【課題】低圧下で高密度のプラズマを生成可能なＥＣＲプラズマ生成装置、および表面の凹凸が小さい薄膜を形成可能なマグネトロンスパッタ成膜装置を提供する。
【解決手段】ＥＣＲプラズマ生成装置４は、マイクロ波を伝送する矩形導波管４１と、該マイクロ波が通過するスロットを有するスロットアンテナ４２と、スロットを覆うように配置され、プラズマ生成領域側の表面はスロットから入射する該マイクロ波の入射方向に平行である誘電体部４３と、誘電体部４３の裏面に配置される支持板４４と、支持板４４の裏面に配置される永久磁石４５と、を備え、ＥＣＲプラズマＰ１を生成する。マグネトロンスパッタ成膜装置１は、ＥＣＲプラズマ生成装置４を備え、基材２０とターゲット３０との間にＥＣＲプラズマＰ１を照射しながら、マグネトロンプラズマＰ２による成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】 一つの低圧チャンバー内で、基材の表面の改質と該表面への成膜とを連続して行うことができるプラズマ改質成膜装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ改質成膜装置１は、チャンバー１０と、基材Ｆを搬送する搬送手段２０、２００、２０１と、基材Ｆの表面を改質するＥＣＲプラズマ生成装置３と、基材Ｆの該表面に薄膜を形成する成膜装置６と、を備える。ＥＣＲプラズマ生成装置３は、マイクロ波を伝送する矩形導波管３１と、該マイクロ波が通過するスロット３２０を有するスロットアンテナ３２と、スロット３２０を覆うように配置され、プラズマ生成領域側の表面３３０はスロット３２０から入射する該マイクロ波の入射方向に平行である誘電体部３３と、誘電体部３３の裏面に配置される支持板３４と、支持板３４の裏面に配置される永久磁石３５と、を備え、ＥＣＲプラズマＰ１を生成する。 （もっと読む）

【課題】様々な基板の上に結晶性を制御した状態でハイドロキシアパタイトの薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】第１工程Ｓ１０１で、ハイドロキシアパタイトの焼結体からなるターゲットおよびＨ₂Ｏガスを含むスパッタガスを用いたスパッタ法で、基板１０１の上に薄膜１０２を形成する。基板１０１は、例えば、シリコン基板であればよい。次に、第２工程Ｓ１０２で、酸素が存在する雰囲気で薄膜１０２を加熱して結晶化する。例えば、酸素ガスの雰囲気中、または、大気中で加熱を行えばよい。 （もっと読む）

【課題】低光吸収率の透明導電膜を安定的に成膜できることで、高い品質が確保できる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、透光性基板１１に、ｎ型半導体層１２１、発光層１２２およびｐ型半導体層１２３が積層された半導体層１２と、半導体層１２に積層され、金属酸化物からなる成膜材料により成膜された透明導電膜１３と、透明導電膜１３に積層された反射部１４とを備えている。この透明導電膜を成膜する際には、半導体層に透明導電膜の原膜をスパッタにより成膜するスパッタ工程と、原膜を酸素含有雰囲気ガスによりアニールする第１アニール工程と、酸素非含有雰囲気ガスによりアニールする第２アニール工程との２段階アニールを行う。第１アニール工程または第２アニール工程では、雰囲気温度が６００℃より高く、６８０℃より低くなるような範囲で行う。 （もっと読む）

【課題】例えば幅広ビーム源への使用に好適な、実用性に優れるラインプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】ラインプラズマ発生装置１０は、長手方向にマイクロ波を伝搬するための導波管１４と、長手方向に沿って配設され、導波管１４にプラズマを閉じ込めるための長手方向に交差する磁場を発生させるための磁石１６と、を備える。導波管１４は、側壁２４から管内に突き出して長手方向に延びるリッジ部２６を備え、リッジ部２６は側壁２４の外表面に長手方向に延びる凹部２８を形成してもよい。磁石１６は、凹部２８に配設されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】Ｅｕが光学的に活性化したＺｎＯ：Ｅｕ膜に十分な水素が存在する状態が得られるようにする。
【解決手段】第１工程Ｓ１０１で、基板１０１の上にＥｕがドープされたＺｎＯからなる薄膜１０２を形成する。次に、第２工程Ｓ１０２で、水素が存在する雰囲気の加熱により薄膜１０２の中に水素が含まれた状態として薄膜１０２のＥｕを活性化する。例えば、第１工程では、Ｈ₂Ｏガスを導入するスパッタ法で、薄膜１０２を形成すればよい。この場合、Ｅｕを含有するＺｎＯからなるターゲットを用いた電子サイクロトロン共鳴スパッタ法を用いればよい。 （もっと読む）

【課題】ＥＬデバイス（特にＯＬＥＤ）、光電池、および半導体デバイス（有機電界効果トランジスタ、薄膜トランジスタ、および集積回路一般など）を含む、電子または光電子デバイス（特に導電ポリマーを含むデバイス）の製造において、基板、特に可撓性基板として使用するのに適した、改善されたバリア特性を有するフィルムを提供すること。
【解決手段】ポリマー基板、平坦化被覆層、および無機バリア層を含む複合フィルムであって、前記バリア層は、２ｎｍから１０００ｎｍの厚さを有し、マイクロ波で活性化された反応性マグネトロンスパッタリングによって得ることができる前記複合フィルム。 （もっと読む）

【課題】安定した、高い発光効率の赤色発光が得られるＥｕドープＺｎＯ膜形成方法を提供する。
【解決手段】まず、第１工程で、Ｈ₂Ｏガスを導入するスパッタ法で、基板１０１の上に、ＥｕがドープされたＺｎＯからなる薄膜１０２を形成する。次に、第２工程で、薄膜を加熱する。Ｈ₂Ｏガスを用いているので、形成される膜にはＨ原子も導入されるようになる。この結果、主に６２０ｎｍ付近で発光するＥｕを添加したＺｎＯを形成できるようになり、Ｅｕを添加したＺｎＯで、高い発光効率で安定した赤色発光が得られるようになる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長した透明導電性薄膜の製造方法と製造装置および結晶性薄膜の多層構造による、新たなフォトエレクトロニクスデバイスを提供する。
【解決手段】真空室中の基板５を３００℃〜５００℃に加熱し、不活性ガス圧力０．０５Ｐａ〜０．３Ｐａ、酸素分圧５ｘ１０^-4Ｐａ〜１．５ｘ１０^-3Ｐａの範囲に制御し、基板に対して高密度プラズマ照射を行うにより、結晶性基板上に薄膜形成材料をエピタキシャル成長させて透明導電性薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】スパッタ成膜において、あらゆる膜特性を同時に満足させる手法を提供すること。
【解決手段】スパッタ現象を利用して基板上に導電性薄膜を形成する方法であって、薄膜形成中に、スパッタ電力、スパッタガス、および反応性ガスを含む成膜パラメータの少なくとも１つを２つの値に変動させ、その時間分割比を制御することを特徴とする導電性薄膜の形成方法である。また、p型またはn型の導電型を有する半導体上に導電性薄膜を形成する方法において、半導体上への成膜開始時点に、強度にプラズマ照射を行うことを特徴とする導電性薄膜の形成方法も採用できる。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ：Ｅｕを用いてより広い波長域でより強く発光させることができるようにする。
【解決手段】ＥｕがドープされたＺｎＯからなる薄膜を基板の上にスパッタ法で形成する。次に、加熱の条件を選択する（ステップＳ１０２）。ここで、酸素が存在する雰囲気で加熱する条件が選択されれば、薄膜を形成した基板を、酸素の存在する雰囲気で９００〜１０００℃に加熱する（ステップＳ１０３）。この処理により、青緑色の発光が得られるＺｎＯ：ＥｕからなるＺｎＯ蛍光体薄膜が形成される。一方、酸素が除去された雰囲気で加熱する条件が選択されれば、薄膜を形成した基板を、例えば真空排気中などの酸素が除去された雰囲気で９００〜１０００℃に加熱する（ステップＳ１０４）。この処理により、赤色の発光が得られるＺｎＯ：ＥｕからなるＺｎＯ蛍光体薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】ある１つのターゲットから飛散したスパッタ粒子が他のターゲットに付着することを防止できるスパッタ装置及びスパッタ法を提供する。
【解決手段】プラズマを生成させるプラズマ室、及び該プラズマ室に連通した成膜室を含む容器を備え、該容器内に設置された少なくとも２つ以上のターゲットをプラズマでスパッタし、スパッタされたターゲットから飛散したスパッタ粒子を成膜室内に設置された基板の表面に堆積させて薄膜を形成するスパッタ装置であって、２つ以上のターゲットのうち１つのターゲットをプラズマでスパッタするときに、スパッタされたターゲットから飛散するスパッタ粒子が他のターゲットに付着することを抑制する抑制手段を備える、スパッタ装置、及び該装置を用いたスパッタ法とする。 （もっと読む）

【課題】 高価な測定装置を用いることなく、小型で、簡便な方法によりプラズマの電子密度及び電子温度の測定が可能な測定プローブ及び測定装置を実現する。
【解決手段】 測定プローブ１０は、長さが異なる複数のスリット１３、１４を備え、絶縁膜１５、１６を設けることにより各スリットに対応して１つの測定プロープで複数の共振周波数を持つように構成されている。これにより、プラズマの電子密度ｎ_e及び電子温度Ｔ_eの共振周波数依存性から当該プラズマの電子密度ｎ_e及び電子温度Ｔ_eを算出することができる。 （もっと読む）

【課題】より入手しやすいＴｉを母体材料とした透明導電膜を提供する。
【解決手段】透明導電膜は、ＴｉＯＮの結晶から構成されてる。この結晶は、後述するように、面心立方格子構造のＴｉＯもしくはＴｉＮの回折点（２００）と同じ位置にＸ線の回折ピークを示す結晶性を有するものである。また、透明導電膜は、金属Ｔｉターゲットを用いた反応性スパッタ法により形成できる。このスパッタ法において、酸素ガスの流量は、ターゲットの表面に金属Ｔｉが露出した状態が定常的に保持される上限の流量よりも少ない流量とすればよい。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子１０００は、活性層２５を有し、共振器端面２ａ及び２ｂが形成された半導体素子層２と、共振器端面２ａ及び２ｂ上に形成されたハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯ）又はハフニウムアルミネート（ＨｆＡｌＯ）からなる酸化膜８２及び９２を有する端面コート膜８及び９とを備え、端面コート膜８及び９は、共振器端面２ａ及び２ｂと酸化膜８２及び酸化膜９２との間に、共振器端面２ａ及び２ｂに接触するように形成された窒化膜８１及び窒化膜９１をさらに有している。 （もっと読む）

【課題】高移動度でしきい電位安定性を有し、且つコスト面や資源的制約、プロセス的制約の少ないＺＴＯ（亜鉛錫複合酸化物）系酸化物半導体材料の適正なＺｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）組成の酸化物半導体ターゲット及びそれを用いた酸化物半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｚｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）組成が０．６〜０．８である亜鉛錫複合酸化物焼結体をターゲットとする。また、ターゲット自体の抵抗率を１Ωｃｍ以上の高抵抗とする。更に、不純物の合計濃度を１００ｐｐｍ以下に制御する。 （もっと読む）

【課題】分解や組み立てをより容易に行うことができるプラズマ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】導波路の少なくとも一部を、同軸ケーブル１２およびこの同軸ケーブル１２の両端に設けられた同軸導波管変換器１１，１３とする。これにより、導波路に用いる導波管を少なくすることができるので、組み立てたり分解したりする際に、従来のように多数のボルトとナットの取り付けや取り外しが不要となり、結果として、より容易に組み立てや分解を行うことができる。また、同軸ケーブル１２がフレキシブルなので、従来のような歪みの問題を解消することができ、より容易に組み立てを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】スパッタ法により、より簡便な装置構成で、高いスパッタ速度で十分に酸化された酸化チタン膜が形成できるようにする。
【解決手段】プラズマ生成室１０４内にＥＣＲプラズマ１１１を形成させる。例えばアルゴンガスの供給流量は８sccm，酸素ガスの供給流量は１．４sccmとする。このようにしてＥＣＲプラズマを生成してスパッタ状態にすると共に、ヒータ１０７により基板１０３を例えば６００℃に加熱し、加熱された基板１０３からの輻射熱１７１によりターゲット１０２を加熱する。この状態を所定時間継続することで、加熱されたターゲット１０２よりスパッタされている粒子（Ｔｉ原子）１４１が、ＥＣＲプラズマ中の酸素イオンや酸素ラジカルなどの活性化された酸素により酸化されて基板１０３の上に堆積し、基板１０３の上に酸化チタン膜１１２が形成される。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた順スタガ型（トップゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高い金属酸化物層をバッファ層として意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｐｔ膜の上に、高い生産性を有する製造方法により、結晶性のよいＢｉＦｅＯ₃膜を形成する。
【解決手段】例えば単結晶シリコンからなり、主表面が清浄化された基板１０１を用意する。次いで、基板１０１の表面に熱酸化法により酸化シリコン層１０２を形成し、この上に白金（Ｐｔ）層１０３を形成する。Ｐｔ層１０３は、例えば層厚２００ｎｍ程度に形成する。次に、Ｂｉ_1.1ＦｅＯ₃ターゲットを用いたＥＣＲプラズマスパッタ法により、基板温度を４２０〜４６０℃の範囲とし、酸素分圧を４×１０^-3Ｐａ以上とした条件でＢｉＦｅＯ₃を堆積することで、Ｐｔ層１０３の上に（００１）方向へ配向した結晶状態のＢｉＦｅＯ₃結晶膜１０４を形成する。 （もっと読む）