターゲット９４の使用量の増加に応じて、磁石ユニット５の外縁５２ａとターゲット９４の外縁９４ａとのＹ方向の最近接距離を減少させる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットの均一な浸食によりスパッタリングターゲットの使用効率を向上させてスパッタリングターゲットの交換周期を延長させ、製造コストを節減することができるスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置を用いたスパッタリング方法に関し、スパッタリングターゲット１０の一方から他方への全体スキャン区間を設定し、マグネット２０を前記スキャン区間に沿って正方向と逆方向に連続的に多数回往復運動させて前記スパッタリングターゲットをスキャンするパッタリング方法であって、前記全体スキャン区間をn個の部分に分割し、スパッタリングターゲットが均一に浸食されるようにn個に分割された前記全体スキャン区間を部分的にマグネットが移動するようにすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】コンパクトで使い勝手が良く、イニシャルコストもランニングコストも安い真空成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜チャンバ（２）内に、ワークホルダ（１０）と、マグネトロン電極（１５）とを設ける。マグネトロン電極（１５）には、第１のターゲット材料（１６）を設け、これに重ね合わせるように第２のターゲット材料（１７）を設ける。第２のターゲット材料（１７、１７）は第１のターゲット材料（１６）をカバーする位置と、開放する位置の２位置を採ることができるようにする。ワークホルダ（１０）と、第１、２のターゲット材料（１６、１７）との間には、直流電圧と高周波電圧とが選択可能に印加されるようにする。 （もっと読む）

【課題】真空成膜装置に発生するパーティクルをスパッタリングすることなく、低減するスパッタクリーニング方を提供する。
【解決手段】成膜チャンバ１０１を形成する真空容器と、前記真空容器の内部を真空排気する排気機構１０２と、前記真空容器の内部に成膜材料ターゲットを取り付けたカソードと、前記真空容器にプロセスガス１０３を導入するプロセスガス導入機構と、前記真空容器にクリーニングガス１０４を導入するクリーニングガス導入機構と、前記真空容器の内部に基板を搬送する基板搬送機構１１０を備え、前記カソードの成膜材料ターゲットを放電でスパッタし、前記基板の成膜面側にスパッタ成膜を行うスパッタ成膜装置において、クリーニング基板１１１を基板搬送機構により真空容器の内部に搬入し、前記クリーニング基板の捕捉面の逆側に磁石を配置し、前記磁石の磁力により前記真空容器内の異物をクリーニング基板の捕捉面に付着させる。 （もっと読む）

【課題】膜厚分布と膜質分布にムラを発生させないスパッタリング装置と、それを用いた成膜方法を提供する。
【解決手段】
真空槽１１と、基板２０を保持する基板保持部１５と、真空槽１１内に配置されたターゲットとを有し、真空槽１１内にスパッタガスを導入し、ターゲット表面にプラズマを生成し、ターゲットをスパッタして、基板２０表面に薄膜を形成するスパッタリング装置１０ｃであって、基板２０の外周より外側の着火位置５１と基板２０表面と対向する成膜位置５２とを通る搬送路４３’に沿って、ターゲットを移動させる移動装置４０ｃを有している。着火位置５１でプラズマを着火させると、基板２０には着火直後の膜や放電不安定な膜が成膜されない。 （もっと読む）

【課題】ターゲットに局所的な侵食が発生することが抑制できてターゲットの利用効率を高めることができるマグネトロンスパッタカソードを提供する。
【解決手段】マグネトロンスパッタカソードは、立体形状の輪郭を有するターゲット１ａと、トンネル状の磁場を形成する磁石ユニット２ａとを備える。このターゲットの表面の一部をスパッタリングにより侵食されるスパッタ面１２ａ、１２ｃとし、前記磁場の垂直成分がゼロとなる位置を通る線が、スパッタ面を跨いでターゲットの周囲を周回するように磁石ユニットが構成される。 （もっと読む）

【課題】ターゲット下方空間へのスパッタ粒子の飛散やプラズマの回り込み等を防止するといった機能を損なうことなく、ターゲットの外周縁部まで効率よく侵食領域とできてターゲットの利用効率が一層向上したスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタ室１ａで基板Ｗと共に配置されるターゲット３_１〜３_４のスパッタ面３ａ側を上として、ターゲットの下側に配置されてこのターゲットの上方にトンネル状の漏洩磁場Ｍ１，Ｍ２を形成する磁石ユニット４_１〜４_４と、ターゲットの長手方向をＸ方向、このＸ方向に直交する方向をＹ方向とし、磁石ユニットをＸ方向及びＹ方向の少なくとも１方向にターゲットに対して相対移動させる移動手段６とを備える。ターゲットの外周縁部から所定の隙間を存してターゲットの周囲を囲うように配置される、電気的に絶縁されたフローティングシールド５を更に有する。 （もっと読む）

【課題】パワー系半導体のメタル電極製造工程に於いて、薄膜化されたウエハの熱処理等の反りによる搬送ミスやウエハクラックを防止する製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１の裏面研削後に、ウエハを予熱した状態でスパッタリング成膜によりメタル膜を成膜するに際して、ウエハを円環状のサセプタに収容して処理するものであって、その円環の放射状垂直断面は、半導体ウエハの表面の周辺部を重力に対して保持する水平に近い第１の上側表面４１と、第１の上側表面に続いて、その外側にあって、半導体ウエハの側面を横ずれに対して保持する垂直に近い第２の上側表面４２を有するものである。 （もっと読む）

【課題】 ダメージが少なく均質な膜を形成可能な成膜装置や、当該成膜装置により形成される膜を電極として用いる発光装置を提供する。
【解決手段】 成膜装置１は、ターゲットＴａの側方を囲うように配置されるシールド部６と、ターゲットＴａの裏面側に配置されて磁場を発生する棒状の磁場発生部４と、ターゲットＴａの表裏方向に対して垂直な面である水平面内で磁場発生部４の長手方向に対して垂直な方向である駆動方向に沿って磁場発生部４を直線的に往復駆動する駆動部５と、を備える。磁場発生部４が駆動部５によって駆動される範囲の端に位置するとき、磁場発生部４と、シールド部６を水平面に対して垂直に投影したときの射影との駆動方向における距離は、１０ｍｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】複数のターゲットのそれぞれの裏面側に設けられた磁石からの磁場がプラズマ発生空間で互いに干渉し難い成膜装置を提供する。
【解決手段】大気よりも減圧された雰囲気を維持可能な真空槽と、前記真空槽のなかに設けられ、基板を載置することが可能な支持台と、前記真空槽のなかに設けられ、前記支持台の主面に、放電空間を介して、表面を対向させた複数のターゲットと、前記複数のターゲットのそれぞれの裏面側に設けられた磁石と、前記磁石のうちの少なくとも１つから前記放電空間へ向かう磁場を前記磁石と前記放電空間との間において低減させる低減手段と、を備えたことを特徴とする成膜装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】成膜時に磁石ユニットとターゲットとを相対移動させても、ターゲットに局所的な侵食領域が生じることがなく、ターゲットの利用効率が良いマグネトロンスパッタ電極を提供する。
【解決手段】スパッタ室１ａで基板Ｓと共に配置される長手のターゲット４１と、ターゲットのスパッタ面側を上とし、ターゲット下側に配置されてターゲットの上方にトンネル状の磁束を形成する磁石ユニット５と、ターゲットの長手方向をＸ方向、このＸ方向に直交するターゲットの幅方向をＹ方向とし、磁石ユニットを所定の起点から、Ｘ方向及びＹ方向にターゲットに対して相対移動させる移動手段６とを備える。１サイクルにて、磁束密度の高い部分の滞在時間が長くなる領域での磁場強度を局所的に低下させる磁気シャント７を設け、磁気シャントはＸ方向に沿ってのびる少なくとも２辺７１、７２を有し、各辺が、Ｘ方向中央にかつＹ方向ターゲット内方に夫々向かって傾いている。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの利用効率を向上させることができるスパッタ装置およびスパッタ方法を提供すること。
【解決手段】実施形態のスパッタ装置は、底面がウェハ基板と対向配置可能なターゲットと、ターゲットの上面に対向配置され、磁界を形成する磁石を含んだ磁界形成部と、ターゲットと磁界形成部との間隔を維持させつつ、磁界形成部にターゲットのウェハ基板と対向する面における中心点の周りを周回させながら、当該中心点から磁界形成部における所定の基準点までの距離を変化させる機構と、ウェハ基板を所定の位置に配置可能なウェハ保持部とを備える。 （もっと読む）

【課題】反応性スパッタリングにより所定の薄膜を形成する際に、処理基板全面に亘って膜厚分布や比抵抗値などの膜質を略均一にできるようにスパッタリング装置を構成する。
【解決手段】同数のターゲット３１ａ乃至３１ｈが等間隔で並設された複数のスパッタ室１１ａ、１１ｂの間で、各ターゲットに対向した位置に処理基板Ｓを搬送し、この処理基板が存するスパッタ室内の各ターゲットに電力投入して各ターゲットをスパッタリングし、処理基板表面に同一または異なる薄膜を積層する。その際、相互に連続するスパッタ室の間で処理基板表面のうち各ターゲット相互の間の領域と対向する箇所がずれるように処理基板の停止位置を変える。 （もっと読む）

【課題】強磁性体ターゲットと磁石ユニットの間に働く吸引力による装置への負荷を低減する。
【解決手段】スパッタリング装置は、ターゲットを取り付け可能なターゲット電極と、前記ターゲット電極を支持する第１支持部材と、前記ターゲットの表面に磁界を形成する磁石ユニットと、前記磁石ユニットを支持する第２支持部材と、前記第１支持部材と前記第２支持部材の間に設けられ、前記ターゲットと前記磁石ユニットとの間の磁界によって前記第２支持部材に対して作用する第１の力と反対方向の第２の力を発生する力発生部とを備える。前記第２の力の大きさは、前記磁石ユニットが前記ターゲット電極に近いほど大きい。 （もっと読む）

【課題】大気への開放後、すぐにメンテナンスを実施することが可能で、作業時間の短縮化を実現できる、スパッタ装置を提供する。
【解決手段】製膜室内に、基板２を挟んで、基板の一方側に、防着板により少なくともその基板側が被覆されたアノードバー７と、ターゲット３とが、その順に配置され、基板の他方側にヒータが配置されているスパッタ装置における保護カバー９ａであり、基板がアノードバーとヒータとの間に位置して、基板表面に薄膜をスパッタ中には保護カバーは、薄膜が当該保護カバーに薄膜が堆積しないように収納部１０に収納されており、スパッタ終了時には、アノードバーの少なくとも基板側と側面側とを覆うように配置される。 （もっと読む）

【課題】ターゲット表面が均一にスパッタリングされる磁石装置を提供する。
【解決手段】外側磁石３１をターゲットに対して静止させておき、内側磁石３５を外側磁石３１の内側で移動させる。ターゲット表面の磁界が変化し、ターゲット表面が均一にスパッタされる。特に、内側磁石３５の直径ｄを外側磁石３１の内周半径Ｒよりも小さくし、外側磁石３１の中心軸線３７を中心として回転させると、強くスパッタリングされる領域がターゲットの全表面上を通過する。 （もっと読む）

【課題】円筒状ターゲットを有するスパッタリング装置において、スパッタリング装置の稼動を停止させることなく、Ｔ／Ｍ距離を調整することを可能とするスパッタリング装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板にスパッタリングを行うスパッタリング装置において、チャンバと、チャンバ内に設けられた円筒状ターゲットと、前記円筒状ターゲットの内部に設けられたマグネットと、前記マグネットを前記円筒状ターゲット内部で支持するマグネット支持部材と、前記マグネット支持部材に接続されたマグネット昇降棒と、を有し、前記マグネット昇降棒を前記マグネット昇降機構により昇降させることにより、前記マグネットと円筒状ターゲット内壁との間隔を変更可能としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特性の良好な薄膜を効率よく成膜可能なスパッタリング成膜装置及び太陽電池製造装置を提供する。
【解決手段】反応室２１内に、成膜対象となる基板１０と、基板１０に対向して配置されたカソード電極となるターゲット２３と、基板１０とターゲット２３との間に配置されたアノード電極２４とを備えたスパッタリング成膜装置において、アノード電極２４が、櫛歯状をなし、該櫛歯状の隙間部分が成膜面に対して投影されるように配置されているスパッタリング成膜装置を備えた太陽電池製造装置。 （もっと読む）

【課題】比較的簡素な構成で、膜厚の均一性とターゲットの利用率を向上させたマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】マグネトロンスパッタ装置１００は、処理チャンバ２０と、基板を搬送する基板搬送手段２と、平板状のターゲット３を設置するためのターゲットホルダー４と、ターゲットホルダーの裏側に配置された磁石ユニット５と、ターゲットホルダー４に電力を供給するための電力供給手段２４と、電力供給手段、および基板搬送手段を制御するための制御手段２５と、ターゲットホルダーの表面に略平行な面内でターゲットホルダーを移動させるターゲットホルダー移動手段１０と、を備え、制御手段は、電力供給手段によりターゲットホルダーに電力を供給しながら、基板搬送手段を駆動して基板を搬送するとともに、ターゲットホルダー移動手段を駆動してターゲットホルダーを移動させるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットの効率を向上させる。
【解決手段】一面が基板に対向するスパッタリングターゲットと、前記スパッタリングターゲットの他面に対向するように配置された磁石部材と、前記スパッタリングターゲットの中心部に対応する部分が前記スパッタリングターゲットの前記他面に平行な第１方向に沿って形成された直線部を備え、前記スパッタリングターゲットのエッジ部に対応する部分が前記スパッタリングターゲットに対して、前記第１方向と垂直な第２方向に遠くなるように形成された傾斜部を備えるガイドレールと、前記ガイドレールに対向し、前記第１方向に沿って形成されたスクリューラインと、前記磁石部材と弾性部材により連結されて、前記スクリューラインに沿って前記磁石部材を前記第１方向に運動させる連結ブロックと、を備える、スパッタリング装置。 （もっと読む）