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Fターム[4K029DD00]の内容

物理蒸着 (93,067) | イオンプレーティング装置 (1,355)

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【課題】アークスポットが蒸発源の表面部以外に入り込む現象を防止して、安定した放電を行わせるとともに、表面平滑性を向上させ、残留応力の制御性が高い薄膜を形成可能なアークイオンプレーティング装置を提供する。
【解決手段】蒸発源の端面から内方に所定幅の端部領域を除く内側領域表面の磁束密度が10〜15mTであり、端部領域表面の磁束密度が内側領域表面の磁束密度よりも3mT以上大きく、蒸発源の表面からワークまでの距離が120〜300mmであり、その距離の間の磁束密度の絶対値の積算値が260mT・mm以下であり、蒸発面における磁力線は、蒸発面の法線に対する角度θが0°<θ<20°であり、端部領域表面では内側領域に向けて傾いており、内側領域の磁束密度は、標準偏差が3以下である。 (もっと読む)


【課題】基板の処理に好適なプラズマ源を提供すること。
【解決手段】基板を処理するための直線形状のプラズマ源であって、 内部にマグネトロンプラズマが生成される放電キャビティであるとともに、内面上に配置されたカソード電極(16)上にマグネトロンプラズマが生成され、アノード電極が放電キャビティの外部に配置されている、放電キャビティと;放電キャビティの外部に配置された複数の磁石(1,2)であるとともに、放電キャビティ内に無磁界ポイントを形成する、複数の磁石と;を具備し、処理の一様性が、プラズマに対して基板を移動させることにより、あるいは、基板に対してプラズマを移動させることにより、得られている。 (もっと読む)


【課題】
真空容器内における負に印加したワークを回転させながら周囲より正イオン化した被蒸発材料を同ワークに衝突させて同被蒸発材料による被膜を形成するイオンプレーティング装置よりも、ワークの表面に形成する被膜をより滑らかなものにできるイオンプレーティング装置を提供できるようにした。
【解決手段】
真空容器内にて、負に印加した被処理物に蒸発させかつ正イオン化した被蒸発材料を衝突させて同被蒸発材料による被膜を形成するイオンプレーティング装置において、真空容器1内にセットする被処理物たるワーク2が、正イオン化した蒸発材料9が衝突する衝撃によって少なくとも前後方向に揺動するようにセットできるよう構成する。 (もっと読む)


【課題】切刃が高温となるような切削条件においても、高い耐欠損性と耐摩耗性を有する切削工具を提供する。
【解決手段】Coを含有する非酸化物基体2の表面に、Ti1−a−bAlab(Cx1−x−y)(ただし、MはTiを除く周期表4、5、6族元素、Y、HfおよびSiから選ばれる1種以上、0.40≦a≦0.65、0≦b≦0.1、0≦x≦1、0≦y≦1)からなる被覆層6を被覆してなり、非酸化物基体2と被覆層6との界面において、酸素を0.5〜10原子%の含有量で前記界面の近傍よりも多く含有しているとともに、前記界面の酸素を最も多く含む位置で基体2中のCo含有量に対して20〜50%の含有量のCoを含有している切削工具1であり、切刃が高温となるような切削条件においても、高い耐欠損性と耐摩耗性を有する。 (もっと読む)


【課題】 従来よりも高品質な被膜を形成する。
【解決手段】 この発明に係る支持具10は、支持具本体30と、この支持具本体30の円筒状部34を覆う概略筒状のカバー70と、を備えている。そして、カバー70には、円筒状部34の内孔38と連続する貫通孔78が設けられており、これによって、被処理物20の一部が挿入される挿入孔12が形成されている。さらに、カバー70の先端部72は、テーパ状に形成されている。この構成によれば、成膜処理時に、イオン粒子118が支持具10の表面、特に先端面74、に衝突することによって当該先端面74から被膜90の粒子124および126が叩き出されたとしても、この叩き出された粒子124および126が被処理物20の表面に再付着することはない。従って、当該再付着に起因する被膜90の剥離が防止され、高品質な被膜90が形成される。 (もっと読む)


【課題】高品位な表示装置を実現できる蒸着可能な材料を、蒸着用マスクを用いることなく塗り分け可能にする。
【解決手段】真空容器中にて蒸着源62から蒸発する蒸着分子を被蒸着物32に到達させて当該被蒸着物32に前記蒸着分子による薄膜を形成するのにあたり、前記蒸着分子が前記被蒸着物32に到達する前に当該蒸着分子を電荷e-に帯電させる帯電工程と、前記薄膜を形成する箇所に対応して配された電極Rへの前記蒸着分子の帯電極性とは異なる+極性の電圧印加と、前記薄膜を形成しない箇所に対応して配された電極G,Bへの前記蒸着分子の帯電極性と同じ−極性の電圧印加との、少なくとも一方を行う印加工程と、を経る。 (もっと読む)


【課題】鋳造すべき溶融金属によって表面にクラックやコーティング層の剥離が生じにくく、耐ヒートチェック性に優れたダイカスト金型、およびその表面処理方法を提供する。
【解決手段】溶融金属の鋳造に用いられるダイカスト金型であって、係るダイカスト金型における表面3のうち、少なくともキャビティを含む表面3に被覆され、IVA族、VA族、VIA族の少なくとも一種の金属(例えば、Ti、V、Cr)またはこれらの合金からなり、マイクロビッカース硬さが1000Hv以下で且つ厚みが1〜30μmの第1層4と、係る第1層4の表面上に被覆され、IVA族、VA族、VIA族の少なくとも一種の金属との炭化物(例えば、TiC)、窒化物(例えば、TiN)、酸化物(例えば、Cr)、あるいは炭窒化物(例えば、TiCN)からなる第2層6と、を含む、ダイカスト金型1。 (もっと読む)


【課題】優れた成形性と強度を持ち、良好な誘電性を示し、高周波帯で使用することが可能な誘電体部品用成形体を提供する。
【解決手段】ガラス繊維を含有する熱可塑性樹脂からなる基材の表面に、酸素を含む雰囲気の減圧化で、高周波励起プラズマ処理を施し、高周波イオンプレーティング法により、導電性膜および誘電体膜を順次成膜する。高周波励起プラズマ処理を、酸素プラズマおよびアルゴンプラズマの混合プラズマ雰囲気で、導電性膜の下層の成膜を、酸素プラズマおよびアルゴンプラズマの混合プラズマ雰囲気で、その上層の成膜をアルゴンプラズマ雰囲気で、かつ、誘電体膜の成膜を酸素プラズマおよびアルゴンプラズマの混合プラズマ雰囲気で行うことが好ましい。 (もっと読む)


【課題】本発明は、外力による複屈折の変化、即ち光弾性係数の小さい耐熱性アクリル系透明樹脂基板にハードコート層ならびに無機バリア層を有する事により表面硬度を改良して表面硬度、光学特性、耐熱性が良好な無機バリア層を有した耐熱性アクリル系樹脂積層体にスズ添加酸化インジウムをはじめとした透明導電膜を形成した透明導電性積層体、すなわち光学特性、抵抗値の安定性、耐熱安定性に優れたディスプレイ用透明電極に使用できる透明導電性積層体を提供することにある。
【解決手段】メタクリル酸メチル単位40〜90質量%、無水マレイン酸単位5〜20質量%、及び芳香族ビニル化合物単位5〜40質量%を共重合して得られる耐熱性アクリル系樹脂透明基板にハードコート層ならびに無機バリア層を有する事で得た耐熱性アクリル系樹脂積層体に透明導電膜を形成することにより光学特性、抵抗値の安定性、耐熱安定性に優れた透明導電性積層体が出来る。 (もっと読む)


本発明は、真空作業チャンバ(2)と、電子ビーム(7)を生成するためであって、蒸着すべき材料(5)を加熱可能であるアキシャル放射器(6)と、前記材料(5)と成膜されるべき基板(3)との間に配置されていて、材料蒸気を前記基板(3)に通す少なくとも1つの蒸気アパーチャ(10)を有している絞り(9)とを含んでいる、電子ビーム蒸発装置であって、その際前記絞り(9)は磁石系(14)を有しており、該磁石系を用いて電子ビーム(7)は前記蒸気アパーチャ(10)を通って前記蒸発されるべき材料(5)に偏向可能である。
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【課題】マスクの寿命を長く維持することが可能な基板ホルダ及び基板ホルダの取扱方法を提供する。
【解決手段】基板ホルダWHは、成膜対象である基板Wの一部を覆うパターンを有するマスクMと、マスクMを搭載するマスクフレームFと、マスクフレームFとの間でマスクMとその上に搭載される基板Wとを挟持するホルダHと、マスクフレームF及びホルダHの一方に設けられた位置決め突起60と、マスクフレームF及びホルダHの他方に設けられ、位置決め突起60が挿通されて、ホルダHとマスクフレームFとを位置決めする位置決め穴80と、位置決め穴80に隣接して設けられ、位置決め突起60の先端部が係合される係合部82と、を備え、位置決め突起60の先端部が係合部82に係合された状態では、マスクMから離間してマスクフレームF上でホルダHを支持可能である。 (もっと読む)


【課題】イオンビーム蒸着により堆積された炭素保護膜で覆われた薄膜ディスクの有害な欠陥を最小化する手段を提供する。
【解決手段】ここに記載される改良された炭素ビーム蒸着チャンバー40は、チャンバーの開口プレート20の外側表面上での炭素膜の堆積を大幅に減少させることにより、システム洗浄やハードウェアの交換が必要になる前の処理可能なディスク枚数を大幅に増加させることができ、又、コーティングされたディスク44におけるディスク欠陥を大幅に減少させて、炭素銃10の生産性を実質的に増加させるものである。 (もっと読む)


【課題】コンパクト化を図ることが可能なプラズマ生成モジュールを提供する。
【解決手段】 プラズマ生成モジュール40は、陽極として機能するハース42と、ハース42の周囲に配置された磁石44と、磁石44によってチャンバ20内に形成されるリターンフラックスF上に配置されたプラズマガン46と、を備える。 (もっと読む)


【課題】 生産性に優れ、ガスバリア性の高い透明ガスバリア膜の製造が可能な透明ガスバリア膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 真空槽12中でハース3に入れられた有機材料または無機材料に電子ビーム発生器2により電子ビームを照射して物理的に前記有機材料または前記無機材料を気化する。ここで、前記有機材料または前記無機材料の蒸発源である前記電子ビーム発生器2とは別の圧力勾配型プラズマガン1によって発生されるプラズマを利用して、前記気化した有機材料または無機材料を活性化させて、透明基材フィルム13上に有機薄膜層または無機薄膜層を形成する。 (もっと読む)


【課題】 プラズマ処理チャンバーのアイソレーションバルブの周囲のプラズマ漏洩を防止する方法及び装置を提供する。
【解決手段】このバルブを接地するための方法及び装置が提供される。一般に、この方法は、導電性エラストマー部材を使用してチャンバーアイソレーションバルブ及び/又はアイソレーションバルブドアを効果的に接地しながら、処理システムの可動部品間の金属対金属接触を回避する。一実施形態では、エラストマー部材は、このバルブのドアに取り付けられて電気的に連通する。エラストマー部材は、ドアが閉位置にあるときにプラズマ処理システムの接地された要素に接触させられる。別の実施形態では、導電性エラストマー部材は、アイソレーションバルブの突っ張り部材に取り付けられ、この突っ張り部材が基板処理中にアイソレーションバルブドアを位置保持するように配置されたときにプラズマ処理システムの接地された要素に接触させられる。 (もっと読む)


【課題】 マイクロ波電力を利用した薄膜形成装置を提供すること。
【解決手段】 真空ポンプ23によって減圧するチャンバ21内にマイクロ波電力Pと酸素ガスとを供給して表面波酸素プラズマ25を発生させるプラズマ発生手段と、チャンバ21内に加熱蒸発させるZn材の蒸発源26と、成膜形成するガラス基板28とを備え、前記蒸発源26から蒸発したZn材を酸素プラズマ25によって酸化させ、その化合物ZnOをガラス基板28に堆積させて薄膜形成する構成としてある。 (もっと読む)


【課題】 同軸磁化プラズマ生成装置において、プラズマ塊を連続的に安定して生成すること。
【解決手段】 外部導体23と内部導体24を同軸状に配置し、外部導体23のリング状凸部231の付近にバイアス磁界発生用の円筒状の電磁コイル27を配置してある。外部導体23と内部導体24には、パワークローバ回路25(容量の小さいコンデンサC1と容量の大きいコンデンサC2からなる)を接続してある。コンデンサC1の充電電圧は、コンデンサC2の充電電圧よりも高く充電してある。ガス供給管22からプラズマ生成ガスを供給し、パワークローバ回路25の充電電圧を外部導体23と内部導体24に印加すると、リング状凸部231と内部導体24の間に放電が発生してプラズマPが生成する。プラズマPは、ローレンツ力により加速されて開放端へ移動し、プラズマ塊PMとなって放出される。パワークローバ回路25は、コンデンサC1,C2を組み合わせることにより、立ち上りが急峻で減衰が緩やかな負荷電流を発生することができる。 (もっと読む)


長さ、高さ、内側縁部、外側縁部、および厚さを有する少なくとも1つの対象のコイルを含む、気相堆積システムで使用するためのコイルアセンブリが、本明細書に説明される。対象のコイルの厚さは、内側縁部と外側縁部との間の距離として測定され、対象のコイルの厚さの少なくとも一部が、基準コイルに比較して少なくとも20%減少されている。本明細書では、長さ、高さ、内側縁部、外側縁部、および厚さを有する少なくとも1つの対象のコイルを備える、気相堆積システムで使用するためのコイルアセンブリも説明される。対象のコイルの厚さは、内側縁部と外側縁部との間の距離として測定され、対象のコイルの少なくとも一部の高さの少なくとも一部が、基準コイルの高さに比較して少なくとも20%減少されている。
(もっと読む)


【課題】 有機ELディスプレイデバイスに用いられた場合に、有機EL素子としての寿命を十分に長くでき、且つ、基板のフレキシビリティ性、基板の耐久性や強度を同時に十分満足できる有機ELディスプレイデバイス用の基板を提供する。特に、ITO膜の膜質を改善して、有機EL素子としての寿命を10万時間を越えるようにできる有機ELディスプレイデバイス用の基板を提供する。
【解決手段】 透明フレキシブル基材にITO層からなる電極層を配設し、且つ、その水蒸気透過率が、1×10-2 g/ m2/day 以下であるフレキシブル透明電極基板であって、ITO層は、X線回折法における、そのITO層の(222)面に相当する2θピーク位置が30.40°以上、31.40°以下である。 (もっと読む)


【課題】 高密度の中性粒子ビームを被処理物に照射することができ、被処理物の加工速度を向上させることができる中性粒子ビーム処理装置を提供する。
【解決手段】 中性粒子ビーム処理装置10は、イオン生成室14の内部にイオンを生成するイオン生成手段と、イオン生成室14の内部のイオンを中性化室16に引き出す引出手段と、引き出されたイオンを中性化して中性粒子ビームを生成する中性化手段とを備える。中性粒子ビーム処理装置10は、中性粒子ビーム中に残留する荷電粒子を除去する荷電粒子除去手段と、中性粒子ビームが照射される被処理物18を保持する保持台48とを備えている。荷電粒子除去手段は、ビームの進行方向に垂直な方向に磁界を形成して荷電粒子の軌道を曲げる磁界形成手段と、軌道が曲げられた荷電粒子を捕捉する捕捉板66とを有している。 (もっと読む)


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