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Fターム[4K029DD03]の内容

物理蒸着 (93,067) | イオンプレーティング装置 (1,355) | クラスターイオンビーム式 (25)

Fターム[4K029DD03]に分類される特許

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【課題】簡便な工程でありながら、1バッチで粉体に対してクラスタを均一に堆積させることが可能な粉体に対するクラスタ堆積方法を提供すること。
【解決手段】ターゲット材料からクラスタCを生成する工程と、
クラスタCの中から質量フィルタによりクラスタサイズを基準として堆積用のクラスタを選別する工程と、
担体粒子Pからなる粉体と液体との混合物を真空中に噴出させる工程と、
真空中に噴出された前記混合物中の担体粒子Pに、前記堆積用のクラスタを接触させることにより、担体粒子Pの表面上にクラスタCを堆積させる工程と、
を含むことを特徴とする粉体に対するクラスタ堆積方法。 (もっと読む)


【課題】様々な材料からなる基材表面を改質することができる表面改質方法及び装置を提供する。
【解決手段】セラミックスから溶出された無機材料を含む粒子が生成された処理溶液3を電解して粒子を帯電させた後、基材1表面に付与して乾燥させることで無機材料を固着させる。無機材料が固着した基材1表面は、親水性、防汚染性、反射防止特性といった様々な特性を備えるように改質処理される。例えば、ホウ酸シリカ水を電解してステンレス板の表面に電着させてシリカ等の無機材料を固着させることで、親水性及び防汚染性を有するように改質処理することができる。 (もっと読む)


【課題】基板上に形成された配線用パターンの底部までCu埋め込みが可能な基板の配線方法を提供する。
【解決手段】真空状態に保持された処理容器100内にて配線用パターンが形成された基板を配線する方法であって、ウエハ上の配線用パターンを所望のクリーニングガスにより洗浄する前工程と、前工程後、クラスタ化された金属ガス(金属ガスクラスタCg)を用いて配線用パターン内に金属ナノ粒子を埋め込む埋め込み工程と、を含むことを特徴とする基板の配線方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】新規な炭素膜製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の炭素膜製造装置は、供給ガスに電子ビームを照射し、プラズマを発生させる電子ビーム発生装置7と、炭素源を収容し、炭素源を加熱して気化させる炭素源容器4と、炭素膜を堆積させる基板3を有する。ここで、供給ガスは、アルゴンガスであることが好ましい。また、電子ビーム発生装置7の電子通過量は10〜100Aの範囲内にあることが好ましい。また、炭素源は、フラーレンC60、フラーレンC70、その他ナノメートルスケールのカーボン粒子であることが好ましい。また、基板3の広さは1〜100cm2 の範囲内にあることが好ましい。また、基板3のバイアス電圧は-500〜0Vの範囲内にあることが好ましい。 (もっと読む)


開示されたものは、ガスクラスターイオンビーム(GCIB)システム(100,100’100’’)において、プロセスガスの混合物、又は多重のプロセスガスの混合物、を導入するためのマルチ−ノズル及びスキマーの組み立て品、並びに基体(152,252)に層を成長させる、それを変更する、それを堆積させる、又はそれをドープするための動作の関連させられた方法である。多重のノズル及びスキマーの組み立て品は、少なくとも部分的にそれから単一のガスクラスタービーム(118)へと放出されたガスクラスタービームを合体させるために相互の近接で配置された、及び/又は、交差するガスクラスタービームのセットを形成するために、及び、ガススキマー(120)へと単一の及び/又は交差するガスクラスタービームを向けるために、単一の交差する点(420)に向かって各々のビームを収束させるために角度が付けられた少なくとも二つのノズル(116,1016,2110,2120,4110,4120,7010,7020)を含む。
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【課題】レンズ等の曲率を有する基体に、均質なフッ化物薄膜を無加熱で成膜する。
【解決手段】レンズ4を、揺動機構5によって揺動及び回転させながら、遮蔽板3の開口3aを通して抵抗加熱蒸発源2からの蒸着粒子を被着させ、フッ化物薄膜を成膜する。遮蔽板3の開口3aは、クラスターイオン源1から照射されるクラスターイオンが30度以下の入射角でレンズ4に入射する領域にのみ開口する。入射角30度以下のクラスターイオンアシストを用いた蒸着領域がレンズ4の有効面全体に及ぶように、揺動機構5によってレンズ4を揺動させる。 (もっと読む)


【課題】大きなサイズのクラスターを生成することが可能なクラスター生成装置を提供する。
【解決手段】クラスター生成室1と、該クラスター生成室1内に配置されたターゲット(放電部)3を有するマグネトロンスパッターガン2と、該クラスター生成室1内に配置されたガス放出部を有するガス導入口4とを備えるクラスター生成装置であって、クラスター生成室1の形状が、クラスター出口(開口部)5に向かって徐々に内径が小さくなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】長時間に渡って安定的に使用できると共に、製造コストを低減することが可能な基板処理装置及び薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】基板9を保持する導電性の基板ホルダ20と、基板9にイオンビームを照射するイオンビーム源と、基板ホルダ20をアースに接続するためのアース接続部13と、アース接続部13を基板ホルダ20に対して接触又は非接触させるための駆動部18とを具備する。そして、イオンビーム源から基板9にイオンビームを照射してエッチングしている間又はエッチングする直前に基板ホルダ20にアース接続部13を接触させることにより、基板ホルダ20を接地する。 (もっと読む)


【課題】基板上に所望のサイズのクラスター粒子を所望の堆積量分布に従って形成する。
【解決手段】所定サイズのクラスター粒子からなるイオンビームを出射することが可能なイオンビーム出射手段(2)と、イオンビーム出射手段(2)から出射されたイオンビーム(14)の照射方向を可変する照射方向可変手段(4)と、イオンビームの照射方向に配置された基板(8)と、イオンビーム(14)の基板(8)上での強度分布を推定するためのイオンビーム強度分布推定手段(20)と、基板上に所望の堆積量分布を有するクラスター粒子を形成するために、イオンビーム強度分布推定手段(20)によって推定された強度分布に基づいて、イオンビーム出射手段(2)および照射方向可変手段(4)を制御する制御装置(12)と、を備える、クラスター粒子堆積装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】イオンクラスタービームで基板表面に蒸着膜を形成する際、誘導加熱の際の磁力線の影響を減らすことで良質な蒸着膜を形成するイオンクラスタービーム蒸着装置を提供することを課題とする。
【解決手段】イオンクラスタービーム蒸着装置1であって、対象物8と離間する位置に配置され、蒸着物質13を収容する収容部2と、収容部2内に、対象物8が位置する方向に対して交差する方向の磁界を発生することにより、収容部2内に収容された蒸着物質を加熱して蒸気を生成する高周波誘導加熱手段3と、収容部2内からクラスター12を噴射する噴射手段9と、対象物8に向けて移動するクラスター12をイオン化するイオン化手段5と、イオン化されたクラスターを、加速電圧を印加して加速する加速手段6と、イオン化されたクラスター12を磁力線から遮蔽する磁力線遮蔽手段4と、を備え、磁力線遮蔽手段4は、対象物8に向けて移動するクラスター12と交差する磁力線を遮蔽する。 (もっと読む)


【課題】低誘電率且つ化学的に安定なフッ素系薄膜を成膜することができるフッ素系薄膜の成膜方法及び該成膜方法を用いた半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】本発明のフッ素系薄膜の成膜方法は、基板上にフッ素系樹脂からなる薄膜を成膜するフッ素系薄膜の成膜方法であって、前記基板上にガスを照射するガス照射工程と、前記フッ素系樹脂をプラズマ化するプラズマ化工程とを含む。イオン化蒸着法、イオンプレーティング法、レーザアブレション法、イオンビームスパッタ法から選択される少なくとも1種によりフッ素系樹脂からなる薄膜を成膜する態様等が好ましい。 (もっと読む)


【課題】フラーレンを原料として用い、摩擦係数0.1以下で実用的な面積を持つ超低摩擦表面を実現できる炭素質皮膜の形成方法を提供する。
【解決手段】フラーレンを原料とし、クラスタイオンビーム法または分子線エピタキシー法により、基板上にフラーレンから成る炭素質皮膜を形成する。基板上に形成される炭素質皮膜は典型的にはフラーレンC60から成る。皮膜形成に用いる基板として高配向性グラファイト(HOPG)が望ましい。 (もっと読む)


標本を保持する標本ホルダと、荷電粒子を標本ホルダ上に放出するように上面と下面との間に貫通開口部を有するマスクと、マスク(8)と標本ホルダ(3)との間の相対位置を検出する近接場検出装置と、ソース(1)とマスク(8)との間の相対位置とは無関係にマスク(8)と標本ホルダ(3)との間の相対移動を生じさせる変位装置と、を有し、マスクが貫通開口部(10)に少なくとも第1の電極を含んでいる、ナノ製造設備。
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【課題】シングルナノサイズのクラスター生成、小さなクラスターサイズ分散性、高いビームフラックスおよび高いクラスタービームエネルギーの達成を可能とする。
【解決手段】レーザアブレーション法によってナノサイズクラスターを生成するクラスター生成装置は、クラスターを生成するクラスターセル11の取出口21に、ラバールノズル13のスロート口31が接続されているものである。 (もっと読む)


【課題】 一酸化珪素の蒸着膜の形成に使用される粉末焼結型の一酸化珪素系蒸着材料において、スプラッシュの発生を抑制する。使用に耐える材料強度を確保する。
【解決手段】 析出SiOからなる原料粉末を700〜1000℃で焼結する。焼結プロセスでのSiの析出が抑制され、XRDによる測定において、2θ=28°付近に発生するSiピーク点におけるピーク強度P1と、ピーク点前後の平均強度勾配から想定したピーク点におけるベース強度P2との関係が、P1/P2≦3となる。真空凝集装置で製造された析出SiOの選別使用により、圧縮破壊強度を5MPa以上に高める。 (もっと読む)


本発明は、環境に有害な物質を使用せず、より単純な膜構成で、高温高湿環境下での実用的な耐久性に優れ、しかも可視領域で98%以上の分光反射率を有する銀鏡を提供することを課題とする。 本発明は、例えば図1に示すように、基体1上に少なくとも反射膜として銀膜3が形成されてなる銀鏡において、前記銀膜3の両面に直接酸化アルミニウムを主体とする膜2、4が形成された構造を有することを特徴とする。また、前記銀膜3の両面側に形成された酸化アルミニウムを主体とする膜2、4が、いずれも膜密度がバルク比0.95以上(好ましくはバルク比0.97以上)の膜であることを特徴とする。
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【課題】 中性粒子ビームのビーム径を広げ、基板上のより広い面積に粒子の堆積を行う

【解決手段】 中性粒子生成源として不活性ガスを満たしたクラスター生成容器5内で、
間欠的なレーザビームを材料の固体ターゲットに照射し、発生した材料蒸気の分子又は原
子同士の結合によりクラスター群を形成せしめ、形成されたクラスター群を、該クラスタ
ー生成容器5の容器窓7から中性粒子ビームとして流出せしめ、該中性粒子ビームの途中
において該中性粒子に対してビーム中央から外周に向かう力を作用させるガイド11aお
よびガス噴射口12aを設け、中性粒子の流れを変化させる。 (もっと読む)


【課題】 膜の緻密性をより向上でき、成膜レートが速いなどの有機ELパネル製造装置、有機ELパネル製造方法を提供する。
【解決手段】 有機ELパネル製造装置は、有機ELパネルのバリア膜を形成するガスクラスターイオン援用による蒸着膜形成を行う、蒸着室3を設けている。無機膜120の材料となる物質を蒸着源302から蒸発させる。これとは別にガスクラスターイオン照射装置303で、無機膜120を蒸着させる基材10表面に向けてガスクラスターイオンを照射309する。照射されたガスクラスターイオンを援用することにより、無機膜120の蒸着を行うことで、膜の緻密性をより向上できる、成膜レートが速いなどの有機ELパネル製造装置、有機ELパネルの製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】素子の製造等においてクラスターイオンを加速するに際し、加速電圧を変えることなくクラスターを構成する原子1個当たりのエネルギーを向上させることが可能となるクラスターのイオン化方法および装置、これらによりイオン化されたクラスターを用いた膜形成方法、エッチング方法、表面改質方法、洗浄方法を提供する。
【解決手段】クラスターのイオン化方法または装置において、クラスターイオンビーム源5を備え、該クラスターイオンビーム源を、クラスターに照射される光の波長を内殻電子による電離が起きるエネルギー持つ波長範囲に制御可能とした波長制御機構(回折格子,アパチャースリット)を有する構成とし、オージェ過程を利用してクラスターを多価にイオン化するように構成する。 (もっと読む)


【課題】 電気的絶縁性物質を成膜する場合にも対応でき、対象とする基材上に充分安定的に成膜することができ、且つ、連続的に成膜ができ、安定的に、成膜された基材を得ることができる、圧力勾配型イオンプレーティング方法を用いた真空成膜装置、真空成膜方法を提供する。特には、ロールから巻き出し、ロールに巻き取ることができるフィルムのような基材に対して、電気的絶縁性物質からなる薄膜を、連続的に、安定的、且つ効率的に成膜することができる真空成膜装置、真空成膜方法を提供する。
【解決手段】 蒸着材料が移動するハースから基材の間の位置に、およびまたは、前記位置の近傍に、前記移動する蒸着材料の除電を行うための、アースレベルに設定された、蒸着材料除電部を備えている。 (もっと読む)


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