【課題】 被処理物の表面へのイオンの入射量を安定化させる。
【解決手段】 本発明に係るイオンプレーティング装置１０によれば、熱電子放射フィラメント３６から放射された熱電子がイオン化電極３８に向かって加速される。そして、この熱電子が蒸発源１６からの被膜材料２２の蒸発粒子と非弾性衝突することにより、当該蒸発粒子がイオン化される。さらに、このイオン化された蒸発粒子が被処理物としての基板２６の表面に入射されることにより、当該基板２６の表面に被膜が生成される。ここで、イオン化電極３８に流れる電流Ｉｄは、イオンの生成量に相関する。このイオン化電極電流Ｉｄが一定になるように、熱電子放射フィラメント３６からの熱電子の放射量が制御される。このような制御が成されることで、イオンの生成量が安定化され、ひいては基板２６の表面へのイオンの入射量が安定化される。 （もっと読む）

【課題】成膜条件が異なる場合であっても多数の基材に対して一度に且つ均一に成膜を行うことにより生産性を向上させる。
【解決手段】本発明のＡＩＰ装置１０１は、真空チャンバ内を真空排気する真空排気手段と、成膜対象である基材を自転状態で保持する４つの自転保持部４と、自転保持部４をその自転軸と軸心平行な公転軸Ｑ回りに公転させる公転テーブル５と、アーク蒸発源６と、４つのバイアス電源１０Ｂ１〜１０Ｂ４を備えた電源ユニット１０Ｂとを備え、自転保持部４の各々はスリップリング１５１を介して異なるバイアス電源に接続され、バイアス電位の差により異なる成膜条件を構成する。 （もっと読む）

【課題】低温プロセス環境下での薄膜形成で、膜の充填密度を高め、品質の高い膜形成が可能な膜形成装置を提供する。
【解決手段】ケース１０内に配置されたカソード８と、ケース１０の端部に配置されたアノード１２，１４と、カソード８とアノード１２，１４との間に放電電圧を印加する放電電源１３とからなるケース１０内で形成された第１プラズマ１７中の電子を放電電圧に基づいて真空室１内に引き出す様に構成したプラズマ発生装置７を備え、真空室１内で気化状態の蒸着材料にプラズマ発生装置７からの電子を照射して第２プラズマ２２を発生させ、第２プラズマ２２中のイオンが基板に向けて照射されることにより成膜を行うように成した膜形成装置において、第２プラズマ２２中の電子がプラズマ発生装置７側に向かう様にアノード１２，１４の電位をコントロールするアノード電位コントロール手段を設けた。 （もっと読む）

【課題】イオンプレーティングにおいて、プラズマを高密度化、均一化、低圧力化することによって、効率良くかつ均一に成膜する。
【解決手段】真空チャンバ１中において、成膜材料３と、蒸着膜を形成すべき被処理物１３とを対向配置し、成膜材料および被処理物の間の空間にプラズマＰを生成するとともに該プラズマをラインカスプ型磁場によって閉じ込め、成膜材料を加熱蒸発させて、その蒸発粒子をプラズマによってイオン化し、プラズマとともに被処理物に照射することにより、被処理物に成膜材料の蒸着膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】切削加工の高速化、乾式化、被加工物の高硬度化による摩耗を抑制し、密着性と耐熱性に優れた被覆切削工具を得る。
【解決手段】工具の基材の表面に硬質被膜を積層する。硬質皮膜は基材上に被覆するＡ層とＡ層の直上に形成するＢ層とを有する。Ａ層はＴｉａＡｌｂＣｒｃ窒化物のＳｉ非含有皮膜であり、立方晶からなる緻密で幅３００ｎｍ以下の微細な柱状晶で構成した結晶構造とする。Ｂ層は組成ＳｉｘＴｉ_１−ｘを主体とする立方晶構造からなるＳｉ含有皮膜である。Ａ層の組成における金属成分比ａ，ｂ，ｃは原子比で、０．１≦ａ≦０．３５、０．４５≦ｂ≦０．７、０．１≦ｃ≦０．３５、ａ＋ｂ＋ｃ＝１である。Ｂ層の組成における金属成分比ｘは原子比で０．１≦ｘ≦０．３である。 （もっと読む）

【課題】 近年、成膜速度が速くなるにつれて、半導体製造装置用のウェハーを載置するホルダーやプラズマ反応を起こす電極としてのステージヒーターの損傷が激しく寿命が短いため、より耐食性、熱衝撃に対しても耐久性の優れたものが求められるようになってきた。
本発明の目的はステージヒーターの外表面に耐食処理を施すことによって、ウェハーの処理品質の向上や長寿命化を図ることにある。
【解決手段】 ステージヒーターの基材の外表面にスパッタリング法やイオンプレーティング法によって、ニッケルやクロム、チタン、ハステロイ、インコネル等の耐食性皮膜を生成させて製作することにより、熱衝撃や腐食性ガスに対する耐久性、耐食性の向上を図ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電極構造が簡単で、蒸発材料の安定したイオン化が可能なプラズマを利用した蒸着装置を提供すること。
【解決手段】 密封型蒸発源３１のノズル３１１の出口付近に、フィラメント３３１から放出される熱電子を照射する。密封型蒸発源３１のノズル３１１から真空チャンバー３２内に噴出した蒸発材料（Ｃｕ）３４の蒸気３４２は、フィラメント３３１によって放出された熱電子によりノズル３１１の出口付近でイオン化し、電子なだれが起きてプラズマ状態になり、逆円錐状（蒸着材料の飛翔形状）３４４になって基板（ステンレス板）３３３へ向かい、蒸着材料（Ｃｕ）の蒸着膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】
高級感があり、傷等による外観品質の劣化が起きにくく、しかも、耐蝕性に優れた、高級感のある銀特有の色調を有する白色装飾品およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】
最外層として銀合金からなる被膜が乾式メッキ法により形成された装飾品であって、金属またはセラミックスからなる装飾品用基材と、該基材表面に形成された下地層と、該下地層の表面に形成された耐摩耗層、および該耐摩耗層の表面に形成された最外層から構成され、前記最外層が、厚み０．００２〜０．１μｍであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 粉末の詰まりを低減する粉末加熱装置を提供する。
【解決手段】 粉末供給装置１、分散器２、直流プラズマ発生装置のトーチ４及び、分散器２からの配管Ｔ２に繋がる孔２２が設けられた第１柱状部２１Ａと、この孔に繋がる開口部の径がこの孔の径より大きく、徐々にその径が小さくなる分岐孔２５ｂ，２５ｃが設けられた第２の柱状部２１Ｂと、各分岐孔に繋がる開口部の径が各分岐孔の径より大きい孔２６ａ，２６ｂが設けられた第３柱状部２１Ｃから成るマニフォールド体の本体２１を備えている。 （もっと読む）

【目的】一部に真空アークプラズマを用いて、ドロップレットの影響を受けることなく高純度に、かつ円滑に単一膜、混合膜及び積層膜を成膜するプラズマ表面処理方法、プラズマ処理装置及びこれらを用いて処理された目的物を提供する。
【構成】２種類の第１プラズマ１６及び第２プラズマ１７を使用する。各プラズマは、第１プラズマ発生部２、第２プラズマ発生部３において真空雰囲気下に設定されたアーク放電部で真空アーク放電を行って発生させる真空アークプラズマであり、第１と第２プラズマ導入路２２、２３を介して共通輸送ダクト１０に導入される。このとき、第１及び第２プラズマ１６、１７を共通輸送ダクト１０に導入するタイミングを制御して、プラズマ処理部１内のワークＷ表面に対して積層膜形成等の表面処理加工が行われる。各プラズマ導入路のプラズマ導入角度は共通輸送ダクト１０の輸送方向に対して鋭角に設定されている。 （もっと読む）

【目的】例えばＤＬＣ膜とバッファ膜といった多層膜を、ドロップレットの影響を受けることなく高純度に、かつ円滑に積層形成することのできるプラズマ表面処理方法、プラズマ処理装置及びそのプラズマ処理装置によって表面処理された被処理物の提供する。
【構成】２種類の第１プラズマ１６及び第２プラズマ１７を使用する。各プラズマは、第１プラズマ発生部２、第２プラズマ発生部３において真空雰囲気下に設定されたアーク放電部で真空アーク放電を行って発生させる真空アークプラズマである。各プラズマ発生に伴って生じるドロップレット２３を分離、除去して、第１プラズマ１６及び第２プラズマ１７を共通輸送ダクト１０を経由してプラズマ処理部１に誘導する。このとき、第１プラズマ１６及び第２プラズマ１７を共通輸送ダクト１０に導入するタイミングを制御して、プラズマ処理部１内のワークＷ表面に対して積層膜形成等の表面処理加工が行われる。 （もっと読む）

【課題】 基板処理中の基板の温度上昇を簡素な方法で抑制する。
【解決手段】 真空容器１２内で基板２２に対して成膜処理を行う方法である。この方法は、基板２２の上面に、熱容量を増加させるための熱容量増加シート４６を載置する載置工程と、熱容量増加シート４６が載置された基板２２を処理領域Ｓに搬入する搬入工程と、処理領域Ｓにおいて基板２２の下面に成膜処理を施す処理工程と、処理領域Ｓにおいて処理された基板２２を処理領域から搬出する搬出工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 低温での成膜を効率よく行うことができる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】 成膜装置１は、真空容器１０と、被処理物１１をＸ軸方向に搬送する搬送機構３と、被処理物１１を冷却する冷却機構２と、成膜材料Ｍａを保持する主陽極４とを有する。冷却機構２は、成膜室１０ｂ上に配置された成膜室上冷却部２１と、成膜室上冷却部２１の上流側に配置された上流側冷却部２２と、成膜室上冷却部２１の下流側に配置された下流側冷却部２３とを含んで構成されている。成膜室上冷却部２１は、成膜中の被処理物１１を冷却する。上流側冷却部２２は、被処理物１１を成膜前に予め冷却する。下流側冷却部２３は、成膜により温度が上昇した被処理物１１を急速に冷却する。 （もっと読む）

【課題】ポリカーボネート樹脂からなる成形品に密着性の向上した薄膜を蒸着した成形品を提供する。
【解決手段】 ガラス転移温度が１５０℃以上であるポリカーボネート樹脂を用いた成形体に、イオンプレーティング法により薄膜を形成した成形品。好ましいポリカーボネート樹脂の例としては一般式［１］で表わされる部分構造単位を特定割合で含有するもの等がある。
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