【課題】イオン電流量の低下を抑えつつ、原料ガスの使用量を低減させることが可能なイオン注入装置及びイオン注入方法を提供する。
【解決手段】イオン注入装置１０は、イオンビ−ムを引き出すイオン源１２と、半導体基板３０（ターゲット）にイオン注入を行う注入室２０と、注入室２０へガスを導入するガス導入部１１を備えている。そして、注入室２０へ導入されるガスは、原料ガスと不活性ガスとの混合ガスであり、原料ガスのみを注入室２０へ導入したときのイオン電流量が最大となる流量をＸａとしたときに、混合ガスの総流量が０．７Ｘａ以上、且つ、原料ガスの流量が０．４Ｘａ以上（原料ガスがＢＦ_３を主体として構成される場合は、原料ガスの流量が０．３Ｘａ以上）となるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】エネルギー線照射システムにおいて、ワークに効率的にエネルギー線を照射できるようにしながらも、飛躍的なコンパクト化を可能とする。
【解決手段】エネルギー線ＩＢを所定の照射領域Ｐに向かって射出するエネルギー線射出機構と、前記エネルギー線ＩＢが照射される対象物である第１ワークＷ１を、前記照射領域Ｐを含む第１周回軌道Ｏ１に沿って周回させる第１周回機構１と、前記エネルギー線が照射される対象物である第２ワークＷ２を、前記照射領域Ｐ１を含む第２周回軌道Ｏ２に沿って周回させる第２周回機構２とを具備し、各周回軌道によって形成される仮想の周回面と垂直な方向から視たときに、前記第１周回軌道Ｏ１で囲まれる領域と前記第２周回軌道Ｏ２で囲まれる領域との少なくとも一部が重なるように構成した。 （もっと読む）

【課題】一定の加速電圧で処理対象物の厚さ方向全長に亘って均一なイオン濃度分布を得ることができる生産性のよいイオン注入法を提供する。
【解決手段】本発明は、減圧下で所定の処理ガスを導入してプラズマを形成し、このプラズマ中のイオンを引き出し、引き出したイオンを加速して処理対象物Ｗ内に注入するイオン注入法であって、処理ガスとして、Ｘ_ｍＹ_ｎ（式中、Ｘ及びＹを互いに異なる元素であって、その質量数が１、５〜４０の原子とし、ｍ＝１〜４、ｎ＝１〜１０とする）で表される分子の中から選択されるものを用いる。 （もっと読む）

【課題】 良好な記録再生が可能な磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 磁気記録媒体は、基板と、基板上に設けられ、磁性材料を含有する磁気記録層と、保護層とを含む。磁気記録層は、面内方向に規則的に配列されたパターンを有する記録部と、記録部の飽和磁化よりも低い飽和磁化を有する非記録部を含む。非記録部は、磁性材料と、飽和磁化の値を該記録部の飽和磁化の値よりも低下せしめる失活種と、保護層の成分とを含有する。 （もっと読む）

【課題】材料ガスの効率的な使用を可能とするイオン注入装置を提供する。
【解決手段】イオンソースチャンバ２内のアークチャンバ３内に導入された材料ガスをイオン化し、イオン化したイオンを半導体基板に注入する際に、前記イオンソースチャンバ２内のガスを真空ポンプ２０によって排気する。排気されたガスの一部は廃棄ガス流路３１を介して除害装置２１に導き、無害化して大気放出する。残りは環流ガス流路３３を介して前記イオンソースチャンバ２に戻して再使用する。 （もっと読む）

【課題】 真性に近い単結晶ＧaＮ膜を有し、かつこの膜をｎ形又はｐ形に選択的にドープした半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 次の要素を有する半導体デバイス：基板であって、この基板は、（１００）シリコン、（１１１）シリコン、（０００１）サファイア、（１１−２０）サファイア、（１−１０２）サファイア、（１１１）ヒ化ガリウム、（１００）ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、および炭化シリコンからなる群から選択される物質からなる；約２００Å〜約５００Åの厚さを有する非単結晶バッファ層であって、このバッファ層は前記基板の上に成長した第一の物質を含み、この第一の物質は窒化ガリウムを含む；および前記バッファ層の上に成長した第一の成長層であって、この第一の成長層は窒化ガリウムと第一のドープ物質を含む。 （もっと読む）

プラズマ浸漬イオン注入プロセスでは、シーズニング層の厚さの増大のためにウェーハのクランプ静電力を損失することなく、事前注入チャンバシーズニング層の厚さが増大される（シーズニング層を取り替えることなく一連のウェーハの注入を可能にする）。これは、まず厚いシーズニング層から残留静電荷をプラズマ放電することによって実現される。同じシーズニング層を使用して処理できるウェーハの数は、各ウェーハが処理された後、シーズニング層を部分的に補給することによってさらに増大され、それに続いて、補給されたシーズニングを短時間でプラズマ放電してから、次のウェーハを処理することができる。
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【課題】イオン注入装置内で注入されている半導体ウェハの付近に配置されるイオンビーム用のガイド管を提供する。
【解決手段】イオン注入装置に係り、より詳細には、イオン注入装置のイオンビーム用のガイド管であって、注入装置内で注入されている半導体ウェハの付近に配置されるガイド管１６に係る。このようなガイド管は、主として、注入中にウェハの中性化に使用される荷電粒子を拘束するために設けられる。好都合なことに、ガイド管は、外方にテーパー付けされた中央ボアを有し、これにより、イオンビームがガイド管を通過するときにビームが衝突する問題を軽減する。 （もっと読む）

本発明の装置は、真空室内の面上に配置されたライナーを有する。この面は、真空室内の構成素子により規定されている。このライナーは、ワークピースを汚染から保護するか、又は原子又はイオンを面内に注入することにより生じる面のブリスタリング現象を阻止するように構成されている。ライナーは、ある実施例では、使い捨てしうるようにでき、真空室内の面から除去して、新たなライナーと交換するようにしうる。このライナーは、ある実施例では、粗面を有するポリマとするか、炭素を基とするか、又はカーボンナノチューブを以て構成することができる。
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【課題】バッチ式イオン注入装置を用いてウェルを形成した場合に、ウェル分離耐圧の低下を抑制することができるイオン注入方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体基板が載置されたディスク３が、イオンビーム１と垂直なＸ−Ｙ面と、ディスク３の回転面３２内においてＹ軸に直交する直線とのなす角が第１の角度β₁となる状態で配置される。当該状態で、ディスク３をディスク回転軸５３周りに回転させてイオンビーム１を照射することにより、第１導電型の不純物が半導体基板２に注入される。次いで、ディスク３が、Ｘ−Ｙ面と、ディスク３の回転面３２内においてＹ軸に直交する直線とのなす角が第２の角度β₂となる状態で配置される。当該状態で、ディスク３をディスク回転軸５３周りに回転させてイオンビーム１を照射することにより、第２導電型の不純物が半導体基板２に注入される。 （もっと読む）

【課題】原料ガスのリークの抑制と、装置コストの低減化とを図り得るプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】原料ガスに電圧を印加してこれをプラズマ化させるイオン発生部２と、接地電位に接続され、且つ、処理対象物１２が配置される処理部３と、イオン発生部２と処理部３とを電気的に絶縁する絶縁部４と、ガス導入口１４から導入された原料ガスをイオン発生部２に導くためのガス導入路５とを備えるプラズマ処理装置を用いる。イオン発生部２、絶縁部４、及び処理部３は、これらの接合体の内部にチャンバー１となる空間が設けられるように形成される。ガス導入口１４は、処理部３に設けられる。ガス導入路５は、チャンバー１の側壁の内部に形成された孔５ａ〜５ｃを備え、ガス導入口１４とイオン発生部２とを電気的に絶縁する。 （もっと読む）

【課題】 インジェクタフラグファラデーカップによりその周辺部材が悪影響を受けることが無いイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 ビームスキャナ３６への入射前のビームライン上に、イオンビームの全ビーム量を計測してビーム電流を検出するインジェクタフラグファラデーカップ３２が入れ出し可能に配置される。インジェクタフラグファラデーカップ３２をビームラインに挿入してイオンビームを遮断すると、イオンビームがインジェクタフラグファラデーカップ３２に設けられたグラファイト３２ａに当たる。このとき、イオンビームでグラファイト３２ａがスパッタされても、インジェクタフラグファラデーカップ３２がビームスキャナ３６の上流側に配置されており、インジェクタフラグファラデーカップ３２でイオンビームが遮断されているので、スパッタされたグラファイト粒子がインジェクタフラグファラデーカップ３２の周辺部材に付着することはない。 （もっと読む）

【課題】 二次電子によって発生するウェハーの汚染を防止できるプラズマを用いたイオン注入装置を提供する。また、ＲＦ電界によってチェンバー内で発生するアーク放電を低減できるプラズマを用いたイオン注入装置を提供する。さらに、広い圧力条件で安定的なプラズマの生成を可能にし、薄い接合深さを維持しながら、多量のイオンをウェハーに注入するのに適したプラズマを生成できるプラズマを用いたイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ発生ユニットと、該プラズマ発生ユニットから生成されたプラズマのイオンを試料に注入するためのイオン注入ユニットと、該イオン注入ユニットに設けられ、帯電現象を防止するために接地された伝導体と、を含んでプラズマを用いたイオン注入装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】製造時や廃棄時における赤外線フィルタの取り扱いを容易にする。
【解決手段】赤外線フィルタ１は、赤外線を透過する基板２と、基板２表面上に交互に多層積層されたＧｅ膜及びＹＦ_３膜とを備える。これにより、多層膜構造を形成する際にＺｎＳを使用することがないので、製造時や廃棄時における赤外線フィルタの取り扱いを容易にすることができる。 （もっと読む）

イオン注入システムは、イオンビームを供給するイオン源と、イオン源が少なくとも部分的に配置されるキャビティを定めるターミナル構造体と、絶縁体系とを備える。絶縁体系は、ターミナル構造体を電気的に絶縁し、ターミナル構造体の少なくとも１つの外側表面近傍の領域内に約７２キロボルト（ｋＶ）／インチより大きい有効絶縁耐力を提供する。イオン注入システムのガスボックスを電気的に絶縁するガスボックス絶縁体系も提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体材料の応力及び亀裂のない堆積のための基板と、かかる基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層構造の製造方法にあたり、ａ）半導体材料からなる基板を準備し、ｂ）前記基板上に第二の半導体材料からなる層を施与して、半導体構造を作製し、ｃ）該半導体層構造中に軽ガスイオンを注入して、半導体層構造内に空洞を含む層を作製し、ｄ）前記空洞を規定種の不純物原子によって安定化し、ｅ）該半導体層構造上に少なくとも１層のエピタキシャル層を施与する。 （もっと読む）

【課題】ハロゲンガス、特にフッ素（Ｆ_２）ガスおよびフッ化物ガスと接触する半導体加工装置用等の金属製部材であって、耐ハロゲンガス性に優れた金属製部材を提供する。
【解決手段】金属製基材３１，３４の表面に対して、イオン注入法またはプラズマイオン注入法を用いて、Ｆ_２ガスやフッ化物ガスとは反応するものの、その反応生成物の蒸気圧が低いＡｌ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｙから選ばれる１種以上の金属元素のイオン注入層３２を設ける。また、このイオン注入層３２の上に、さらにＡｌ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｙから選ばれる金属を含む薄膜３３を積層させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、イオンビームの状態が変化した場合でも、ウェーハ処理能力を低下させずにウェーハ面内の注入均一性を良い状態に保つことができ、かつパーティクル発生を極力低減できるイオン注入装置を提供することを目的とする。
【解決手段】イオン注入装置において、装置パラメータをリアルタイムでモニタリングし、装置の各部をコントロールするシステム１２を設け、このシステム１２に、イオン注入処理中の累積ドーズ量分布を計算し、累積ドーズ量が均一になるようにウェーハ保持部１４のＹ方向メカニカルスキャンの速度を補正する機能と、質量分析部４の磁場を変化させることによりイオンビーム中心位置を制御する機能と、アパーチャー５のサプレッション電圧やビーム電流を変化させることによりイオンビーム径を制御する機能を持たせ、ウェーハ８の注入面内均一性の向上とパーティクルの低減を図る。 （もっと読む）

【課題】基材の表面に所定の光学特性を有する多重薄膜層を成膜バッチに関わらず安定して形成することが可能である、高品質な分光フィルタを歩留まり良く製造可能なイオンアシスト成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバＡ内で蒸発源と、基材と、前記蒸発源から前記真空チャンバ内への成膜材料の拡散を許容及び遮断する許容／遮断手段と、イオン源と、前記イオン源からの前記イオンビームの発射条件を調整する調整手段とを備えるイオンアシスト成膜装置１００であって、前記イオンビームの前記基材への照射強度を検出する照射強度検出手段１８ａ，１８ｂを更に備え、前記許容／遮断手段により前記真空チャンバの内部への前記成膜材料の拡散を遮断した後に前記照射強度が少なくとも所定の照射強度になるように前記調整手段により前記イオン源からの前記イオンビームの発射条件を調整する。 （もっと読む）

【課題】 高密度の中性粒子ビームを被処理物に照射することができ、被処理物の加工速度を向上させることができる中性粒子ビーム処理装置を提供する。
【解決手段】 中性粒子ビーム処理装置１０は、イオン生成室１４の内部にイオンを生成するイオン生成手段と、イオン生成室１４の内部のイオンを中性化室１６に引き出す引出手段と、引き出されたイオンを中性化して中性粒子ビームを生成する中性化手段とを備える。中性粒子ビーム処理装置１０は、中性粒子ビーム中に残留する荷電粒子を除去する荷電粒子除去手段と、中性粒子ビームが照射される被処理物１８を保持する保持台４８とを備えている。荷電粒子除去手段は、ビームの進行方向に垂直な方向に磁界を形成して荷電粒子の軌道を曲げる磁界形成手段と、軌道が曲げられた荷電粒子を捕捉する捕捉板６６とを有している。 （もっと読む）