【課題】低抵抗で平滑なＩＴＯ透明導電膜付きカラーフィルター基板を得ることを課題とする
【解決手段】ＩＴＯ透明導電膜の成膜にプラズマガンを用いるイオンプレーティング法が用い、ＩＴＯ透明導電膜を成膜されるときのカラ−フィルターが設けられた基板の温度が９０℃〜１６０℃であり、ＩＴＯ原料に照射するプラズマビームの単位面積あたりの投入出力が０．５〜１．６ｋＷ／ｃｍ^２である成膜方法である。また、ＩＴＯ透明導電膜の成膜にプラズマガンを用いるイオンプレーティング法が用いられ、ＩＴＯ原料に照射するプラズマビームの単位面積あたりの投入出力が０．５〜３ｋＷ／ｃｍ^２であり、ＩＴＯ透明導電膜を成膜されるときのカラ−フィルターが設けられた基板の温度上昇が５０℃以下であるＩＴＯ透明の成膜方法。 （もっと読む）

【課題】プラズマガンを用いたイオンプレーティング法によるＩＴＯの成膜において、０．７ｍｍ以下の厚さの基板に成膜する際の基板温度の上昇を低減し、電気的・光学的・機械的な特性が均一なＩＴＯ透明導電膜付き基板を得る
【解決手段】プラズマガンを用いるイオンプレーティング法によりＩＴＯ透明導電膜の成膜方法において、基板が補助基板に接触されて保持され、基板がプラズマからの受ける輻射熱を補助基板に伝熱させながら基板にＩＴＯ透明導電膜を成膜する。基板が有機高分子を主とする基板の場合、厚み０．２〜１０ｍｍの補助基板を用い、基板がガラスを主とする基板の場合、厚み０．２〜５ｍｍの補助基板を用いる。 （もっと読む）

【課題】超高真空環境でもアウトガスを発生させない非移行型のプラズマトーチを用いて生成させた微粒子を超音速のガス流により加速させ、基板に堆積させた微粒子により皮膜形成する物理蒸着装置を提供する。
【解決手段】内部にプラズマトーチ（１６，２６）と蒸発源（１５，２５）を有する蒸発チャンバー（１０，２０）と、超音速ノズル３５と成膜対象基板３３を有する成膜チャンバー３０を有し、各プラズマトーチは、略円筒形の導電性のアノード４０と、その内側に挿入された、ベークライトよりもアウトガスの少ない高分子系または非高分子系の絶縁管５０と、絶縁管５０の内側に挿入された棒状のカソード６０を有する。アノード４０とカソード６０に電圧印加して得たプラズマで蒸発源（１５，２５）から微粒子を生成し、超音速ノズル３５から噴出して超音速ガス流に乗せ、成膜対象基板３３に物理蒸着させる。 （もっと読む）

【課題】安定的に成膜することがでる圧力勾配型イオンプレーティング方法を用いた真空成膜装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバー内の成膜室側には、圧力勾配型ホローカソード型のイオンプレーティング成膜部を備えたものであり、成膜室と基材搬送室とが、圧力的に仕切られているものであり、また、前記イオンプレーティング成膜部は、成膜室の側面側、前記圧力勾配型プラズマガンの出口部に向けて突出させた前記真空チャンバーの短管部を配し、該短管部を包囲し、前記圧力勾配型プラズマガンからのプラズマビームの横断面を収縮させる収束コイルを備え、前記プラズマビームを成膜室内に配置した蒸着材料の表面に導き、電気的絶縁性が保たれた成膜用ドラムの被成膜領域部において基材の一面上に薄膜を形成するものであり、短管部内に、プラズマビームの周囲を取り囲み、電気的に浮遊状態の電子を帰還させる電子帰還電極を設けている。 （もっと読む）

【課題】高品質の薄膜の形成が可能となり、中でも低い基板温度環境において、基板との密着性が良好で、緻密性が高く、硬度の高い、高品質のフッ化物薄膜の形成が可能となる薄膜形成方法および薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】膜材料６を真空中で加熱し、該膜材料６を蒸発させる、前記蒸発させた膜材料による蒸発材料に、イオン源９から放出された１価または２価の金属イオンを付加し、該蒸発材料をイオン化し、前記イオン化した蒸発材料を電界（１０１）によって被処理基板に向けて加速し、該被処理基板２上に該材料を蒸着させ、薄膜を形成する構成とする。 （もっと読む）

【課題】超高真空環境下でもアウトガスを発生させず、移行および非移行型の兼用可能なプラズマトーチを提供する。
【解決手段】略円筒形の導電性のアノード１０と、アノード１０の内側に挿入された石英あるいはマシナブルセラミクスからなる絶縁管２０と、アノード１０に接しないように、絶縁管２０の内側に挿入された棒状のカソード３０とを有し、アノード１０とカソード３０にそれぞれ正電圧と負電圧を印加してプラズマを形成する構成のプラズマトーチとする。 （もっと読む）

【課題】 基材ホルダの着脱が容易であり、かつ成膜中に反転駆動される基材ホルダに対して高周波電力及びバイアス電圧を高い供給品質及び印加品質において安定に供給及び印加することが可能なイオン加工装置を提供する。
【解決手段】 その内部で電力を用いて基材へのイオン加工を行うための導電性の真空チャンバ１と、前記真空チャンバの内部に配設され前記基材が装着される導電性の基材ホルダ８と、前記真空チャンバの内部に前記電力を導入しかつ前記基材ホルダを回動自在に支持するための電力導入体５と、前記基材ホルダを前記真空チャンバの内部で反転させるための反転構造９と、前記電力導入体に電気的に接続され該電力導入体に前記電力を供給するための電源１６，１７とを備えるイオン加工装置１００であって、前記電力を前記電力導入体から前記基材ホルダに供給するための給電構造１０１を有し、前記電源から前記電力導入体を介して前記真空チャンバの内部に導入される前記電力が前記反転構造により反転可能な前記基材ホルダに対して前記給電構造を介して実質的に供給される。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームによって金属製シャッタがエッチングされて生成した金属粉がイオン銃ユニットの作動不良、基板上に成膜される金属膜の品質低下を招く不具合を解決する。
【解決手段】 真空炉１と、真空炉内に配置され支持面に複数の基板Ｗを着脱自在に支持した基板ホルダ２と、基板ホルダの支持面と対向するように真空炉内に配置された蒸着物質蒸発ユニット１０と、蒸着物質蒸発ユニットと隣接配置されたイオン銃ユニット２０と、を備えたイオンプレーディング装置であって、蒸着物質蒸発ユニットは、蒸着物質を保持したルツボと、ルツボ上の蒸着物質に電子ビームを照射して加熱蒸発させる電子銃と、を備え、イオン銃ユニットは、蒸発物質に向けてイオンを出射して蒸発物質をプラズマ化するイオン銃グリッド２１と、イオン銃グリッドからのイオン出射経路を開閉するシャッタ２２と、を備え、前記シャッタ２２を非導電材料にて構成した。 （もっと読む）

ピストンリング本体の外周面上にコーティング層を生成するための方法において、複数の層を重ね合わせて外周面に付与することによる方法であって、プロセスガスへ窒素を添加することなく、ＰＶＤ法により先ず最初にＣｒベースの少なくとも１層の金属性接着層を外周面に付与し、続いて、接着層の上にＣｒＮ勾配層を形成するため、窒素分圧を引き上げながら窒素をプロセスガスへ添加し、最後にＣｒＮ、Ｃｒ₂Ｎまたは両相からの混合体をベースとする一定組成の少なくとも１層の被覆層を勾配層の上に付与する方法。
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